JPH0261818A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0261818A JPH0261818A JP21146188A JP21146188A JPH0261818A JP H0261818 A JPH0261818 A JP H0261818A JP 21146188 A JP21146188 A JP 21146188A JP 21146188 A JP21146188 A JP 21146188A JP H0261818 A JPH0261818 A JP H0261818A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録及び光磁気記録に用いられる高密
度磁気記録媒体に関する。
度磁気記録媒体に関する。
高密度磁気記録媒体として基板上にマグネトプランバイ
１〜型フエライト中化 ｏｌ、（但しＭｌはＳｒ、 Ｂｒ及びｐｂの少くとも１
種）で示される〕のＣ軸配向膜からなる記録層を設けた
ものが知られているが、垂直磁気記録性及び光磁気記録
性は未だ充分ではない。そこでこれらの性能を改善する
ために記録層を構成するマグネトプランバイ１〜型フエ
ライト中のＦｅの一部をＣｏ、 Ｔｉ、 Ｇａ、 ＡＱ
、丁ｎ等の他の金属元素で置換したものが提案されてい
る。しかし、この提案の磁気記録媒体の場合は充分な記
録性能を得るには高い成膜温度を必要とする上、Ｃ軸配
向させること自体、困難であることが多い。
１〜型フエライト中化 ｏｌ、（但しＭｌはＳｒ、 Ｂｒ及びｐｂの少くとも１
種）で示される〕のＣ軸配向膜からなる記録層を設けた
ものが知られているが、垂直磁気記録性及び光磁気記録
性は未だ充分ではない。そこでこれらの性能を改善する
ために記録層を構成するマグネトプランバイ１〜型フエ
ライト中のＦｅの一部をＣｏ、 Ｔｉ、 Ｇａ、 ＡＱ
、丁ｎ等の他の金属元素で置換したものが提案されてい
る。しかし、この提案の磁気記録媒体の場合は充分な記
録性能を得るには高い成膜温度を必要とする上、Ｃ軸配
向させること自体、困難であることが多い。
本発明は従来技術における以上のような問題を解決し、
低い成膜温度でも充分な記録性能が得られ、しかもＣ軸
配向も容易な高密度磁気記録媒体を提供することである
。
低い成膜温度でも充分な記録性能が得られ、しかもＣ軸
配向も容易な高密度磁気記録媒体を提供することである
。
本発明の磁気記録媒体は基板上に、Ｆｅの一部が他の金
属元素で置換されたマグネトプランバイト型フェライト
Ｃ軸配向膜からなる記録層を有する磁気記録媒体におい
て、磁性層と基板との間に前記−数式ｌで示される無置
換のマグネトプランバイト型フェライトＣ軸配向膜から
なる下地層を設けたことを特徴とするものである。
属元素で置換されたマグネトプランバイト型フェライト
Ｃ軸配向膜からなる記録層を有する磁気記録媒体におい
て、磁性層と基板との間に前記−数式ｌで示される無置
換のマグネトプランバイト型フェライトＣ軸配向膜から
なる下地層を設けたことを特徴とするものである。
本発明の磁気記録媒体は基本的には基板上に前述のよう
な下地層と記録層とを設けたものであるが、基板と下地
層との間に下地層の成膜を容易にするために更にＺｎＯ
のような六方晶金属酸化物のＣ軸配向膜又はスピネルフ
ェライトのような立方晶金属酸化物の（１１１）配向膜
からなる下地補助層を設けることができる。
な下地層と記録層とを設けたものであるが、基板と下地
層との間に下地層の成膜を容易にするために更にＺｎＯ
のような六方晶金属酸化物のＣ軸配向膜又はスピネルフ
ェライトのような立方晶金属酸化物の（１１１）配向膜
からなる下地補助層を設けることができる。
本発明において基板としては石英ガラス、高珪酸ガラス
、硼珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス等のガラス基板；
ＡＱ金合金の金属基板；Ｓｉ単結晶、ＧＧＧ （ガリ
ウム・ガドリニウム・ガーネット）単結晶等の単結晶基
板等が使用される。
、硼珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス等のガラス基板；
ＡＱ金合金の金属基板；Ｓｉ単結晶、ＧＧＧ （ガリ
ウム・ガドリニウム・ガーネット）単結晶等の単結晶基
板等が使用される。
本発明の下地層は記録層の成膜温度を低下させると同時
にＣ軸配向を容易にするために設けられる層である。こ
のような下地層に用いられる材料は前記−数式！で示し
た無置換のマグネトプランバイト型フェライトである。
にＣ軸配向を容易にするために設けられる層である。こ
のような下地層に用いられる材料は前記−数式！で示し
た無置換のマグネトプランバイト型フェライトである。
この層は真空蒸着、スパッタリング等の方法で形成でき
る。厚さは０．０２〜０．１μｍ程度が適当である。
る。厚さは０．０２〜０．１μｍ程度が適当である。
一方、記録層の材料としてはＦｅの一部が他の金属元素
で置換されたマグネトプランバイト型フェライトが使用
される。その−例としては下記のものが挙げられる。
で置換されたマグネトプランバイト型フェライトが使用
される。その−例としては下記のものが挙げられる。
一数式■：
Ｍ■１−ｘＭＩＩｘＦｅ１２−ｙＭＩＩＩｙ０１９（但
ＬＭ１はＢａ、Ｓｒ及びｐｂの少くとも１種；Ｍ。はＬ
ａ、Ｃａ及び８１の少くとも１種；Ｍ□はＣｏ、Ｔｉ、
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｎｉ、 Ｉｉ、 Ｍｎ、 Ｃｒ、
Ｉｎ、 Ｇａ及びＡρの少くとも１種；Ｏ≦Ｘ≦０．７
゜０＜ｙ≦８） 一数式Ｈの具体例： ＢａＦｅ、２２−２ｚＣｏｚＴｉｚＯ１（０，３≦Ｘ≦
ｏ、８）ＳｒＦｅ、２−２ＸＣｏＸＴｉｚＯ１，（０，
３≦χ≦０．８）ＳｒＦｅ１２−ｘＧａＸＯｘ９．＜０
．５≦Ｘ≦４）なお記録層の形成法も下地層と同様、真
空蒸着、スパッタリング等の方法が適用される。厚さは
０．０５〜０．５μｍ程度が適当である。
ＬＭ１はＢａ、Ｓｒ及びｐｂの少くとも１種；Ｍ。はＬ
ａ、Ｃａ及び８１の少くとも１種；Ｍ□はＣｏ、Ｔｉ、
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｎｉ、 Ｉｉ、 Ｍｎ、 Ｃｒ、
Ｉｎ、 Ｇａ及びＡρの少くとも１種；Ｏ≦Ｘ≦０．７
゜０＜ｙ≦８） 一数式Ｈの具体例： ＢａＦｅ、２２−２ｚＣｏｚＴｉｚＯ１（０，３≦Ｘ≦
ｏ、８）ＳｒＦｅ、２−２ＸＣｏＸＴｉｚＯ１，（０，
３≦χ≦０．８）ＳｒＦｅ１２−ｘＧａＸＯｘ９．＜０
．５≦Ｘ≦４）なお記録層の形成法も下地層と同様、真
空蒸着、スパッタリング等の方法が適用される。厚さは
０．０５〜０．５μｍ程度が適当である。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例Ｉ
Ｇ Ｇ Ｇ （Ｉｌｌ）基板上に５ｒＦｅ１．Ｏｏ、を
基板温度５１０’Ｃでスパッタリングして０．０５μｍ
厚のＣ軸配向膜からなる下引層を形成した後、その上に
５ｒＣｏ、、５Ｔｉｏ、５Ｆｅ、０．を前記盆度でスパ
ッタリングして０．２μｍ厚のＣ軸配向膜からなる記録
層を形成することにより磁気記録媒体を作った。
基板温度５１０’Ｃでスパッタリングして０．０５μｍ
厚のＣ軸配向膜からなる下引層を形成した後、その上に
５ｒＣｏ、、５Ｔｉｏ、５Ｆｅ、０．を前記盆度でスパ
ッタリングして０．２μｍ厚のＣ軸配向膜からなる記録
層を形成することにより磁気記録媒体を作った。
なおこのものの記録層の配向性はきわめて良かった・
一方、比較のためＧＧＧ基板上に直接、同じ記録層を形
成するには基板温度を５７０℃と高温にする必要があり
、しかも得られた記録層の配向性は余り良くなかった。
成するには基板温度を５７０℃と高温にする必要があり
、しかも得られた記録層の配向性は余り良くなかった。
実施例２
石英ガラス基板上にＮｉｏ、 、 Ｚｎｏ、 ９Ｆｅ２
０．を基板温度２２０°Ｃでスパッタリングして０．０
５μｍ厚の（１１１）配向膜からなる下地補助層を形成
し、その上に５ｒＦｅ工２０□、を基板温度４９０℃で
スパッタリングして０．０５μｍ厚のＣ軸配向膜からな
る下地層を形成し、更にその上に５ｒＣｏｏ、Ｔｊｏ、
ｓＦｅ□、０．。
０．を基板温度２２０°Ｃでスパッタリングして０．０
５μｍ厚の（１１１）配向膜からなる下地補助層を形成
し、その上に５ｒＦｅ工２０□、を基板温度４９０℃で
スパッタリングして０．０５μｍ厚のＣ軸配向膜からな
る下地層を形成し、更にその上に５ｒＣｏｏ、Ｔｊｏ、
ｓＦｅ□、０．。
を基板温度４９０℃でスパッタリングして０．２μｍ厚
のＣ軸配向膜からなる記録層を形成することにより磁気
記録媒体を作った。なおこのものの記録層の配向性はき
わめて良かった。
のＣ軸配向膜からなる記録層を形成することにより磁気
記録媒体を作った。なおこのものの記録層の配向性はき
わめて良かった。
一方、比較のため、前記下地補助層上に直接、同じ記録
層を形成するには基板温度を約５５０°Ｃと高温にする
必要があり、しかも得られた記録層の配向性は余り良く
なかった。
層を形成するには基板温度を約５５０°Ｃと高温にする
必要があり、しかも得られた記録層の配向性は余り良く
なかった。
本発明の磁気記録媒体は基板と記録層との間に無置換の
マグネトプランバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる
下地層を設けたので、記録層を従来よりも低い成膜温度
で形成でき、しか も記録層のＣ軸配向も容易にすることができる。
マグネトプランバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる
下地層を設けたので、記録層を従来よりも低い成膜温度
で形成でき、しか も記録層のＣ軸配向も容易にすることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、Ｆｅの一部が他の金属元素で置換された
マグネトプランバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる
記録層を設けた磁気記録媒体において、基板と記録層と
の間に一般式１Ｍ＿ I Ｆｅ＿１＿２Ｏ＿１＿９ （但しＭ＿ I はＢｒ、Ｂｒ及びＰｂの少くとも１種） で示される無置換のマグネトプランバイト型フェライト
Ｃ軸配向膜からなる下地層を設けたことを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21146188A JPH0261818A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21146188A JPH0261818A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261818A true JPH0261818A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16606325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21146188A Pending JPH0261818A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0261818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098857A (en) * | 1989-12-22 | 1992-03-24 | International Business Machines Corp. | Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21146188A patent/JPH0261818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098857A (en) * | 1989-12-22 | 1992-03-24 | International Business Machines Corp. | Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy |
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