JPH0256720A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0256720A JPH0256720A JP20769388A JP20769388A JPH0256720A JP H0256720 A JPH0256720 A JP H0256720A JP 20769388 A JP20769388 A JP 20769388A JP 20769388 A JP20769388 A JP 20769388A JP H0256720 A JPH0256720 A JP H0256720A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体に関するものであり、特に基板の
製造過程における熱処理時の変形を防止し得るように構
成した磁気記録媒体に関するものである。
製造過程における熱処理時の変形を防止し得るように構
成した磁気記録媒体に関するものである。
従来より磁気記録媒体上に情報を記録し、若しくは媒体
上に記録した情報を再生出力するために磁気ディスク装
置が使用されているが、上記の記録、再生を行なう場合
には磁気ヘッドと磁気記録媒体とを例えば０．２〜０．
３μｍの微小間隙に保持するのが通常である。従って磁
気へ・ノドと磁気記録媒体との接触による摩擦、摩耗お
よび／または両者の衝突に伴なう損傷を防止するため、
浮動へラドスライダを使用する。すなわち磁気へ・ノ１
を装着したスライダが、磁気記録媒体の表面との相対速
度により１両者のｌＢｌ隙に発生する流体力学的浮上刃
を利用して２両者の微小間隙を保持するように構成して
いる。一方近年の磁気記録媒体に要求される仕様は次第
に厳しくなってきており、記録密度の高い磁性層が要求
される。このため磁性層の磁気特性を向上させるために
は、基板上に直接若しくは下地層を介して形成すべき磁
性層の処理温度すなわち基板の処理温度を高める必要が
ある。例えばＣｏ ／ Ｃｒからなる磁性層を形成する
場合には、基板温度が高い程（例えば３００ ”Ｃ以−
ト）磁気特性が向上するという報告がある（ＩＥＥＥ↑
ｒａｎｓ、 ＭＡＧ−３２０５） 、またＡｒ＋Ｎ、混
合雰囲気下における磁性層形成の場合においても、磁性
層形成後の３００°Ｃ以上の高温処理を必要とする（Ｊ
、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ５３ ３７３５等）。
上に記録した情報を再生出力するために磁気ディスク装
置が使用されているが、上記の記録、再生を行なう場合
には磁気ヘッドと磁気記録媒体とを例えば０．２〜０．
３μｍの微小間隙に保持するのが通常である。従って磁
気へ・ノドと磁気記録媒体との接触による摩擦、摩耗お
よび／または両者の衝突に伴なう損傷を防止するため、
浮動へラドスライダを使用する。すなわち磁気へ・ノ１
を装着したスライダが、磁気記録媒体の表面との相対速
度により１両者のｌＢｌ隙に発生する流体力学的浮上刃
を利用して２両者の微小間隙を保持するように構成して
いる。一方近年の磁気記録媒体に要求される仕様は次第
に厳しくなってきており、記録密度の高い磁性層が要求
される。このため磁性層の磁気特性を向上させるために
は、基板上に直接若しくは下地層を介して形成すべき磁
性層の処理温度すなわち基板の処理温度を高める必要が
ある。例えばＣｏ ／ Ｃｒからなる磁性層を形成する
場合には、基板温度が高い程（例えば３００ ”Ｃ以−
ト）磁気特性が向上するという報告がある（ＩＥＥＥ↑
ｒａｎｓ、 ＭＡＧ−３２０５） 、またＡｒ＋Ｎ、混
合雰囲気下における磁性層形成の場合においても、磁性
層形成後の３００°Ｃ以上の高温処理を必要とする（Ｊ
、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ５３ ３７３５等）。
しかしながら基板を構成する非磁性材料として最も一般
的に使用されているアルミニウム若しくはアルミニウム
基合金の場合においては融点が低いため、前記のような
３００ ’Ｃ以上の高温の雰囲気において基板を処理す
ることは変形量が大となり、磁気記録媒体として形成し
た後の寸法精度を著しく低下させることとなり２磁気ヘ
ツドとの間の微小間隙を所定の値に維持することができ
なくなる。従って磁気ヘッドとのクラッシュによる破損
および表裏面における電気的特性の相違を誘発する可能
性が大となるという問題点がある。一方変形量の小なる
もののみを抽出して使用することは２歩留の低下を招来
するのみならず、生産性を低下させ、資源、エネルギー
を徒らに浪費するという不都合がある。このため実用上
は低温度における処理を行なわざるを得ず、磁気特性の
向上および記録密度の向上が実現できず５従って磁気記
録媒体に対する要請に応え得ないという問題点が併存す
る。
的に使用されているアルミニウム若しくはアルミニウム
基合金の場合においては融点が低いため、前記のような
３００ ’Ｃ以上の高温の雰囲気において基板を処理す
ることは変形量が大となり、磁気記録媒体として形成し
た後の寸法精度を著しく低下させることとなり２磁気ヘ
ツドとの間の微小間隙を所定の値に維持することができ
なくなる。従って磁気ヘッドとのクラッシュによる破損
および表裏面における電気的特性の相違を誘発する可能
性が大となるという問題点がある。一方変形量の小なる
もののみを抽出して使用することは２歩留の低下を招来
するのみならず、生産性を低下させ、資源、エネルギー
を徒らに浪費するという不都合がある。このため実用上
は低温度における処理を行なわざるを得ず、磁気特性の
向上および記録密度の向上が実現できず５従って磁気記
録媒体に対する要請に応え得ないという問題点が併存す
る。
本発明は上記従来技術に存在する問題点を解決し、基板
の製造過程における熱処理時の変形を防止すると共に、
高い磁気特性を有する磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
の製造過程における熱処理時の変形を防止すると共に、
高い磁気特性を有する磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
上記の目的を達成するため５本発明においては非磁性材
料からなる基板の表面上に磁性材料からなる磁性層を直
接若しくは下地層を介して設けてなる磁気記録媒体にお
いて、基板を構成する非磁性材料の平均結晶粒径を３０
〜８０μｍに形成する。という技術的手段を採用した。
料からなる基板の表面上に磁性材料からなる磁性層を直
接若しくは下地層を介して設けてなる磁気記録媒体にお
いて、基板を構成する非磁性材料の平均結晶粒径を３０
〜８０μｍに形成する。という技術的手段を採用した。
本発明において、平均結晶粒径が８０μｍを越えると、
基板製造過程の３００°Ｃ以上の高温時において３０μ
ｍ以上の変形を生し、基板としての特性を著しく阻害す
るため不都合である。一方平均結晶粒径は小である程好
ましいが、実用上３０μｍまで微細化すれば支障はない
。
基板製造過程の３００°Ｃ以上の高温時において３０μ
ｍ以上の変形を生し、基板としての特性を著しく阻害す
るため不都合である。一方平均結晶粒径は小である程好
ましいが、実用上３０μｍまで微細化すれば支障はない
。
また本発明において基板を構成する非磁性材料は従来か
ら使用されている公知の材料を使用することができ、ア
ルミニウム若しくはアルミニウム基合金（例えば数％以
下のＭｇを含有する合金やＴｉ含有合金）等の金属材料
を使用することができる。
ら使用されている公知の材料を使用することができ、ア
ルミニウム若しくはアルミニウム基合金（例えば数％以
下のＭｇを含有する合金やＴｉ含有合金）等の金属材料
を使用することができる。
上記の材料のうち、基板の構成材料としてはアルミニウ
ム、若しくはアルミニウム基合金を主成分とし、これに
他の金属元素を含有させて２強度剛性、耐食性等の特性
のうち１若しくは２以上の特性を改良したものが好適で
あり２例えばマグネシウムを３〜４重四％含有するアル
ミニウム基合金が好ましい。
ム、若しくはアルミニウム基合金を主成分とし、これに
他の金属元素を含有させて２強度剛性、耐食性等の特性
のうち１若しくは２以上の特性を改良したものが好適で
あり２例えばマグネシウムを３〜４重四％含有するアル
ミニウム基合金が好ましい。
なお基板の表面には例えばＣｏ−Ｎｉ合金等の磁性材料
からなる磁性層を直接若しくは下地層を介して設けるの
であるが、この下地層としては。
からなる磁性層を直接若しくは下地層を介して設けるの
であるが、この下地層としては。
基板をアルミニウム若しくはアルミニウム基合金で構成
する場合に、アルマイト質とすることができる。すなわ
ちアルミニウム若しくはアルミニウム基合金からなる基
板の表面を陽極酸化等の手段によって酸化して形成する
ことができる。この下地層の厚さは、ヘンドクランシュ
を防止する耐力を付与するため、および内部熱応力の過
大化を防止するため１通常は６〜１５μｍに形成するこ
とが好ましい。
する場合に、アルマイト質とすることができる。すなわ
ちアルミニウム若しくはアルミニウム基合金からなる基
板の表面を陽極酸化等の手段によって酸化して形成する
ことができる。この下地層の厚さは、ヘンドクランシュ
を防止する耐力を付与するため、および内部熱応力の過
大化を防止するため１通常は６〜１５μｍに形成するこ
とが好ましい。
また上記基板と磁性層との間には上記のような下地層の
他に、磁性層の付着強度を増大させるために各種の中間
層を設けてもよい。更に磁性層上には炭素、ポリ珪酸等
からなる保護層を設け、またこの保Ｘｌｌ１上に潤滑剤
を塗布してもよい。
他に、磁性層の付着強度を増大させるために各種の中間
層を設けてもよい。更に磁性層上には炭素、ポリ珪酸等
からなる保護層を設け、またこの保Ｘｌｌ１上に潤滑剤
を塗布してもよい。
上記の構成により基板に発生する高温時の変形を防止す
る作用を期待できる。本発明者等は鋭意研究を重ねた結
果、アルミニウム等の金属材料からなる基板に発生する
高温時における変形が、金属結晶粒径と密接な関係を有
することを見出した。
る作用を期待できる。本発明者等は鋭意研究を重ねた結
果、アルミニウム等の金属材料からなる基板に発生する
高温時における変形が、金属結晶粒径と密接な関係を有
することを見出した。
すなわち基板は高温に加熱された時点において過去にお
いて蓄積された応力を解放するのであるが。
いて蓄積された応力を解放するのであるが。
この応力の解放は結晶粒相互間の粒界におけるいわゆる
「ズレ」によるものである。従って金属結晶粒が粗大で
ある場合には、応力解放時における上記粒界の「ズレ」
が大となり、結果的に大なる変形となって現われる。こ
れに対して本発明の構成においては金属結晶粒を微細に
形成したものであるから、基板を高温に保持した場合に
おける上記応力解放時の粒界の「ズレ」が小であり、変
形量を極めて小になし得るのである。
「ズレ」によるものである。従って金属結晶粒が粗大で
ある場合には、応力解放時における上記粒界の「ズレ」
が大となり、結果的に大なる変形となって現われる。こ
れに対して本発明の構成においては金属結晶粒を微細に
形成したものであるから、基板を高温に保持した場合に
おける上記応力解放時の粒界の「ズレ」が小であり、変
形量を極めて小になし得るのである。
マグネシウムを４重量％含有するアルミニウム基合金に
、結晶粒径制御剤としてマンガンを０、 ＯＯ３〜０．
３重量％添加して表に示すような平均結晶粒径の異なる
基板を作製した。この基板の外径は９５鵬、内径は２５
胴、厚さは１．２７． ａｎである。次にこの基板をク
ロム酸を含む酸性溶液中で電流密度０．５ Ａ／ｍｍ”
、電圧６０■、浴ｉ’ｍ４０〜５０″Ｃの条件で電解
処理し、基板の表面に厚さ１０〜１５μｍのアルマイト
の下地層を形成した。
、結晶粒径制御剤としてマンガンを０、 ＯＯ３〜０．
３重量％添加して表に示すような平均結晶粒径の異なる
基板を作製した。この基板の外径は９５鵬、内径は２５
胴、厚さは１．２７． ａｎである。次にこの基板をク
ロム酸を含む酸性溶液中で電流密度０．５ Ａ／ｍｍ”
、電圧６０■、浴ｉ’ｍ４０〜５０″Ｃの条件で電解
処理し、基板の表面に厚さ１０〜１５μｍのアルマイト
の下地層を形成した。
基板の表面を２μｍ程度研磨加工して平滑（表面あらさ
５０〜２００人Ｒｍａｘ）に仕上げた後、 ｒ、 ｆ。
５０〜２００人Ｒｍａｘ）に仕上げた後、 ｒ、 ｆ。
平板マグネトロンスパッタ装置を使用し、Ａｒ＋Ｎ２雰
囲気中において、前記の下地層、上にＣｏ−Ｎｉ合金（
原子％比でＣｏ ／ Ｎ ｉ ＝ ７５ ／ ２５ ）
からなる厚さ８００人の磁性層を形成した。この場合の
基板温度は１５０°Ｃであった。次に磁気特性付与のた
め、基板を真空中において３２０°Ｃ×３Ｈｒの熱処理
を行ない、磁性層の保磁力Ｈｃ＝９０００ｅを得た。熱
処理後二デンク社製ＦＴ、ｆｆＣ平面度計によって基板
の変形量を測定した。結果を表に併記する。
囲気中において、前記の下地層、上にＣｏ−Ｎｉ合金（
原子％比でＣｏ ／ Ｎ ｉ ＝ ７５ ／ ２５ ）
からなる厚さ８００人の磁性層を形成した。この場合の
基板温度は１５０°Ｃであった。次に磁気特性付与のた
め、基板を真空中において３２０°Ｃ×３Ｈｒの熱処理
を行ない、磁性層の保磁力Ｈｃ＝９０００ｅを得た。熱
処理後二デンク社製ＦＴ、ｆｆＣ平面度計によって基板
の変形量を測定した。結果を表に併記する。
表から明らかなようにＮＣＬｌにおいては平均結晶粒径
が大であるため、前記のように結晶粒界間の「ズレ」が
大であるため変形量が大であり、使用に供することがで
きない。次にＮｏ、 ２においては若干変形量が低減さ
−れてはいるものの、変形量が３０μｍのものもあり１
品質が低い。これに対してＮα３〜５においては、何れ
も変形量が小であり。
が大であるため、前記のように結晶粒界間の「ズレ」が
大であるため変形量が大であり、使用に供することがで
きない。次にＮｏ、 ２においては若干変形量が低減さ
−れてはいるものの、変形量が３０μｍのものもあり１
品質が低い。これに対してＮα３〜５においては、何れ
も変形量が小であり。
極めて品質が高いことを示している。
上記のように基板を比較的高温度で熱処理しても、変形
量が僅少であることを１認したので１次に磁性層の保磁
力と加熱時間との関係について記述する。図は保磁力と
加熱時間との関係を示す図であり１表面に磁性層を設け
た基板の加熱温度を高くすることにより、磁性層に所定
の保磁力１例えば９０００ｅを付与するに要する加熱時
間が短縮され得ることが認められる。なお熱処理温度が
３００ ’Ｃ未満では、ｖＡ磁性層所定の値の保磁力を
付与することかで・きない。
量が僅少であることを１認したので１次に磁性層の保磁
力と加熱時間との関係について記述する。図は保磁力と
加熱時間との関係を示す図であり１表面に磁性層を設け
た基板の加熱温度を高くすることにより、磁性層に所定
の保磁力１例えば９０００ｅを付与するに要する加熱時
間が短縮され得ることが認められる。なお熱処理温度が
３００ ’Ｃ未満では、ｖＡ磁性層所定の値の保磁力を
付与することかで・きない。
次に前記実施例と同様に下地層を有するアルミニウム基
合金の基板を使用し、 ｒ、 ｆ、平板マグネトロンス
パンク装置により、Ａｒ雰囲気中において、Ｃｒ膜（厚
さ３０００人）およびＣｏ−Ｎｉ合金膜（原子％比でＣ
ｏ／Ｎ１＝７０／３０．厚さ５００人）を順次形°成し
て磁性層とした。この場合の基板温度は３５０°Ｃであ
った。この結果保磁力Ｈｃ＝９０００ｅを得た。上記基
板について前記実施例におけると同様の変形量を測定し
た結果、前記実施例と同様に平均結晶粒径が小さいもの
程度形量が小であり、平均結晶粒径８０μｍ以下のもの
における変形量が２０μｍ以下であることを確認した。
合金の基板を使用し、 ｒ、 ｆ、平板マグネトロンス
パンク装置により、Ａｒ雰囲気中において、Ｃｒ膜（厚
さ３０００人）およびＣｏ−Ｎｉ合金膜（原子％比でＣ
ｏ／Ｎ１＝７０／３０．厚さ５００人）を順次形°成し
て磁性層とした。この場合の基板温度は３５０°Ｃであ
った。この結果保磁力Ｈｃ＝９０００ｅを得た。上記基
板について前記実施例におけると同様の変形量を測定し
た結果、前記実施例と同様に平均結晶粒径が小さいもの
程度形量が小であり、平均結晶粒径８０μｍ以下のもの
における変形量が２０μｍ以下であることを確認した。
本実施例においては磁性層を形成する材料としてＣｏ−
Ｎｉ合金を使用した例を示したが、これ以外にＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ Ｃｏ−
Ｚｎ−Ｐ Ｃｏ−Ｎｉ −Ｍｎ −Ｒｅ Ｐ、７
ＦｅｚＯ＊等を使用することができる。また基板を
構成するアルミニウム若しくはアルミニウム基合金の結
晶粒径微細化手段としてＭｎを添加した例を示したが、
Ｍｎ以外にＴｉ。
Ｎｉ合金を使用した例を示したが、これ以外にＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ Ｃｏ−
Ｚｎ−Ｐ Ｃｏ−Ｎｉ −Ｍｎ −Ｒｅ Ｐ、７
ＦｅｚＯ＊等を使用することができる。また基板を
構成するアルミニウム若しくはアルミニウム基合金の結
晶粒径微細化手段としてＭｎを添加した例を示したが、
Ｍｎ以外にＴｉ。
Ｂ Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｂｅ。
Ｌｉ等の添加、更にはこれらの元素を含むハロゲン化合
物のフラックス処理（例えばフン化チタン。
物のフラックス処理（例えばフン化チタン。
フン化ホウ素）も有効である。更に急冷若しくは低温度
の鋳造によっても結晶粒の成長を阻止し得るから、上記
微粒化剤の添加と併用すれば撓めて有効である。
の鋳造によっても結晶粒の成長を阻止し得るから、上記
微粒化剤の添加と併用すれば撓めて有効である。
ても変形を極めて小なる値に制御できるため、熱処理温
度を上昇させることにより熱処理時間を大幅に短縮させ
ることができ、生産性を向上させ得るという効果がある
。
度を上昇させることにより熱処理時間を大幅に短縮させ
ることができ、生産性を向上させ得るという効果がある
。
図は本発明の実施例における磁性層の保磁力と加熱時間
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
Claims (3)
- （１）非磁性材料からなる基板の表面上に磁性材料から
なる磁性層を直接若しくは下地層を介して設けてなる磁
気記録媒体において、基板を構成する非磁性材料の平均
結晶粒径を３０〜８０μｍに形成したことを特徴とする
磁気記録媒体。 - （２）基板を構成する非磁性材料がアルミニウム若しく
はアルミニウム基合金である請求項（１）記載の磁気記
録媒体。 - （３）基板上に設ける下地層がアルマイト質である請求
項（２）記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20769388A JPH0256720A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20769388A JPH0256720A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256720A true JPH0256720A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16544010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20769388A Pending JPH0256720A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256720A (ja) |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20769388A patent/JPH0256720A/ja active Pending
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