JPH0262953B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0262953B2 JPH0262953B2 JP60145364A JP14536485A JPH0262953B2 JP H0262953 B2 JPH0262953 B2 JP H0262953B2 JP 60145364 A JP60145364 A JP 60145364A JP 14536485 A JP14536485 A JP 14536485A JP H0262953 B2 JPH0262953 B2 JP H0262953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- glass substrate
- receiving plate
- photoelectric conversion
- curved surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
- B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
- B32B17/10761—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing vinyl acetal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
- B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/10807—Making laminated safety glass or glazing; Apparatus therefor
- B32B17/10889—Making laminated safety glass or glazing; Apparatus therefor shaping the sheets, e.g. by using a mould
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1028—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina by bending, drawing or stretch forming sheet to assume shape of configured lamina while in contact therewith
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は光エネルギを直接電気エネルギに変換
する光起電力装置の製造方法に関し、本発明によ
り製造された光起電力装置は例えば自動車のサン
ルーフに取り付けられる。
する光起電力装置の製造方法に関し、本発明によ
り製造された光起電力装置は例えば自動車のサン
ルーフに取り付けられる。
(ロ) 従来の技術
光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起
電力装置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主た
るエネルギ源としているために、エネルギ資源の
枯渇が問題となる中で脚光を浴びている。太陽は
晴天時に約1kW/m2のエネルギを地表に与えて
おり、太陽電池の光エネルギを電気エネルギに変
換する光電変換効率が例えば10%と仮定すると、
有効受光面積が10cm×10cmの太陽電池を用いたと
しても1Wしか発電しないために、有効受光面積
の大面積化が要求される。
電力装置、所謂太陽電池は無尽蔵な太陽光を主た
るエネルギ源としているために、エネルギ資源の
枯渇が問題となる中で脚光を浴びている。太陽は
晴天時に約1kW/m2のエネルギを地表に与えて
おり、太陽電池の光エネルギを電気エネルギに変
換する光電変換効率が例えば10%と仮定すると、
有効受光面積が10cm×10cmの太陽電池を用いたと
しても1Wしか発電しないために、有効受光面積
の大面積化が要求される。
この様な要求を満たすべく特公昭53−37718号
公報に開示された如き、シリコン化合物ガスを原
料ガスとするプラズマCVD法により得られるア
モルフアスシリコン膜を光電変換動作する光活性
層とする太陽電池が開発された。即ち、アモルフ
アスシリコン膜はシリコン化合物ガスを原料ガス
とし、そのガスをプラズマ分解することによつて
容易に得られるために大面積化に好都合である。
また最近では低圧水銀ランプを利用した光CVD
法によつてもアモルフアスシリコン太陽電池が試
作されている。
公報に開示された如き、シリコン化合物ガスを原
料ガスとするプラズマCVD法により得られるア
モルフアスシリコン膜を光電変換動作する光活性
層とする太陽電池が開発された。即ち、アモルフ
アスシリコン膜はシリコン化合物ガスを原料ガス
とし、そのガスをプラズマ分解することによつて
容易に得られるために大面積化に好都合である。
また最近では低圧水銀ランプを利用した光CVD
法によつてもアモルフアスシリコン太陽電池が試
作されている。
然し乍ら、斯るプラズマCVD法や光CVD法に
より大面積の太陽電池が得られるようになりつつ
あるものの、光活性層が膜状を呈する以上その光
活性層を支持する基板は不可欠な存在であり、そ
の基板の支持面が曲面であると、膜厚均一な光活
性層を得ることは難しく、最大の光電変換効率を
呈する最適膜厚が得られない。また仮に膜厚が均
一な光活性層が形成できたとしても、斯る光活性
層は光電変換素子を構成する電極膜を所定形状に
微細にパターニングすることも極めて困難であ
る。
より大面積の太陽電池が得られるようになりつつ
あるものの、光活性層が膜状を呈する以上その光
活性層を支持する基板は不可欠な存在であり、そ
の基板の支持面が曲面であると、膜厚均一な光活
性層を得ることは難しく、最大の光電変換効率を
呈する最適膜厚が得られない。また仮に膜厚が均
一な光活性層が形成できたとしても、斯る光活性
層は光電変換素子を構成する電極膜を所定形状に
微細にパターニングすることも極めて困難であ
る。
実開昭60−52640号公報に開示された先行技術
によれば、予め膜状の光電変換素子を平坦な状態
のフレキシブル基板に形成せしめた後、斯るフレ
キシブル基板をその柔軟性を利用して支持板の曲
面に接着することにより対処する方法を提案して
いる。
によれば、予め膜状の光電変換素子を平坦な状態
のフレキシブル基板に形成せしめた後、斯るフレ
キシブル基板をその柔軟性を利用して支持板の曲
面に接着することにより対処する方法を提案して
いる。
ところが斯るフレキシブル基板を光電変換素子
の支持基板とすると、今度はその柔軟性が災いし
て製造途中、特に加熱工程に於いて平坦面に形成
される光電変換素子の構成膜とフレキシブル基板
との熱膨張係数の差等に起因して僅かに湾曲(カ
ール)したり、また外部からの圧力付加により容
易に変形するために光電変換素子を破壊する危惧
を有する。更には、ガラス基板を支持基板とする
光起電力装置は、既に電卓、時計等の民生用小型
電子機器の電源のみならず太陽光発電としても実
用化されているものの、フレキシブル基板を支持
基板とした光起電力装置は、プロセスが煩雑とな
るためにプロセスコストが高価になるにも拘ず光
電変換効率等の特性が低く、屋外仕様、即ち耐候
性の点で問題を含んでおり、殆んど実用化される
に至つていない。
の支持基板とすると、今度はその柔軟性が災いし
て製造途中、特に加熱工程に於いて平坦面に形成
される光電変換素子の構成膜とフレキシブル基板
との熱膨張係数の差等に起因して僅かに湾曲(カ
ール)したり、また外部からの圧力付加により容
易に変形するために光電変換素子を破壊する危惧
を有する。更には、ガラス基板を支持基板とする
光起電力装置は、既に電卓、時計等の民生用小型
電子機器の電源のみならず太陽光発電としても実
用化されているものの、フレキシブル基板を支持
基板とした光起電力装置は、プロセスが煩雑とな
るためにプロセスコストが高価になるにも拘ず光
電変換効率等の特性が低く、屋外仕様、即ち耐候
性の点で問題を含んでおり、殆んど実用化される
に至つていない。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の如く種々の問題点を有するフレ
キシブル基板を光電変換素子の支持基板とするこ
となく、透光性受光板の曲面に光電変換素子を配
置した光起電力装置の製造方法を提供することを
目的としている。
キシブル基板を光電変換素子の支持基板とするこ
となく、透光性受光板の曲面に光電変換素子を配
置した光起電力装置の製造方法を提供することを
目的としている。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明光起電力装置の製造方法は、互いに平行
な平坦面を有する透光性のガラス基板を用意し、
その一方の平坦面に膜状の光電変換素子を形成し
た後、上記ガラス基板を接着シートを挾んで該ガ
ラス基板よりも機械的強度の大きい透光性受光板
の曲面に対峙せしめ、これらを減圧状態下に保持
し、上記ガラス基板を湾曲せしめて上記受光板の
曲面に上記接着シートを挾んで当接せしめたこと
を特徴とする。
な平坦面を有する透光性のガラス基板を用意し、
その一方の平坦面に膜状の光電変換素子を形成し
た後、上記ガラス基板を接着シートを挾んで該ガ
ラス基板よりも機械的強度の大きい透光性受光板
の曲面に対峙せしめ、これらを減圧状態下に保持
し、上記ガラス基板を湾曲せしめて上記受光板の
曲面に上記接着シートを挾んで当接せしめたこと
を特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如く膜状の光電変換素子を予め透光性の
ガラス基板の平坦面に形成した後、その平坦なガ
ラス基板を透光性受光板の曲面に対峙せしめ、そ
れらを減圧状態下に保持することによつて、上記
受光板に比して機械的強度の小さいガラス基板が
該受光板の曲面に沿つて湾曲する。
ガラス基板の平坦面に形成した後、その平坦なガ
ラス基板を透光性受光板の曲面に対峙せしめ、そ
れらを減圧状態下に保持することによつて、上記
受光板に比して機械的強度の小さいガラス基板が
該受光板の曲面に沿つて湾曲する。
(ヘ) 実施例
第1図は本発明製造方法を説明するための分解
断面図、第2図は完成状態の断面図第3図は完成
状態の要部拡大断面図であつて、1は互いに平行
な平坦面1a,1bを有し予め一方の平坦面1b
に膜状の光電変換素子2,2…が形成された透光
性のガラス基板で、該ガラス基板1は通常の窓用
の所謂青板ガラス(ソーダ石灰ガラス)からな
り、例えば0.2mm〜2.0mm程度の板厚を備えてい
る。3は第1図に於いて接着シート4aを挾んで
その一方の曲面3bが対峙した透光性受光板で、
平面にして40cm〜90cm×80cm〜180cm程度の面積
を備え、その周囲や全体に50mm〜105mm程度の曲
率半径を持つ曲面3a,3bが形成された例えば
自動車用のサンルーフ或いはムーンルーフであ
り、上記ガラス基板1よりも機械的強度が大きく
なるべく材料や板厚が選択されている。上述の如
く透光性受光板3の好ましい実施例である自動車
用のサンルーフ或いはムーンルーフにあつては強
化ガラスやポリカーボネート、アクリル等から曲
面状に成型されている。5は上記受光板3の他方
の主面3aを受光面とした場合、ガラス基板1の
一方の主面1bに支持された光電変換素子2,2
…の背面側を保護する保護フイルムで、該保護フ
イルム5も第1図に示す如く接着シート4bを挾
んでガラス基板1の一方の主面1bと対峙する。
6は光電変換素子2,2…の光電変換出力、即ち
光起電力を外部に導出するための端子ボツクス
で、一対のリード線7a,7bが延出している。
断面図、第2図は完成状態の断面図第3図は完成
状態の要部拡大断面図であつて、1は互いに平行
な平坦面1a,1bを有し予め一方の平坦面1b
に膜状の光電変換素子2,2…が形成された透光
性のガラス基板で、該ガラス基板1は通常の窓用
の所謂青板ガラス(ソーダ石灰ガラス)からな
り、例えば0.2mm〜2.0mm程度の板厚を備えてい
る。3は第1図に於いて接着シート4aを挾んで
その一方の曲面3bが対峙した透光性受光板で、
平面にして40cm〜90cm×80cm〜180cm程度の面積
を備え、その周囲や全体に50mm〜105mm程度の曲
率半径を持つ曲面3a,3bが形成された例えば
自動車用のサンルーフ或いはムーンルーフであ
り、上記ガラス基板1よりも機械的強度が大きく
なるべく材料や板厚が選択されている。上述の如
く透光性受光板3の好ましい実施例である自動車
用のサンルーフ或いはムーンルーフにあつては強
化ガラスやポリカーボネート、アクリル等から曲
面状に成型されている。5は上記受光板3の他方
の主面3aを受光面とした場合、ガラス基板1の
一方の主面1bに支持された光電変換素子2,2
…の背面側を保護する保護フイルムで、該保護フ
イルム5も第1図に示す如く接着シート4bを挾
んでガラス基板1の一方の主面1bと対峙する。
6は光電変換素子2,2…の光電変換出力、即ち
光起電力を外部に導出するための端子ボツクス
で、一対のリード線7a,7bが延出している。
而して、第1図に示した如く透光性受光板3の
凹状曲面3b側に、その曲面3b側に位置する接
着シート4aが先ずその曲面3bに沿つて敷設せ
しめられる。次いで、ガラス基板1が受光板3の
凹状曲面3bに積み重ねられるが、ガラス基板1
は柔軟性を備えていないために、その平坦面1a
は受光板3の凹状曲面3bに沿つて敷設された接
着シート4aと当接することなくその曲率に応じ
た空隙を形成した状態で対峙することとなる。そ
して、光電変換素子2,2…が形成されたガラス
基板1の一方の主面1a上に接着シート4b及び
保護フイルム5が順次積層され、端子ボツクス6
が光電変換素子2,2…と電気的に結線される。
凹状曲面3b側に、その曲面3b側に位置する接
着シート4aが先ずその曲面3bに沿つて敷設せ
しめられる。次いで、ガラス基板1が受光板3の
凹状曲面3bに積み重ねられるが、ガラス基板1
は柔軟性を備えていないために、その平坦面1a
は受光板3の凹状曲面3bに沿つて敷設された接
着シート4aと当接することなくその曲率に応じ
た空隙を形成した状態で対峙することとなる。そ
して、光電変換素子2,2…が形成されたガラス
基板1の一方の主面1a上に接着シート4b及び
保護フイルム5が順次積層され、端子ボツクス6
が光電変換素子2,2…と電気的に結線される。
この様にして電気的結線が終了すると、これら
積層体を柔軟な袋状体に収納し、該袋状体の開孔
部分から内部を10Torr以下の減圧状態に保持す
べく排気する。斯る排気が進行すると、袋状体の
内部はその外周方向から大気圧による圧迫を受け
るために、機械的強度の小さいガラス基板1が受
光板3の凹状曲面3bとの間に形成した空隙を縮
減すべく湾曲変形し、最終的に上記受光板3の凹
状曲面3bとガラス基板1は接着シート4aを挾
んで綿密に当接する。
積層体を柔軟な袋状体に収納し、該袋状体の開孔
部分から内部を10Torr以下の減圧状態に保持す
べく排気する。斯る排気が進行すると、袋状体の
内部はその外周方向から大気圧による圧迫を受け
るために、機械的強度の小さいガラス基板1が受
光板3の凹状曲面3bとの間に形成した空隙を縮
減すべく湾曲変形し、最終的に上記受光板3の凹
状曲面3bとガラス基板1は接着シート4aを挾
んで綿密に当接する。
この時、上記接着シート4a,4bが常温状態
に於いて接着性を有するものにあつては受光板
3、ガラス基板1及び保護フイルム5が接着固定
されるものの、屈折率が受光板3とガラス基板1
のそれとほぼ等しいポリビニルブチラール
(PVB)やエチレンビニルアセテート(EVA)
にあつては加熱工程が施される。斯るPVB及び
EVA共に厚み0.1mm〜数mm程度のシート状のもの
が例えば米国デユポン社から市販されており、購
入時白濁していると雖も上述の如く10Torr以下
の減圧状態を保持しつつ、約100℃〜150℃の加熱
工程を5分〜20分程度施すことにより、上記
PVBやEVAを溶融脱気し、その後冷却すれば上
記受光板3、ガラス基板1及び保護フイルム5が
透明となつたPVB或いはEVAの接着シート4
a,4bを介して一体的に結合される。
に於いて接着性を有するものにあつては受光板
3、ガラス基板1及び保護フイルム5が接着固定
されるものの、屈折率が受光板3とガラス基板1
のそれとほぼ等しいポリビニルブチラール
(PVB)やエチレンビニルアセテート(EVA)
にあつては加熱工程が施される。斯るPVB及び
EVA共に厚み0.1mm〜数mm程度のシート状のもの
が例えば米国デユポン社から市販されており、購
入時白濁していると雖も上述の如く10Torr以下
の減圧状態を保持しつつ、約100℃〜150℃の加熱
工程を5分〜20分程度施すことにより、上記
PVBやEVAを溶融脱気し、その後冷却すれば上
記受光板3、ガラス基板1及び保護フイルム5が
透明となつたPVB或いはEVAの接着シート4
a,4bを介して一体的に結合される。
本発明光起電力装置の製造方法に於ける光電変
換素子2,2…の好適な実施例は、第3図に拡大
して示す如くガラス基板1の一方の主面1b側か
ら酸化スズ、酸化インジウムスズに代表される透
光性導電酸化物(TCO)の第1電極膜8と、そ
の内部に膜面に平行な半導体接合を備えたシリコ
ン化合物ガスを原料ガスとするプラズマCVD法
や光CVD法により形成されたアモルフアスシリ
コン系の半導体光活性層9と、アルミニウム、
銀、TCO/銀等の第2電極膜10と、の積層体
からなり、それら光電変換素子2,2…は一定間
隔を隔てて整列配置されると共に、それらの隣接
間隔部に於いて相隣り合う第1電極膜8と第2電
極膜10とが電気的に結合されている。
換素子2,2…の好適な実施例は、第3図に拡大
して示す如くガラス基板1の一方の主面1b側か
ら酸化スズ、酸化インジウムスズに代表される透
光性導電酸化物(TCO)の第1電極膜8と、そ
の内部に膜面に平行な半導体接合を備えたシリコ
ン化合物ガスを原料ガスとするプラズマCVD法
や光CVD法により形成されたアモルフアスシリ
コン系の半導体光活性層9と、アルミニウム、
銀、TCO/銀等の第2電極膜10と、の積層体
からなり、それら光電変換素子2,2…は一定間
隔を隔てて整列配置されると共に、それらの隣接
間隔部に於いて相隣り合う第1電極膜8と第2電
極膜10とが電気的に結合されている。
(ト) 発明の効果
本発明光起電力装置の製造方法は以上の説明か
ら明らかな如く、膜状の光電変換素子を予め透光
性の平坦面に形成した後、その平坦なガラス基板
を透光性受光板の曲面に対峙せしめ、それらを減
圧状態下に保持することによつて、上記受光板に
比して機械的強度の小さいガラス基板は該受光板
の曲面に沿つて湾曲し、ガラス基板と受光板は両
者の間に介在せしめられていた接着シートにより
一体的に結合することができるので、電気的特
性、耐候性、製造歩留まり、プロセスコスト等で
優れ既に実用化されている平坦なガラス基板を膜
状光電変換素子の支持基板として用いることがで
き、実用化が極めて難しかつた曲面を持つ光起電
力装置の製造を容易に実現せしめることができ
る。
ら明らかな如く、膜状の光電変換素子を予め透光
性の平坦面に形成した後、その平坦なガラス基板
を透光性受光板の曲面に対峙せしめ、それらを減
圧状態下に保持することによつて、上記受光板に
比して機械的強度の小さいガラス基板は該受光板
の曲面に沿つて湾曲し、ガラス基板と受光板は両
者の間に介在せしめられていた接着シートにより
一体的に結合することができるので、電気的特
性、耐候性、製造歩留まり、プロセスコスト等で
優れ既に実用化されている平坦なガラス基板を膜
状光電変換素子の支持基板として用いることがで
き、実用化が極めて難しかつた曲面を持つ光起電
力装置の製造を容易に実現せしめることができ
る。
第1図は本発明製造方法を説明するための分解
断面図、第2図は本発明製造方法によつて製造さ
れた光起電力装置の断面図、第3図は第2図の要
部拡大断面図、を夫々示している。 1……透光性ガラス基板、1a,1b……平坦
面、2……膜状光電変換素子、3……透光性受光
板、3a,3b……曲面、4a,4b……接着シ
ート、5……保護フイルム。
断面図、第2図は本発明製造方法によつて製造さ
れた光起電力装置の断面図、第3図は第2図の要
部拡大断面図、を夫々示している。 1……透光性ガラス基板、1a,1b……平坦
面、2……膜状光電変換素子、3……透光性受光
板、3a,3b……曲面、4a,4b……接着シ
ート、5……保護フイルム。
Claims (1)
- 1 互いに平行な平坦面を有する透光性のガラス
基板を用意し、その一方の平坦面に膜状の光電変
換素子を形成した後、上記ガラス基板を接着シー
トを挾んで該ガラス基板よりも機械的強度の大き
い透光性受光板の曲面に対峙せしめ、これらを減
圧状態下に保持し、上記ガラス基板を湾曲せしめ
て上記受光板の曲面に上記接着シートを挾んで当
接せしめたことを特徴とする光起電力装置の製造
方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145364A JPS625671A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 光起電力装置の製造方法 |
US06/878,118 US4686321A (en) | 1985-07-02 | 1986-06-25 | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
US07/057,021 US4795500A (en) | 1985-07-02 | 1987-06-01 | Photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145364A JPS625671A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS625671A JPS625671A (ja) | 1987-01-12 |
JPH0262953B2 true JPH0262953B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15383496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60145364A Granted JPS625671A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4686321A (ja) |
JP (1) | JPS625671A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0441559U (ja) * | 1990-08-01 | 1992-04-08 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4795500A (en) * | 1985-07-02 | 1989-01-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JPS62186447U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-27 | ||
US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
JPH058180Y2 (ja) * | 1987-02-12 | 1993-03-02 | ||
EP0343628B1 (en) * | 1988-05-24 | 1993-12-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for producing a glass substrate for a solar cell |
EP0390163B1 (en) * | 1989-03-31 | 1993-06-16 | Asahi Glass Company Ltd. | Electrically heatable windshield |
JP2500974Y2 (ja) * | 1990-01-11 | 1996-06-12 | 日本板硝子株式会社 | 中間物内蔵型合わせガラス |
DE4105389C1 (ja) * | 1991-02-21 | 1992-06-11 | Webasto-Schade Gmbh, 8031 Oberpfaffenhofen, De | |
FR2673327B1 (fr) * | 1991-02-21 | 1993-12-24 | Solems | Dispositif et cellule photovoltauique formes sur une plaque courbee et pouvant presenter une transparence partielle. |
US5252139A (en) * | 1991-02-21 | 1993-10-12 | Solems S.A. | Photovoltaic thin layers panel structure |
US5176758A (en) * | 1991-05-20 | 1993-01-05 | United Solar Systems Corporation | Translucent photovoltaic sheet material and panels |
US5507880A (en) * | 1992-06-08 | 1996-04-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous solar module having improved passivation |
US5460660A (en) * | 1993-07-21 | 1995-10-24 | Photon Energy, Inc. | Apparatus for encapsulating a photovoltaic module |
US5508205A (en) * | 1994-03-29 | 1996-04-16 | Amoco/Enron Solar | Method of making and utilizing partially cured photovoltaic assemblies |
AU768216B2 (en) * | 1997-04-21 | 2003-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method for manufacturing same |
US6215060B1 (en) * | 1997-04-21 | 2001-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a solar cell module |
US6160215A (en) | 1999-03-26 | 2000-12-12 | Curtin; Lawrence F. | Method of making photovoltaic device |
DE10062712A1 (de) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Boehringer Ingelheim Pharma | Neue Arzneimittelkompositionen auf der Basis von Anticholinergika und Corticosteroiden |
AUPR174800A0 (en) * | 2000-11-29 | 2000-12-21 | Australian National University, The | Semiconductor processing |
US7828983B2 (en) * | 2001-11-29 | 2010-11-09 | Transform Solar Pty Ltd | Semiconductor texturing process |
WO2004064167A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Kaneka Corporation | 透光性薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
ITMI20040253A1 (it) * | 2004-02-16 | 2004-05-16 | Curvet S P A | Modulo fotovoltaico curvo processo produttivo e relativa vetrara isolante termicamente ed acusticamente |
CN100361318C (zh) * | 2005-10-21 | 2008-01-09 | 李毅 | 一种太阳能电池天窗及其制造方法 |
CN101363266A (zh) * | 2007-08-09 | 2009-02-11 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 太阳能屋 |
TWI379425B (en) * | 2007-12-13 | 2012-12-11 | Nexpower Technology Corp | Translucent solar cell and manufacturing method thereof |
WO2010087388A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | 京セラ株式会社 | 光電変換セルおよび光電変換モジュール |
AU2010201980A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-12-09 | Suntech Power Co., Ltd. | Thin film solar module |
TWI463680B (zh) * | 2009-06-22 | 2014-12-01 | Nexpower Technology Corp | Transparent thin film solar cells |
GB2472608B (en) * | 2009-08-12 | 2013-09-04 | M Solv Ltd | Method and Apparatus for making a solar panel that is partially transparent |
TW201210036A (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | An Ching New Energy Machinery & Equipment Co Ltd | Enhanced intelligent thin film solar cell for temperature-oriented infrared light transmittance function |
US8834664B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-09-16 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic modules for use in vehicle roofs, and/or methods of making the same |
JP5119376B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
US20130008500A1 (en) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Changzhou Almaden Co., Ltd. | Physical tempered glass, solar cover plate, solar backsheet and solar panel |
DE102011081081A1 (de) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul |
WO2013158581A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Guardian Industries Corp. | Improved photovoltaic modules for use in vehicle roofs, and/or methods of making the same |
US10056515B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-08-21 | Saint-Gobain Glass France | Roof panel having an integrated photovoltaic module |
CN203013752U (zh) * | 2012-06-21 | 2013-06-19 | 长春光景科技有限公司 | 一种柔性太阳能电池组件 |
EP2913921B1 (en) * | 2013-04-10 | 2017-03-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell apparatus |
CN103258881B (zh) * | 2013-05-07 | 2015-11-11 | 宁波山迪光能技术有限公司 | 薄膜太阳能电池板及其制备方法 |
KR101643236B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2016-07-29 | 주식회사 무한 | 박막형 태양전지를 이용한 구조물 |
JP6668823B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2020-03-18 | Agc株式会社 | 合わせ板 |
FR3073322B1 (fr) * | 2017-11-07 | 2021-12-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'au moins un circuit electronique courbe |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3565719A (en) * | 1967-05-17 | 1971-02-23 | Nasa | Solar panel fabrication |
JPS52640A (en) * | 1975-06-12 | 1977-01-06 | Saito Chiyouichi | Production of fluidity seed fungus of edible mushroom |
US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
JPS59217378A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP60145364A patent/JPS625671A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-25 US US06/878,118 patent/US4686321A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0441559U (ja) * | 1990-08-01 | 1992-04-08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS625671A (ja) | 1987-01-12 |
US4686321A (en) | 1987-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0262953B2 (ja) | ||
TWI413266B (zh) | 太陽能電池模組 | |
EP1973171B1 (en) | Solar cell module | |
KR101245458B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
US6320115B1 (en) | Semicondonductor device and a process for the production thereof | |
US5679176A (en) | Group of solar cell elements, and solar cell module and production method thereof | |
JPH11312820A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP3288876B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
US20030005954A1 (en) | Solar cell module and method of manufacturing the same | |
WO2014180281A1 (zh) | 薄膜太阳能电池板及其制备方法 | |
KR102360087B1 (ko) | 컬러필름 적용 태양광 모듈 및 이의 제조방법 | |
US20040182432A1 (en) | Photovoltaic module subassembly and photovoltaic module with sealed insulating glass | |
US20120031465A1 (en) | Solar module in an insulating glass composite method for production and use | |
WO2014180282A1 (zh) | 太阳能汽车天窗及其制作方法 | |
JP3609572B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP5507034B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP2002043594A (ja) | 光透過型薄膜太陽電池モジュール | |
JPH09116182A (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2001244486A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP3363367B2 (ja) | 太陽電池モジュール用カバーガラス構造 | |
JP2002111014A (ja) | 太陽光発電プラスチックモジュール | |
JP4330241B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2007201315A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法及びその製造装置 | |
JPH09331079A (ja) | フレームレス太陽電池モジュール | |
CN210607279U (zh) | 一种导电薄膜、太阳能电池串及光伏组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |