JPH0264939A - 光ディスクメモリー - Google Patents

光ディスクメモリー

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Publication number
JPH0264939A
JPH0264939A JP63217894A JP21789488A JPH0264939A JP H0264939 A JPH0264939 A JP H0264939A JP 63217894 A JP63217894 A JP 63217894A JP 21789488 A JP21789488 A JP 21789488A JP H0264939 A JPH0264939 A JP H0264939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon
film
substrate
optical disk
mechanical strength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63217894A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Aoyanagi
青柳 修
Kenji Ito
健二 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP63217894A priority Critical patent/JPH0264939A/ja
Publication of JPH0264939A publication Critical patent/JPH0264939A/ja
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は光ディスクの構造に関するものである。
「従来の技術及びその問題点」 現在光ディスクである光学式ビデオディスク(VD)コ
ンパクトディスク(以後CD)が市販されているが、前
者はPMMAの基板を張り合わせた構造の物で後者はポ
リカーボネイト(以後PC)を基板とした単板の構造で
ある。光ディスクの基板に要求される性能として光学的
性質1寸法安定性、成型性の全てが高い事が望まれる。
PMMAは光学的特性は殆ど満足するがその他の特性、
例えば耐熱性、耐湿性において劣っている。PMMAは
吸湿性が高いため吸湿する事により膨潤して反りが生じ
機械的強度が低くなる。2枚を張り合わせる事により反
りを相殺するようにしであるが、ひどい物では張り合わ
せた接着層より2枚にはがれてしまう事もある。この為
PMMAは単板であるCDには用いられていない。
PCは耐熱性も比較的高いまた寸法安定性も比較的良好
である。しかし複屈折を生じやすいという難点があり添
加剤を加える等の改良により、現在実用レベルになって
いるが表面硬度が低く柔らかいため傷がつき易く光学的
信号読み出し媒体としては不安定な材料である。更にC
Dは単板である為信号面の保護は100μm未満の樹脂
系保護膜のみで行っているが、この保護膜のみでは傷等
がつき易く実用に際して取り扱いにくいものであった。
本発明は以上の問題点を安価で容易に解決した耐湿性及
び表面の機械的強度が大きな光ディスクメモリーを得る
ことを目的とする。
「問題点を解決しようとする手段」 本発明は基板1反射膜及び保護膜を有する光ディスクメ
モリーにおいて、基板に密接して炭素または炭素を主成
分とする被膜を形成したことにより前記の目的を達成し
たものである。即ち炭素又は炭素を主成分とする被膜を
光ディスクの基板上に成膜しそれを保護膜として用いた
ものである。
本発明で炭素または炭素を主成分とする被膜は、ビッカ
ース硬度2000 Kg/mII+”以上を有したアモ
ルファス構造または微結晶構造を有する被膜である。
「実施例1」 本実施例の光ディスクメモリーを第1図に示す。
図中1は炭素または炭素を主成分とする被膜、2ハP 
M M A等の基板、3はアルミニウム等の反射膜、4
は保護膜、5は接着層を示す。
光学式ビデオディスクの単板を公知の製造方法で製作し
得られた単板を2枚、保護膜同志を接着剤により張り合
わせた後基板上に炭素又は炭素を主成分とする被膜を形
成した。炭素又は炭素を主成分とする被膜のコーティン
グ方法は本発明人の出願になる特許側「炭素または炭素
を主成分とする被膜を形成する方法」 (昭和63年3
月2日出願)により行った。
本実施例では、平行平板方式のプラズマCVD装置によ
って両面同時に被膜形成が可能であるが、張り合わせ前
に光デイスク単板の基板上に片面被膜形成し、後にその
単板を2板張り合わせることも工程上何ら問題ないこと
である。
成膜の際反応性気体には反応空間における圧力が0. 
001〜10torr代表的には0.01〜05 to
rrの下で高周波エネルギーにより0.1〜5KHのエ
ネルギーが加えられる。
以下に本実施例の炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成する成膜条件を示す。
材料ガス: CH4+H。
圧力  : 10Pa (0,075torr)RF電
カニ120w 基板温度:室温 前記材料ガスにおいてCH,(メタン)に変えてエタン
、エチレン、メタン系炭化水素等の気体であってもよい
この条件でビッカース硬度が2200 Kg/mm”を
有する被膜を光ディスクの両面に約500人形成した。
得られた被膜は0.8μmの波長においては90%以上
の透過率を得る事が出来るものであった。
本発明の効果をみるために炭素又は炭素を主成分とする
被膜を光学式ビデオディスクの両面に成膜した物として
いない物を80°c、RH95%の恒温恒質槽に入れて
加速試験を行った。その結果を第1表に示す。○は良好
、Δは若干の変化、Xは大きな変化である。
した物は変化がないのに対し、成膜していない物は大き
く変化し遂には接着面よりはがれてしまうことがわかる
「実施例2」 CDのPC基板上に平行平板方式のプラズマCVDによ
り炭素又は炭素を主成分とする被膜を成膜した。
成膜条件は前記の実施例1の条件と同じ条件で500人
程変成膜した。
炭素又は炭素を主成分とした被膜を成膜したPC基板と
そうでないPC基板に対して規格化したアゲレジブチス
トを実施し、傷のつき具合を比較した結果を第2表に示
す。更に保護膜上にも同様に成膜しアゲレジブチストを
行ったが同様な結果が得られた。
第1表 炭素又は炭素を主成分とする被膜を両面に成膜第2表 表中のOは良好、Δは若干の傷つき、×はかなりの傷つ
きである。
また、本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜は水
や衝撃だけでなく酸素やその他の物に対してもブロッキ
ング作用を示す事は言う迄もない。
「効果」 本発明は以上のように安価で容易に耐湿性を向上させ、
表面硬度を大きくすることでディスク自身の機械的強度
を高めることができた。
実施例ではPMMAとPCを取り上げているが、その他
の基板においても同様な結果が得られるのは言う迄もな
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は炭素又は炭素を主成分とする被膜をディスクの
両面に成膜した時の断面図である。 1・・炭素又は炭素を主成分とする被膜2・・基板(、
PMMA) 3・・反射膜 4・・保護膜 5・・接着層 k− 弔

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、基板、反射膜及び保護膜を有する光ディスクメモリ
    ーにおいて、基板に密接して炭素または炭素を主成分と
    する被膜を形成したことを特徴とする光ディスクメモリ
    ー。
JP63217894A 1988-08-30 1988-08-30 光ディスクメモリー Pending JPH0264939A (ja)

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JP63217894A JPH0264939A (ja) 1988-08-30 1988-08-30 光ディスクメモリー

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JP63217894A JPH0264939A (ja) 1988-08-30 1988-08-30 光ディスクメモリー

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JPH0264939A true JPH0264939A (ja) 1990-03-05

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ID=16711425

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JP63217894A Pending JPH0264939A (ja) 1988-08-30 1988-08-30 光ディスクメモリー

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JP (1) JPH0264939A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5427599A (en) * 1987-06-09 1995-06-27 International Business Machines Corporation System for stamping an optical storage disk
US6468617B1 (en) 1993-07-20 2002-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating
US6835523B1 (en) 1993-05-09 2004-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating

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US6835523B1 (en) 1993-05-09 2004-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating
US6468617B1 (en) 1993-07-20 2002-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating

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