JPS5913794A - ホスフオン酸エステル誘導体の製造法 - Google Patents

ホスフオン酸エステル誘導体の製造法

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JPS5913794A
JPS5913794A JP12143582A JP12143582A JPS5913794A JP S5913794 A JPS5913794 A JP S5913794A JP 12143582 A JP12143582 A JP 12143582A JP 12143582 A JP12143582 A JP 12143582A JP S5913794 A JPS5913794 A JP S5913794A
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Japan
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Koichi Kojima
小島 孝一
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Sankyo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 を有するホスフオン酸エステル誘2N体およびそのアル
カリ金属塩に関するものである。
上記式中、R、RおよびR&よ同一または異なって水素
原子塊たは低級アルキル基を示し、R4はアルキル基ま
たはアリール基を示す。
前記一般式(I)において、R” + R2およびR3
の低級アルキル基としてはメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピルのような炭素数1乃至3個を有するア
ルキル基をあげることができ、R4のアルキル基として
はメチル、エチル、nプロピル、インゾロビル、n−グ
チル、イノブチル、度−ブチル、tart−ブチル、n
−ペンチル、イソペンチルのような炭素数1乃至5個を
有するアルキル基、アリール基としては芳香環に置換基
としてメチル、エチル、n−プロピル、イソゾロビルの
ような低級アをキル基若しくはメトキシ、エトキシ、n
−プロポキシのような低級アルコえシ基を有していても
よいフェニル基をあけることができ、アルカリ金属塙を
形成するアルカリ金属イオンとしてはナトリウム、カリ
ウム、リチウノ・などの金属イオンをあげることができ
る。
前記一般式(Dを有する化合物は、例えば気管支拡張剤
として有用な化合物であるー・般式(式中、R1は前述
したものとド1意義を示し、Aはエチレン基またはシス
−ビニレン基t 示f。)を有するプロスタグラノン誘
導体〔特願昭51−14272号(%開昭52’ 97
946号)〕あるいは抗血栓剤として有用な化合物であ
る一般式(式中、R1は前述したものと同意義を示す。
)を有するカルパサイノリン誘導体〔特願昭53−46
2号(特開昭54−95552号)〕のω側鎖部分導入
のための重要な合成中間体である。
従来、本発明の化合物(1)は、一般式(式中、R1お
よびR2は前述したものと同意義を示し、Xは塩素、臭
素、沃素のよりな−・ログン原子を示す。) を有する化合物を水性アルカリで処理するか、あるいは
一般式 (式中、■(1お・よひR2は前述したものと同意義を
示す。) 若しくは一般式 (式中、R1およびR2は前述したものと同意義を示す
。) を有する化合物el化剤で処理して一般式(式中、R1
およびR2は前述したものと同意義を示す。) を有する化合物を合成し、これをエステル化して後、一
般式 (式中、R″およびRは前述したものと同意義を示す。
) と反応させることによって製造されていた。
今回本発明者は上記のような煩雑な数工程による合成法
の改良研究に鋭意努力した結果、その簡便な合成法を確
立し、本発明を完成するに至った。
本発明の前記一般式(1)を有する化合物の製造法は、
一般式 (式中、R1,R2およびXは前述したものと同意義を
示す。) ヲ有スるシクロヘキサノン誘導体を溶剤の存在下で一般
式 (式中、R3およびR4は前述したものと同意義を示す
。) を有するメチルホスフオン酸エステルリチウム塩と反応
させることによって達成される。
反応は不活性溶剤の存在下で実施されるが、使用される
溶剤としてはエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジ
メトキシエタン、ジグライム、ジオキサンのようなエー
テル類、ヘキサン、ベンゼンのような炭化水素類または
それ等の溶剤の混合溶剤が好適であり、窒素、アルゴン
のような不活性ガス気流下で反応させるのが好ましい。
なお、原料化合物である一般式(ト)を有するリチウム
塩は反応溶剤中で一般式 %式%) (式中、R3およびR4は前述したものと同意義を示す
。) を有するメチルホスフオン酸エステル誘導体を有機リチ
ウム化合物と処理することによって生成させることがで
き、使用される有機リチウム化合物としてはメチルリチ
ウム、n−ブチルリチウム、賞−ブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、ジイソプロピルリチウムアミドなどが好
適である。反応温度は一100℃乃至室温が好適であり
、反応時間は反応温度によっても異なるが、通常1乃至
5時間である。
反応終了後、本発明の目的化合物(T)は反応化合物を
常法に従って処理することによって得られる。例えば反
応混合物に酢酸および飽オロ食塩水を加えて後、酢酸エ
チルのような有機溶剤で抽出し、有機溶剤層を乾燥し、
溶剤を留去することによって得ることができる。得られ
た目的化合物は必要ならば常法、例えば減圧蒸留法、カ
ラムクロマトグラフィーなどによってさらに精製するこ
とができる。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。
実施例1 ジメチル メチル−ホスフォネート76.95.tのテ
トラヒドロフラン溶液(1,49A)を窒素気流下−7
2℃に冷却する。反応液にノルマルブチルリチウムのヘ
キサン溶液(15%)277mlを攪拌しながら一65
℃以下で滴下する。1時間30分冷却攪拌後、2−(2
−クロル−2−プロピル)−5−メチルシクロヘキザノ
ン251のテトラヒドロフラン溶液(50ml )を−
65℃以下で滴下する。同温すfで5分(1?拌したの
ち冷却バスを取シ去夛室温で攪拌する。1時間40分後
、酢酸24解を加えた後飽和食塩水で稀釈し酢酸エチル
ニスデルで抽出する。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、無
水硫酸す) IJウムで乾燥する。溶媒を留去し得られ
た残渣57.4L!を蒸留により精製すると、沸点(0
,1mmHg)124−127℃を肩する目的化合物3
4.29が得られた。
赤外線吸収スペクトル(i膜状)νmaX(X  。
 715 核磁気共鳴スペクトル(CC44)δppm :0.9
0  (3H,二ητ線、J=6Hz)1.57  (
3H,−一重線) 1.64  (3B、−重線) 2.89  (2H,二重線、J=23Hz)3.66
  (6H,二重線、J=11Hz)4.96  (I
H,三重線、J=7Hz)実施例2 ジメチル メチルホスフオネー)7.657−のテトラ
ビトロフラン溶液(15(UQにノルマルブチルリチウ
ムのヘキサン溶液(15%)27.7mlを攪拌しなが
ら一65℃以下で滴下する。1時間30分冷却攪拌後、
2−(2−クロル−2−プロピル)−シクロヘキサノン
2.554のテトラヒドロフラン溶液(10m、A’)
を−65℃以下で滴下する。同温度で5分間攪拌したの
ち、冷却を止め室温で攪拌した。1時間30分後)酢酸
25縦を加えたのち飽和食塩水で稀釈し酢酸エチルエス
テルで抽出する。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し
、溶媒を留去する。得られた残渣を蒸留により精製する
と、沸点(0,1xm Hg) 123〜126℃を有
する目的化合物3.509−が得られた。
赤外線吸収スペクトル(液膜状)ν 酬 。
aX 】 715 核磁気吸収スペクトル(CC64)δppm :1.6
0  (3)(、−重線) 1.68  (,3H,−重線) 3.08  (2)1.二重線、J=23Hz)3.7
8  (6H,二重線、J=11 Hz )5.13 
 (IH,三重線、J=7Hz)実施例3 ジエチル エチルホスフォネート10.3Li−のテト
ラヒドロフラン溶液149m1をN2気流下−72℃に
冷却しn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(15%)2
7.6m/!を攪拌しながら一65℃以下で滴下する。
1時間30分冷却攪拌後、2− (2−クロル−2−f
ロビル) −5−メチルシクロヘキザノン2.51のテ
トラヒドロフラン溶液10m1を一65℃以下で滴下す
る。同温度で5分間攪拌したのち冷却パスを取り去り室
温で攪拌する。
1時間50分後、酢酸2.5m1lを加えた後飽和食塩
水で稀釈し酢酸エチルエステルで抽出する。抽出液を飽
和食塩水で洗浄後、無水f流酸ナトリウムで乾燥する。
溶媒を留去し得られた残渣をンリカダルを用いたカラム
クロマトグラフィーで精製すると、55係酢酸工チルエ
ステル含有ヘキサン流出部より目的化合物が得られた。
赤外線吸収スペクトル(液膜状)ν□。鑞 。
 716 核磁気共鳴ス波りトル(cDcz、)δppm 二1.
18  (3H,二重線、 J = 7 Hz)1.5
7  (3H,−一重I%り 1.63  (3H,−一重g) 5.03  (IH,三重1g 、 J = 7 H7
,)特許出願人 三共株式会社 代理人 弁理士 樫 出庄治

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一・般式 (式中、R1およびR2は同一または異なって水素原子
    −または低級アルキル基を示し、Xはハロダン原子を示
    す。) を有するシクロヘキサノン誘導体を一般式(] (式中 R3は水素原子または低級′アルキル基を示し
    、Rはアルキル基またはアリール基を示す。)を有する
    メチルホスフオン酸エステルリチウム塩誘導体と反応さ
    せることを特徴とする一般式(式中、R1、R2、R5
    およびR4は前述したものと同意義を示す。) を有するホスフオン醪エステル誘導体の製造法。
JP12143582A 1982-07-13 1982-07-13 ホスフオン酸エステル誘導体の製造法 Granted JPS5913794A (ja)

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