JPH02569A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、含金属インドアニリン系化合物を用いた光学
記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

レーザーを用いた光学記録媒体は、高密度の情報記録保
存および再生を可能とするため、近年、特にその開発が
とりす＼められている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげることがで
きる。

一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、７μｍ程度に集束したレーブー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を生成させ
ることだよシ行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光によシ変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差を読み取ること尾よう行なわれる
。

したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこと
、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特定
波長のレーザー光だ対する反射率が高いことが必要とな
る。

この種の光学記録媒体としては、種々の構成のものが知
られている。

例えば、特開昭夕ｓ−ｑり０３３号公報には、基板上に
フタロシアニン系色素の単層を設けたものが開示されて
いる。しかしながらフタロシアニン系色素は感度が低く
、葦た分解点が高く蒸着しＫくい等の問題点を有し、さ
らに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布による
コーティングに使用することができないという問題点も
有している。

また、特開昭！；　ｇ−ｇ　、、？　Ｊ　’Ｉ１号公報
にはフェナレン系色素を、特開昭ｓｇ−λλダ７９ｆ号
公報にはナフトキノン系色素を記録層釦設けたものが開
示されている。しかし、このような色素は蒸着しやすい
という利点の反面、反射率が低いという問題点を有して
いる。反射率が低いとレーザー光により記録された部分
と未記録部分との反射率に関係するコントラストは低く
なシ、記録された情報の再生が困難となる。更に、一般
に有機系色素は保存安定性が劣るという問題点を有して
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている含金属インドアニ
ＩＪン系化合物を用いた光学記録媒体を提供することを
目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は基板上に担持された色素を含有する記録層に該
色素に熱的変化を与える集束レーザー光を照射して、前
記記録層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行ない、次
いで該変化部分の選択によって再生を行なう記録媒体に
おいて、該色素として、下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
含金属インドアニリン系化合物を使用する光学記録媒体
をその要旨とするものである。

（式中、Ｍは■族、Ｉｂ族、■ｂ族、ｍｂ族、ＩＶａ族
、Ｖａ族、Ｖｉａ族、■ａ族の金属原子、そのハロゲン
化物及びその酸化物を表わし、環Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、
Ｆは置換基を有していてもよい。Ｋｌ　、　Ｋ２　、　
Ｋｌはへテロ環アミンの残基全表わす。Ｑｌ′ｉ、陰イ
オン（ＰＦ’；を除く）？表わす。

１、ｍ、ｎはそれぞれｏ−またはｌ、ただし、１＋ｍ＋
ｎＶｉ、Ｊまたは３を表わす。〕前記一般式Ｃ１）にお
いてＭで表わされる金属原子としては、Ｎ１、Ｚｎ、Ｃ
ｕ（Ｉ）、Ｃｕ　（ＩＩ）、ｃｏ、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ
（ＩＩ）、Ｐｄ、ＡＩ、Ｔｉ、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｔ（ｊ
ＶバＶ１Ｃｒ、Ｍｎ、Ｉｎ（ｍ）、５ｕ（ＩＩ）、Ｒｕ
（Ｉｆｆ）等が挙げられ、その酸化物、そのハロゲン化
物としてはｖＯ５ＡＩＣＩ等が挙げられる。

環Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆの置換基としては例えば、臭
素、塩素、フッ素等のハロゲン原子、炭素数ｌ〜６の直
鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数７〜乙の直鎖状又
は分岐状のアルコキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ
カルボニルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、フ
ェニルアミノカルボニル基等が挙げられ、アシルアミノ
基のアシル基としては、炭素！３．／〜乙のアシル基（
ベンゾイル基も含む）か挙げられ、アルコキシカルボニ
ルアミノ基のアルコキシ基及ヒアルキルスルホニルアミ
ノ基のアルキル基としては炭素数７〜乙の直鎖状又は分
岐状のアルコキシ基及びアルキル基が挙げられる。

Ｋ’　、　＋＜２．　Ｋ３で表わされるヘテロ環アミン
残基としては、例えば下記のものが挙げられる。

（１）　　置換又は非置換のジーロリジン環の基印　キ
ノリン環アミン残基 ルコキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、アリルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基
、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル基、ア
ルキルスルホニルアミノ基、アシルオキシ基、ビニル基
によって置換されたアルキル基等が挙げられる。ノ ｆｉｉｉｌ　　チオフェン環アミン残基、チアゾール環
アミン残基 （上記式中、Ｒ３としては、水素原子、低級アルキル基
、ハロゲン原子、アシルアミノ基、アルコキシ基等が挙
げられ、Ｗとしては、水素原子、炭素数ｌ〜ｌコのアル
キル基のほか、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基
、ア（上記式中、Ｒ５としては水素原子、低級アルキル
基等が挙げられ、マとしては水素原子、シアノ基、カル
バモイル基、アルキルアミノカルボニル基、ジアルキル
アミノカルボニル基、アルコキシカルボニル基等が挙ケ
ラレ、Ｒ７、Ｒ８としては水素原子、炭素数／〜／−の
アルキル基の１１かアルコキシ基、アルコキシアルコキ
シ基、アルコキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アリルオキシ基、アリール基、≠棲＝−
４−アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テト
ラヒドロフリル基、アルキルスルホニルアミノ基、アシ
ルアミノ基、ビニル基によって置換されたアルキル基等
が挙げられる。〕 （１ｖ１　　ピリジン環アミン残基 って置換されたアルキル基等が挙げられる。〕ヘテロ環
アミン残基として特に好ましくは、前記（１１）のキノ
リン環アミン残基が挙げられる。

Ｑ及び後記Ｚで表わされる陰イオンとしては、たとえば
ｌ−２Ｂｒ″″、ＣにＦ″″、ＣＩＯ，−１ＢＦτ、５
ＣＮ−１（上記式中、Ｒ６は前記（ｉｉｌｌに於ける定
義と同じものが挙げられ、Ｒ’、Ｒ”は水素原子、炭素
数７〜／−のアルキル基、シクロアルキル基、置換され
ていてもよいアリール基のほかアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキシ基、
アルコキシカルボニル基、アリルオキシ基、了り−ル基
、アリールオキシ基、シアン基、ヒドロキシ基、テトラ
ヒドロフリル基、アルキルスルホニルアミン基、アシル
オキシ基、ビニル基等によ５Ｏ３Ｎ　１４２．５ｂＦａ
、Ｚト守、Ｃ，、Ｈ，、Ｏ；、ＴｉＦｊＩちＰＯ；、Ｈ
ＣＯＯ−１ＮＯ♂、　Ｃｌ−１，ＣＯＯ−３を表わし、
にはへテロ環アミン残基金表わし、Ｚは陰イオン（ＰＦ
ｏ　ｆｆ：除く）を表わし、ｍ及びｎは／又は−の数を
表わす。但し、ｍがｌの時、１１は２を表わし、Ｉｎが
２の時、ｎはｌを表わす。〕他方、下記一般式ＩＪＩ［
）で示される含金属インドアニリン系化合物も好ましく
用いられる。

があげられ、好ましくは■−１Ｂｒ−、ＣＩ″″、Ｃｌ
０Ｘ、１３Ｆ４　、ＳｂＦ６″　の陰イオンである。

本発明の光学記録媒体に用いる含金属インドアニリン系
化合物として好ましいものとしては、下記一般式（ＩＩ
）で示される含金属インドアニリン系化合物が挙げられ
る。

：式中、ＭはＮｉ、　Ｃｕ、　Ｃｏ金属原子を表わし、
Ｒ１、ｔ２は水素原子、ノ・ロゲン原子、低級アルキル
基〔式中、ＭはＮＬ　Ｃｕ、　Ｃｏ金属原子を表わし、
ａｌ、Ｒ２は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
を表わし、Ｋはへテロ環アミン残基金表わし、Ｚは陰イ
オン（ＰＦ、、’を除く）を表わし、ｍ及び【１は／又
は−の数を表わす。但し、ｒｎが／の時、ｎは２に表わ
し、ｍが２の時、ｎは／を表わす。〕前記−一般ＣＤ、
ＣＵＥ、［）で示される含金属インドアニリン系化合物
は、６００〜ｇｏ。

ｎｍの波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸収係数が／
　Ｑ５ＣＩ’Ｌ−’以上の高い値を有し、光学記録媒体
としてすぐれた適性を有している。

本発明の一般式〔Ｉ〕、［ＩＩ）、Ｉ：ＩＩＩ］で示さ
れる含金属インドアニｌＪン系化合物の一般的合成は、
たとえば、久保由治、佐々木匡子、吉田勝平；日本化学
会第５３秋期年会講演予稿集／９ｇｌ、。

６Ｊ９の記載に準じて行なうことができる。

すなわち一般式〔■〕 Ｒ１、Ｒ２ （式中、Ｒ１、Ｒ２Ｖｉ、前記定義に同じ。〕で示され
る化合物に、下記一般式〔ｖ〕１−１２Ｎ　−Ｋ　　　
　　　・・・・・・・・・〔Ｖ〕（式中、■（は前記定
義に同じ。〕 で示される化合物と酸化的縮合を行ない、下記一般式（
Ｖｌ） （式中、Ｒ′、Ｒ２、Ｋは前記定義に同じ。）を得た。

次いで、上記化合物と下記一般式〔〜π〕Ｍ２＋（Ｚｒ
Ｔ″″″）ｎ　　　　　　・・・・・・・・・　〔■〕
（式中、Ｍ　％　Ｉｌｌ　、ｎ　％　Ｚは前記定義に同
じ。〕とを反応させることＫよって製造することができ
る。

本発明の光学記録媒体は、基本的釦は基板と含金属イン
ドアニリン系化合物を含む記録層とから構成されるもの
であるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層をまた
記録層上に保護層を設けることができる。

本発明における基板としては、使用するレーザー光に対
して透明葦たは不透明のいずれでもよい。基板材料の材
質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔
状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、
プラスチックが種々の点から好適である。プラスチック
としては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン商Ｒ′、Ｒ２ 脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。

この中で、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成
型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。

本発明の光学記録媒体における含金属インドアニリン系
化合物を含有する記録層は、膜厚１００Ａ〜！；ｔｔｍ
、好ましくは１０ＯＯＡ　〜、、７μｍである。成膜法
としては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレ
ード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行
なわれている薄膜形成法で成膜することができる。また
、必要に応じてバインダー全使用することもできる。バ
インダーとしてはＰＶＡ、ＰＶＰ、ニトロセルロース、
酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネ
ートなど既知のものが用いられ、樹脂に対する含金属イ
ンドアニリン系化合物の量は重量比でｏ、ｏｌｌ上ある
ことが望ましい。スピナー法による成膜の場合、回転数
はｓｏｏ〜Ｓ　０００　ｒｐｍが好ましく、スピンコー
ドの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあて
る等の処８！を行なってもよい。また、記録体の安定性
や耐光性向上のために、１項酸素クエンチャ−とし７て
遷移金属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナ
ートキレート、ビスフエニルジチオール、サリチルアル
デヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等９を含有
していてもよい。

色素として含金属インドアニリン化合物全光学記録媒体
に用いる場合、単独あるいは置換基の異なる一種以上、
配位数の異なる２種以上もしくはそれらＤ混合物で用い
ることができ、また、化合物の製造によって数種、混合
してず４ｔられた場合には、そのまま用いることができ
る。

更に、必要に応じて他の色素を併用することができる。

他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし
、トリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系色
素、スクワリリウム系色素など他系統の色素でもよい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモエタン、ジアセトンアルコール、エ
チルセロソルブ、キシレン、Ｊ−ヒドロキシ−３−メチ
ル−２−フタノン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン
等の沸点／２０〜１６０℃のものが好適に使用される。

この中でも、基板として好ましく用いられる射出成型ポ
リカーボネート樹脂基板をおかすことなく、好適に使用
できる溶媒は、特にメチルセロンルブ、エチルセロソル
ブ等のセロソルブ系溶媒；ジアセトンアルコール、Ｊ−
ヒドロキシ−３−メチル−λ−ブタノン等のケトンアル
コール系溶媒が挙げられる。

本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けても
よいし、片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
゛または、片面に設けた記録層に／μｍ程度に集束した
レーザー光、好１しくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差全読
み取る事により行なう。

本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光は
Ｎ２　、　）−１ｅ　−Ｃｄ　、　Ａｒ　、　Ｈｅ　−
Ｎｅ　、　ルビー半導体、色素レーザーなどがあげられ
るが、特に軽Ｅ丘性、取扱いの容易さ、コンパクト性な
どの点から半導体レーザーが好適である。

〔実施例〕

以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明を限定するものではない。

実施例１ （ａ）・製造例 下記構造式 で表わされる化合物！、／Ａ？をｓ−ｏ　ｏ　ｍｌのエ
タ／−ｋＫ溶解したものに、Ｎ　ｉ　（ＣＩＯＪ！　・
Ａ　Ｉ−（２０コ２ｇ−２全水ＳθＯｍｌに溶解したも
の金室湛で約７時間にわたって滴下し、さらに室温で３
時間攪拌の後、水冷下７時間攪拌した。次いで、得られ
た沈、ｔｆ−吸引Ｊ１遇し、水洗、乾・清し、下記構造
式で表わされる含金属インドアニリン系化合物／、２２
ｆを得だ。

本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
はλｍａｘ　ｇ　００　ｎｍ　（εｍａｘ　／６０００
０）であった。

（ｂｌ　　記録媒体例 前記製造例ｆａｔで得た含金属インドアニリン系化合物
θ、１５ｆｆ、３−ヒドロキシ−３−メチル−λ−ブタ
ノン１ｏｙＶｃ溶解し、θ、２２μのフィルターで濾過
し、溶解液を得た。この溶液Ｓｍｌ全深さ７θθＡ５幅
０．７μの溝（グループ）つき射出成型ポリカーボネー
ト樹脂基板（３インチ）上に滴下し、スピナー法例より
ＳθＯｒｆｘｎの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で
７０分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長はｇ　００　
ｎｍであシ、反射率はり２チ（ざ、）Ｏｎｍ）であった
。スペクトルの形状は巾広かった。図−７に塗布膜の吸
収および反射のスペクトルを示す。

ｔｅｌ　　光記録法 上記記録媒体音？　ｒｒ１／　ｓで回転させながら、中
心波長に、７０　ｎｍの半導体レーザー光で７（ルス幅
ｓ　ｏ　ｏ　ｎ５ｅｃ　で照射したところ、出力ｇ　ｍ
ＷでＣ／Ｎ比ｙｙｄＢｔ得た。保存安定性（Ａ５’Ｃ１
ｇｏチＲＨ）も良好であった。

実施例− （，１）　　製造例 下記構造式 で表わされる化合物０．３ｇ？および Ｆ記構造式 で表わされる化合物０．！；７？ｆ！；００ｍ１のエタ
ノールに溶解したものに、Ｎ　ｉｃｌ、・６Ｈ２０θ、
７クタを水ｌθθｍｌに溶解したものを加え、室霊で１
時間攪拌した。次いでＮ８４８Ｆ、　／、　ａ　ｂｌを
水ｌθ０．−に溶解したものを滴下した。

得られた沈殿を吸引Ｃ過し、水洗、乾燥し、下記構造式
で表わされる汀金属インドアニリン系化合物の混合物ｉ
、ｏｓｙ２得た。

本品の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）はλ
ｒｎａｘ　ｇ　００　ｎｍであった０（１〕）　　記録
媒体例 前記製造例（ａｔで得た含金属インドアニリン系化合物
の混合物０．／！；’Ｉｆジアセトンアルコール１０り
に溶解し０．．２２μのフィルターで濾過し、溶解液を
得だ。この溶液りｍｅを深さ７θＯＡ１幅０．７μの溝
（グループ）つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板（
ｊインチ〕上に滴下し、スピナー法例よｒ）ｓｏ。

ｒｐ！Ｔの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で７０分
間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長はｒ　００　ｎｍ　
であり、反射率は４ｔｑ％（ｇＪＯｎｍ）であった。ス
ペクトルの形状は一種の化合物を用いたものよりも一層
巾広かった。

（ｃｌ　　光記録法 上記記録媒体ｉ９ｍ／ｓで回転させながら、中心波長ｇ
　Ｊ　Ｏｎｍの半導体レーザー光でパルス幅５０θｎ５
ｅｃで照射したところ、出力ｇ　ｍ〜■でＣ／Ｎ比５ｑ
ｄＢｆ得た。保存安定性（６５℃、ｇｏ％Ｆ？、Ｈ）も
良好であった。

実施例３ 実施例／において用いた化合物の代わシに下記第７表に
示した化合物を同様に合成し、塗布したところ、下記第
１表に示す最大吸収波長をもった薄膜基板を得た。この
ようにして得られた薄膜忙光源として半導体レーザーを
用いて書き込み全行なったところ、均一かつ明瞭な形状
のピットが得られた。Ｃ／Ｎ比も良好であシ、保存性も
良好であった。

前記実施例で用いた化合物の他、本発明の光学記録媒体
に好適に使用される含金属インドア二Ｉ／ン糸化合物の
具体例は第−表の通シである。

実施例ｑ （，１）　　製造例 下記構造式 で表わされる化合物へｒｏｔを、デ９％エタ／−ル５０
０ｍ／、に溶解したものに、Ｎｉ　（Ｃ１０４）２　’
ＡＨ２００，、）シタを水ｓｏｏｍｌＶｃ溶解したもの
を窒素雰囲気下で加え、室温で約３時間攪拌した。得ら
れた沈殿を吸引濾過し、水洗、乾燥し、下記構造式で表
わされる含金属インドアニリン系化合物を得た。

本化合物の可視部吸収スペクトル（クロロホルム中〕は
、λｍａｘ　Ｉ　／　Ｏｎｍ　（ｔｍ２ｘ　／ＡＯＯＯ
Ｏ）であった・ （ｂｌ　　記録媒体例 前記製造例（ａｌで得た含金属インドアニリン系化合物
ｏ、１ｓｙ２．ｙ−ヒドロキシ−３−メチル−λ−ブタ
ノン１０ｆに溶解し、０．、ｌλμのフィルターで濾過
し、溶解液を得た。この溶液５　ｍｌ　ｆ深さ７００に
、幅０．７μの溝（グループ）つき射出成形ポリカーボ
ネート樹脂基板（Ｓインチ９上に滴下し、スピナー法に
よシｇ　００　ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、Ａ
Ｏ℃で１０分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長はｇ／
！；ｎｍであり、反射率、３．！；％（１３０ｎｍ）で
あった。スペクトルの形状は巾広かった。

（ｃｌ　　光記録法 上記記録媒体を９ｍ１ｓで回転させながら、中心波長ｇ
　Ｊ　Ｏｎｍの半導体レーザー光で）くルス幅ｓ　ｏ　
ｏ　ｎ５ｅｃで照射したところ、出力／、　ｍＷでＣ／
Ｎ比ｔ、ｔｄＢｆｆｉ得た。初期特性は良好であり、シ
かも保存安定性（６５℃、ｇ　ｏ　％　ＲＩ−１）も良
好であシ、光学記録媒体として優れたものであった。

科施例り （、Ｉ）　　苅造例 実施例グだおいて、Ｎ　ｉ　（ＣＩ　０４）２・６Ｈ２
００、Ｊ７９の代シにＺｎ（Ｃ１０４）２ｊ　６Ｈ２０
０，Ｊ　ｇ　？を用いた以外は実施例／と同様に行ない
、下記１１４造式で表わされる含金属インドアニリン系
化合物を得た。

本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中）
は、λｍａｘ　ｇ　０９　ｎｍであった０（１）１　　
記録媒体例−／ １１方記罠造例（，１）で得た含金属インドアニリン系
化合物ｏ、ｉｙ２テトラクロロエタンｉｏりに溶ｍし、
０−２λ／ｊのフィルターで濾過し、溶解液を得た。こ
の溶液５ｍｅを深さ７００　、Ａ、幅Ｏ８７μの紫外線
硬化樹脂による溝（グループ）つきＰＭＭＡ［側基板（
Ｓインチ）上に滴下し、スピナー法によシタθｏｒｐｍ
の回転数で塗布した。塗布後、６０℃で７０分間乾燥し
た。

（ｃｌ　　光記録法−７ 上記記録媒体？成膜した５インチのＰＭＭＡ樹脂基板ヲ
１Ｉ１１￥／Ｓで回転させながら、中心波長ｒ　Ｊ　Ｏ
ｎｍの半導体レーザー光でパルス幅！；　００　ｎ５ｅ
ｃ　で照射したところ、出力６ｍＷでＣ／Ｎ比！；Ｏｄ
Ｂを得た。保存安定性（ｊ（１７℃、ｇｏ係ＲＨ）も良
好であった。

（ｄｉ　　記録媒体例−コ 前記製造例ｆａｔで得た含金属インドアニリン系化合物
０．／ｆｆエチルセロンルブ１０りにｍ解ｔ、、ｏ、λ
λμのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液５
ｍｌを板厚へ２朋の／、Ａμｍピンチの溝（グループ〕
つきポリカーボネート樹脂基板（射出成型品、Ｓインチ
）上に滴下し、スピナー法てよｔ）　７００　ｒｐｍの
回転数で塗布した。塗布後、６０℃で７０分間乾燥した
。

（（ニ）　光記録法−３ 上記記録媒体と成膜し／＋、ｊインチのポリカーボネー
ト樹脂基板を’Ｉ　ｍ／ｓで回転させながら、中心波長
ｇ　、？　Ｏｎｍの半導体レーザー光でパルス＠５００
　ｎ５ｅｃ　で照射したところ、出力１ｒ　ｍＷでＣ／
Ｎ比ｊ　／　ｄＢを得た。保存安定性（６０℃、ｇＯＯ
１２１−１）も良好であった。

実施例６ （，１１変造例 下記構造式 で表わされる化合物／、Ｕθｙ２ｓｏｏｍｔのエタノー
ルに溶解したものに、Ｎ　ｉ　（ＣＩ　０４）２・ｂＨ
２０ｏ、６θ２全水５　ｏ　ｏ　ｍｔに溶解したものを
加え、室飄でグ時間攪拌した。得られた沈Ｍｃを吸弓沢
過し、水洗、乾燥し、下記構造式で表わされる含金属イ
ンドアニリン系化合物の混合物を得た。

本化合物の可視部の吸収スペクトル（クロロホルム中９
はλｍａｘ　ｇ　Ｏｊ　ｎｍであった。

（ｂｌ　　記録媒体例 前記製造例ｆａｌで得た含金属インドアニリン系化合物
の混合物ｏ、ｉｓりをジアセトンアルコール１０２に溶
解し０．２−μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。

この溶液５ｍｌを深さ７００ｋ、幅０．７μの溝（グル
ープ９つき射出成型ポリカーボネート樹脂基板（Ｓイン
チ）上に滴下し、スピナー法により７００ｒ　［１１１
１の回転数で塗布した。塗布後、６０℃で７０分間乾燥
した。塗布膜の最大吸収波長はｇ　／　Ｏｎｍであり、
反射率は３５％（ざ３０旧１１）であった。スペクトル
の形状は一種の化合物を用いたものよりも一層巾広かっ
た。

ｆｃｌ　　光記録法 上記記録媒体をグｒｎ／ｓで回転さぜながら、中、シ・
波長ｇ　Ｊ　Ｏｎｍの半導体レーザー光でパルス＠　３
００　ｎ５ｅｃ　で照射したところ、出力ｇ　＋ｎＷで
Ｃ／′Ｎ比ｊ　／　ｄＢを得た。保存安定性（６５℃、
ｇｏ係ＲＨ）も良好であった。

実抱例６ 実施例グにおいて用いた化合物の代シに下記第３表て示
した化合物を同様に合成し、塗布したところ、丁記第３
表に示す最大吸収波長をもつ薄膜基板全得た。このよう
にして得られた薄膜に光源として半導体レーザーを用い
て書き込み全行なったところ、均一かつ明瞭な形状のピ
ットが得られた。感度、Ｃ／Ｎ比も良好であり、保存安
定性も良好でアシ、光学的記録媒体として優れたもので
あった。

前記実施例で用いた化合物の他、本発明の光学記録媒体
に好適に使用される含金属インドアニリン系化合物の具
体例は第９表、第５表の通りである。

但し、第５表においてＭ、　Ｋ’、Ｉ（２，Ｋ３、Ｑは
前記一般式〔Ｉ〕に対応するものを表わし、■、１’ｎ
及びｎはそれぞれ７を表わし、Ｉ＋ｍ＋ｎｗＪを表わす
。

また、環Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ及びＦは置換基を有してい
ない。

り 〔発明の効果〕 本発明の含金属インドアニリン系化合物は、有機溶媒に
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
シ且り保存安定性にすぐれているので、該化合物を用い
た光学記録媒体は極めて有用なものである。

【図面の簡単な説明】

図−ｌは、本発明の実施例／の含金属インドアニリン系
化合物の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクトルを
表わすものでアシ、縦輸は左が吸光度、右が反射率全表
わし、横軸は波長（ｎｍ　）を表わす。 出　１頭　人　　三菱化成工業株式会社代　理　人　　
弁理士　長谷用　　＝ （ほか／名〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に担持された色素を含む記録層に該色素に
   熱的変化を与える集束レーザー光を照射して前記記録層
   に部分的な変化を生ぜしめて記録を行い、次いで、該変
   化部分の選択によつて再生を行う光学記録媒体において
   、該色素として下記一般式〔 I 〕で表わされる含金属
   インドアニリン系化合物を使用することを特徴とする光
   学記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｍは、VIII族、 I ｂ族、IIｂ族、IIIｂ族、I
   Vａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIIａ族の金属原子、そのハロ
   ゲン化物及びその酸化物を表わし、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
   Ｅ、Ｆは置換基を有していてもよい。Ｋ＾１、Ｋ＾２、
   Ｋ＾３はヘテロ環アミンの残基を表わす。Ｑは陰イオン
   （ＰＦ＿６＾−を除く）を表わす。ｌ、ｍ、ｎはそれぞ
   れ０または１、ただし、ｌ＋ｍ＋ｎは２または３を表わ
   す。）