JPH04137710A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH04137710A JPH04137710A JP26089990A JP26089990A JPH04137710A JP H04137710 A JPH04137710 A JP H04137710A JP 26089990 A JP26089990 A JP 26089990A JP 26089990 A JP26089990 A JP 26089990A JP H04137710 A JPH04137710 A JP H04137710A
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Landscapes
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気録画再生装置（ＶＴＲ）、磁気録音再生
装置等の磁気記録再生装置における磁気ヘッド等に用い
られる軟磁性薄膜に関するものである。
装置等の磁気記録再生装置における磁気ヘッド等に用い
られる軟磁性薄膜に関するものである。
従来の技術
近年の磁気記録分野における高密度記録化の要求に対し
て、高保磁力媒体に対応した高性能磁気ヘッドの開発が
進められている。磁気ヘッドの特性は、それに使用する
コア材料の材料特性に密接に関連しており、磁気ヘッド
の高性能化に向けて、高い飽和磁束密度、低い磁歪を有
し、熱的に安定な優れた軟磁気特性を有する軟磁性薄膜
が要求されている。
て、高保磁力媒体に対応した高性能磁気ヘッドの開発が
進められている。磁気ヘッドの特性は、それに使用する
コア材料の材料特性に密接に関連しており、磁気ヘッド
の高性能化に向けて、高い飽和磁束密度、低い磁歪を有
し、熱的に安定な優れた軟磁気特性を有する軟磁性薄膜
が要求されている。
このような要求に対し、フェライトの飽和磁束密度は約
０．５７．パーマロイ、センダスト、Ｃ。
０．５７．パーマロイ、センダスト、Ｃ。
系非晶質材料でも約１１前後と低く、これら従来の材料
では飽和磁束密度に限界が有る。
では飽和磁束密度に限界が有る。
そこで、更に高い飽和磁束密度を有する鉄基軟磁性薄膜
の開発が行われている。鉄基合金膜で軟磁性を実現する
一つの手段として、鉄主成分の微細結晶粒組織が効果的
である事が知られている。
の開発が行われている。鉄基合金膜で軟磁性を実現する
一つの手段として、鉄主成分の微細結晶粒組織が効果的
である事が知られている。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記のような微細結晶粒組織からなる軟磁性
薄膜は薄膜磁歪が大きくても、見掛は上結晶磁気異方性
が低下するため、良好な軟磁気特性が得られるが、薄膜
磁歪が大きな材料が多く、磁気ヘッド加工プロセスに於
けるギャップ形成時等の外部応力による逆磁歪効果によ
り、磁気ヘッドの再生出力が劣化するという課題が生じ
る。また、上記のような微細結晶粒組織からなる軟磁性
ＷＩＩｌｌは、熱的に不安定なものが多く、磁気ヘッド
加工プロセスに於けるガラスモールド等の高温熱処理で
軟磁気特性が劣化するという課題を生じる。
薄膜は薄膜磁歪が大きくても、見掛は上結晶磁気異方性
が低下するため、良好な軟磁気特性が得られるが、薄膜
磁歪が大きな材料が多く、磁気ヘッド加工プロセスに於
けるギャップ形成時等の外部応力による逆磁歪効果によ
り、磁気ヘッドの再生出力が劣化するという課題が生じ
る。また、上記のような微細結晶粒組織からなる軟磁性
ＷＩＩｌｌは、熱的に不安定なものが多く、磁気ヘッド
加工プロセスに於けるガラスモールド等の高温熱処理で
軟磁気特性が劣化するという課題を生じる。
課題を解決するための手段
本発明者は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系、およびＦｅ−Ｔ
ａ−Ｎ系の合金薄膜について鋭意研究を行ったところ、
前記合金薄膜の組成が特定の範囲にあるとき優れた軟磁
気特性（低い保磁力、高い透磁率）を呈するという事実
を見いだし請求項（１）および請求項（２）の発明に至
った。特に、請求項（１）または（２）のいずれかに記
載の軟磁性薄膜に添加物元素としてＴｉ、Ｎｂ、Ｃ，ｒ
、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ。
ａ−Ｎ系の合金薄膜について鋭意研究を行ったところ、
前記合金薄膜の組成が特定の範囲にあるとき優れた軟磁
気特性（低い保磁力、高い透磁率）を呈するという事実
を見いだし請求項（１）および請求項（２）の発明に至
った。特に、請求項（１）または（２）のいずれかに記
載の軟磁性薄膜に添加物元素としてＴｉ、Ｎｂ、Ｃ，ｒ
、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ。
Ｐｔ、Ｙ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｏ元素の少なくとも１種の元素
を含む系の軟磁性合金薄膜は、特定の組成範囲において
、更に優れた耐食性を併せ持つという事実を見いだし請
求項（３）の発明に至った。
を含む系の軟磁性合金薄膜は、特定の組成範囲において
、更に優れた耐食性を併せ持つという事実を見いだし請
求項（３）の発明に至った。
作用
請求項（１）の発明の構成によれば、Ｆｅを主成分とし
、Ｎ、Ｔａ、Ｚｒを含む系の軟磁性合金薄膜の組成が特
定の範囲にあるものであるから、前記軟磁性薄膜は、高
温熱処理において低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和
磁束密度を併せ持つことが出来る。請求項（２）の発明
の構成によれば、Ｆｅを主成分とし、Ｎ、Ｔａを含む系
の軟磁性合金薄膜の組成が特定の範囲にあるものである
から、前記軟磁性ｖ１ｉ１ｍは、高温熱処理において低
磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束密度を併せ持つ
ことが出来る。特に、請求項（３）の発明の構成によれ
ば、請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟磁
性薄膜に添加物元素としてＴｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ。
、Ｎ、Ｔａ、Ｚｒを含む系の軟磁性合金薄膜の組成が特
定の範囲にあるものであるから、前記軟磁性薄膜は、高
温熱処理において低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和
磁束密度を併せ持つことが出来る。請求項（２）の発明
の構成によれば、Ｆｅを主成分とし、Ｎ、Ｔａを含む系
の軟磁性合金薄膜の組成が特定の範囲にあるものである
から、前記軟磁性ｖ１ｉ１ｍは、高温熱処理において低
磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束密度を併せ持つ
ことが出来る。特に、請求項（３）の発明の構成によれ
ば、請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟磁
性薄膜に添加物元素としてＴｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ。
Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｙ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｏ元素の少なくと
も１種の元素を含む系の軟磁性合金薄膜の組成が特定の
範囲にあるものであるから、更に優れた耐食性を併せ持
つ事が出来る。
も１種の元素を含む系の軟磁性合金薄膜の組成が特定の
範囲にあるものであるから、更に優れた耐食性を併せ持
つ事が出来る。
実施例
実施例ｌ
Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ合金ターゲットを用い、Ａｒガス中に
Ｎｔガスを導入し、全圧１２ｍＴｏｒｒ、 Ｎｚ分圧対
全圧比（Ｐ Ｎ ｔ ／ Ｐ ｔｏｔａｌ） ２．５％
、投入電力４００ＷでＲＦスパンタ法により、水冷した
基板上に膜厚２μｍの軟磁性薄膜を形成した。膜の組成
分析は、ラブフォード後方散乱分光法により行った（以
下、Ｉｇ！組成Ｆｅ７３原子％、Ｔａ３．５原子％、Ｚ
ｒ９．５原子％、Ｎ１４原子％等はＦｅ７３Ｔａ３．５
Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４のように示す）。作成した膜の
組成範囲はＮｌ〜３ｏ原子％、ＴａＯ〜１５原子％、Ｚ
ｒｌ〜２０原子％、残余Ｆｅである。これらの軟磁性薄
膜を５ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒ以下の真空中において
、５０００ｅの回転磁場中で、５００〜６５０”Ｃの温
度で１時間の熱処理を行った。これらの軟磁性薄膜のＩ
ＭＨｚにおける実効透磁率μｅｆｆ 、及び飽和磁歪λ
Ｓを測定した。また、これらの軟磁性薄膜の構造解析は
Ｘ線回折により行い、デバイ−シェラ−の式を用いて平
均結晶粒径を算出した。−例として、Ｆ ｅ７３Ｔ ａ
３．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の膜について、これら物
性値を調べた結果について、Ｆｅ７６．５Ｚｒ ９．５
Ｎ１４の膜と比較して説明する。第１図に、Ｆ ｅ７３
Ｔ ａ ３．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜とＦｅ７６
．５Ｚｒ９．５Ｎ１４の薄膜のＩＭ七における実効透磁
率μｅｆｆの熱処理温度依存性を調べた結果を示す。図
より、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜のμｅｆｆは５５０°Ｃ以
上の熱処理温度で急激に劣化するが、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ
−Ｎ系薄膜では６５０°Ｃの熱処理温度においても４０
００以上の高透磁率を示す、第２図に、Ｆｅ７３Ｔ ａ
３．５Ｚ ｒ９．５Ｎ１４の薄膜とＦ ｅ ７６．
５ Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜の飽和磁歪λＳの熱処
理温度依存性を示す。図より、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系
、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系ともに熱処理温度の上昇に伴ないλ
Ｓは低下する傾向を示し、６５０°Ｃの熱処理温度で両
者とも約１．３Ｘ１０−’の低磁歪を示す。
Ｎｔガスを導入し、全圧１２ｍＴｏｒｒ、 Ｎｚ分圧対
全圧比（Ｐ Ｎ ｔ ／ Ｐ ｔｏｔａｌ） ２．５％
、投入電力４００ＷでＲＦスパンタ法により、水冷した
基板上に膜厚２μｍの軟磁性薄膜を形成した。膜の組成
分析は、ラブフォード後方散乱分光法により行った（以
下、Ｉｇ！組成Ｆｅ７３原子％、Ｔａ３．５原子％、Ｚ
ｒ９．５原子％、Ｎ１４原子％等はＦｅ７３Ｔａ３．５
Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４のように示す）。作成した膜の
組成範囲はＮｌ〜３ｏ原子％、ＴａＯ〜１５原子％、Ｚ
ｒｌ〜２０原子％、残余Ｆｅである。これらの軟磁性薄
膜を５ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒ以下の真空中において
、５０００ｅの回転磁場中で、５００〜６５０”Ｃの温
度で１時間の熱処理を行った。これらの軟磁性薄膜のＩ
ＭＨｚにおける実効透磁率μｅｆｆ 、及び飽和磁歪λ
Ｓを測定した。また、これらの軟磁性薄膜の構造解析は
Ｘ線回折により行い、デバイ−シェラ−の式を用いて平
均結晶粒径を算出した。−例として、Ｆ ｅ７３Ｔ ａ
３．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の膜について、これら物
性値を調べた結果について、Ｆｅ７６．５Ｚｒ ９．５
Ｎ１４の膜と比較して説明する。第１図に、Ｆ ｅ７３
Ｔ ａ ３．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜とＦｅ７６
．５Ｚｒ９．５Ｎ１４の薄膜のＩＭ七における実効透磁
率μｅｆｆの熱処理温度依存性を調べた結果を示す。図
より、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜のμｅｆｆは５５０°Ｃ以
上の熱処理温度で急激に劣化するが、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ
−Ｎ系薄膜では６５０°Ｃの熱処理温度においても４０
００以上の高透磁率を示す、第２図に、Ｆｅ７３Ｔ ａ
３．５Ｚ ｒ９．５Ｎ１４の薄膜とＦ ｅ ７６．
５ Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜の飽和磁歪λＳの熱処
理温度依存性を示す。図より、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系
、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系ともに熱処理温度の上昇に伴ないλ
Ｓは低下する傾向を示し、６５０°Ｃの熱処理温度で両
者とも約１．３Ｘ１０−’の低磁歪を示す。
第３図に、Ｆ ｅ７３Ｔａ ３．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１
４の薄膜とＦ ｅ７６．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜
のｔｘ−Ｆｅの（１１０）面の平均粒径ｄ１１０の熱処
理温度依存性を示す。図より、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系
薄膜の結晶粒径は、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜の結晶粒径に
比べていずれの熱処理温度においても微細化されており
、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜では高温熱処理において
もＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系に比べて鉄主成分の微細結晶粒組織
が実現されている。従って、Ｆｅ主成分の微細結晶粒組
織からなるＦｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ薄膜では高温熱処理に
おいて低磁歪で優れた軟磁気特性を有する組成範囲が存
在することが分かった。
４の薄膜とＦ ｅ７６．５Ｚ ｒ ９．５Ｎ１４の薄膜
のｔｘ−Ｆｅの（１１０）面の平均粒径ｄ１１０の熱処
理温度依存性を示す。図より、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系
薄膜の結晶粒径は、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜の結晶粒径に
比べていずれの熱処理温度においても微細化されており
、Ｆｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系薄膜では高温熱処理において
もＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系に比べて鉄主成分の微細結晶粒組織
が実現されている。従って、Ｆｅ主成分の微細結晶粒組
織からなるＦｅ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ薄膜では高温熱処理に
おいて低磁歪で優れた軟磁気特性を有する組成範囲が存
在することが分かった。
なお、本実施例ではＦ ｅ７３Ｔ ａ ３．５Ｚ ｒ
９．５Ｎ１４の薄膜について説明したが、Ｆｅを主成分
としＮを５〜２０原子％、Ｔａを１〜１０原子％、Ｚｒ
を３〜１５原子％含む組成範囲のＦｅ−Ｔａ−Ｚｒ −
Ｎ系薄膜においても同様の効果を有する。
９．５Ｎ１４の薄膜について説明したが、Ｆｅを主成分
としＮを５〜２０原子％、Ｔａを１〜１０原子％、Ｚｒ
を３〜１５原子％含む組成範囲のＦｅ−Ｔａ−Ｚｒ −
Ｎ系薄膜においても同様の効果を有する。
実施例２
Ｆｅ−Ｔａ合金ターゲットを用い、実施例１と同様のス
パッタ法により、Ｎ２分圧２．５％で膜厚５μｍのＦｅ
−Ｔａ−Ｎ膜を作成した。これらの軟磁性膜を真空中、
回転磁場中、５００°Ｃで１時間の熱処理を行った。こ
れらの軟磁性膜の保磁力ＨＣ１飽和磁束密度Ｂｓ及び飽
和磁歪λＳを測定した。−例としてＦ ｅ８２Ｔ ａ
８ ＮＩＯ膜、及びＦｅ７７Ｔ ａ １３Ｎ１０膜の結
果を第１表に示す。
パッタ法により、Ｎ２分圧２．５％で膜厚５μｍのＦｅ
−Ｔａ−Ｎ膜を作成した。これらの軟磁性膜を真空中、
回転磁場中、５００°Ｃで１時間の熱処理を行った。こ
れらの軟磁性膜の保磁力ＨＣ１飽和磁束密度Ｂｓ及び飽
和磁歪λＳを測定した。−例としてＦ ｅ８２Ｔ ａ
８ ＮＩＯ膜、及びＦｅ７７Ｔ ａ １３Ｎ１０膜の結
果を第１表に示す。
第 １ 表
Ｆ ｅ ７７Ｔ ａ １３Ｎ１０膜は低磁歪で優れた軟
磁気特性を示すが、Ｆ ｅ８２Ｔ ａ ８ ＮＩＯ膜の
保磁力Ｈｃ、磁歪λＳは共に大きな値を示し、磁気へラ
ドコア材料としては使用出来ないものである。
磁気特性を示すが、Ｆ ｅ８２Ｔ ａ ８ ＮＩＯ膜の
保磁力Ｈｃ、磁歪λＳは共に大きな値を示し、磁気へラ
ドコア材料としては使用出来ないものである。
この両者の磁気特性の違いは、構造解析の結果、Ｆ ｅ
７７Ｔ ａ １３Ｎ１０膜はＦｅ主成分の均一な微細
結晶粒組織から成るが、Ｆ ｅ８２Ｔ ａ ８ ＮＩＯ
膜では成膜直後の非晶質形成能が悪く、熱処理後不均−
な結晶粒形態になっていることに起因するものである。
７７Ｔ ａ １３Ｎ１０膜はＦｅ主成分の均一な微細
結晶粒組織から成るが、Ｆ ｅ８２Ｔ ａ ８ ＮＩＯ
膜では成膜直後の非晶質形成能が悪く、熱処理後不均−
な結晶粒形態になっていることに起因するものである。
なお、本実施例では、Ｆ ｅ ７７Ｔ ａ １３Ｎ １
０膜において低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束
密度を併せ持つことを説明したが、Ｆｅを主成分としＮ
を５〜２０原子％、Ｔａを９〜１６原子％含む組成範囲
のＦｅ−Ｔａ−Ｎ系薄膜においても同様の効果を有する
。
０膜において低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束
密度を併せ持つことを説明したが、Ｆｅを主成分としＮ
を５〜２０原子％、Ｔａを９〜１６原子％含む組成範囲
のＦｅ−Ｔａ−Ｎ系薄膜においても同様の効果を有する
。
次に、上記組成範囲のＦｅ−Ｔａ−Ｎ系、及びＦｅ−Ｔ
ａ−Ｎ系薄膜に添加物元素としてＴｉ。
ａ−Ｎ系薄膜に添加物元素としてＴｉ。
Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ｙ、ＡｌＣｕ
、Ｏ元素の少なくとも１種の元素を添加した膜を作成し
、室温にて、５％のＮａＵ水溶液に２４・時間浸漬し、
腐食状態を調べた。その結果、上記添加元素の少なくと
も１種の元素を０．１〜６原子％含む組成を有するＦｅ
−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系、及びＦｅ−Ｔａ−Ｎ系薄膜は、軟
磁気特性を余り劣化させることなく、耐食性が向上して
いることが分かった。
、Ｏ元素の少なくとも１種の元素を添加した膜を作成し
、室温にて、５％のＮａＵ水溶液に２４・時間浸漬し、
腐食状態を調べた。その結果、上記添加元素の少なくと
も１種の元素を０．１〜６原子％含む組成を有するＦｅ
−Ｔａ−Ｚｒ−Ｎ系、及びＦｅ−Ｔａ−Ｎ系薄膜は、軟
磁気特性を余り劣化させることなく、耐食性が向上して
いることが分かった。
なお、本実施例（実施例１．実施例２）のスパッタ法は
Ａｒガス中にＮｔガスを混入させた反応性スパッタ法に
限るものではなく、窒化物をターゲットに用いたスパッ
タ法、直流または高周波による二極、三極、マグネトロ
ン方式のスパッタ法、およびバイアススパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法においても同様の効果を有する。
Ａｒガス中にＮｔガスを混入させた反応性スパッタ法に
限るものではなく、窒化物をターゲットに用いたスパッ
タ法、直流または高周波による二極、三極、マグネトロ
ン方式のスパッタ法、およびバイアススパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法においても同様の効果を有する。
発明の効果
請求項（１）または（２）の発明によれば、高温熱処理
において、低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束密
度を有する磁気へラドコア材料としての軟磁性薄膜を提
供できる。
において、低磁歪の優れた軟磁気特性と高い飽和磁束密
度を有する磁気へラドコア材料としての軟磁性薄膜を提
供できる。
請求項（３）の発明によれば、請求項（１）または（２
）の発明による軟磁性薄膜よりも、更に耐食性に優れた
軟磁性薄膜を提供することが出来る。
）の発明による軟磁性薄膜よりも、更に耐食性に優れた
軟磁性薄膜を提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例で作成した軟磁性薄膜の熱処
理温度とＩＭＨｚにおける実効透磁率μｅｆｆの関係を
示す図、第２図は熱処理温度と飽和磁歪λＳの関係を示
す図、第３図は熱処理温度と平均粒径ｄ１１０の関係を
示す図である。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名纂 図 Ｐ、 ＋！ １１５１Ｊ （１，） 第 図 輛爆謹１贋びＧ） 第 図 略処デ監５１屓げ０）
理温度とＩＭＨｚにおける実効透磁率μｅｆｆの関係を
示す図、第２図は熱処理温度と飽和磁歪λＳの関係を示
す図、第３図は熱処理温度と平均粒径ｄ１１０の関係を
示す図である。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名纂 図 Ｐ、 ＋！ １１５１Ｊ （１，） 第 図 輛爆謹１贋びＧ） 第 図 略処デ監５１屓げ０）
Claims (3)
- （１）Ｆｅを主成分としＮを５〜２０原子％、Ｔａを１
〜１０原子％、Ｚｒを３〜１５原子％含む組成を有する
ことを特徴とする軟磁性薄膜。 - （２）Ｆｅを主成分としＮを５〜２０原子％、Ｔａを９
〜１６原子％含む組成を有することを特徴とする軟磁性
薄膜。 - （３）請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟
磁性薄膜に添加物元素としてＴｉ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｒｕ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｙ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｏ元素の少なくと
も１種の元素を０．１〜６原子％含む組成を有すること
を特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26089990A JPH04137710A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26089990A JPH04137710A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137710A true JPH04137710A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17354306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26089990A Pending JPH04137710A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430671B1 (ko) * | 2001-09-08 | 2004-05-10 | 한국전기연구원 | 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26089990A patent/JPH04137710A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430671B1 (ko) * | 2001-09-08 | 2004-05-10 | 한국전기연구원 | 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 |
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