JPH0261538B2 - - Google Patents
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- JPH0261538B2 JPH0261538B2 JP14073083A JP14073083A JPH0261538B2 JP H0261538 B2 JPH0261538 B2 JP H0261538B2 JP 14073083 A JP14073083 A JP 14073083A JP 14073083 A JP14073083 A JP 14073083A JP H0261538 B2 JPH0261538 B2 JP H0261538B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
この発明は、高硬度および高強度を有し、かつ
素地中に分散する金属間化合物が著しく微細であ
ると共に、非金属介在物がほとんど存在せず、し
たがつて、これらの特性が要求される磁気デイス
ク基板として用いた場合に、磁気デイスクの高記
録密度化を可能にするAl合金に関するものであ
る。 近年、磁気デイスクに対して、記憶容量の増
大、アクセス時間の短縮、１ビツト当りの価格の
低減、小型化、および軽量化が強く要求されるよ
うになつており、これらの要求を満足させるため
には、磁気デイスクの磁気記録の高密度化が不可
欠の要件であるばかりでなく、磁気記録媒体の皮
膜を保持する基板も軽量にして、高硬度および高
強度をもつことが必要である。 このような要求から、各種のAl合金が磁気デ
イスク基板として用いられるようになり、中でも
Mg：３〜６％を含有し、残りがAlと不可避不純
物からなる組成（以上重量％、以下同じ）を有す
るAl合金が、軽量にして、高硬度および高強度
をもつAl合金として提案されている。 一方、磁気記録の高密度化をはかるためには、
磁気記録媒体に欠陥がなく、かつその表面が平滑
で、しかも磁気記録媒体の膜厚が薄く均一である
ことが必要である。 しかし、磁気記録媒体を薄くした場合、基板の
素地に大きな金属間化合物や非金属介在物が存在
すると、これがビツト落（情報の一部が記録され
ない現象）などの欠陥の原因となることから、大
きな金属間化合物や非金属介在物の存在しない基
板が必要となるが、例えば、上記のAl−Mg合金
においては、溶湯過などにより非金属介在物を
著しく低減した状態にすることができるが、金属
間化合物が比較的大寸の状態で存在することか
ら、磁気記録媒体の薄膜化にも限度があるもので
あつた。 そこで、本発明者等は、上記の従来Al−Mg合
金に着目し、この合金をもつ高硬度および高強度
を損なうことなく、素地に分散する金属間化合物
の微細化をはかるべく研究を行なつた結果、上記
のAl−Mg合金に不可避不純物として含有し、か
ついずれも金属間化合物形成元素であるSi、Fe、
Mn、Cr、Ni、Ｖ、TiおよびＢの含有量を、そ
れぞれ Si：0.1％以下、 Fe：0.1％以下、 Mn：0.01％以下、 Cr：0.01％以下、 Ni：0.01％以下、 Ｖ：0.01％以下、 Ti：0.008％以下、 Ｂ：0.001％以下、 とした状態で、これに、 Zr：0.03〜0.5％ を含有させると金属間化合物が著しく微細化する
ようになり、さらにZrとの共存において、 Be：0.0005〜0.02％、 を含有させると、さらに一段と金属間化合物の微
細化が促進されるようになるという知見を得たの
である。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、Mg：３〜５％、Zr：0.03〜0.5％を
含有し、さらに必要に応じてBe：0.0005〜0.02％
を含有し、かつ不可避不純物としてのSi、Fe、
Mn、Cr、Ni、Ｖ、Ti、およびＢの含有量が、
それぞれSi：0.1％以下、Fe：0.1％以下、Mn：
0.01％以下、Cr：0.01％以下、Ni：0.01％以下、
Ｖ：0.01％以下、Ti：0.008％以下、およびＢ：
0.001％以下であり、残りがAlとその他の不可避
不純物からなる組成を有し、特に素地に分散する
金属間化合物が著しく微細なので磁気デイスク基
板として用いた場合にすぐれた性能を発揮する
Al合金に特徴と有するものである。 つぎに、この発明のAl合金において、成分組
成を上記の通りに限定した理由を説明する。 (a) Mg Mg成分には、合金の硬さおよび強度を向上
させる作用があるが、その含有量が３％未満で
は前記作用に所望の効果が得られず、一方５％
を越えて含有させると、圧延加工が困難になる
ばかりでなく、Al−Mg系の粗大な金属間化合
物が形成され易くなることから、その含有量を
３〜５％と定めた。 (b) Zr Zr成分には、素地に分散する各種Al合金系
の金属間化合物を著しく微細化する作用がある
が、その含有量が0.03％未満では所望の微細化
効果が得られず、一方0.5％を越えて含有させ
ると、粗大なAl−Zr系の金属間化合物が形成
されるようになることから、その含有量を0.03
〜0.5％と定めた。 (c) Be Be成分には、Zrとの共存において、金属間
化合物をさらに一段と微細化するほか、非金属
介在物を著しく低減させる作用があるので、特
に高品質の磁気デイスク基板が要求される場合
に必要に応じて含有されるが、その含有量が
0.0005％未満では前記作用に所望の向上効果が
得られず、一方0.02％を越えて含有させてもよ
り一層の向上効果が得られないばかりでなく、
0.02％を越えた含有は作業上毒性発生の原因と
なることから、その含有量を0.0005〜0.02％と
定めた。 (d) 不可避不純物 不可避不純物としてのSi、Fe、Mn、Cr、
Ni、Ｖ、Ti、およびＢ成分は、いずれも金属
間化合物形成元素であるので、それぞれSi：
0.1％、Fe：0.1％、Mn：0.01％、Cr：0.01％、
Ni：0.01％、Ｖ：0.01％、Ti0.008％、および
Ｂ：0.001％を越えた含有は粗大な金属間化合
物形成の原因となるばかりでなく、特にＶ、
Ti、およびＢにあつては、研磨後の基板表面
にストリンガー（すじ状欠陥）発生の原因とな
ることから、前記の上限値を越えて含有させて
はならない。 つぎに、この発明のAl合金を実施例により具
体的に説明する。 実施例 通常の反射炉を用い、塩素ガスによる脱ガス処
理、沈静化処理、および耐火物製フイルターによ
る非金属介在物除去処理を併用して、それぞれ第
１表に示される成分組成をもつた本発明Al合金
１〜８および比較Al合金１〜７の溶湯を調製し
た後、直接冷却連続鋳造法にて幅：1200mm×長
さ：2500mm×厚さ：300mmの寸法をもつた鋳塊に
鋳造し、ついでこの鋳塊に、510〜540℃の範囲内
の所定温度に12時間保持後、室温まで放冷の熱処
理を施した後、その上下両面を厚さ：15mmに亘つ
て両削し、引続いて温度：500℃に加熱した状態
で熱間圧延を施して板厚：５mmの熱延板とし、さ
らに、この熱延板に冷間圧延を施して板厚：２mm
の冷延板とし、この冷延板より直径：200mmの円
板をプレスにて打抜き、ついでこの円板に、温
度：350℃に２時間保持の条件で加圧焼鈍を施し
た後、荒研磨とバフ研磨を施して、表面が鏡面仕
上げされた板厚：1.8mmの基板を製造した。 なお、比較Al合金１〜７は、いずれも構成成
分および不可避不純物のうちのいずれかの含有量
（第１表に※印を付したもの）がこの発明の範囲
から外れた組成をもつものである。 ついで、この結果得られた本発明Al合金１〜
８
素地中に分散する金属間化合物が著しく微細であ
ると共に、非金属介在物がほとんど存在せず、し
たがつて、これらの特性が要求される磁気デイス
ク基板として用いた場合に、磁気デイスクの高記
録密度化を可能にするAl合金に関するものであ
る。 近年、磁気デイスクに対して、記憶容量の増
大、アクセス時間の短縮、１ビツト当りの価格の
低減、小型化、および軽量化が強く要求されるよ
うになつており、これらの要求を満足させるため
には、磁気デイスクの磁気記録の高密度化が不可
欠の要件であるばかりでなく、磁気記録媒体の皮
膜を保持する基板も軽量にして、高硬度および高
強度をもつことが必要である。 このような要求から、各種のAl合金が磁気デ
イスク基板として用いられるようになり、中でも
Mg：３〜６％を含有し、残りがAlと不可避不純
物からなる組成（以上重量％、以下同じ）を有す
るAl合金が、軽量にして、高硬度および高強度
をもつAl合金として提案されている。 一方、磁気記録の高密度化をはかるためには、
磁気記録媒体に欠陥がなく、かつその表面が平滑
で、しかも磁気記録媒体の膜厚が薄く均一である
ことが必要である。 しかし、磁気記録媒体を薄くした場合、基板の
素地に大きな金属間化合物や非金属介在物が存在
すると、これがビツト落（情報の一部が記録され
ない現象）などの欠陥の原因となることから、大
きな金属間化合物や非金属介在物の存在しない基
板が必要となるが、例えば、上記のAl−Mg合金
においては、溶湯過などにより非金属介在物を
著しく低減した状態にすることができるが、金属
間化合物が比較的大寸の状態で存在することか
ら、磁気記録媒体の薄膜化にも限度があるもので
あつた。 そこで、本発明者等は、上記の従来Al−Mg合
金に着目し、この合金をもつ高硬度および高強度
を損なうことなく、素地に分散する金属間化合物
の微細化をはかるべく研究を行なつた結果、上記
のAl−Mg合金に不可避不純物として含有し、か
ついずれも金属間化合物形成元素であるSi、Fe、
Mn、Cr、Ni、Ｖ、TiおよびＢの含有量を、そ
れぞれ Si：0.1％以下、 Fe：0.1％以下、 Mn：0.01％以下、 Cr：0.01％以下、 Ni：0.01％以下、 Ｖ：0.01％以下、 Ti：0.008％以下、 Ｂ：0.001％以下、 とした状態で、これに、 Zr：0.03〜0.5％ を含有させると金属間化合物が著しく微細化する
ようになり、さらにZrとの共存において、 Be：0.0005〜0.02％、 を含有させると、さらに一段と金属間化合物の微
細化が促進されるようになるという知見を得たの
である。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、Mg：３〜５％、Zr：0.03〜0.5％を
含有し、さらに必要に応じてBe：0.0005〜0.02％
を含有し、かつ不可避不純物としてのSi、Fe、
Mn、Cr、Ni、Ｖ、Ti、およびＢの含有量が、
それぞれSi：0.1％以下、Fe：0.1％以下、Mn：
0.01％以下、Cr：0.01％以下、Ni：0.01％以下、
Ｖ：0.01％以下、Ti：0.008％以下、およびＢ：
0.001％以下であり、残りがAlとその他の不可避
不純物からなる組成を有し、特に素地に分散する
金属間化合物が著しく微細なので磁気デイスク基
板として用いた場合にすぐれた性能を発揮する
Al合金に特徴と有するものである。 つぎに、この発明のAl合金において、成分組
成を上記の通りに限定した理由を説明する。 (a) Mg Mg成分には、合金の硬さおよび強度を向上
させる作用があるが、その含有量が３％未満で
は前記作用に所望の効果が得られず、一方５％
を越えて含有させると、圧延加工が困難になる
ばかりでなく、Al−Mg系の粗大な金属間化合
物が形成され易くなることから、その含有量を
３〜５％と定めた。 (b) Zr Zr成分には、素地に分散する各種Al合金系
の金属間化合物を著しく微細化する作用がある
が、その含有量が0.03％未満では所望の微細化
効果が得られず、一方0.5％を越えて含有させ
ると、粗大なAl−Zr系の金属間化合物が形成
されるようになることから、その含有量を0.03
〜0.5％と定めた。 (c) Be Be成分には、Zrとの共存において、金属間
化合物をさらに一段と微細化するほか、非金属
介在物を著しく低減させる作用があるので、特
に高品質の磁気デイスク基板が要求される場合
に必要に応じて含有されるが、その含有量が
0.0005％未満では前記作用に所望の向上効果が
得られず、一方0.02％を越えて含有させてもよ
り一層の向上効果が得られないばかりでなく、
0.02％を越えた含有は作業上毒性発生の原因と
なることから、その含有量を0.0005〜0.02％と
定めた。 (d) 不可避不純物 不可避不純物としてのSi、Fe、Mn、Cr、
Ni、Ｖ、Ti、およびＢ成分は、いずれも金属
間化合物形成元素であるので、それぞれSi：
0.1％、Fe：0.1％、Mn：0.01％、Cr：0.01％、
Ni：0.01％、Ｖ：0.01％、Ti0.008％、および
Ｂ：0.001％を越えた含有は粗大な金属間化合
物形成の原因となるばかりでなく、特にＶ、
Ti、およびＢにあつては、研磨後の基板表面
にストリンガー（すじ状欠陥）発生の原因とな
ることから、前記の上限値を越えて含有させて
はならない。 つぎに、この発明のAl合金を実施例により具
体的に説明する。 実施例 通常の反射炉を用い、塩素ガスによる脱ガス処
理、沈静化処理、および耐火物製フイルターによ
る非金属介在物除去処理を併用して、それぞれ第
１表に示される成分組成をもつた本発明Al合金
１〜８および比較Al合金１〜７の溶湯を調製し
た後、直接冷却連続鋳造法にて幅：1200mm×長
さ：2500mm×厚さ：300mmの寸法をもつた鋳塊に
鋳造し、ついでこの鋳塊に、510〜540℃の範囲内
の所定温度に12時間保持後、室温まで放冷の熱処
理を施した後、その上下両面を厚さ：15mmに亘つ
て両削し、引続いて温度：500℃に加熱した状態
で熱間圧延を施して板厚：５mmの熱延板とし、さ
らに、この熱延板に冷間圧延を施して板厚：２mm
の冷延板とし、この冷延板より直径：200mmの円
板をプレスにて打抜き、ついでこの円板に、温
度：350℃に２時間保持の条件で加圧焼鈍を施し
た後、荒研磨とバフ研磨を施して、表面が鏡面仕
上げされた板厚：1.8mmの基板を製造した。 なお、比較Al合金１〜７は、いずれも構成成
分および不可避不純物のうちのいずれかの含有量
（第１表に※印を付したもの）がこの発明の範囲
から外れた組成をもつものである。 ついで、この結果得られた本発明Al合金１〜
８
【表】
【表】
および比較Al合金１〜７の基板について、その
鏡面仕上げ面における最大金属間化合物サイズと
表面粗さを測定すると共に、引張強さとビツカー
ス硬さを測定した。これらの測定結果を第２表に
示した。 第２表に示される結果から、本発明Al合金１
〜８においては、従来Al−Mg合金が通常約23〜
29Kgｆ／mm2の引張強さを有し、かつ約60〜75のビ
ツカーズ硬さを示すのと比較して、これと同等の
高強度および高硬度を有し、かつ良好な鏡面仕上
げ面を確保することができ、さらに金属間化合物
も著しく微細であるのに対して、比較Al合金１
〜７、特に比較Al合金２〜７に見られるように、
構成成分および不可避不純物のうちのいずれかの
含有量でもこの発明の範囲から外れると粗大な金
属間化合物が発生するようになることが明らかで
ある。また特に比較Al合金５においては、不可
避不純物としてのTiの含有量がこの発明の範囲
を越えて高いので、ストリンガーの発生が見られ
た。 上述のように、この発明のAl合金は、高強度
お
鏡面仕上げ面における最大金属間化合物サイズと
表面粗さを測定すると共に、引張強さとビツカー
ス硬さを測定した。これらの測定結果を第２表に
示した。 第２表に示される結果から、本発明Al合金１
〜８においては、従来Al−Mg合金が通常約23〜
29Kgｆ／mm2の引張強さを有し、かつ約60〜75のビ
ツカーズ硬さを示すのと比較して、これと同等の
高強度および高硬度を有し、かつ良好な鏡面仕上
げ面を確保することができ、さらに金属間化合物
も著しく微細であるのに対して、比較Al合金１
〜７、特に比較Al合金２〜７に見られるように、
構成成分および不可避不純物のうちのいずれかの
含有量でもこの発明の範囲から外れると粗大な金
属間化合物が発生するようになることが明らかで
ある。また特に比較Al合金５においては、不可
避不純物としてのTiの含有量がこの発明の範囲
を越えて高いので、ストリンガーの発生が見られ
た。 上述のように、この発明のAl合金は、高強度
お
【表】
【表】
よび高硬度を有するので、これを磁気デイスク基
板として用いた場合には小型化および軽量化がは
かれるばかりでなく、短かいバフ研磨時間で良好
な鏡面仕上げ面を得ることができ、しかも金属間
化合物が著しく微細であると共に、非金属介在物
がほとんど存在しないので、ビツト落などの欠陥
発生の懸念なく、磁気記録媒体の薄膜化が可能で
あるなど工業上有用な特性を有するのである。
板として用いた場合には小型化および軽量化がは
かれるばかりでなく、短かいバフ研磨時間で良好
な鏡面仕上げ面を得ることができ、しかも金属間
化合物が著しく微細であると共に、非金属介在物
がほとんど存在しないので、ビツト落などの欠陥
発生の懸念なく、磁気記録媒体の薄膜化が可能で
あるなど工業上有用な特性を有するのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Mg：３〜５％、 Zr：0.03〜0.5％ を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組
成（以上重量％）を有し、かつ不可避不純物とし
てのSi、Fe、Mn、Cr、Ni、Ｖ、Ti、およびＢ
の含有量が、同じく重量％で、 Si：0.1％以下、 Fe：0.1％以下、 Mn：0.01％以下、 Cr：0.01％以下、 Ni：0.01％以下、 Ｖ：0.01％以下、 Ti：0.008％以下、 Ｂ：0.001％以下、 であることを特徴とする磁気デイスク基板用Al
合金。 ２ Mg：３〜５％、 Zr：0.03〜0.5％ を含有し、さらに、 Be：0.0005〜0.02％、 を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組
成（以上重量％）を有し、かつ不可避不純物とし
てのSi、Fe、Mn、Cr、Ni、Ｖ、Ti、およびＢ
の含有量が、同じく重量％で、 Si：0.1％以下、 Fe：0.1％以下、 Mn：0.01％以下、 Cr：0.01％以下、 Ni：0.01％以下、 Ｖ：0.01％以下、 Ti：0.008％以下、 Ｂ：0.001％以下、 であることを特徴とする磁気デイスク基板用Al
合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14073083A JPS6033333A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14073083A JPS6033333A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033333A JPS6033333A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0261538B2 true JPH0261538B2 (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15275373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14073083A Granted JPS6033333A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033333A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627829A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Showa Alum Corp | 磁気デイスク基板用アルミニウム合金 |
| JPS63142962A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Sharp Corp | 画像読取装置 |
| JPH07101915B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1995-11-01 | コニカ株式会社 | 画像処理装置 |
| US4908716A (en) * | 1987-12-08 | 1990-03-13 | Ricoh Company, Ltd. | Image processing apparatus |
| JPH02205651A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Furukawa Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金 |
| JPH0625785A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-01 | Nippon Light Metal Co Ltd | 鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金 |
| JPH1143650A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
| JP6131083B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-05-17 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法 |
| WO2016190277A1 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、当該磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク |
| EP3481971A4 (en) * | 2016-07-05 | 2019-12-25 | Nanoal LLC | STRIPS AND POWDER MADE OF HIGH-STRENGTH CORROSION-RESISTANT ALUMINUM ALLOYS |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP14073083A patent/JPS6033333A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033333A (ja) | 1985-02-20 |
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