JPH0252342U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0252342U JPH0252342U JP12947388U JP12947388U JPH0252342U JP H0252342 U JPH0252342 U JP H0252342U JP 12947388 U JP12947388 U JP 12947388U JP 12947388 U JP12947388 U JP 12947388U JP H0252342 U JPH0252342 U JP H0252342U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial wafer
- probe
- metal stage
- metal
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第1図はこの考案によるエピタキシヤルウエハ
の不純物濃度評価装置の一実施例の構成を示す模
式図、第2図は従来のエピタキシヤルウエハの不
純物濃度評価装置の構成例を示す模式図である。 図において、100は供試エピタキシヤルウエ
ハ、101は基板、102は低不純物濃度層、2
01は金属ステージ、202はプローブ、203
は絶縁層、300は容量測定器である。なお、図
中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
の不純物濃度評価装置の一実施例の構成を示す模
式図、第2図は従来のエピタキシヤルウエハの不
純物濃度評価装置の構成例を示す模式図である。 図において、100は供試エピタキシヤルウエ
ハ、101は基板、102は低不純物濃度層、2
01は金属ステージ、202はプローブ、203
は絶縁層、300は容量測定器である。なお、図
中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- その表面に厚さが1μm以下で均一な絶縁層を
有する円柱形の金属よりなるプローブと、金属ス
テージと、電圧バイアスを変化できる容量測定器
とを備え、上記プローブが金属ステージに対し平
行に配置され、その間隔が自由に調整できる機構
を持ち、かつ金属ステージとプローブとの間に供
試エピタキシヤルウエハが挿入できるように構成
したことを特徴とするエピタキシヤルウエハの不
純物濃度評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12947388U JPH0252342U (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12947388U JPH0252342U (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0252342U true JPH0252342U (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=31383781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12947388U Pending JPH0252342U (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0252342U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146831A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Solid State Measurements Inc | 半導体ウェハの荷電キャリア寿命測定方法及び測定装置 |
JP2004274036A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-30 | Solid State Measurements Inc | 半導体ウエハの電気特性を測定する装置と方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP12947388U patent/JPH0252342U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146831A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Solid State Measurements Inc | 半導体ウェハの荷電キャリア寿命測定方法及び測定装置 |
JP2004274036A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-30 | Solid State Measurements Inc | 半導体ウエハの電気特性を測定する装置と方法 |