JPH0261958B2 - - Google Patents
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- JPH0261958B2 JPH0261958B2 JP12143582A JP12143582A JPH0261958B2 JP H0261958 B2 JPH0261958 B2 JP H0261958B2 JP 12143582 A JP12143582 A JP 12143582A JP 12143582 A JP12143582 A JP 12143582A JP H0261958 B2 JPH0261958 B2 JP H0261958B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
K1340
を有するホスフオン酸エステル誘導体およびその
アルカリ金属塩に関するものである。
アルカリ金属塩に関するものである。
上記式中、R1，R2およびR3は同一または異な
つて水素原子または低級アルキル基を示し、R4
はアルキル基またはアリール基を示す。
つて水素原子または低級アルキル基を示し、R4
はアルキル基またはアリール基を示す。
前記一般式（）において、R1，R2およびR3
の低級アルキル基としてはメチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピルのような炭素数１乃至３
個を有するアルキル基をあげることができ、R4
のアルキル基としてはメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、
sec−ブチル、tert−ブチル、ｎ−ペンチル、イ
ソペンチルのような炭素数１乃至５個を有するア
ルキル基、アリール基としては芳香環に置換基と
してメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ルのような低級アルキル基若しくはメトキシ、エ
トキシ、ｎ−プロポキシのような低級アルコキシ
基を有していてもよいフエニル基をあげることが
でき、アルカリ金属塩を形成するアルカリ金属イ
オンとしてはナトリウム、カリウム、リチウムな
どの金属イオンをあげることができる。
の低級アルキル基としてはメチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピルのような炭素数１乃至３
個を有するアルキル基をあげることができ、R4
のアルキル基としてはメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、
sec−ブチル、tert−ブチル、ｎ−ペンチル、イ
ソペンチルのような炭素数１乃至５個を有するア
ルキル基、アリール基としては芳香環に置換基と
してメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ルのような低級アルキル基若しくはメトキシ、エ
トキシ、ｎ−プロポキシのような低級アルコキシ
基を有していてもよいフエニル基をあげることが
でき、アルカリ金属塩を形成するアルカリ金属イ
オンとしてはナトリウム、カリウム、リチウムな
どの金属イオンをあげることができる。
前記一般式（）を有する化合物は、例えば気
管支拡張剤として有用な化合物である一般式 K1341 （式中、R1は前述したものと同意義を示し、
Ａはエチレン基またはシス−ビニレン基を示
す。） を有するプロスタグラジン誘導体〔特願昭51−
14272号（特開昭52−97946号）〕あるいは抗血栓
剤として有用な化合物である一般式 K1342 （式中、R1は前述したものと同意義を示す。） を有するカルバサイクリン誘導体〔特願昭53−
462号（特開昭54−95552号）〕のω側鎖部分導入
のための重要な合成中間体である。
管支拡張剤として有用な化合物である一般式 K1341 （式中、R1は前述したものと同意義を示し、
Ａはエチレン基またはシス−ビニレン基を示
す。） を有するプロスタグラジン誘導体〔特願昭51−
14272号（特開昭52−97946号）〕あるいは抗血栓
剤として有用な化合物である一般式 K1342 （式中、R1は前述したものと同意義を示す。） を有するカルバサイクリン誘導体〔特願昭53−
462号（特開昭54−95552号）〕のω側鎖部分導入
のための重要な合成中間体である。
従来、本発明の化合物（）は、一般式
K1343
（式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示し、Ｘは塩素、臭素、沃素のようなハロゲ
ン原子を示す。） を有する化合物を水性アルカリで処理するか、あ
るいは一般式 K1344 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） 若しくは一般式 K1345 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） を有する化合物を酸化剤で処理して一般式 K1346 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） を有する化合物を合成し、これをエステル化して
後、一般式 K1347 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） と反応させることによつて製造されていた。
を示し、Ｘは塩素、臭素、沃素のようなハロゲ
ン原子を示す。） を有する化合物を水性アルカリで処理するか、あ
るいは一般式 K1344 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） 若しくは一般式 K1345 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） を有する化合物を酸化剤で処理して一般式 K1346 （式中、R1およびR2は前述したものと同意義
を示す。） を有する化合物を合成し、これをエステル化して
後、一般式 K1347 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） と反応させることによつて製造されていた。
今回本発明者は上記のような煩雑な数工程によ
る合成法の改良研究に鋭意努力した結果、その簡
便な合成法を確立し、本発明を完成するに至つ
た。
る合成法の改良研究に鋭意努力した結果、その簡
便な合成法を確立し、本発明を完成するに至つ
た。
本発明の前記一般式（）を有する化合物の製
造法は、一般式 K1348 （式中、R1，R2およびＸは前述したものと同
意義を示す。） を有するシクロヘキサノン誘導体を溶剤の存在下
で一般式 K1349 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） を有するメチルホスフオン酸エステルリチウム塩
と反応させることによつて達成される。
造法は、一般式 K1348 （式中、R1，R2およびＸは前述したものと同
意義を示す。） を有するシクロヘキサノン誘導体を溶剤の存在下
で一般式 K1349 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） を有するメチルホスフオン酸エステルリチウム塩
と反応させることによつて達成される。
反応は不活性溶剤の存在下で実施されるが、使
用される溶剤としてはエチルエーテル、テトラヒ
ツドロフラン、ジメトキシエタン、ジグライム、
ジオキサンのようなエーテル類、ヘキサン、ベン
ゼンのような炭化水素類またはそれ等の溶剤の混
合溶剤が好適であり、窒素、アルゴンのような不
活性ガス気流下で反応させるのが好ましい。な
お、原料化合物である一般式（）を有するリチ
ウム塩は反応溶剤中で一般式 K1350 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） を有するメチルホスフオン酸エステル誘導体を有
機リチウム化合物と処理することによつて生成さ
せることができ、使用される有機リチウム化合物
としてはメチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、
sec−ブチルリチウム、フエニルリチウム、ジイ
ソプロピルリチウムアミドなどが好適である。反
応温度は−100℃乃至室温が好適であり、反応時
間は反応温度によつても異なるが、通常１乃至５
時間である。
用される溶剤としてはエチルエーテル、テトラヒ
ツドロフラン、ジメトキシエタン、ジグライム、
ジオキサンのようなエーテル類、ヘキサン、ベン
ゼンのような炭化水素類またはそれ等の溶剤の混
合溶剤が好適であり、窒素、アルゴンのような不
活性ガス気流下で反応させるのが好ましい。な
お、原料化合物である一般式（）を有するリチ
ウム塩は反応溶剤中で一般式 K1350 （式中、R3およびR4は前述したものと同意義
を示す。） を有するメチルホスフオン酸エステル誘導体を有
機リチウム化合物と処理することによつて生成さ
せることができ、使用される有機リチウム化合物
としてはメチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、
sec−ブチルリチウム、フエニルリチウム、ジイ
ソプロピルリチウムアミドなどが好適である。反
応温度は−100℃乃至室温が好適であり、反応時
間は反応温度によつても異なるが、通常１乃至５
時間である。
反応終了後、本発明の目的化合物（）は反応
化合物を常法に従つて処理することによつて得ら
れる。例えば反応混合物に酢酸および飽和食塩水
を加えて後、酢酸エチルのような有機溶剤で抽出
し、有機溶剤層を乾燥し、溶剤を留去することに
よつて得ることができる。得られた目的化合物は
必要ならば常法、例えば減圧蒸留法、カラムクロ
マトグラフイーなどによつてさらに精製すること
ができる。
化合物を常法に従つて処理することによつて得ら
れる。例えば反応混合物に酢酸および飽和食塩水
を加えて後、酢酸エチルのような有機溶剤で抽出
し、有機溶剤層を乾燥し、溶剤を留去することに
よつて得ることができる。得られた目的化合物は
必要ならば常法、例えば減圧蒸留法、カラムクロ
マトグラフイーなどによつてさらに精製すること
ができる。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明
する。
する。
実施例 １
ジメチル ２−オキソ−４（Ｒ），８−ジメチル
−７−ノネニルホスフオネート ジメチル メチル−ホスフオート76.95ｇのテ
トラヒドロフラン溶液（1.49）を窒素気流下−
72℃に冷却する。反応液にノルマルブチルリチウ
ムのヘキサン溶液（15％）277mlを撹拌しながら
−65℃以下で滴下する。１時間30分冷却撹拌後、
２−（２−クロル−２−プロピル）−５−メチルシ
クロヘキサノン25ｇのテトラヒドロフラン溶液
（50ml）を−65℃以下で滴下する。同温度で５分
撹拌したのち冷却バスを取り去り室温で撹拌す
る。１時間40分後、酢酸24mlを加えた後飽和食塩
水で希釈し酢酸エチルエステルで抽出する。抽出
液を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。溶媒を留去し得られた残渣57.4ｇを蒸
留により精製すると、沸点（0.1mmHg）124−127
℃を有する目的化合物34.2ｇが得られた。
−７−ノネニルホスフオネート ジメチル メチル−ホスフオート76.95ｇのテ
トラヒドロフラン溶液（1.49）を窒素気流下−
72℃に冷却する。反応液にノルマルブチルリチウ
ムのヘキサン溶液（15％）277mlを撹拌しながら
−65℃以下で滴下する。１時間30分冷却撹拌後、
２−（２−クロル−２−プロピル）−５−メチルシ
クロヘキサノン25ｇのテトラヒドロフラン溶液
（50ml）を−65℃以下で滴下する。同温度で５分
撹拌したのち冷却バスを取り去り室温で撹拌す
る。１時間40分後、酢酸24mlを加えた後飽和食塩
水で希釈し酢酸エチルエステルで抽出する。抽出
液を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥する。溶媒を留去し得られた残渣57.4ｇを蒸
留により精製すると、沸点（0.1mmHg）124−127
℃を有する目的化合物34.2ｇが得られた。
赤外線吸収スペクトル（液膜状）γnaxcm-1：
1715
核磁気共鳴スペクトル（CCl4）δppm：
0.90 （3H、二重線、Ｊ＝６Hz）
1.57 （3H、一重線）
1.64 （3H、一重線）
2.89 （2H、二重線、Ｊ＝23Hz）
3.66 （6H、二重線、Ｊ＝11Hz）
4.96 （1H、三重線、Ｊ＝７Hz）
実施例 ２
ジメチル ２−オキソ−８−メチル−７−ノネ
ニルホスフオネート ジメチル メチルホスフオネート7.65ｇのテト
ラヒドロフラン溶液（150ml）にノルマルブチル
リチウムのヘキサン溶液（15％）27.7mlを撹拌し
ながら−65℃以下で滴下する。１時間30分冷却撹
拌後、２−（２−クロル−２−プロピル）−シクロ
ヘキサノン2.5ｇのテトラヒドロフラン溶液（10
ml）を−65℃以下で滴下する。同温度で５分間撹
拌したのち、冷却を止め室温で撹拌した。１時間
30分後、酢酸2.5mlを加えたのち飽和食塩水で希
釈し酢酸エチルエステルで抽出する。抽出液を無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去する。得
られた残渣を蒸留により精製すると、沸点（0.1
mmHg）123〜126℃を有する目的化合物3.50ｇが
得られた。
ニルホスフオネート ジメチル メチルホスフオネート7.65ｇのテト
ラヒドロフラン溶液（150ml）にノルマルブチル
リチウムのヘキサン溶液（15％）27.7mlを撹拌し
ながら−65℃以下で滴下する。１時間30分冷却撹
拌後、２−（２−クロル−２−プロピル）−シクロ
ヘキサノン2.5ｇのテトラヒドロフラン溶液（10
ml）を−65℃以下で滴下する。同温度で５分間撹
拌したのち、冷却を止め室温で撹拌した。１時間
30分後、酢酸2.5mlを加えたのち飽和食塩水で希
釈し酢酸エチルエステルで抽出する。抽出液を無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去する。得
られた残渣を蒸留により精製すると、沸点（0.1
mmHg）123〜126℃を有する目的化合物3.50ｇが
得られた。
赤外線吸収スペクトル（液膜状）γnaxcm-1：
1715
核磁気吸収スペクトル（CCl4）δppm：
1.60 （3H、一重線）
1.68 （3H、一重線）
3.08 （2H、二重線、Ｊ＝23Hz）
3.78 （6H、二重線、Ｊ＝11Hz）
5.13 （1H、三重線、Ｊ＝７Hz）
実施例 ３
ジエチル ２−オキソ−１，４，８−トリメチ
ル−７−ノネニルホスフオネート ジエチル、エチルホスフオネート10.3ｇのテト
ラヒドロフラン溶液149mlをN2気流下−72℃に冷
却しｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（15％）
27.6mlを撹拌しながら−65℃以下で摘下する。１
時間30分冷却撹拌後、２−（２−クロル−２−プ
ロピル）−５−メチルシクロヘキサノン2.5ｇのテ
トラヒドロフラン溶液10mlを−65℃以下で滴下す
る。同温度で５分間撹拌したのち冷却バスを取り
去り室温で撹拌する。１時間50分後、酢酸2.5ml
を加えた後飽和食塩水で希釈し酢酸エチルエステ
ルで抽出する。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し得ら
れた残渣をシリカゲルを用いたカラムクロマトグ
ラフイーで精製すると、55％酢酸エチルエステル
含有ヘキサン流出部より目的化合物が得られた。
ル−７−ノネニルホスフオネート ジエチル、エチルホスフオネート10.3ｇのテト
ラヒドロフラン溶液149mlをN2気流下−72℃に冷
却しｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（15％）
27.6mlを撹拌しながら−65℃以下で摘下する。１
時間30分冷却撹拌後、２−（２−クロル−２−プ
ロピル）−５−メチルシクロヘキサノン2.5ｇのテ
トラヒドロフラン溶液10mlを−65℃以下で滴下す
る。同温度で５分間撹拌したのち冷却バスを取り
去り室温で撹拌する。１時間50分後、酢酸2.5ml
を加えた後飽和食塩水で希釈し酢酸エチルエステ
ルで抽出する。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し得ら
れた残渣をシリカゲルを用いたカラムクロマトグ
ラフイーで精製すると、55％酢酸エチルエステル
含有ヘキサン流出部より目的化合物が得られた。
赤外線吸収スペクトル（液膜状）γnaxcm-1：
1716
核磁気共鳴スペクトル（CDCl3）δppm：
1.18 （3H、二重線、Ｊ＝７Hz）
1.57 （3H、一重線）
1.63 （3H、一重線）
5.03 （1H、三重線、Ｊ＝７Hz）
実施例 ４
ジメチル １（RS）−エチル−２−オキソ−４
（Ｒ）、８−ジメチル−７−ノネニルホスホネー
ト ジメチル プロピルホスホネート1.5ｇ、ノル
マルブチルリチウムのヘキサン溶液（15％）６ml
および２−（２−クロル−２−プロピル）−５−メ
チルシクロヘキサノン1.3ｇを用いて、実施例１
と同様に反応、処理すると、油状の目的化合物
0.685ｇが得られた。
（Ｒ）、８−ジメチル−７−ノネニルホスホネー
ト ジメチル プロピルホスホネート1.5ｇ、ノル
マルブチルリチウムのヘキサン溶液（15％）６ml
および２−（２−クロル−２−プロピル）−５−メ
チルシクロヘキサノン1.3ｇを用いて、実施例１
と同様に反応、処理すると、油状の目的化合物
0.685ｇが得られた。
赤外線吸収スペクトル（液膜状）γnaxcm-1
：1715
核磁気共鳴スペクトル（CDCl3）δppm：
0.8−1.1（6H、多重線）
1.60 （3H、１重線）
1.68 （3H、一重線）
3.75（6H、二重線、Ｊ＝11Hz）
5.11 （1H、巾広い三重線）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 K1337 （式中、R1およびR2は同一または異なつて水
素原子または低級アルキル基を示し、Ｘはハロ
ゲン原子を示す。） を有するシクロヘキサノン誘導体を一般式 K1338 （式中、R3は水素原子または低級アルキル基
を示し、R4はアルキル基またはアリール基を
示す。） を有するメチルホスフオン酸エステルリチウム塩
誘導体と反応させることを特徴とする一般式 K1339 （式中、R1，R2，R3およびR4は前述したもの
と同意義を示す。） を有するホスフオン酸エステル誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12143582A JPS5913794A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ホスフオン酸エステル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12143582A JPS5913794A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ホスフオン酸エステル誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913794A JPS5913794A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH0261958B2 true JPH0261958B2 (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14811062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12143582A Granted JPS5913794A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | ホスフオン酸エステル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913794A (ja) |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12143582A patent/JPS5913794A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5913794A (ja) | 1984-01-24 |
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