JPH0258269A - ゲートアレイの電源配線の形成方法 - Google Patents

ゲートアレイの電源配線の形成方法

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JPH0258269A
JPH0258269A JP20975488A JP20975488A JPH0258269A JP H0258269 A JPH0258269 A JP H0258269A JP 20975488 A JP20975488 A JP 20975488A JP 20975488 A JP20975488 A JP 20975488A JP H0258269 A JPH0258269 A JP H0258269A
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JP
Japan
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power supply
wiring
supply wiring
width
channel region
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Pending
Application number
JP20975488A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuharu Mitono
水戸野 克治
Kota Minami
南 幸太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0258269A publication Critical patent/JPH0258269A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [JI要] ゲートアレイの7を源配線の形成方法に関し。
効率的なチップ面精の使用が可能なゲートアレイの’i
(j源配線の形成方法の提供を目的とし。
マクロセルの配置に対応して並設される複数の電源パタ
ーンと、該電源パターンの間のチャネル領域に設けられ
該マクロセル1111を接続する配線とを有するゲート
アレイのマスタスライス方式において、使用する前記マ
クロセルの位置や数が異なるとj、これに対応して前記
電源パターンの幅を異ならせることを特徴とする。
[産業上の利用分!?J 未完1!1は、ゲートアレイの電源配線の形成方法に関
する。
近年のゲートアレイ、特にE CL (Emitter
 G。
upled Logic)ゲートアレイの大規模化に伴
い、電源線に流れる電流間も増加しているので、益々幅
の広い電源配線が要求されている。
一方、回路の大規模化に伴い、マクロセルの高密度化も
要求されている。
[従来の技術] ゲートアレイのマスタスライス方式においては、予めプ
ログラムに従ってマクロセルが配置されている0次に全
体の回路を構成するために、固定パターンからなる電源
線の配こと、信号線の配線を行なっている。
ところで、回路を構成する場合、すべてのマクロセルが
使用されることはなく、またどのマクロセルが使用され
るか、使用されないかについても回路毎に異なる。
しかし、従来方法によれば、マクロセルの使用・未使用
は余り考慮されることがなく1回路が変わっても電源配
線の幅は変えられることのないのが一般であった。
[発明が解決しようとする課題] F述のように、従来の電源配線は固定パターンであるか
らゲートアレイの配線可能領域(チャネル領域)はあら
かじめ定められている。すなわち、自動配線プログラム
は、この電源配線で領域占められている領域を除く領域
(チャネル領域)の中で必要な配線を100%完成させ
る必要がある。
しかし、最近ではユーザーから要求される回路は高機能
化し、それに従い配線も複雑化しているため、定められ
たチャネル領域内では必安な配線を完成することが困難
な場合がある。
このような場合には、ユーザーの要望に応えられないか
、あるいは改めてゲートアレイのバルクパターンの配l
を変更するなどバルクに対する措置を必要とするため、
時間や費用および労力の負担が大きいという問題がある
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、信号線の配線用のチャネル領域を確保して効率的
なチップ面積の使用をOf能とするゲートアレイの電源
配線の形成方法の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段〕 L記の課題は、マクロセルの配置に対応して並設される
複数の′電源パターンと、該電源パターンの間のチャネ
ル領域に設けられ該マクロセル間を接続する配線とを有
するゲートアレイのマスタスライス方式において、 使用する前記マクロセルの位置や数が異なるとき、これ
に対応して前記電源パターンの幅を異ならせることを特
徴とするゲートアレイの電源配線の形成方法によって解
決される。
[作用] 未発明の電源配線の形成方法によれば、使用するマクロ
セルの位置や数が異なるとき、これに対応して’ili
[パターンの幅を異ならせている。
すなわち、使用されるマクロセルが多い場合には、供給
すべき、又は吸収すべき電流が多いので、これに接続さ
れる;tt電源配線幅は、太く形成されている。一方、
使用されるマクロセルが少ない場合には、供給すべき、
又は吸収すべき電流は少ないので、これに接続される電
源配線の幅は。
部分的に削除されて細く形成されている。
従って、この電I2線の輻は同一のバルクであっても回
路が異なれば当然に異なるし、また、同じ回路内にあっ
ても、個々の電源線毎に、異なる。
更に、同一の電源配線においても、その輻はチップの中
心に向かうほど狭くなり、電源バンドに向かうほど広く
形成されている。
このように、流れる電流賃に対応して不必要な電源線の
幅を合理的に削除しているので、その分、配線CIT能
領域(チャネル領域)を増やすことができ、信号配線の
自由度が増す。
これは、多層配線構造においても同様に適用1能である
A−オ、ココテアtii線トハ、Vcc 、 Voo 
、 Vss 。
VIE等の電#i線を、a味する。
[実施例] 第1図は本発明の実施例に係るゲートアレイの電源配線
の形成方法を説明するフローチャートである。また、第
2図は′¥L源配線の幅を決定する様fを説明する図で
ある。
■・・・まず、配lプログラムに従ってマクロセルの配
置がなされ、また1!源線の配置が行なわれる。
このときマクロセルには高消″I!電力型のマクロセル
もあれば、低消f!電力型のマクロセルもあり、あるい
は使用マクロセルもあれば未使用マクロセルもある。す
なわち、要求される回路機能に従って、相混じり合って
配置される。
第2図は、このようにして配線接続された:fS2層目
と第3層目の電源配線の状態を示す図で2この時点での
電源配線の幅についての考慮は従来と同様である。なお
、マクロセルは図示していない、同図において、1〜4
は第2層目の電源配線(破線で示す、)であり、不図示
の各マクロセルの第1層目の電源配線とは不図示のピア
ホールを介して接続されている。また、5〜7は:jS
3層目の電源配線(実線で示す、)であり、ピアホール
8を介して第2層[1の′セ源配線1〜4と接続されて
いる。また、9は第2層目のチャネル領域、10は第3
層目のチャネル領域である。
(り・・・次に電流計算プログラムにより、各電源配線
に流入又は流出する最大の電流値を算出する。
4>・・・次いで、′1!源配線幅決定プログラムに従
って、僧)において求めた電源配線の各部分に流れる耐
大電流値から、必要とされる電源配線の各部分の幅を算
出する。電源配線の輻は、チップの中心に向かうほど狭
くなり、電源パッドに向かうほど広くなる。
第3図はこのようにして求めた電源配線幅に従って、第
2図の第3層目の電源配線の幅を変更した図である。但
し、説明の便宜上、第2層目の電源配線1〜4について
は変更していない0図のように、変更後の第3層目の電
源配線8〜10の幅はチップ中心に近い方で細く、逆に
電源パッドの方に近くなると太く形成されている。これ
は、電源パッドに向うほど第2層目の電源配線から流入
又は流出する′it4が大きくなるからである。なお、
マクロセルは必ずしもすべて使用されるわけではない、
このため、第3図に示すように、第3層月の電源配線1
1〜13の幅は、第2層目の電源配線1〜4と接続する
節目毎に変わるとは限らず、ある区間で同一の幅を示す
場合もある。
(4)・・・次に、チャネル領域決定プログラムから、
信号線等を配線するのに必要なチャネル領域を決定する
。このとき、■において、第3層目の電源配線11−1
3の幅を狭くした部分についてはそれだけチャネル領域
が増えたものとみなすことができる。15は拡張された
第3層目のチャネル領域をポしている。
り5)・・・配線プログラムに従って、チャネル領域を
利用してマクロセル間をui続する配線を行なう。
このとき、(Φにおいて、無駄な電源配線の幅は削除し
ているので、実質的にチャネル領域が増えたことになり
、これにより信号線の配線の自由度が増える。
また第4図と第5図は、同一のバルクで回路機能がそれ
ぞれ異なる場合に本発明を適用した第2層目の電源配線
の実施例図である。
第4図の場合には、左側の電源配線16に接続するセル
はすべて使用セルであり、右側の電源配線17に接続す
るセルはチップ中心付近で2つの未使用セルがある。従
って電源配線16.17の幅はこれに応じて細くなり、
第2層目のチャネル領域はチップ中心付近で広くなる。
なお、20は第2層1]のチャネル領域である。
第5図の場合には、左側の電源配線21に接続するセル
は使用セルが1つで残りが未使用セルであり、また、右
側の電源配線22に接続するセルは使用セルが3つで未
使用セルが3つで、各セルは図のような位置にあるから
、これに応じて電源配線の輻はチップの中心に向かうに
従って変えられている。25はこのときに実質的に拡張
されたの第2層目のチャネル領域である。
なお、23は第2層[1の’i12源配線21〜22と
各マクロセルの電源端子とを接続するピアホール、24
は第1層目のチャネル領域である。
このように本発明の実に例によれば、不必要な電源線の
幅を合理的に削除しているので、その分、配線回部領域
(チャネル領域)を増やすことができるので、高機能の
回路であって複雑な信号配線を要求される場合にも、こ
れに適切に対応することが可能となる。
[発明の効果] 以」−説明したように、本発明によれば使用するマクロ
セルの位置や数が異なるとき、これに対応して′ilf
源パターンの幅を異ならせて、不必要な電源線の幅を合
理的に削除しているので、その分、実質的に配線0■能
領域(チャネル領域)を増やすことができる。
従って、複雑な信号配線接続や多数の信号配線が要求さ
れる場合にもこれに適切に対応することが可能となり、
より高機能回路のゲートアレイを作成することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例に係る電源配線の形成を説明
するフローチャート 第2図は、電源配線幅変更前の実施例説明図(符号の説
明) 1〜4,16.17,21.22・・・第2層[1の″
It1.源配線、 5〜7・・・第3層[1の電源配線、 11−13・・・第3層に1の電源配線、8.14,1
8.23・・・ピアホール、9.20.25・・・第2
層目のチャネル領域10.15・・・第3層目のチャネ
ル領域、19.24・・・第1層目のチャネル領域。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 マクロセルの配置に対応して並設される複数の電源パタ
    ーンと、該電源パターンの間のチャネル領域に設けられ
    該マクロセル間を接続する配線とを有するゲートアレイ
    のマスタスライス方式において、 使用する前記マクロセルの位置や数が異なるとき、これ
    に対応して前記電源パターンの幅を異ならせることを特
    徴とするゲートアレイの電源配線の形成方法。
JP20975488A 1988-08-23 1988-08-23 ゲートアレイの電源配線の形成方法 Pending JPH0258269A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084338B2 (en) 2002-10-07 2006-08-01 Yamaha Corporation Lug fixing structure for drum
JP2009216892A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Fuji Xerox Co Ltd 定着装置および画像形成装置

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