JPH0583556B2 - - Google Patents

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JPH0583556B2
JPH0583556B2 JP2515577A JP51557790A JPH0583556B2 JP H0583556 B2 JPH0583556 B2 JP H0583556B2 JP 2515577 A JP2515577 A JP 2515577A JP 51557790 A JP51557790 A JP 51557790A JP H0583556 B2 JPH0583556 B2 JP H0583556B2
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JP
Japan
Prior art keywords
gold
reaction mixture
trifluoroacetylacetone
added
solution
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP2515577A
Other languages
English (en)
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JPH05502020A (ja
Inventor
Toomasu Eichi Baamu
Fuiritsupu Jei Burotsuku
Danieru Jei Dooson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH05502020A publication Critical patent/JPH05502020A/ja
Publication of JPH0583556B2 publication Critical patent/JPH0583556B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F1/00Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

請求の範囲 1(a) 無水エーテル中でハロゲン化金()をアル
キルリチウム化合物と反応させるステツプと、 (b) 反応生成物にβ−ジケトンを添加するステツ
プと、 (c) β−ジケトナトジアルキル金()を回収する
ステツプと を含む、β−ジケトナトジアルキル金()の合成
方法。
2 ハロゲン化金()が、AuBr3、AuCl3、AuI3
のうちから選択される、請求項1に記載の方法。
3 アルキルリチウムが、メチルリチウム、エチ
ルリチウム、n−プロピルリチウム、i−プロピ
ルリチウム、n−ブチルリチウム、i−ブチルリ
チウム、t−ブチルリチウムのうちから選択され
る、請求項1に記載の方法。
4 β−ジケトンが、アルキル置換またはアリル
置換の1,3−ジケトンである、請求項1に記載
の方法。
5 β−ジケトンが、アセチルアセトン、トリフ
ルオロアセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトンのうちから選択される、請求項4に記
載の方法。
〔技術分野〕
本発明は、β−ジケトナトジアルキル金()
(dialkylgold()β−diketonat`es)の合成方法に
関する。合成される化合物、特にトリフルオロア
セチルアセトナトジメチル金()
(trifluoroacetylacetonate)は、半導体構成要素
のレーザ誘起金属被覆に特に有用である。この合
成方法は既知の方法よりも簡単で、収率がずつと
高い。
〔背景技術〕
β−ジケトナトジメチル金()の調製は、永年
来知られている。ブレイン(Brain)及びギブソ
ン(Gibson)の論文“The Organic
Compounds of Gold.Part .Methyl and
Ethyl Compounds”,J.Chem.Soc.,762(1939)
に記載されている合成方法がある。この方法は、
乾燥ピリジン中でのヨウ化メチルマグネシウムの
エーテル溶液とピリジノトリクロロ金との反応に
よつてヨウ化ジメチル金二量体を調製するもので
ある。次にこのヨウ化ジメチル金二量体をアセチ
ルアセトナトタリウムと反応させると、所望のア
セチルアセトナトジメチル金が生成する。この2
段階工程は、収率が10〜20%と全く低く、またタ
リウム塩残渣の存在が半導体構成要素に使用する
際に許容できない汚染を引き起こすという欠点を
有する。
トリフルオロアセチルアセトン及びヘキサフル
オロアセチルアセトンの錯体は、コミヤとコチの
論文“Reversible Linkage Isomerisms of β−
Diketonato Ligans.Oxygen−Bonded and
Carbon−Bonded Structures in Gold()
Acetylacetone Complexes Induced by
Phosphine”,JACS,Vol.99,p.3696(1977)に
記載されているのと同様の方法で調製されてき
た。これらの錯体は極めて揮発性が高く、大気圧
で室温ででもすぐに昇華または気化してしまうこ
とがわかつている。したがつて、こうした錯体
は、半導体構成要素の製造及び修理の際に様々な
金属被覆工程で有用となり得ることが理解できよ
う。
上記文献の手順によると、テトラハロ金酸(例
えばテトラブロモ金酸)をピリジンを含む水溶液
から沈澱させる。得られたトリハロ金()ピリジ
ル錯体(例えばトリブロモ金()ピリジル錯体)
を安定な固定として単離する。この物質を乾燥
し、乾燥ピリジンに溶かして80℃に加熱し、ジピ
リジル金()錯体を形成する。このジピリジル錯
体の冷却した溶液に、新たに調製したグリニヤー
ル試薬、好ましくはMeMglを添加する。この反
応の生成物(ヨウ化ジメチル金()二量体)を面
倒な多段階の手順で単離する。この物質の回収率
は低かつた(20%)。(このヨウ化ジメチル金()
二量体は、爆発性であり、粉砕時に爆発すること
があると報告されている。)精製した二量体生成
物をトリフルオロアセチルアセトンのタリウム塩
と反応させる。この段階の収率は80%で、工程全
体の収率は約16%であつた。トリフルオロアセチ
ルアセトンのカリウム塩も使用できる。
〔発明の概要〕
本発明は、無水エーテル中でハロゲン化金()
(gold trihalide)をアルキルリチウムと反応さ
せ、該反応混合物にβ−ジケトンを添加し、β−
ジケトナトジアルキル金()を回収するステツプ
を含む、β−ジケトナトジアルキル金()の合成
方法に関するものである。合成された化合物は、
半導体構成要素の化学蒸着及びレーザ誘発金属被
覆に特に有用である。この合成方法は既知の方法
よりも簡単で、収率がずつと高い。
〔詳細な説明〕
本発明は、β−ジケトナトジアルキル金()を
合成するための2段階ワンポツト法を提供する。
第1段階は、ハロゲン化金()にアルキルリチウ
ムを添加して、中間体のトリアルキル金をを形成
するものである。このトリアルキル金中間体を単
離するステツプを独立して行なうのは、これが不
安定で室温以下で分解するため、望ましくないこ
とがわかつている。第2段階は、反応混合物にβ
−ジケトンを添加して、所望のβ−ジケトナトジ
アルキル金()を形成するものである。アルキル
リチウム化合物には、メチルリチウム、エチルリ
チウム、n−プロピルリチウム、i−プロピルリ
チウム、n−ブチルリチウム、i−ブチルリチウ
ム、t−ブチルリチウムがある。メチルリチウム
が、最も安定な金錯体を形成するので、最も好ま
しい。アルキル基が大きくなるにつれて、得られ
る錯体は揮発性が低くなり、より安定になる。ハ
ロゲン化金()には、AuBr3、AuCl3、AuI3があ
り、臭化金()が最も好ましい。本発明の合成で
有用なβ−ジケトンには、アセチルアセトン、
1,1,1−トリフルオロアセチルアセトン、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロアセチ
ルアセトンがある。アルキル置換及びアリル置換
した他の1,6−ジケトン類も、本発明の合成方
法で有効に使用できることがある。トリフルオロ
アセチルアセトンを使用すると、半導体構成要素
のレーザ誘起金属被覆に有用な、最も好ましい最
終生成物(トリフルオロアセチルアセトナトジア
ルキル金)が得られる。
例 トリフルオロアセチルアセトナトジメチル金
の合成 冷却浴、機械式撹拌装置、熱電対温度センサ、
窒素吸入口、滴下漏斗を備えた三頚丸底フラスコ
を窒素で入念に洗浄した。フラスコに臭化金()
120.0g(274.8ミリモル)を入れ、それに(新しく
開けた缶から直接)無水ジエチルエーテル1.9
を加えた。得られた混合物は褐色の懸濁液で、こ
れを撹拌しながら冷却浴にドライアイスとアセト
ンを加えて浴温を−80℃にした。懸濁液の内部温
度が−60℃以下に下がつたとき、真空減圧(63.5
mmHg)と窒素の再充填を交互に行なつて、懸濁
液から酸素を除去した。この操作を5回繰り返し
た。次に、メチルリチウムのエーテル溶液
(1.50MのCH3Li/Et2O550ml、825.0ミリモル、
3.00当量)を注射器で滴下漏斗に入れた。反応混
合物の内部温度が−80℃に達したとき、メチルリ
チウムの添加を開始した。メチルリチウムはゆつ
くりと70分かけて添加した。少量(40ml)のジエ
チルエーテルを使つて滴下漏斗を洗浄した。メチ
ルリチウムの添加が完了した後、反応混合物(ほ
ぼ透明な暗褐色の溶液)を−80℃でさらに1時間
撹拌し、その間に、トリフルオロアセチルアセト
ン63.6g(412.5ミリモル、1.50当量)をジエチルエ
ーテル135mlに溶かした溶液を滴下漏斗に入れた。
(トリフルオロアセチルアセトン
CF3COCH2COCH3は先にアルゴン中で大気圧で
蒸留し(沸点104〜6℃)、無色透明のオイルを得
た。蒸留物を変色防止のため使用時まで冷蔵し
た。)1時間撹拌後、トリフルオロアセチルアセ
トン溶液の添加を開始した。この溶液は25分かけ
て添加し、その間反応混合物の冷却を続けた。反
応混合物は急速に褐色の懸濁液となり、フラスコ
器壁に痕跡量の金属金が付着した。添加完了後、
反応混合物を−80℃でさらに2時間撹拌した。次
いで反応混合物を2時間以上かけてゆつくりと室
温にまで温めた。室温でさらに30分間撹拌した
後、反応混合物を脱イオン水15mlで一滴ずつ処理
して、残存する痕跡量のメチルリチウムを分解さ
せた。この多相混合物を30分間撹拌した。反応混
合物の液体部分をデカントして分液漏斗に入れ、
固体部分(主として金)を数mlの水とエーテルで
洗浄し、洗液を漏斗に加えた。有機相を分けて5
部の脱イオン水(各200ml)で洗浄し、無水硫酸
ナトリウム上で乾燥し、濾過し、回転式エバポレ
ータで慎重にストリツピングした。トリフルオロ
アセチルアセトナトジメチル金はかなり揮発性が
高く、従つてこの物質の溶液を蒸発させる際には
注意しなければならない。63.5mmHgの真空を室
温浴と共に使用した。一方、その熱、光、または
酸化に対する安定性は、溶液状態の方が低いよう
に思われる。従つて、溶液はできるだけ速やかに
蒸発させるべきである。溶媒留去後、重さ89.2g
の粗生成物を結晶化させた。この粗生成物をシリ
カゲルのクロマトグラフイにかけた。ベンタン中
10%のジエチルエーテルを使つて、カラム(高さ
24cm、直径13cm、シリカゲル1500g)を設定し
た。粗生成物をカラムに装入した後(一部は不活
性であつた)、ペンタン中10%のジエチルエーテ
ルを溶出媒として使つた。ペンタン中20%のギエ
チルエーテルを溶媒として使つたシリカゲル薄層
クロマトグラフイ(TLC)で、各画分を監視し
た。最初にトリフルオロアセチルアセトナトジメ
チル金が溶出し(Rf=0.8〜0.9)、通常は次の物
質が出てくるまでにはつきりした断絶があつた。
適切なクロマトグラフイ画分を一緒にして溶媒を
留去した。僅かに黄色味を帯びた、融点が38〜39
℃の白色の結晶性固体が回収され、収率は57%で
あつた。
上記の合成方法を使つてアセチルアセトナトジ
メチル金を調製し、精製した。最終生成物は、融
点82℃の白色結晶性固体であつた。この物質の収
率は約30%であつた。
JP2515577A 1990-05-01 1990-10-15 β―ジケトナトジアルキル金(3)の簡単な合成 Granted JPH05502020A (ja)

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US517,272 1990-05-01

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JPH05502020A JPH05502020A (ja) 1993-04-15
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