JPH0271424A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録及び光磁気記録に用いられる高密
度磁気記録媒体に関する。
度磁気記録媒体に関する。
高密度磁気記録媒体として基板上にＮｉ −Ｚｎフェラ
イト、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等のスピネルフェライト
（スピネル型結晶構造を有するフェライト）の（１１１
）配向膜からなる下地層とその上にマグネトプランバイ
ト型フェライトＣ軸配向膜をエピタキシャル的に成長さ
せて記録層を設けたものが知られている。しかしＣ軸配
向膜の記録層を得るには基板をかなり高温にする必要が
ある等、容易ではなく、しかもＣ軸配向膜が得られても
その配向性は充分とは云えなかった。その原因はスピネ
ルフェライトの格子定数とマグネトプランバイト型フェ
ライトの格子定数とのミスフィツトにあると考えられる
。即ちマグネトプランバイト型の格子定数ａ＝５．８５
〜５．８９人に対応するスピネル型結晶の格子定数ａは
８．２８〜８．３３人であるのに文士し、スピネルフェ
ライトの格子定数ａは８．４人前後とや＼大きい。特に
基板としてＡＱのような金属基板を用いた場合は記録層
の形成時（高温を要する）、基板の熱膨張により下地層
の格子定数も大きくなり、その結果、これら層のミスフ
ィツトは更に大きくなって配向性がいっそう悪くなる。
イト、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等のスピネルフェライト
（スピネル型結晶構造を有するフェライト）の（１１１
）配向膜からなる下地層とその上にマグネトプランバイ
ト型フェライトＣ軸配向膜をエピタキシャル的に成長さ
せて記録層を設けたものが知られている。しかしＣ軸配
向膜の記録層を得るには基板をかなり高温にする必要が
ある等、容易ではなく、しかもＣ軸配向膜が得られても
その配向性は充分とは云えなかった。その原因はスピネ
ルフェライトの格子定数とマグネトプランバイト型フェ
ライトの格子定数とのミスフィツトにあると考えられる
。即ちマグネトプランバイト型の格子定数ａ＝５．８５
〜５．８９人に対応するスピネル型結晶の格子定数ａは
８．２８〜８．３３人であるのに文士し、スピネルフェ
ライトの格子定数ａは８．４人前後とや＼大きい。特に
基板としてＡＱのような金属基板を用いた場合は記録層
の形成時（高温を要する）、基板の熱膨張により下地層
の格子定数も大きくなり、その結果、これら層のミスフ
ィツトは更に大きくなって配向性がいっそう悪くなる。
本発明は従来技術における以上のような問題を解消し、
記録層のＣ軸配向膜を低温でも容易に形成でき、しかも
金属基板を用いた場合でも良好な配向性が得られる磁気
記録媒体を提供することである。
記録層のＣ軸配向膜を低温でも容易に形成でき、しかも
金属基板を用いた場合でも良好な配向性が得られる磁気
記録媒体を提供することである。
本発明の磁気記録媒体は基板上に下地層とマグネトプラ
ンバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる記録層とを設
けた磁気記録媒体において、下地層が一般式Ｉ： （Ｍ Ｏ） （Ｍ、２０１） ■ （但しＭｌはＭｇ、 Ｚｎ、 Ｎｉ、 Ｃｏ及びＭｎの
少くとも１種、ＭｎはＧａ、 ＡＱ、 Ｉｎ、 Ｃｒ及
びＳｃの少くとも１種を表わす。） で示される組成物の結晶の（１１１）配向膜からなるこ
とを特徴とするものである。
ンバイト型フェライトＣ軸配向膜からなる記録層とを設
けた磁気記録媒体において、下地層が一般式Ｉ： （Ｍ Ｏ） （Ｍ、２０１） ■ （但しＭｌはＭｇ、 Ｚｎ、 Ｎｉ、 Ｃｏ及びＭｎの
少くとも１種、ＭｎはＧａ、 ＡＱ、 Ｉｎ、 Ｃｒ及
びＳｃの少くとも１種を表わす。） で示される組成物の結晶の（１１１）配向膜からなるこ
とを特徴とするものである。
本発明の磁気記録媒体は第１図に示すように基本的には
基板１上に前述のような下地層２及び記録層３を設けた
ものであるが、光磁気記録媒体として用いる場合は第２
図及び第３図に示すように更に基板１と下地層２との間
に反射層４や、断熱、保護等の目的で中間層６を設けた
り、或いは記録層３表面に保護層５を設けることができ
る。また垂直磁気記録媒体として用いる場合は第４図に
示すように記録層３表面に潤滑層７を設けることができ
る。
基板１上に前述のような下地層２及び記録層３を設けた
ものであるが、光磁気記録媒体として用いる場合は第２
図及び第３図に示すように更に基板１と下地層２との間
に反射層４や、断熱、保護等の目的で中間層６を設けた
り、或いは記録層３表面に保護層５を設けることができ
る。また垂直磁気記録媒体として用いる場合は第４図に
示すように記録層３表面に潤滑層７を設けることができ
る。
本発明の下地層は上層の記録層を構成するＣ軸配向膜を
低温で容易に形成すると共に、良好な配向性を得る目的
で設けられる。このような下地層に用いられる材料は前
記一般式ｌで示した全屈酸化物系組成物である。この組
成物はスピネル型結晶構造を有しているが、室温での格
子定数日が８．３３λ付近、又はそれ以下のものが好ま
しい、但し最適の格子定数ａは使用する基板の熱膨張係
数及びその上に記録層を形成する際の温度によって異な
る。このような組成物としては（ＺｎＯ）（ＩｎｚＯｉ
）、（ＺｎＯ）（ＡＱ２ ”＋ ） ＋ （ＭｇＯ）＜
ＧａＺＯ３）Ｊ （ＭｇＯ）（Ａｌｌ１２０．）、 （
ＮｉＯ）（Ａｆｌ、Ｏ，）、 （ＮｉｘＺｎｌ−ｘｏ）
（丁ｎｙＧａ２−ｙＯｓ ）等が挙げられるが、特に
基板として金属基板を用いた場合はａ＝８．３３Å以下
のもの、例えば（ＭｇＯ） （Ｇａ、０３）、 （Ｍｇ
Ｏ） （ＡＱｚｏ、）、 （ＺｎＯ）（ＡＱ−Ｏｚ）が
好ましい。なお下地層は真空蒸着、スパッタリング等の
方法で形成できる。厚さは０．０２〜０．１μｍ程度が
適当である。
低温で容易に形成すると共に、良好な配向性を得る目的
で設けられる。このような下地層に用いられる材料は前
記一般式ｌで示した全屈酸化物系組成物である。この組
成物はスピネル型結晶構造を有しているが、室温での格
子定数日が８．３３λ付近、又はそれ以下のものが好ま
しい、但し最適の格子定数ａは使用する基板の熱膨張係
数及びその上に記録層を形成する際の温度によって異な
る。このような組成物としては（ＺｎＯ）（ＩｎｚＯｉ
）、（ＺｎＯ）（ＡＱ２ ”＋ ） ＋ （ＭｇＯ）＜
ＧａＺＯ３）Ｊ （ＭｇＯ）（Ａｌｌ１２０．）、 （
ＮｉＯ）（Ａｆｌ、Ｏ，）、 （ＮｉｘＺｎｌ−ｘｏ）
（丁ｎｙＧａ２−ｙＯｓ ）等が挙げられるが、特に
基板として金属基板を用いた場合はａ＝８．３３Å以下
のもの、例えば（ＭｇＯ） （Ｇａ、０３）、 （Ｍｇ
Ｏ） （ＡＱｚｏ、）、 （ＺｎＯ）（ＡＱ−Ｏｚ）が
好ましい。なお下地層は真空蒸着、スパッタリング等の
方法で形成できる。厚さは０．０２〜０．１μｍ程度が
適当である。
一方、記録層の材料としては下記一般式■で示されるよ
うなマグネトプランバイト型フェライトが使用される。
うなマグネトプランバイト型フェライトが使用される。
一般式■：
Ｍ −ｘ Ｍ ｘ Ｆｅ−ｚ−ｙ ＭｇｙＯｘ−ＩＬ
ｎ （但しＭｌはＢａ、Ｓｒ及びｐｂの少くとも１種；Ｍ。
ｎ （但しＭｌはＢａ、Ｓｒ及びｐｂの少くとも１種；Ｍ。
はＬａ、Ｃａ及びＢｉの少くとも１種；Ｍ冒はＣｏ、
Ｔ１３ ＮＪ Ｔａ、Ｎｌｌ ＬＭｎ、 Ｃｒ、 Ｉｎ
、 Ｇａ及びＡＱの少くとも１種：Ｏ≦Ｘ≦０．７．０
≦ｙ≦８） 一般式１１の具体例： ＢａＦｅ１□−２ＸｃｏＸＴｊ４０．、 （０，３≦Ｘ
≦０．８）ＳｒＦｅ１．−２ｘｃｏＸＴｉ）（０１，（
０，３≦Ｘ≦０．８）ＢＦＩＩ−ＸＬａＸＦｅ１２−Ｘ
−ｚＹｃＯＸＩＹＴｉＹＯｑ（０，１≦Ｘ≦０．４．０
．２≦ｙ≦０．６）Ｓｒ１ ｙＰｂｘＦｅ、、−２ｙｃ
ｏｙＴｉｙ０１ｇ（０，０５≦Ｘ≦０．２．０．３≦ｙ
≦０．８）ＳｒＦｅ１□−ｘＧａｘｏｌ、 （０，５≦
Ｘ≦４）ＳｒＦｅ、 □−ｔ Ｘ−ｙＣｏ）（ＴｉｘＧ
ａｙｏｌ。
Ｔ１３ ＮＪ Ｔａ、Ｎｌｌ ＬＭｎ、 Ｃｒ、 Ｉｎ
、 Ｇａ及びＡＱの少くとも１種：Ｏ≦Ｘ≦０．７．０
≦ｙ≦８） 一般式１１の具体例： ＢａＦｅ１□−２ＸｃｏＸＴｊ４０．、 （０，３≦Ｘ
≦０．８）ＳｒＦｅ１．−２ｘｃｏＸＴｉ）（０１，（
０，３≦Ｘ≦０．８）ＢＦＩＩ−ＸＬａＸＦｅ１２−Ｘ
−ｚＹｃＯＸＩＹＴｉＹＯｑ（０，１≦Ｘ≦０．４．０
．２≦ｙ≦０．６）Ｓｒ１ ｙＰｂｘＦｅ、、−２ｙｃ
ｏｙＴｉｙ０１ｇ（０，０５≦Ｘ≦０．２．０．３≦ｙ
≦０．８）ＳｒＦｅ１□−ｘＧａｘｏｌ、 （０，５≦
Ｘ≦４）ＳｒＦｅ、 □−ｔ Ｘ−ｙＣｏ）（ＴｉｘＧ
ａｙｏｌ。
（０，３≦Ｘ≦０．８．０．５≦ｙ≦４）なお記録ｍの
形成法も下地層と同様、真空恭着、スパッタリング等の
方法が適用される。厚さは０．０５〜０．５μｍ程度が
適当である。
形成法も下地層と同様、真空恭着、スパッタリング等の
方法が適用される。厚さは０．０５〜０．５μｍ程度が
適当である。
その他、反射層としてはＡｕ、 Ａｇ＋ Ｃｕ、 ＡＱ
、 Ｃｒ等の金属膜や誘電体多層膜が、また、保護層と
してはポリメチルメタクリレ−１−、ポリカーボネート
、紫外線硬化性樹脂等の樹脂、ガラス等が、また中間層
の材料としてはＳｉＯｘ、 Ｓｉ、Ｎ４等が用いられる
。
、 Ｃｒ等の金属膜や誘電体多層膜が、また、保護層と
してはポリメチルメタクリレ−１−、ポリカーボネート
、紫外線硬化性樹脂等の樹脂、ガラス等が、また中間層
の材料としてはＳｉＯｘ、 Ｓｉ、Ｎ４等が用いられる
。
基板としては、石英ガラス、高珪酸ガラス、硼珪酸ガラ
ス、アルミノ珪酸ガラス等のガラス基板：ＡＱ、ＡＱ金
合金表面酸化（アルマイト）処理した。Ａｆｆ、更にこ
れらにＣｒ等のメツキを施したもの等の金属基板；Ｓｉ
単結晶、ＧＧＧ（ガリウム・ガドリニウム・ガーネット
）単結晶等の単結晶基板等が使用される。
ス、アルミノ珪酸ガラス等のガラス基板：ＡＱ、ＡＱ金
合金表面酸化（アルマイト）処理した。Ａｆｆ、更にこ
れらにＣｒ等のメツキを施したもの等の金属基板；Ｓｉ
単結晶、ＧＧＧ（ガリウム・ガドリニウム・ガーネット
）単結晶等の単結晶基板等が使用される。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により
基板温度約２００°Ｃで（Ｍｇｏ ） （Ｇａ２０３
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地層
を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタ
リング法（基板温度は同じ）で５ｒＣｏ （１，ｓ Ｔ
ｌ ｏ、ｓ ＦｅｚｚＯｘｉのＣ軸配向膜からなる０
、２μｍ厚の記録層を形成することにより磁気記録媒体
を作った。また基板温度を種々変えて同様にＣ軸配向膜
を形成した場合の基板温度と配向性との関係を胴入た結
果を第５図に示す。なお配向性は下記Ｘ線解析強度Ｉの
比として求めた。完全配向の時、この値は１になる。
基板温度約２００°Ｃで（Ｍｇｏ ） （Ｇａ２０３
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地層
を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタ
リング法（基板温度は同じ）で５ｒＣｏ （１，ｓ Ｔ
ｌ ｏ、ｓ ＦｅｚｚＯｘｉのＣ軸配向膜からなる０
、２μｍ厚の記録層を形成することにより磁気記録媒体
を作った。また基板温度を種々変えて同様にＣ軸配向膜
を形成した場合の基板温度と配向性との関係を胴入た結
果を第５図に示す。なお配向性は下記Ｘ線解析強度Ｉの
比として求めた。完全配向の時、この値は１になる。
１ （００８）／（１（００８） ＋ Ｉ （１０７）
）本実施例の場合、配向し始める温度が５００℃以下と
低く、しかも約５５０°Ｃの温度でほぼ完全な配向膜が
得られる。
）本実施例の場合、配向し始める温度が５００℃以下と
低く、しかも約５５０°Ｃの温度でほぼ完全な配向膜が
得られる。
実施例２
石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法により
基板温度約１５０℃で（ＺｎＯ） （Ｉｎ Ｏ，５Ａ
Ｑｘ、５０３）の（１１１）配向膜からなる０、０５μ
ｍ厚の下地層を形成した後、その上にＤＣ対向ターゲッ
トスパッタリング法で５ｒＣｏｏ、ｓ ＴＩｏ、５ Ｆ
ｅ、、Ｏ□、のＣ軸配向膜からなる０、２μｍ厚の記録
層を形成することにより磁気記録媒体を作った。また基
板温度を種々変えた場合のＣ軸配向膜の配向性との関係
を第６図に示す。本実施例の場合、配向し始める温度が
５００℃以下と低く、しかも約５１０℃の温度でほぼ完
全な配向膜が得られる。
基板温度約１５０℃で（ＺｎＯ） （Ｉｎ Ｏ，５Ａ
Ｑｘ、５０３）の（１１１）配向膜からなる０、０５μ
ｍ厚の下地層を形成した後、その上にＤＣ対向ターゲッ
トスパッタリング法で５ｒＣｏｏ、ｓ ＴＩｏ、５ Ｆ
ｅ、、Ｏ□、のＣ軸配向膜からなる０、２μｍ厚の記録
層を形成することにより磁気記録媒体を作った。また基
板温度を種々変えた場合のＣ軸配向膜の配向性との関係
を第６図に示す。本実施例の場合、配向し始める温度が
５００℃以下と低く、しかも約５１０℃の温度でほぼ完
全な配向膜が得られる。
比較例１
石英ガラス基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法
により基板温度約２５０℃で（ＺｎＯ） （Ｆｅ２ｏ、
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地
層を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッ
タリング法で５ｒＣｏ （、，５Ｔ ｉ ａ、ｓ Ｆｅ
１ｌｏ１９のＣ軸配向膜からなる０、２μｍ厚の記録層
を形成することにより磁気記録媒体を作った。また基板
温度を種々変えた場合のＣ軸配向膜の配向性との関係を
第７図に示す。この比較例の場合、配向し始める温度が
約５３０°Ｃ以上と高く、しかも６００℃以上の温度で
も完全に配向するＣ軸配向膜は得られない。
により基板温度約２５０℃で（ＺｎＯ） （Ｆｅ２ｏ、
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地
層を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッ
タリング法で５ｒＣｏ （、，５Ｔ ｉ ａ、ｓ Ｆｅ
１ｌｏ１９のＣ軸配向膜からなる０、２μｍ厚の記録層
を形成することにより磁気記録媒体を作った。また基板
温度を種々変えた場合のＣ軸配向膜の配向性との関係を
第７図に示す。この比較例の場合、配向し始める温度が
約５３０°Ｃ以上と高く、しかも６００℃以上の温度で
も完全に配向するＣ軸配向膜は得られない。
実施例３
ステンレス基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法
により基板温度２００℃で（ＭｇＯ） （ＡＱ２ｏ、
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地層
を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタ
リング法により基板温度６００℃でＢａＣｏ、、、Ｔｉ
ｏ、ｓＦｅ、。、４０□、のＣ軸配向膜からなる１、０
μｍ厚の記録層を設け、更にその上にＤＣＣ対向ターゲ
ラ式スパッタリング法によりカーボン蒸着膜からなる２
００人厚０潤滑層を形成することにより磁気記録媒体を
作った。このものの記録層のＣ軸配向性はきわめて良好
であった。
により基板温度２００℃で（ＭｇＯ） （ＡＱ２ｏ、
）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下地層
を形成した後、その上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパッタ
リング法により基板温度６００℃でＢａＣｏ、、、Ｔｉ
ｏ、ｓＦｅ、。、４０□、のＣ軸配向膜からなる１、０
μｍ厚の記録層を設け、更にその上にＤＣＣ対向ターゲ
ラ式スパッタリング法によりカーボン蒸着膜からなる２
００人厚０潤滑層を形成することにより磁気記録媒体を
作った。このものの記録層のＣ軸配向性はきわめて良好
であった。
実施例４
表面を光学研摩したステンレス基板上にＲＦマグネトロ
ンスパッタリング法により基板温度２００℃でＳｉＯ□
膜からなる１、０μＩＩ＋厚の中間層を形成し、その上
に真空蒸着法によりＣｒ蒸着膜からなる０、０５μｍ厚
の反射層を形成し、その上にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により基板温度２００℃で（ＭｇＯ）（ＡＱ２
０．）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下
地層を形成し、更にその上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパ
ッタリング法により基板温度６００℃で５ｒＣｏ０．、
Ｔｉｏ、、 Ｆｅ１□Ｏ□、のＣ軸配向膜からなる０
、２μｍ厚の記録層を形成した後、その上に１ 、２ｍ
ｍ厚のポリメチルメタクリレート膜の保護層を形成する
ことにより磁気記録媒体を作った。このものの記録層の
Ｃ軸配向性はきわめて良好であった。
ンスパッタリング法により基板温度２００℃でＳｉＯ□
膜からなる１、０μＩＩ＋厚の中間層を形成し、その上
に真空蒸着法によりＣｒ蒸着膜からなる０、０５μｍ厚
の反射層を形成し、その上にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により基板温度２００℃で（ＭｇＯ）（ＡＱ２
０．）の（１１１）配向膜からなる０、０５μｍ厚の下
地層を形成し、更にその上にＤＣＣ対向ターゲラ式スパ
ッタリング法により基板温度６００℃で５ｒＣｏ０．、
Ｔｉｏ、、 Ｆｅ１□Ｏ□、のＣ軸配向膜からなる０
、２μｍ厚の記録層を形成した後、その上に１ 、２ｍ
ｍ厚のポリメチルメタクリレート膜の保護層を形成する
ことにより磁気記録媒体を作った。このものの記録層の
Ｃ軸配向性はきわめて良好であった。
本発明の磁気記録媒体は基板と記録層との間に下地層と
して、スピネル型結晶構造を有する前述のような金属酸
化物系（１１１）配向膜を設けたので、基板の種類に関
係なく、上層の記録層としてのマグネトプランバイト型
フェライトのＣ軸配向膜の作製が容易となる上、配向性
も向上し、その結果、垂直磁気記録性及び光磁気記録性
も改善される。
して、スピネル型結晶構造を有する前述のような金属酸
化物系（１１１）配向膜を設けたので、基板の種類に関
係なく、上層の記録層としてのマグネトプランバイト型
フェライトのＣ軸配向膜の作製が容易となる上、配向性
も向上し、その結果、垂直磁気記録性及び光磁気記録性
も改善される。
第１図は本発明磁気記録媒体の基本構成図、第２〜４図
は夫々、第１図の記録媒体の変形図、第５〜７図は夫々
、実施例１、実施例２及び比較例１で作製した磁気記録
媒体のＣ軸配向膜からなる記録層形成時の基板温度とＣ
軸配向膜の配向性との関係図である。 １・・・基板 ３・・・記録層 ５・・・保護層 ７・・・潤滑層 ２・・・下地層 ４・・・反射層 ６・・・中間層 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士 佐 １）守 雄 外１名馬 篤２図 帛３図 馬４図
は夫々、第１図の記録媒体の変形図、第５〜７図は夫々
、実施例１、実施例２及び比較例１で作製した磁気記録
媒体のＣ軸配向膜からなる記録層形成時の基板温度とＣ
軸配向膜の配向性との関係図である。 １・・・基板 ３・・・記録層 ５・・・保護層 ７・・・潤滑層 ２・・・下地層 ４・・・反射層 ６・・・中間層 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士 佐 １）守 雄 外１名馬 篤２図 帛３図 馬４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下地層とマグネトプランバイト型フェライ
トＣ軸配向膜からなる記録層とを設けた磁気記録媒体に
おいて、下地層が一般式 I ： （Ｍ＿ I Ｏ）（Ｍ＿II＿２Ｏ＿３） （但しＭ＿ I はＭｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＭｎの少
くとも１１Ｍ＿IIはＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｒ及びＳｃの
少くとも１種を表わす。） で示される組成物の結晶の（１１１）配向膜からなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 ２、金属基板上に下地層とマグネトプランバイト型フェ
ライトＣ軸配向膜からなる記録層とを設けた磁気記録媒
体において、下地層が室温での格子定数ａが８．３３Å
よりも小さいスピネル型結晶構造を有する結晶の（１１
１）配向膜からなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22415088A JPH0271424A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22415088A JPH0271424A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271424A true JPH0271424A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16809326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22415088A Pending JPH0271424A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271424A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013696B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-09-06 | Nexteer (Beijing) Technology Co., Ltd. | Magnetic apparatus and method of manufacturing the magnetic apparatus |
| WO2016203693A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US20170047090A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-02-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US20180286445A1 (en) * | 2016-06-23 | 2018-10-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP22415088A patent/JPH0271424A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013696B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-09-06 | Nexteer (Beijing) Technology Co., Ltd. | Magnetic apparatus and method of manufacturing the magnetic apparatus |
| US20170047090A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-02-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US10276200B2 (en) * | 2014-10-28 | 2019-04-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| WO2016203693A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPWO2016203693A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2017-09-07 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US20170270955A1 (en) * | 2015-06-18 | 2017-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US10566019B2 (en) | 2015-06-18 | 2020-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US20180286445A1 (en) * | 2016-06-23 | 2018-10-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US11087794B2 (en) * | 2016-06-23 | 2021-08-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium having magnetic layer with a granular structure |
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