JPH01159848A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は光磁気記録媒体に関し、詳しくは、磁性層の材
料に特定組成よりなるマグネトプラムバイト型フェライ
トを用いた光磁気記録媒体に関する。

［従来技術］ 近時、半導体レーザ光の熱効果等によって磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、この情報を磁気光学効果
を利用して読みだすようにした光磁気記録媒体が注目さ
れている。現在、光磁気記録媒体に用いられる磁性体で
は、ＧｄＣｏ、ＧｄＦａＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等の希土類
−遷移金属非晶質合金が盛んに研究されており、一部商
品化段階を迎えている。この非晶質合金は結晶、粒界ノ
イズが少なくキュリー温度が低いなどの利点をもってい
る。しかし、非晶質合金（アモルファス磁性体）の成分
である希土類金属成分は酸化腐食を受けやすいために、
経時とともに磁気特性等が劣化するという大きな欠点が
ある。

これを防止するために、非晶質合金膜上に真空蒸着法や
スパッタリングによりＳｉＯ，、ＡＱＦＪ等の保護層を
設けることも知られているが、アモルファス磁性層の形
成時に真空槽内に残留する酸素、基板表面に吸着した酸
素や水分、あるいは合金磁性体ターゲット中に含まれる
酸素や水分等により、経時とともに磁性層が腐食され。

記録時の熱によってさらにこの酸化腐食が促進される。

また、非晶質合金は熱によって結晶化されやすく、磁気
特性の劣化をきたしやすいという問題点もを有している
。

本発明者らは、これらの欠点を改善するものとして、Ｂ
ａフェライトに代表されるマグネトプラムバイト型フェ
ライトが大きな結晶磁気異方性により安定した垂直磁化
膜が得られやすく、それ自体が酸化物であるために、酸
化劣化の虞れがないこと即ち耐候性に優れていることに
着目し、光磁気記録媒体への応用を検討して、先に、特
開昭５９−４５６４４号として提案した。だが。

マグネトプラムバイト型フェライト膜は一般に結晶化温
度が高く、成膜巾約６００℃以上の基板温度が必要であ
るため、耐熱性を有する特殊な単結晶しか基板として用
いることができず、ガラスのような安価な基板の使用に
不都合を有している。

［目　　的］ 本発明は、上記した如き従来の問題点等を解消し、耐候
性に優れたマグネトプラムバイト型フェライトの特性を
生かしてその成膜時の基板温度を低下させることにより
、安価な基板の使用を可能とするとともに結晶粒界によ
る媒体ノイズの低減を図った光磁気記録媒体を提供する
ものである。

［構　　成］ 本発明は基板上にスピネルフェライトからなる下地層、
その上にマグネトプラムバイト型フェライトからなる磁
性層を形成した光磁気記録媒体において、前記マグネト
プラムバイト型フェライトの基本組成が下記一般式 ％式％） で表わされた結晶内にｐｂが置換されたものであること
を特徴としている。

ちなみに、本発明者らは「マグネトプラムバイト型フェ
ライトの結晶内にｐｂが置換されかつその含有量が特定
されたちの」を用い磁性層を形成させることによって前
記の目的が達成されることを見いだし、それに基づいて
本発明を完成したものである。

以下に本発明を添付の図面に従がいながらさらに詳細に
説明する。

第１図及び第２図は本発明に係る光磁気記録媒体の二側
を断面で示したものであるが、第２図は第１図に示した
光磁気記録媒体に保護層が設けられたこと以外は相違し
ていない。従って、以降の説明は第１図に示した光磁気
記録媒体を中心に行なうこととする。

第１図に示されるように、本発明では基板１上に下地層
２、磁性層３および反射層４が順次積層されて構成され
ている（第２図においては、反射層４上に保護層５がさ
らに積層されていることは既述のとおりである）、この
ような光磁気記録媒体においては、記録再生光である半
導体レーザ光は基板１側から入射され、下地層２、磁性
層３を透過した後、反射層４で反射され、再生の際はそ
の反射光を検出することによって、マグネトプラムバイ
ト型フェライトからなる磁性層３のファラデー効果を利
用して書き込まれた情報を読み出す。

本発明における磁性層３は垂直に磁化される層であり、
前記一般式で表わされたマグネトプラムバイト型フェラ
イト又はそのＦｅの一部をＣｏ、Ｔｉ等の他の元素にて
置換したフェライトが用いられる。

磁性層３の膜厚は厚ければ厚いほどより大きなファラデ
ー回転角が得られ出力信号の増大につながるが、厚くす
るにつれ大きな結晶粒が成長し媒体ノイズの原因となる
ため、Ｃ／Ｎとしてはかえって低下する。このため、膜
厚は０．１〜１．０μＩ程度が適当であり、好ましくは
０．２〜０゜５μ重である。また、磁性層３は対向ター
ゲットスパッタリング、マグネトロンスパッタリング等
の各種スパッタリング；イオンブレーティング；真空蒸
着法；メツキ法等の薄膜形成方法により成膜することが
できる。

第３図に前記一般式で表わされたマグネトプラムバイト
型フェライトのうちのＳｒ、、５Ｐｂ０，５Ｆｅ１ｚＯ
ｘｓｃ本発明例１）、Ｓｒ０．７ＳＰｂＯ，ＺＳＦｅＬ
２０Ｌ９（本発明例２）及び５ｒＦｅ工、０□、（比較
例）のそれぞれの成膜基板温度Ｔｓと飽和磁化Ｍｓとの
関係を示した。

この第３図より、基板温度を下げていくとクリティカル
な温度（比較例でいえば約４８０℃）を過ぎてから急に
Ｍｓが低下していくことが判るが、本発明例と比較例と
を比べた場合１本発明例では比較例よりも成膜基板温度
の一層低いところまで飽和磁化Ｍｓが維持されることが
判る。

このことはガラス等の基板でも使用が可能となることを
意味しており、こうした効果は、特定量のｐｂが基本組
成中に置換されているためと思われる。

磁性層３は結晶のＣ軸が基板表面に対して垂直になるよ
うに配向（以降「Ｃ軸配向」と称する）したとき大きな
結晶異方性によって良好な垂直磁化膜となる。しかし、
マグネトプラムバイト型フェライト膜はＧＧＧ単結晶の
ような特定の基板上にしかＣ軸配向せず、ガラスのよう
なアモルファス基板に直接Ｃ軸配向させることは困難で
ある。それ故、安価なガラスを基板１として用いるため
には、マグネトプラムバイト型フェライトのＣ軸配向さ
せるような下地層２がガラス基板１上に必要となる。

この下地層２としてはＣ軸配向したＺｎＯ膜或いは（１
１，１）配向したＮｉＺｎフェライト膜等が適している
。ト地層２の膜厚は材料によって異なるが下地層２とし
ての役割を果たしうる範囲でなるべく薄い方が良く、０
．０５〜０．５μｍ好ましくは０．０５〜０゜２μ遍く
らいが適当である。また、下地Ｍ２は磁性、層３と同様
な方法で成膜できる。

反射Ｍ　４０３　材料としてはＡｕ、Ａ　Ｑ　、Ａｇ、
Ｐｔ。

Ｃｒ、Ｎｄ、Ｇ、ｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、ＴｉＮ等が用いられ
、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法等の各種蒸着法や各種スパ
ッタリング等の薄膜形成法により成膜される。

また、基板１としては石英ガラス、硼珪酸ガラス、アル
ミノケイ酸ガラス等が用いられるが。

その他にもＧＧＧ、　Ｌｉタンタレート、ＡＱ２０３、
ＭｇＯ５ＢｅＯなどの各種単結晶の透明基板も使用しう
る。

［効　　果］ 上記のように、光磁気記録媒体の磁性層として前記一般
式で表わされたマグネトプラムバイト型フェライト膜を
用いれば、この膜中においてｐｂ置換がなされているこ
とにより磁性層の成膜温度が低くでき、安価なガラス基
板の使用が可能になる。加えて、低温で結晶化が進むた
め比較的小さくかつ均一な大きさの結晶粒が生成して、
媒体ノイズが減少しＣ／Ｎが向上するという効果ももた
らされる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る光磁気記録媒体の二側
の構成を示す概略図である。 第３図はマグネトプラムバイト型フェライトのＰｂ！換
の有無による低温成膜の例を示す基板温度と飽和磁化と
の関係図である。 １・・・基板　　　　　２・・・下地層３・・・磁性層
　　　　４・・・反射層５・・・保護層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．基板上にスピネルフェライトからなる下地層、その
   上にマグネトプラムバイト型フェライトからなる磁性層
   を形成した光磁気記録媒体において、前記マグネトプラ
   ムバイト型フェライトの基本組成が下記一般式 Ｍｅ＿１＿−＿ｘＰｂ＿ｘＯ・ｎ（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）（
   Ｍｅ：Ｓｒ，Ｂａより選ばれた少なくと も一種の元素 ｘ：０．０１≦ｘ≦０．５ ｎ：４．０≦ｎ≦６．０） で表わされた結晶内にＰｂが置換されたものであること
   を特徴とする光磁気記録媒体。