JPH0257895A - 真空熱処理方法と装置 - Google Patents
真空熱処理方法と装置Info
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- JPH0257895A JPH0257895A JP20735488A JP20735488A JPH0257895A JP H0257895 A JPH0257895 A JP H0257895A JP 20735488 A JP20735488 A JP 20735488A JP 20735488 A JP20735488 A JP 20735488A JP H0257895 A JPH0257895 A JP H0257895A
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- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、真空中に於いて被処理物を加熱し、更にガス
雰囲気として該被処理物に還元等の処理を施す真空熱処
理の方法と装置に関する。
雰囲気として該被処理物に還元等の処理を施す真空熱処
理の方法と装置に関する。
(従来の技術)
従来、真空熱処理炉として、第1図に見られるような、
真空ポンプに接続される真空排気口aと、ガス源に接続
されるガス導入口bを有する炉室C内にヒーターdを設
け、該炉室C内に断熱材eで囲んで被処理物fを設ける
ようにしたものが知られており、該被処理物fを還元す
る場合、まず真空排気口aからの排気により炉室C内を
真空にし、次いでヒーターdで被処理物fを加熱し、そ
のあとガス導入口すから導入した水素ガスにより被処理
物fを還元している。
真空ポンプに接続される真空排気口aと、ガス源に接続
されるガス導入口bを有する炉室C内にヒーターdを設
け、該炉室C内に断熱材eで囲んで被処理物fを設ける
ようにしたものが知られており、該被処理物fを還元す
る場合、まず真空排気口aからの排気により炉室C内を
真空にし、次いでヒーターdで被処理物fを加熱し、そ
のあとガス導入口すから導入した水素ガスにより被処理
物fを還元している。
(発明が解決しようとする課題)
前記の場合、炉室C内の温度を一定に保持して行なわれ
るが、炉室C内の雰囲気がl Torr以下の真空中で
ある場合と100 Torr乃至大気圧の水素ガス雰囲
気である場合とでは炉室Cの室壁から逃げる熱損失が約
3倍以上も違い、後者の場合の方が熱損失が多くなって
炉室C内の温度を一定に保持出来なくなる。そのため水
素ガスの導入時にはヒーターdへの投入電力を約3倍以
上とし、炉室C内の温度を一定に保持するように努めて
いるが、ヒーターdの電源に高価な大型のものを用意し
なければならず、水素ガスを導入して被処理物fを処理
する時間は熱処理プロセスに於いては一時的であり、加
熱電力を約3倍以上とする時間も一時的であるが、この
ような−時的使用のために大型の電源を設備することは
経済的でない。
るが、炉室C内の雰囲気がl Torr以下の真空中で
ある場合と100 Torr乃至大気圧の水素ガス雰囲
気である場合とでは炉室Cの室壁から逃げる熱損失が約
3倍以上も違い、後者の場合の方が熱損失が多くなって
炉室C内の温度を一定に保持出来なくなる。そのため水
素ガスの導入時にはヒーターdへの投入電力を約3倍以
上とし、炉室C内の温度を一定に保持するように努めて
いるが、ヒーターdの電源に高価な大型のものを用意し
なければならず、水素ガスを導入して被処理物fを処理
する時間は熱処理プロセスに於いては一時的であり、加
熱電力を約3倍以上とする時間も一時的であるが、この
ような−時的使用のために大型の電源を設備することは
経済的でない。
水素ガスの導入に伴なう熱損失を少なくするために、炉
室C内に設けられる断熱材eの厚みを増すことも考えら
れたが、これは断熱材eからの放出ガス量が増大するた
め高真空の雰囲気が得にくくなる不都合が見られた。
室C内に設けられる断熱材eの厚みを増すことも考えら
れたが、これは断熱材eからの放出ガス量が増大するた
め高真空の雰囲気が得にくくなる不都合が見られた。
また炉室C内のガス状態を監視するために、炉室C内の
水素ガスや酸素ガスの分圧を測定することが望ましいが
、その測定には高価なrlFJ定機器を必要とし、その
機器の信頼性も低いため、実用的でない欠点がある。
水素ガスや酸素ガスの分圧を測定することが望ましいが
、その測定には高価なrlFJ定機器を必要とし、その
機器の信頼性も低いため、実用的でない欠点がある。
本発明は、ガス導入に伴う熱損失が少なく、比較的小型
の電源で炉室内の温度を一定に保持し得、炉室内のガス
状態を簡単に監視出来る真空熱処理の方法と装置を提案
することを目的とするものである。
の電源で炉室内の温度を一定に保持し得、炉室内のガス
状態を簡単に監視出来る真空熱処理の方法と装置を提案
することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明の第1発明は、前記目的を達成する方法に関する
もので、真空排気口とガス導入口を有する炉室内にヒー
ターを設け、該炉室内に設けた被処理物を真空状態とガ
ス雰囲気状態とで熱処理するようにしたものに於いて、
該炉室内に該被処理物を収める気密室を設け、該炉室内
には不活性ガスを導入し、該ガスとほぼ同圧になるよう
に処理用ガスを気密室内に導入して該被処理物の熱処理
を行なうようにした。
もので、真空排気口とガス導入口を有する炉室内にヒー
ターを設け、該炉室内に設けた被処理物を真空状態とガ
ス雰囲気状態とで熱処理するようにしたものに於いて、
該炉室内に該被処理物を収める気密室を設け、該炉室内
には不活性ガスを導入し、該ガスとほぼ同圧になるよう
に処理用ガスを気密室内に導入して該被処理物の熱処理
を行なうようにした。
またその第2発明は、前記方法の実施に適用される装置
に関するもので、真空排気口とガス導入口を有する炉室
内にヒーターを設け、該炉室内に設けた被処理物を真空
状態とガス雰囲気状態とで熱処理するようにしたものに
於いて、該炉室内に該被処理物を収める開閉自在の気密
室を設け、該気密室に第2真空排気口と第2ガス導入口
を設けるようにした。
に関するもので、真空排気口とガス導入口を有する炉室
内にヒーターを設け、該炉室内に設けた被処理物を真空
状態とガス雰囲気状態とで熱処理するようにしたものに
於いて、該炉室内に該被処理物を収める開閉自在の気密
室を設け、該気密室に第2真空排気口と第2ガス導入口
を設けるようにした。
(作 用)
本発明の作用を被処理物に還元処理を施す場合につき説
明するに、真空熱処理炉の炉室内に設けた気密室内に被
処理物を収め、該気密室内を開いてその内部及び炉室内
を真空とし、ヒーターにより該被処理物を一定温度に加
熱する。
明するに、真空熱処理炉の炉室内に設けた気密室内に被
処理物を収め、該気密室内を開いてその内部及び炉室内
を真空とし、ヒーターにより該被処理物を一定温度に加
熱する。
次いで真空熱処理炉のガス導入口から熱伝導性の低い不
活性ガス例えばArガスを導入し、炉室内及び気密室内
を一定圧に保つ。そのあと気密室を閉じ、その内部へ処
理用ガスとして水素ガスを導入する。このとき気密室内
の水素ガス圧は炉室内のA「ガス圧とほぼ同圧になるよ
うに第2真空排気口の排気系により制御される。
活性ガス例えばArガスを導入し、炉室内及び気密室内
を一定圧に保つ。そのあと気密室を閉じ、その内部へ処
理用ガスとして水素ガスを導入する。このとき気密室内
の水素ガス圧は炉室内のA「ガス圧とほぼ同圧になるよ
うに第2真空排気口の排気系により制御される。
気密室内の被処理物は水素ガスの雰囲気中で還元処理さ
れるが、この場合、該気密室と炉壁との間には熱伝導性
の低いArガスの層が介在するため、該炉壁を介しての
熱損失が少なくなり、ヒーターの電源として真空の雰囲
気の場合に較べ約1.3倍程度のパワーをもつ比較的小
型の電源を使用しても炉室内の温度を一定に保持するこ
とが出来る。また気密室内に導入された水素ガスがその
外部の炉室内に漏れ出しても炉外へは漏れることがなく
、炉室へ漏れ出したときには炉室に設けたビラニ真空計
等で簡単に捕捉することが出来、その分圧を測定出来る
。
れるが、この場合、該気密室と炉壁との間には熱伝導性
の低いArガスの層が介在するため、該炉壁を介しての
熱損失が少なくなり、ヒーターの電源として真空の雰囲
気の場合に較べ約1.3倍程度のパワーをもつ比較的小
型の電源を使用しても炉室内の温度を一定に保持するこ
とが出来る。また気密室内に導入された水素ガスがその
外部の炉室内に漏れ出しても炉外へは漏れることがなく
、炉室へ漏れ出したときには炉室に設けたビラニ真空計
等で簡単に捕捉することが出来、その分圧を測定出来る
。
(実施例)
本発明の実施例を図面第2図につき説明すると、同図に
於いて符号(1)は真空ポンプ(2)に接続される真空
排気口(3)とガス源に接続されるガス導入口(4)を
有する気密に形成された真空熱処理炉の炉室を示し、該
炉室(1)内にはその周壁を覆うように多少の間If(
(5)を存して断熱材(6)が設けられると共に、該断
熱材(6)の内側に外部の電源からの通電により発熱す
るヒーター(7)が設けられる。
於いて符号(1)は真空ポンプ(2)に接続される真空
排気口(3)とガス源に接続されるガス導入口(4)を
有する気密に形成された真空熱処理炉の炉室を示し、該
炉室(1)内にはその周壁を覆うように多少の間If(
(5)を存して断熱材(6)が設けられると共に、該断
熱材(6)の内側に外部の電源からの通電により発熱す
るヒーター(7)が設けられる。
以上の構成は従来の真空熱処理炉と特に変りがないが、
本発明のものでは炉室(1)内に被処理物(8)を収め
る気密室(9)を設け、炉室(1)内には不活性ガスを
導入し、該不活性ガスとばぼ同圧になるように処理用ガ
スを気密室(9)内に導入して該被処理物(8)の真空
熱処理を行なうようにし、該被処理物(8)を還元処理
する場合、炉室(1)内へはA「ガス或はN2ガスの不
活性ガスを導入し、気密室(9)内へは水素ガスが導入
される。
本発明のものでは炉室(1)内に被処理物(8)を収め
る気密室(9)を設け、炉室(1)内には不活性ガスを
導入し、該不活性ガスとばぼ同圧になるように処理用ガ
スを気密室(9)内に導入して該被処理物(8)の真空
熱処理を行なうようにし、該被処理物(8)を還元処理
する場合、炉室(1)内へはA「ガス或はN2ガスの不
活性ガスを導入し、気密室(9)内へは水素ガスが導入
される。
該気密室(9)は被処理物(8)を収容し得る空間を備
えた中空の本体(9a)と該本体(9a)を塞ぐ蓋体(
9b)とで構成され、炉室(1)の底部に設けた台CI
G上に置かれるようにした。該本体(9a)と蓋体(9
b)の少なくとも一方、図示の場合は蓋体(9b)を炉
壁01)を介して外部から導入した移動杆(121に取
付け、該移動杆(121がシリンダ(13により往復動
されると蓋体(9b)が本体(9a)から離れ、該本体
(9a)内が炉室(1)内へ開放されるようにした。
えた中空の本体(9a)と該本体(9a)を塞ぐ蓋体(
9b)とで構成され、炉室(1)の底部に設けた台CI
G上に置かれるようにした。該本体(9a)と蓋体(9
b)の少なくとも一方、図示の場合は蓋体(9b)を炉
壁01)を介して外部から導入した移動杆(121に取
付け、該移動杆(121がシリンダ(13により往復動
されると蓋体(9b)が本体(9a)から離れ、該本体
(9a)内が炉室(1)内へ開放されるようにした。
該気密室(9)には炉外の第2真空ポンプ(+41に接
続される第2真空排気口(15)と炉外のガス源に接続
される第2ガス導入口00とが設けられ、図示の場合、
該第2真空排気口(+51は炉外の第2シリンダ(17
)により往復動される第2移動杆ag内を挿通して設け
たパイプq9の先端で構成されるものとし、該移動杆(
Iεが前進後退すると該第2真空排気口q9が本体(9
a)から着脱されるようにした。
続される第2真空排気口(15)と炉外のガス源に接続
される第2ガス導入口00とが設けられ、図示の場合、
該第2真空排気口(+51は炉外の第2シリンダ(17
)により往復動される第2移動杆ag内を挿通して設け
たパイプq9の先端で構成されるものとし、該移動杆(
Iεが前進後退すると該第2真空排気口q9が本体(9
a)から着脱されるようにした。
また第2ガス導入口qOは蓋体(9b)に取付けた移動
杆abの内部を通るバイブ■の先端で構成される。
杆abの内部を通るバイブ■の先端で構成される。
l2DQvは移動杆(121(13の周囲の気密を維持
すべく設けられたベロー、■は第2真空排気口q9と第
2真空ポンプa41との間の排気回路に設けた水素バッ
ファタンク、■はビラニ真空計である。
すべく設けられたベロー、■は第2真空排気口q9と第
2真空ポンプa41との間の排気回路に設けた水素バッ
ファタンク、■はビラニ真空計である。
被処理物(8)を還元処理する場合、気密室(9)内に
被処理物(8)を収めシリンダai (+7)を後退さ
せて本体(9a)と蓋体(9b)を離し、真空排気口(
3)から炉室(1)内をl Torr以下の真空に排気
する。そしてヒーター(7)を作動させて被処理物(8
)を一定の温度に加熱する。
被処理物(8)を収めシリンダai (+7)を後退さ
せて本体(9a)と蓋体(9b)を離し、真空排気口(
3)から炉室(1)内をl Torr以下の真空に排気
する。そしてヒーター(7)を作動させて被処理物(8
)を一定の温度に加熱する。
次いでガス導入口(4)からArガスを導入し、炉室(
1)内及び気密室(9)内を例えば150 Torrと
する。
1)内及び気密室(9)内を例えば150 Torrと
する。
このあとシリンダ(13G71を前進させて気密室(9
)を閉じて図示の状態とし、第2ガス導入口(IOから
水素ガスを導入すると共に第2真空排気口(+51から
排気して炉室(1)内のArガス圧とほぼ同圧にする。
)を閉じて図示の状態とし、第2ガス導入口(IOから
水素ガスを導入すると共に第2真空排気口(+51から
排気して炉室(1)内のArガス圧とほぼ同圧にする。
これによって該被処理物(8)は還元処理されるが、該
気密室(9)と炉壁111)との間にはArガスの層が
介在して直接水素ガスが炉壁に接することがないので、
炉壁からの熱損失が少なくなる。
気密室(9)と炉壁111)との間にはArガスの層が
介在して直接水素ガスが炉壁に接することがないので、
炉壁からの熱損失が少なくなる。
具体的にはl Torr以下の真空状態と不活性ガス雰
囲気と水素ガス雰囲気の熱損失の比はおおよそ1:1.
3.3であるので、Arガスの層が介在する実施例の場
合、炉内の温度を一定に維持するために、ヒーター(7
)にArガスの導入時がら約l。
囲気と水素ガス雰囲気の熱損失の比はおおよそ1:1.
3.3であるので、Arガスの層が介在する実施例の場
合、炉内の温度を一定に維持するために、ヒーター(7
)にArガスの導入時がら約l。
3倍の電力を投入すれば足り、ヒーター(7)の電源と
して比較的小型のものを使用することが出来る。
して比較的小型のものを使用することが出来る。
また気密室(9)から水素ガスが炉室(1)内に漏れる
ことを被処理物(8)の処理中に監視することが好まし
いが、その漏れが生じたとき水素ガスの分圧を該炉室(
1)に設けた安価なピラニ真空計■により簡単にΔ−1
定することが出来、高価なN2や02の検出測定機器を
設ける必要がない。
ことを被処理物(8)の処理中に監視することが好まし
いが、その漏れが生じたとき水素ガスの分圧を該炉室(
1)に設けた安価なピラニ真空計■により簡単にΔ−1
定することが出来、高価なN2や02の検出測定機器を
設ける必要がない。
尚、気密室(9)内にプロパン等の浸炭性ガスを流し、
炉室(1)内に不活性ガスを流せば、被処理物(8)の
真空浸炭処理を行なえ、この場合炉室(1)内は不活性
ガス雰囲気であるので、スーティング(すすの発生)が
なく、炉内のクリーニングの必要がなくなり、炉内で使
用されている絶縁物の寿命が長くなる。
炉室(1)内に不活性ガスを流せば、被処理物(8)の
真空浸炭処理を行なえ、この場合炉室(1)内は不活性
ガス雰囲気であるので、スーティング(すすの発生)が
なく、炉内のクリーニングの必要がなくなり、炉内で使
用されている絶縁物の寿命が長くなる。
更に、該気密室(9)内に酸素ガス等の活性ガスを流し
、被処理物(8)に酸化等の処理を施すことも出来、こ
の場合も炉室(1)内は不活性ガス雰囲気にあるので炉
室(1)内の金属物の酸化が防げ、炉の耐久性が向上す
る。
、被処理物(8)に酸化等の処理を施すことも出来、こ
の場合も炉室(1)内は不活性ガス雰囲気にあるので炉
室(1)内の金属物の酸化が防げ、炉の耐久性が向上す
る。
(発明の効果)
以上のように、本発明の方法によるときは、真空熱処理
炉の炉室内に被処理物を収める気密室を設け、炉室内に
は不活性ガスを導入し、これとほぼ同圧に処理用ガスを
気密室に導入するようにしたので、処理用ガスの導入に
よる炉内温度の低下が少なくなり、比較的小型の電源で
炉内温度を一定に保持することが出来て設備を安価とな
し得られ、処理用ガスは不活性ガスの層と炉壁とで2重
に覆われるので外部へ漏れ難く、気密性からの処理ガス
の漏れは炉に設けた安価な真空計で簡単に計all+出
来る等の効果がある。
炉の炉室内に被処理物を収める気密室を設け、炉室内に
は不活性ガスを導入し、これとほぼ同圧に処理用ガスを
気密室に導入するようにしたので、処理用ガスの導入に
よる炉内温度の低下が少なくなり、比較的小型の電源で
炉内温度を一定に保持することが出来て設備を安価とな
し得られ、処理用ガスは不活性ガスの層と炉壁とで2重
に覆われるので外部へ漏れ難く、気密性からの処理ガス
の漏れは炉に設けた安価な真空計で簡単に計all+出
来る等の効果がある。
またその第2発明によるときは、該気密室を開閉自在と
し、これに第2真空排気口と第2ガス導入口とを設ける
ようにしたので、気密室内の真空排気と処理用ガスの圧
力制御を行ない前記第1発明の方法の実施の好都合に適
用出来る等の効果がある。
し、これに第2真空排気口と第2ガス導入口とを設ける
ようにしたので、気密室内の真空排気と処理用ガスの圧
力制御を行ない前記第1発明の方法の実施の好都合に適
用出来る等の効果がある。
第1図は従来例の裁断側面図、第2図は本発明の実施例
の裁断側面図である。 (1)・・・炉室 (3)・・・真空排気
口(4)・・・ガス導入口 (D・・・ヒーター
(8)・・・被処理物 (9)・・・気密室(
1の(18・・・移動杆 (Is)・・・第
2真空排気口り0・・・第2ガス導入口 第2図 第1図
の裁断側面図である。 (1)・・・炉室 (3)・・・真空排気
口(4)・・・ガス導入口 (D・・・ヒーター
(8)・・・被処理物 (9)・・・気密室(
1の(18・・・移動杆 (Is)・・・第
2真空排気口り0・・・第2ガス導入口 第2図 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空排気口とガス導入口を有する炉室内にヒーター
を設け、該炉室内に設けた被処理物を真空状態とガス雰
囲気状態とで熱処理するようにしたものに於いて、該炉
室内に該被処理物を収める気密室を設け、該炉室内には
不活性ガスを導入し、該ガスとほぼ同圧になるように処
理用ガスを気密室内に導入して該被処理物の熱処理を行
なうことを特徴とする真空熱処理方法。 2、前記炉室内には不活性ガスを導入し、気密室内には
水素ガスを導入することを特徴とする前記請求項1に記
載の真空熱処理方法。 3、真空排気口とガス導入口を有する炉室内にヒーター
を設け、該炉室内に設けた被処理物を真空状態とガス雰
囲気状態とで熱処理するようにしたものに於いて、該炉
室内に該被処理物を収める開閉自在の気密室を設け、該
気密室に第2真空排気口と第2ガス導入口を設けたこと
を特徴とする真空熱処理装置。 4、前記気密室を蓋体と中空の本体とで分離自在に構成
し、該蓋体と本体の少なくとも一方を前記炉室の室壁を
介して外部へ延びる往復動自在の移動杆に取付け、該移
動杆の往復動で該気密室の開閉を行なうことを特徴とす
る前記請求項3に記載の真空熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20735488A JPH0257895A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 真空熱処理方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20735488A JPH0257895A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 真空熱処理方法と装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0257895A true JPH0257895A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16538345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20735488A Pending JPH0257895A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 真空熱処理方法と装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0257895A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495267B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-06-16 | 주식회사제4기한국 | 자동 진공 금형 열처리 장치 |
JP2005325371A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空浸炭炉 |
JP2005325372A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空浸炭炉及び浸炭用ガス排気方法 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20735488A patent/JPH0257895A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495267B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-06-16 | 주식회사제4기한국 | 자동 진공 금형 열처리 장치 |
JP2005325371A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空浸炭炉 |
JP2005325372A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空浸炭炉及び浸炭用ガス排気方法 |
JP4547664B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2010-09-22 | 株式会社Ihi | 真空浸炭炉及び浸炭用ガス排気方法 |
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