JPH0252807B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0252807B2 JPH0252807B2 JP57036644A JP3664482A JPH0252807B2 JP H0252807 B2 JPH0252807 B2 JP H0252807B2 JP 57036644 A JP57036644 A JP 57036644A JP 3664482 A JP3664482 A JP 3664482A JP H0252807 B2 JPH0252807 B2 JP H0252807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- elements
- magnetic sensor
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 175
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/025—Compensating stray fields
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はロータリーエンコーダ、リニアエンコ
ーダとして用いることができる磁気検出装置に関
するものである。
ーダとして用いることができる磁気検出装置に関
するものである。
例えば回転軸に取付けた磁気記録媒体を有する
円板または円筒に等間隔のビツト長を有する磁化
パターンの形態で記録されている磁気信号を強磁
性磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略称する）
を具える磁気センサで読み取ることにより、回転
軸の回転角を検出する所謂ロータリーエンコーダ
は既知である。しかし、従来のロータリーエンコ
ーダにおいてモータの出力軸に磁気記録媒体を有
する円板または円筒を取付け、これを磁気センサ
で読取つて出力軸の回転角を検出する場合には、
モータの励磁用永久磁石や電機子から相当大きな
磁界が外部に漏洩しているため、この外部磁界の
影響で磁気センサの検出出力のＳ／Ｎが悪くな
り、誤動作することがあつた。このような不具合
を解決するため、例えば特開昭54−162556号公報
において、モータの出力軸に取付けられた磁気記
録媒体を有する円板と、これと対向して配置した
磁気センサおよび該磁気センサの駆動回路、信号
処理回路とを高透磁率磁性体で囲むことにより磁
気シールドするようにした角度検出器が提案され
た。しかし、このように角度検出器をモータから
の漏洩磁界から完全に磁気シールドすることは極
めて困難である等の不具合がある。また、外部磁
界の影響を除去するため、別の磁気センサで外部
磁界のみを検出し、この検出信号と磁気記録媒体
を検出する磁気センサの出力信号とを電気的に演
算することにより外部磁界の影響を補償すること
も考えられるが、この場合には、磁気センサを構
成するMR素子の磁気−抵抗特性が完全な比例関
係ではないので、動作点がずれると出力信号が変
形し、高精度の検出ができない不具合がある。
円板または円筒に等間隔のビツト長を有する磁化
パターンの形態で記録されている磁気信号を強磁
性磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略称する）
を具える磁気センサで読み取ることにより、回転
軸の回転角を検出する所謂ロータリーエンコーダ
は既知である。しかし、従来のロータリーエンコ
ーダにおいてモータの出力軸に磁気記録媒体を有
する円板または円筒を取付け、これを磁気センサ
で読取つて出力軸の回転角を検出する場合には、
モータの励磁用永久磁石や電機子から相当大きな
磁界が外部に漏洩しているため、この外部磁界の
影響で磁気センサの検出出力のＳ／Ｎが悪くな
り、誤動作することがあつた。このような不具合
を解決するため、例えば特開昭54−162556号公報
において、モータの出力軸に取付けられた磁気記
録媒体を有する円板と、これと対向して配置した
磁気センサおよび該磁気センサの駆動回路、信号
処理回路とを高透磁率磁性体で囲むことにより磁
気シールドするようにした角度検出器が提案され
た。しかし、このように角度検出器をモータから
の漏洩磁界から完全に磁気シールドすることは極
めて困難である等の不具合がある。また、外部磁
界の影響を除去するため、別の磁気センサで外部
磁界のみを検出し、この検出信号と磁気記録媒体
を検出する磁気センサの出力信号とを電気的に演
算することにより外部磁界の影響を補償すること
も考えられるが、この場合には、磁気センサを構
成するMR素子の磁気−抵抗特性が完全な比例関
係ではないので、動作点がずれると出力信号が変
形し、高精度の検出ができない不具合がある。
一方、上述したようなロータリーエンコーダに
おいては、基本的には１個のMR素子により磁気
信号を検出し、変位量を知ることができるが、出
力電圧が小さいこと、温度変化により出力電圧が
ドリフトするなどの欠点があるため、２つ以上の
MR素子を差動結合して出力を得ることが一般的
である。例えば特開昭54−115257号公報には２個
のMR素子を磁気記録媒体上の磁気パターンのピ
ツチの整数倍に等しい間隔を置いて配設し、これ
らMR素子の出力の差を差動増幅器で求めるよう
にした角度検出器が記載されている。また「日経
エレクトロニクス」、1981年６月22日号、第88頁
には、第１図に示すようにそれぞれ４個のMR素
子A1〜A4，B1〜B4を有する２群の磁気センサを
設け、各群のMR素子を磁気記録媒体Ｍの磁化パ
ターンのピツチＰの1/2の間隔だけ離して配設す
ると共に一方の群のMR素子を他方の群のMR素
子に対してP/4だけずらして配設し、第２図に示
すように各群の４個のMR素子をブリツジ回路と
してそれぞれ接続し、各ブリツジ回路の対角点に
現われる出力電圧の差をそれぞれ差動増幅器DA1
およびDA2で求めることにより変位量および変位
方向を検出するようにした角度検出装置が示され
ている。このような差動結合方式を採用すると出
力振幅が大きくなると共にドリフトの影響を相殺
除去できる利点が得られる。しかしながらこのよ
うな従来の角度検出装置においては２個以上の
MR素子を変位方向、すなわち磁化パターンの配
列方向に、磁化パターンのピツチＰの整数倍また
は整数分の一の間隔で配設しなければならず、
種々のピツチの磁化パターンを有する磁気記録媒
体に対してそれぞれ所定の間隔に配設したMR素
子を有する磁気センサを準備しなければならず、
設計の自由度に制限を受ける欠点がある。また、
磁気記録媒体を円筒表面に設ける場合、複数の
MR素子を平坦な基板上に形成すると各MR素子
と磁気記録媒体までの距離が等しくならず、各
MR素子の出力信号の振幅がばらつくことになり
差動出力に誤差が入る欠点がある。このような欠
点を解決するためにMR素子の幅を変えることが
特開昭56−35011号公報に開示されているが、そ
のようなMR素子を製作することは面倒であると
共に前記の距離が変つた場合にはこれに対応した
幅を有するMR素子を製作する必要があり、汎用
性に欠ける欠点がある。また、２個以上のMR素
子を磁気記録媒体の磁化パターンの配列方向にず
らせると磁気センサの寸法は必然的に大きくな
り、検出装置全体も大形になり易くなるという欠
点もある。
おいては、基本的には１個のMR素子により磁気
信号を検出し、変位量を知ることができるが、出
力電圧が小さいこと、温度変化により出力電圧が
ドリフトするなどの欠点があるため、２つ以上の
MR素子を差動結合して出力を得ることが一般的
である。例えば特開昭54−115257号公報には２個
のMR素子を磁気記録媒体上の磁気パターンのピ
ツチの整数倍に等しい間隔を置いて配設し、これ
らMR素子の出力の差を差動増幅器で求めるよう
にした角度検出器が記載されている。また「日経
エレクトロニクス」、1981年６月22日号、第88頁
には、第１図に示すようにそれぞれ４個のMR素
子A1〜A4，B1〜B4を有する２群の磁気センサを
設け、各群のMR素子を磁気記録媒体Ｍの磁化パ
ターンのピツチＰの1/2の間隔だけ離して配設す
ると共に一方の群のMR素子を他方の群のMR素
子に対してP/4だけずらして配設し、第２図に示
すように各群の４個のMR素子をブリツジ回路と
してそれぞれ接続し、各ブリツジ回路の対角点に
現われる出力電圧の差をそれぞれ差動増幅器DA1
およびDA2で求めることにより変位量および変位
方向を検出するようにした角度検出装置が示され
ている。このような差動結合方式を採用すると出
力振幅が大きくなると共にドリフトの影響を相殺
除去できる利点が得られる。しかしながらこのよ
うな従来の角度検出装置においては２個以上の
MR素子を変位方向、すなわち磁化パターンの配
列方向に、磁化パターンのピツチＰの整数倍また
は整数分の一の間隔で配設しなければならず、
種々のピツチの磁化パターンを有する磁気記録媒
体に対してそれぞれ所定の間隔に配設したMR素
子を有する磁気センサを準備しなければならず、
設計の自由度に制限を受ける欠点がある。また、
磁気記録媒体を円筒表面に設ける場合、複数の
MR素子を平坦な基板上に形成すると各MR素子
と磁気記録媒体までの距離が等しくならず、各
MR素子の出力信号の振幅がばらつくことになり
差動出力に誤差が入る欠点がある。このような欠
点を解決するためにMR素子の幅を変えることが
特開昭56−35011号公報に開示されているが、そ
のようなMR素子を製作することは面倒であると
共に前記の距離が変つた場合にはこれに対応した
幅を有するMR素子を製作する必要があり、汎用
性に欠ける欠点がある。また、２個以上のMR素
子を磁気記録媒体の磁化パターンの配列方向にず
らせると磁気センサの寸法は必然的に大きくな
り、検出装置全体も大形になり易くなるという欠
点もある。
本発明の目的は上述した種々の不具合を解決
し、第１の磁界に重畳された第２の磁界を分離し
て検出できると共に、磁化パターンを有する磁界
記録媒体からの磁界を外部磁界から分離して検出
する場合に、これら磁界を検出するMR素子を磁
化パターンの配列方向に離間して配置する必要が
なく、しかも差動出力により第２の磁界を高精度
で検出できるよう適切に構成した磁気検出装置を
提供しようとするものである。
し、第１の磁界に重畳された第２の磁界を分離し
て検出できると共に、磁化パターンを有する磁界
記録媒体からの磁界を外部磁界から分離して検出
する場合に、これら磁界を検出するMR素子を磁
化パターンの配列方向に離間して配置する必要が
なく、しかも差動出力により第２の磁界を高精度
で検出できるよう適切に構成した磁気検出装置を
提供しようとするものである。
本発明の磁気検出装置は、第１の磁界に晒され
るように配置され、互いに逆方向に磁気バイアス
された磁気抵抗効果素子により差動出力を発生さ
せるようにした第１の磁気センサと、 前記第１の磁界およびこれに重畳された第２の
磁界を有する磁界に晒されるように配置され、互
いに逆方向に磁気バイアスされた磁気抵抗効果素
子およびこれらの磁気抵抗効果素子に同一方向の
磁界を作用し得るように積層した導電膜を有し、
前記磁気抵抗効果素子により差動出力を発生させ
るようにした第２の磁気センサとを具え、 前記第１の磁気センサの差動出力を前記第２の
磁気センサの導電膜に供給することにより、該第
２の磁気センサの磁気抵抗効果素子に前記第１の
磁界を相殺するような磁界を作用させて、前記第
２の磁界を前記第１の磁界から分離して検出し得
るよう構成したことを特徴とするものである。
るように配置され、互いに逆方向に磁気バイアス
された磁気抵抗効果素子により差動出力を発生さ
せるようにした第１の磁気センサと、 前記第１の磁界およびこれに重畳された第２の
磁界を有する磁界に晒されるように配置され、互
いに逆方向に磁気バイアスされた磁気抵抗効果素
子およびこれらの磁気抵抗効果素子に同一方向の
磁界を作用し得るように積層した導電膜を有し、
前記磁気抵抗効果素子により差動出力を発生させ
るようにした第２の磁気センサとを具え、 前記第１の磁気センサの差動出力を前記第２の
磁気センサの導電膜に供給することにより、該第
２の磁気センサの磁気抵抗効果素子に前記第１の
磁界を相殺するような磁界を作用させて、前記第
２の磁界を前記第１の磁界から分離して検出し得
るよう構成したことを特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第３図は本発明の磁気検出装置の一例の構成を
示す線図である。本例では外部磁界HNがほぼ一
様に作用する磁界のなかで、外部磁界HNに重畳
された信号磁界HSを分離して検出するために、
第１の磁気センサ１１を外部磁界HNのみが作用
する位置に配置し、第２の磁気センサ２１を外部
磁界HNに重畳された信号磁界HSが作用する位置
に配置する。第１の磁気センサ１１は、第４図Ａ
に断面図を示すように、基板１２上にMR素子１
３ａ、絶縁膜１４ａ、導電膜１５、絶縁膜１４ｂ
およびMR素子１３ｂを順次に積層して構成し、
導電膜１５を直流電源に接続して所定の方向、例
えば紙面表面側から裏側に電流を流すことにより
MR素子１３ａ，１３ｂを矢印で示すように互い
に逆方向に磁気バイアスする。また、第２の磁気
センサ２１は、第４図Ｂに断面図を示すように、
基板２２上にMR素子２３ａ、絶縁膜２４ａ、導
電膜２５、絶縁膜２４ｂ、MR素子２３ｂ、絶縁
膜２４ｃ、および導電膜２６を順次に積層して構
成し、第１の磁気センサ１１と同様に導電膜２５
を直流電源に接続して所定の方向に電流を流すこ
とによりMR素子２３ａ，２３ｂを矢印で示すよ
うに互いに逆方向に磁気バイアスする。このよう
に、各磁気センサ１１，２１において２つのMR
素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂを互いに逆
方向に磁気バイアスすると、第５図において曲線
３０ａ，３０ｂで示するこれらMR素子に作用す
る磁界の変化に対してそられの抵抗値Ｒは曲線３
１ａ，３１ｂで示すようにそれぞれ変化すること
になる。ここでバイアス磁界±HBの大きさは２
個のMR素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂの
動作点が磁気−抵抗特性曲線のそれぞれ反対側の
直線部分のほぼ中央となるように設定するのが好
適である。このように各磁気センサ１１，２１に
おいて２個のMR素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，
２３ｂを互いに逆方向に磁気バイアスすると、こ
れらMR素子の磁界の変化に対する抵抗値Ｒの変
化は、曲線３１ａおよび３１ｂで示すように互い
に逆相となる。そこで本例ではこれらMR素子１
３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂを第３図に示すよ
うに直列に接続し、両端を正および負の電源＋Ｅ
および−Ｅに接続することにより、両MR素子の
接続点３２，３３に第６図の曲線３４で示すよう
な差動出力を得るようにする。
示す線図である。本例では外部磁界HNがほぼ一
様に作用する磁界のなかで、外部磁界HNに重畳
された信号磁界HSを分離して検出するために、
第１の磁気センサ１１を外部磁界HNのみが作用
する位置に配置し、第２の磁気センサ２１を外部
磁界HNに重畳された信号磁界HSが作用する位置
に配置する。第１の磁気センサ１１は、第４図Ａ
に断面図を示すように、基板１２上にMR素子１
３ａ、絶縁膜１４ａ、導電膜１５、絶縁膜１４ｂ
およびMR素子１３ｂを順次に積層して構成し、
導電膜１５を直流電源に接続して所定の方向、例
えば紙面表面側から裏側に電流を流すことにより
MR素子１３ａ，１３ｂを矢印で示すように互い
に逆方向に磁気バイアスする。また、第２の磁気
センサ２１は、第４図Ｂに断面図を示すように、
基板２２上にMR素子２３ａ、絶縁膜２４ａ、導
電膜２５、絶縁膜２４ｂ、MR素子２３ｂ、絶縁
膜２４ｃ、および導電膜２６を順次に積層して構
成し、第１の磁気センサ１１と同様に導電膜２５
を直流電源に接続して所定の方向に電流を流すこ
とによりMR素子２３ａ，２３ｂを矢印で示すよ
うに互いに逆方向に磁気バイアスする。このよう
に、各磁気センサ１１，２１において２つのMR
素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂを互いに逆
方向に磁気バイアスすると、第５図において曲線
３０ａ，３０ｂで示するこれらMR素子に作用す
る磁界の変化に対してそられの抵抗値Ｒは曲線３
１ａ，３１ｂで示すようにそれぞれ変化すること
になる。ここでバイアス磁界±HBの大きさは２
個のMR素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂの
動作点が磁気−抵抗特性曲線のそれぞれ反対側の
直線部分のほぼ中央となるように設定するのが好
適である。このように各磁気センサ１１，２１に
おいて２個のMR素子１３ａ，１３ｂ；２３ａ，
２３ｂを互いに逆方向に磁気バイアスすると、こ
れらMR素子の磁界の変化に対する抵抗値Ｒの変
化は、曲線３１ａおよび３１ｂで示すように互い
に逆相となる。そこで本例ではこれらMR素子１
３ａ，１３ｂ；２３ａ，２３ｂを第３図に示すよ
うに直列に接続し、両端を正および負の電源＋Ｅ
および−Ｅに接続することにより、両MR素子の
接続点３２，３３に第６図の曲線３４で示すよう
な差動出力を得るようにする。
本例では第１の磁気センサ１１から得られる差
動出力を、第３図に示すように増幅器３５を介し
て第２の磁気センサ２１の導電膜２６に負帰還
し、該導電膜２６に流れる電流によりMR素子２
３ａ，２３ｂに外部磁界HNを相殺する反磁界−
HNを作用させる。このように構成すれば、第２
の磁気センサ２１においてはMR素子２３ａ，２
３ｂに作用する外部磁界HNは導電膜２６に流れ
る電流による反磁界−HNにより相殺されるから、
出力端子３６にはほぼ信号磁界HSにのみ依存す
るＳ／Ｎの良好な差動出力を得ることができる。
動出力を、第３図に示すように増幅器３５を介し
て第２の磁気センサ２１の導電膜２６に負帰還
し、該導電膜２６に流れる電流によりMR素子２
３ａ，２３ｂに外部磁界HNを相殺する反磁界−
HNを作用させる。このように構成すれば、第２
の磁気センサ２１においてはMR素子２３ａ，２
３ｂに作用する外部磁界HNは導電膜２６に流れ
る電流による反磁界−HNにより相殺されるから、
出力端子３６にはほぼ信号磁界HSにのみ依存す
るＳ／Ｎの良好な差動出力を得ることができる。
本実施例のようにMR素子１３ａ，１３ｂ；２
３ａ，２３ｂの中間に導電膜１５；２５を形成
し、これを直流電源に接続してバイアス磁界を発
生させる場合には、直流電源の変動は両MR素子
に均等に作用するため、差動出力では相殺除去さ
れ、出力には現われることはない。
３ａ，２３ｂの中間に導電膜１５；２５を形成
し、これを直流電源に接続してバイアス磁界を発
生させる場合には、直流電源の変動は両MR素子
に均等に作用するため、差動出力では相殺除去さ
れ、出力には現われることはない。
第７図は本発明の磁気検出装置の他の例の構成
を示す斜視図である。本例では外部磁界HNが作
用する磁場のなかで変位する物体に磁気記録媒体
４０を一体に設け、この磁気記録媒体４０に矢印
で示す変位方向に所定のピツチＰで磁化パターン
を記録し、この磁化パターンを検出することによ
り物体の変位量を測定する。第１および第２の磁
気センサ４１および４２は同一の基板４３上に離
間して設け、第１の磁気センサ４１を磁気記録媒
体４０から離れた位置に、第２の磁気センサ４２
を磁気記録媒体４０に対向して配置して、第１の
磁気センサ４１が外部磁気HNにのみ晒され、第
２の磁気センサ４２が外部磁界HNと磁気記録媒
体４０からの信号磁界HSとに晒されるようにす
る。本例ではこれら第１および第２の磁気センサ
４１および４２を同一構造とする。すなわち、同
一基板４３上には、薄い絶縁膜４４ａ，４４ｂ；
４４′ａ，４４′ｂをそれぞれ介してMR素子４５
ａ，４６ａ，４５ｂ，４６ｂ；４５′ａ，４６′
ａ，４５′ｂ，４６′ｂを設ける。さらにバイアス
磁界を印加するために、MR素子４６ａ；４６′
ａおよび４５ｂ；４５′ｂの間には厚い絶縁膜４
７ａ；４７′ａおよび４７ｂ；４７′ｂを介して導
電膜４８；４８′を設ける。この導電膜は前例と
同様に直流電源に接続し、MR素子４５ａ，４６
ａと４５ｂ，４６ｂ；４５′ａ，４６′ａと４５′
ｂ，４６′ｂとに互いに逆方向のバイアス磁界を
印加し得るようにする。さらにMR素子４６ｂ，
４６′ｂ上に厚い絶縁膜４９；４９′を介して導電
膜５０；５０′を積層する。
を示す斜視図である。本例では外部磁界HNが作
用する磁場のなかで変位する物体に磁気記録媒体
４０を一体に設け、この磁気記録媒体４０に矢印
で示す変位方向に所定のピツチＰで磁化パターン
を記録し、この磁化パターンを検出することによ
り物体の変位量を測定する。第１および第２の磁
気センサ４１および４２は同一の基板４３上に離
間して設け、第１の磁気センサ４１を磁気記録媒
体４０から離れた位置に、第２の磁気センサ４２
を磁気記録媒体４０に対向して配置して、第１の
磁気センサ４１が外部磁気HNにのみ晒され、第
２の磁気センサ４２が外部磁界HNと磁気記録媒
体４０からの信号磁界HSとに晒されるようにす
る。本例ではこれら第１および第２の磁気センサ
４１および４２を同一構造とする。すなわち、同
一基板４３上には、薄い絶縁膜４４ａ，４４ｂ；
４４′ａ，４４′ｂをそれぞれ介してMR素子４５
ａ，４６ａ，４５ｂ，４６ｂ；４５′ａ，４６′
ａ，４５′ｂ，４６′ｂを設ける。さらにバイアス
磁界を印加するために、MR素子４６ａ；４６′
ａおよび４５ｂ；４５′ｂの間には厚い絶縁膜４
７ａ；４７′ａおよび４７ｂ；４７′ｂを介して導
電膜４８；４８′を設ける。この導電膜は前例と
同様に直流電源に接続し、MR素子４５ａ，４６
ａと４５ｂ，４６ｂ；４５′ａ，４６′ａと４５′
ｂ，４６′ｂとに互いに逆方向のバイアス磁界を
印加し得るようにする。さらにMR素子４６ｂ，
４６′ｂ上に厚い絶縁膜４９；４９′を介して導電
膜５０；５０′を積層する。
このように構成した第１および第２の磁気セン
サ４１および４２の各々４個のMR素子４５ａ，
４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４５′ａ，４５′ｂ，４
６′ａ，４６′ｂは第８図に示すようにブリツジ回
路に接続する。すなわち第１の磁気センサ４１は
MR素子４６ａと４６ｂとの接続点を正電圧源＋
Ｅに接続し、MR素子４５ａと４５ｂとの接続点
を負電圧源−Ｅに接続し、MR素子４５ａと４６
ｂとの接続点を差動増幅器５１の正入力端子に接
続し、MR素子４５ｂと４６ｂとの接続点を負入
力端子に接続する。同様に、第２の磁気センサ４
２はMR素子４６′ａと４６′ｂとの接続点を正電
圧源＋Ｅに接続し、MR素子４５′ａと４５′ｂと
の接続点を負電圧源−Ｅに接続し、MR素子４
５′ａと４６′ｂとの接続点を差動増幅器５１′の
正入力端子に接続し、MR素子４５′ｂと４６′ａ
との接続点を負入力端子に接続する。
サ４１および４２の各々４個のMR素子４５ａ，
４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４５′ａ，４５′ｂ，４
６′ａ，４６′ｂは第８図に示すようにブリツジ回
路に接続する。すなわち第１の磁気センサ４１は
MR素子４６ａと４６ｂとの接続点を正電圧源＋
Ｅに接続し、MR素子４５ａと４５ｂとの接続点
を負電圧源−Ｅに接続し、MR素子４５ａと４６
ｂとの接続点を差動増幅器５１の正入力端子に接
続し、MR素子４５ｂと４６ｂとの接続点を負入
力端子に接続する。同様に、第２の磁気センサ４
２はMR素子４６′ａと４６′ｂとの接続点を正電
圧源＋Ｅに接続し、MR素子４５′ａと４５′ｂと
の接続点を負電圧源−Ｅに接続し、MR素子４
５′ａと４６′ｂとの接続点を差動増幅器５１′の
正入力端子に接続し、MR素子４５′ｂと４６′ａ
との接続点を負入力端子に接続する。
本例では、第１および第２の磁気センサ４１お
よび４２の最上層の導電膜５０および５０′を直
列に接続して差動増幅器５１の出力をこれら導電
膜５０および５０′に負帰還し、これら導電膜５
０，５０′を通して流れる電流により第１および
第２の磁気センサ４１および４２の各々４個の
MR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４
５′ａ，４５′ｂ，４６′ａ，４６′ｂに外部磁界
HNを相殺する反磁界−HNを作用させる。このよ
うにすれば、差動増幅器５１′の出力端子５２に
はほぼ信号磁界HSにのみ依存Ｓ／Ｎの良好な作
動出力が得られる。
よび４２の最上層の導電膜５０および５０′を直
列に接続して差動増幅器５１の出力をこれら導電
膜５０および５０′に負帰還し、これら導電膜５
０，５０′を通して流れる電流により第１および
第２の磁気センサ４１および４２の各々４個の
MR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４
５′ａ，４５′ｂ，４６′ａ，４６′ｂに外部磁界
HNを相殺する反磁界−HNを作用させる。このよ
うにすれば、差動増幅器５１′の出力端子５２に
はほぼ信号磁界HSにのみ依存Ｓ／Ｎの良好な作
動出力が得られる。
本実施例のように、外部磁界HNを検出する第
１の磁気センサ４１においても、その導電膜５０
に差動増幅器５１の出力を負帰還させて４個の
MR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂに外部
磁界HNを相殺する反磁界−HNを作用させるよう
にすれば、各磁気センサのダイナミツクレンジを
極めて広くすることができ、MR素子の抵抗値が
飽和する強外部磁界が作用する場合でもそれに重
畳された弱い信号磁界を高精度で検出することが
できる。また、第１および第２の磁気センサ４１
および４２は同一基板上に形成された同一構造の
ものであるから、製作も極めて容易である。
１の磁気センサ４１においても、その導電膜５０
に差動増幅器５１の出力を負帰還させて４個の
MR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂに外部
磁界HNを相殺する反磁界−HNを作用させるよう
にすれば、各磁気センサのダイナミツクレンジを
極めて広くすることができ、MR素子の抵抗値が
飽和する強外部磁界が作用する場合でもそれに重
畳された弱い信号磁界を高精度で検出することが
できる。また、第１および第２の磁気センサ４１
および４２は同一基板上に形成された同一構造の
ものであるから、製作も極めて容易である。
第７図に示す第１および第２の磁気センサ４１
および４２は、例えばガラス基板４３上にFe−
Ni合金（パーマロイ）を約500Åの厚さに蒸着し
てMR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４
５′ａ，４５′ｂ，４６′ａ，４６′ｂを形成し、こ
れらの間に介挿される薄い絶縁膜４４ａ，４４
ｂ；４４′ａ，４４′ｂはSiO2を1000〜2000Åの
厚さに蒸着して形成し、厚い絶縁膜４７ａ，４７
ｂ，４９；４７′ａ，４７′ｂ，４９′は同じく
SiO2を数ミクロンの厚さに蒸着して形成し、導
電膜４８，５０；４８′，５０′はAl、Au、Cuな
どの非磁性金属を1000Å以上の厚さに蒸着して簡
単に製作することができる。このように各膜の厚
さは非常に薄いので総てのMR素子は磁気記録媒
体４０の変位方向に対して直交する同一線上に位
置するものと看做すことができる。
および４２は、例えばガラス基板４３上にFe−
Ni合金（パーマロイ）を約500Åの厚さに蒸着し
てMR素子４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ；４
５′ａ，４５′ｂ，４６′ａ，４６′ｂを形成し、こ
れらの間に介挿される薄い絶縁膜４４ａ，４４
ｂ；４４′ａ，４４′ｂはSiO2を1000〜2000Åの
厚さに蒸着して形成し、厚い絶縁膜４７ａ，４７
ｂ，４９；４７′ａ，４７′ｂ，４９′は同じく
SiO2を数ミクロンの厚さに蒸着して形成し、導
電膜４８，５０；４８′，５０′はAl、Au、Cuな
どの非磁性金属を1000Å以上の厚さに蒸着して簡
単に製作することができる。このように各膜の厚
さは非常に薄いので総てのMR素子は磁気記録媒
体４０の変位方向に対して直交する同一線上に位
置するものと看做すことができる。
第７図に示した変位量検出装置においては、少
くとも磁気記録媒体４０と対向して配置する第２
の磁気センサ４２の総てのMR素子を磁気記録媒
体４０の磁化パターンのピツチＰに全く拘束され
ずに、磁気記録媒体４０の変位方向に配設できる
ので、従来のようにピツチが等しい磁化パターン
を用いる必要はなく、例えば第９図に示すように
ピツチがP1、P2、P3と相違する磁化パターンを
記録した磁気記録媒体６０や、第１０図に示すよ
うにピツチが連続的に変化するような磁化パター
ンを記録した磁気記録媒体７０を用いることがで
きる。このように磁化パターンのピツチが変化す
る磁気記録媒体は例えば変位の途中で検出精度を
変えるような場合に有効である。
くとも磁気記録媒体４０と対向して配置する第２
の磁気センサ４２の総てのMR素子を磁気記録媒
体４０の磁化パターンのピツチＰに全く拘束され
ずに、磁気記録媒体４０の変位方向に配設できる
ので、従来のようにピツチが等しい磁化パターン
を用いる必要はなく、例えば第９図に示すように
ピツチがP1、P2、P3と相違する磁化パターンを
記録した磁気記録媒体６０や、第１０図に示すよ
うにピツチが連続的に変化するような磁化パター
ンを記録した磁気記録媒体７０を用いることがで
きる。このように磁化パターンのピツチが変化す
る磁気記録媒体は例えば変位の途中で検出精度を
変えるような場合に有効である。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば第７図の実施例では磁気記録媒体を直線的なも
のとして示したが、ロータリーエンコーダに適用
する場合のように円板状または円筒状とすること
もできる。また、第３図の実施例では第２の磁気
センサ２１のみに反磁界を発生させるための導電
膜２６を設けたが、このような導電膜を第１の磁
気センサ１１にも設けて第７図と同様に第１の磁
気センサ１１の出力を負帰還させることもでき
る。また、第３図では各磁気センサの２個のMR
素子を、これらの間に導電膜を設けて電流を流す
ことにより互いに逆方向に磁気バイアスしたが、
このような導電膜を用いず、２個のMR素子に同
一方向の電流が流れるようにして相互に逆方向に
磁気バイアスすることもできる。この場合にには
磁気バイアス用の直流電源が不要となるから、構
成が簡単になると共に安価にできる。更に、第３
図においては、各磁気センサの２個のMR素子を
並べると共に、各MR素子に近接し永久磁石を配
置して互いに反対方向に磁気バイアスすることも
できる。更にまた、第７図の実施例では第１およ
び第２の磁気センサ４１および４２を構成する各
膜が磁気記録媒体４０に対して垂直となるように
配置したが、これら各膜が磁気記録媒体４０に対
して水平となるように配置してもよい。
ではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば第７図の実施例では磁気記録媒体を直線的なも
のとして示したが、ロータリーエンコーダに適用
する場合のように円板状または円筒状とすること
もできる。また、第３図の実施例では第２の磁気
センサ２１のみに反磁界を発生させるための導電
膜２６を設けたが、このような導電膜を第１の磁
気センサ１１にも設けて第７図と同様に第１の磁
気センサ１１の出力を負帰還させることもでき
る。また、第３図では各磁気センサの２個のMR
素子を、これらの間に導電膜を設けて電流を流す
ことにより互いに逆方向に磁気バイアスしたが、
このような導電膜を用いず、２個のMR素子に同
一方向の電流が流れるようにして相互に逆方向に
磁気バイアスすることもできる。この場合にには
磁気バイアス用の直流電源が不要となるから、構
成が簡単になると共に安価にできる。更に、第３
図においては、各磁気センサの２個のMR素子を
並べると共に、各MR素子に近接し永久磁石を配
置して互いに反対方向に磁気バイアスすることも
できる。更にまた、第７図の実施例では第１およ
び第２の磁気センサ４１および４２を構成する各
膜が磁気記録媒体４０に対して垂直となるように
配置したが、これら各膜が磁気記録媒体４０に対
して水平となるように配置してもよい。
上述したように本発明の磁気検出装置によれば
第１の磁界を差動により検出する第１の磁気セン
サの出力を第１の磁界およびこれに重畳された第
２の磁界を差動により検出する第２の磁気センサ
に負帰還して、第２の磁気センサにおいて第１の
磁界を磁気的に相殺して第２の磁界を分離して検
出するようにしたから、第２の磁界を第１の磁界
に何ら影響されず常に高精度で検出することがで
きる。また、本発明を第７図のように変位量検出
装置として適用すれば、複数のMR素子を磁気記
録媒体の磁化パターンのピツチに全く拘束されず
に、磁気記録媒体の変位方向に配設できるから、
磁気記録媒体に記録した磁化パターンのピツチが
どのようなものであつても検出が可能であり、し
たがつて磁気記録媒体を交換したような場合でも
磁気センサはそのまゝ使用することができる。ま
た、磁気記録媒体を円板または円筒の側面に設け
たロータリーエンコーダに適用した場合、総ての
MR素子と磁気記録媒体との間の距離は等しくな
るから、均等な出力が得られ、正確な検出が可能
であり、しかもMR素子の幅を変える必要はな
い。さらに磁気記録媒体そのものは既存のものも
使用することができるので、容易かつ安価に実施
することができる。
第１の磁界を差動により検出する第１の磁気セン
サの出力を第１の磁界およびこれに重畳された第
２の磁界を差動により検出する第２の磁気センサ
に負帰還して、第２の磁気センサにおいて第１の
磁界を磁気的に相殺して第２の磁界を分離して検
出するようにしたから、第２の磁界を第１の磁界
に何ら影響されず常に高精度で検出することがで
きる。また、本発明を第７図のように変位量検出
装置として適用すれば、複数のMR素子を磁気記
録媒体の磁化パターンのピツチに全く拘束されず
に、磁気記録媒体の変位方向に配設できるから、
磁気記録媒体に記録した磁化パターンのピツチが
どのようなものであつても検出が可能であり、し
たがつて磁気記録媒体を交換したような場合でも
磁気センサはそのまゝ使用することができる。ま
た、磁気記録媒体を円板または円筒の側面に設け
たロータリーエンコーダに適用した場合、総ての
MR素子と磁気記録媒体との間の距離は等しくな
るから、均等な出力が得られ、正確な検出が可能
であり、しかもMR素子の幅を変える必要はな
い。さらに磁気記録媒体そのものは既存のものも
使用することができるので、容易かつ安価に実施
することができる。
第１図は従来の磁気検出装置の一例の構成を示
す斜視図、第２図は同じくその磁気抵抗効果素子
より成るブリツジ回路を示す回路図、第３図は本
発明の磁気検出装置の一例の構成を示す平面図、
第４図ＡおよびＢは第３図に示す第１および第２
の磁気センサの構成をそれぞれ示す断面図、第５
図は同じくその動作を説明するための波形図、第
６図は同じく各磁気センサの２個の磁気抵抗効果
素子の差動出力を示す波形図、第７図は本発明の
磁気検出装置の他の例の構成を示す斜視図、第８
図は同じくその回路構成を示す図、第９図および
第１０図は本発明に係る変位量検出装置に用いる
磁気記録媒体の変形例を示す平面図である。 １１……第１の磁気センサ、２１……第２の磁
気センサ、１２，２２……基板、１３ａ，１３
ｂ，２３ａ，２３ｂ……磁気抵抗効果素子、１４
ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ……絶縁
膜、１５，２５，２６……導電膜、３５……増幅
器、３６……出力端子、４１……第１の磁気セン
サ、４２……第２の磁気センサ、４３……基板、
４４ａ，４４ｂ，４４′ａ，４４′ｂ，４７ａ，４
７ｂ，４７′ａ，４７′ｂ，４９，４９′……絶縁
膜、４５ａ，４５ｂ，４５′ａ，４５′ｂ，４６
ａ，４６ｂ，４６′ａ，４６′ｂ……磁気抵抗効果
素子、４８，４８′，５０，５０′……導電膜、５
１，５１′……差動増幅器、５２……出力端子。
す斜視図、第２図は同じくその磁気抵抗効果素子
より成るブリツジ回路を示す回路図、第３図は本
発明の磁気検出装置の一例の構成を示す平面図、
第４図ＡおよびＢは第３図に示す第１および第２
の磁気センサの構成をそれぞれ示す断面図、第５
図は同じくその動作を説明するための波形図、第
６図は同じく各磁気センサの２個の磁気抵抗効果
素子の差動出力を示す波形図、第７図は本発明の
磁気検出装置の他の例の構成を示す斜視図、第８
図は同じくその回路構成を示す図、第９図および
第１０図は本発明に係る変位量検出装置に用いる
磁気記録媒体の変形例を示す平面図である。 １１……第１の磁気センサ、２１……第２の磁
気センサ、１２，２２……基板、１３ａ，１３
ｂ，２３ａ，２３ｂ……磁気抵抗効果素子、１４
ａ，１４ｂ，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ……絶縁
膜、１５，２５，２６……導電膜、３５……増幅
器、３６……出力端子、４１……第１の磁気セン
サ、４２……第２の磁気センサ、４３……基板、
４４ａ，４４ｂ，４４′ａ，４４′ｂ，４７ａ，４
７ｂ，４７′ａ，４７′ｂ，４９，４９′……絶縁
膜、４５ａ，４５ｂ，４５′ａ，４５′ｂ，４６
ａ，４６ｂ，４６′ａ，４６′ｂ……磁気抵抗効果
素子、４８，４８′，５０，５０′……導電膜、５
１，５１′……差動増幅器、５２……出力端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の磁界に晒されるように配置され、互い
に逆方向に磁気バイアスされた磁気抵抗効果素子
により差動出力を発生させるようにした第１の磁
気センサと、 前記第１の磁界およびこれに重畳された第２の
磁界を有する磁界に晒されるように配置され、互
いに逆方向に磁気バイアスされた磁気抵抗効果素
子およびこれらの磁気抵抗効果素子に同一方向の
磁界を作用し得るように積層した導電膜を有し、
前記磁気抵抗効果素子により差動出力を発生させ
るようにした第２の磁気センサとを具え、 前記第１の磁気センサの差動出力を前記第２の
磁気センサの導電膜に供給することにより、該第
２の磁気センサの磁気抵抗効果素子に前記第１の
磁界を相殺するような磁界を作用させて、前記第
２の磁界を前記第１の磁界から分離して検出し得
るよう構成したことを特徴とする磁気検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036644A JPS58154615A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気検出装置 |
| US06/473,331 US4603365A (en) | 1982-03-10 | 1983-03-08 | Magnetic detection apparatus |
| DE3308352A DE3308352C2 (de) | 1982-03-10 | 1983-03-09 | Magnetfelddetektor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036644A JPS58154615A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154615A JPS58154615A (ja) | 1983-09-14 |
| JPH0252807B2 true JPH0252807B2 (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=12475551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036644A Granted JPS58154615A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4603365A (ja) |
| JP (1) | JPS58154615A (ja) |
| DE (1) | DE3308352C2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3407097A1 (de) * | 1984-02-28 | 1985-08-29 | Pierburg Gmbh & Co Kg, 4040 Neuss | Stelleinrichtung zur drehwinkeleinrichtung eines stellgliedes |
| US4757257A (en) * | 1984-05-28 | 1988-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetoresistive displacement sensor and signal processing circuit |
| JPS6157809A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-24 | Sotsukishiya:Kk | 磁束応答形マルチギヤップヘッド |
| JPH0623931Y2 (ja) * | 1984-08-30 | 1994-06-22 | 株式会社ソキア | 磁気スケール用検出器 |
| JPH0719923B2 (ja) * | 1984-12-14 | 1995-03-06 | 日本電装株式会社 | 位置検出装置 |
| DE3519978A1 (de) * | 1985-06-04 | 1986-12-04 | Wabco Westinghouse Fahrzeugbremsen GmbH, 3000 Hannover | Ansteuerschaltung fuer einen induktiven sensor |
| JPS62205511A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘツド特性測定装置 |
| US4706138A (en) * | 1986-04-14 | 1987-11-10 | International Business Machines Corporation | Amplification of signals produced by a magnetic sensor |
| US4835509A (en) * | 1986-07-29 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Noncontact potentiometer |
| SE459700B (sv) * | 1987-11-26 | 1989-07-24 | Profor Ab | Saett att undertrycka verkan av magnetiska stoerfaelt vid detektering av paa en baerare anbringade magnetiska maerken eller markeringar |
| US5122744A (en) * | 1990-10-09 | 1992-06-16 | Ibm Corporation | Gradiometer having a magnetometer which cancels background magnetic field from other magnetometers |
| DE9301302U1 (de) * | 1993-01-30 | 1994-05-26 | Turck Werner Kg | Näherungsschalter |
| US5576915A (en) * | 1993-03-15 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof |
| US5644228A (en) * | 1993-08-31 | 1997-07-01 | Eastman Kodak Company | Permanent magnet assembly with MR and DC compensating bias |
| US5629620A (en) * | 1995-03-02 | 1997-05-13 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for measurement of magnetic remanence-thickness product of thin magnetic layers |
| DE19520178A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetisierungsvorrichtung für magnetoresistive Dünnschicht-Sensorelemente in einer Brückenschaltung |
| US5831426A (en) * | 1996-08-16 | 1998-11-03 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetic current sensor |
| DE19733885A1 (de) * | 1997-08-05 | 1999-02-11 | Horst Nahr Ges Fuer Elektronis | Verfahren zum Messen von Wegen und Drehwinkeln an bewegten Gegenständen mit einer hartmagnetischen Oberfläche und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US6614211B1 (en) | 1999-04-01 | 2003-09-02 | Santronics, Inc. | Non-contact detector for sensing a periodically varying magnetic field |
| US6574061B1 (en) | 1999-08-27 | 2003-06-03 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for run-time temperature compensation of giant magnetoresistive head bias current |
| US6949927B2 (en) * | 2001-08-27 | 2005-09-27 | International Rectifier Corporation | Magnetoresistive magnetic field sensors and motor control devices using same |
| KR100632458B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-10-11 | 아이치 세이코우 가부시키가이샤 | 가속도 센서 |
| US7557562B2 (en) * | 2004-09-17 | 2009-07-07 | Nve Corporation | Inverted magnetic isolator |
| SE529125C2 (sv) * | 2005-03-02 | 2007-05-08 | Tetra Laval Holdings & Finance | Sätt och anordning för att bestämma läget hos ett förpackningsmaterial med magnetiska markeringar |
| JP2007093448A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Aichi Steel Works Ltd | モーションセンサ及びこれを用いた携帯電話機 |
| US7598736B2 (en) * | 2007-08-27 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including magneto-resistive structures |
| JP4921327B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2012-04-25 | シーケーディ株式会社 | 磁気リニア測定装置 |
| US8427144B2 (en) * | 2009-07-28 | 2013-04-23 | Tdk Corporation | Magnetic sensor that includes magenetoresistive films and conductors that combine the magnetoresistive films |
| JP2012039010A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Tdk Corp | 磁気センサー及び磁気検出装置 |
| JP6255902B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2018-01-10 | Tdk株式会社 | 磁界検出装置 |
| JP6464907B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-02-06 | Tdk株式会社 | 位置検出装置及び位置検出装置の使用構造 |
| JP6394740B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2018-09-26 | Tdk株式会社 | 磁界検出装置 |
| JP7119695B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-08-17 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| JP7119633B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-17 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| US11598828B2 (en) * | 2019-08-26 | 2023-03-07 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic sensor array with different RA TMR film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55144762A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic generating apparatus |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3697869A (en) * | 1970-09-23 | 1972-10-10 | Us Navy | System for generating compensating signals for magnetic effects of aircraft on mad system |
| US3757154A (en) * | 1971-03-03 | 1973-09-04 | Sony Corp | Magnetic field on color television receivers apparatus for automatically eliminating the influence of the earth s |
| NL180552C (nl) * | 1972-10-11 | 1987-03-02 | Ibm | Magnetoresistieve leeskop. |
| JPS575067B2 (ja) * | 1973-07-13 | 1982-01-28 | ||
| NL7405727A (nl) * | 1974-04-29 | 1975-10-31 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| JPS576962Y2 (ja) * | 1974-07-26 | 1982-02-09 | ||
| US3979775A (en) * | 1975-09-08 | 1976-09-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive multitransducer assembly with compensation elements for thermal drift and bias balancing |
| FR2389180A1 (fr) * | 1977-04-29 | 1978-11-24 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de transduction magnetique de detection d'informations magnetiques codees et procede de fabrication dudit dispositif |
| FR2390778A1 (fr) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de lecture d'informations magnetiques |
| JPS6045804B2 (ja) * | 1978-02-28 | 1985-10-12 | 日本電気株式会社 | 角度検出器 |
| JPS54162556A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Nec Corp | Angle detector |
| JPS5635011A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-07 | Nec Corp | Angle detector |
| CA1140214A (en) * | 1980-01-29 | 1983-01-25 | Malcolm E. Bell | Multisensor magnetometers |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57036644A patent/JPS58154615A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-08 US US06/473,331 patent/US4603365A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-03-09 DE DE3308352A patent/DE3308352C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55144762A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic generating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3308352C2 (de) | 1986-08-07 |
| JPS58154615A (ja) | 1983-09-14 |
| US4603365A (en) | 1986-07-29 |
| DE3308352A1 (de) | 1983-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0252807B2 (ja) | ||
| US7112957B2 (en) | GMR sensor with flux concentrators | |
| US7126327B1 (en) | Asymmetrical AMR wheatstone bridge layout for position sensor | |
| US6169396B1 (en) | Sensing device for detecting change in an applied magnetic field achieving high accuracy by improved configuration | |
| EP0484474B1 (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| JP2008525787A (ja) | 調節可能な特性を有する磁気センサ | |
| JPH10221114A (ja) | 検出装置 | |
| JPH043483B2 (ja) | ||
| JP3367230B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP3487452B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| US6111403A (en) | Magnetic detector wherein the magnetic flux crosses the sensing elements at a predetermined angle | |
| JP3619156B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| US20090251830A1 (en) | Magnetic detector | |
| JPH0151127B2 (ja) | ||
| US6246234B1 (en) | Magnetic detector with improved temperature characteristic and noise resistance | |
| EP1540361A1 (en) | Ac-coupled sensor signal conditioning circuit | |
| JP2000018967A (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP2005069744A (ja) | 磁気検出素子 | |
| JPH0432969B2 (ja) | ||
| JPS58154680A (ja) | 磁気センサ | |
| JP3186656B2 (ja) | 回転数センサ | |
| US6211669B1 (en) | Magnetic detector with improved noise resistance characteristics | |
| EP0650156A1 (en) | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads | |
| JPH0618279A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2929714B2 (ja) | 角度検出装置 |