JPH0250606A - 周波数シンセサイザ - Google Patents
周波数シンセサイザInfo
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- JPH0250606A JPH0250606A JP63201276A JP20127688A JPH0250606A JP H0250606 A JPH0250606 A JP H0250606A JP 63201276 A JP63201276 A JP 63201276A JP 20127688 A JP20127688 A JP 20127688A JP H0250606 A JPH0250606 A JP H0250606A
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- Japan
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- controlled oscillator
- voltage
- resistor
- modulation
- bias
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/02—Details
- H03C3/09—Modifications of modulator for regulating the mean frequency
- H03C3/0908—Modifications of modulator for regulating the mean frequency using a phase locked loop
- H03C3/095—Modifications of modulator for regulating the mean frequency using a phase locked loop applying frequency modulation to the loop in front of the voltage controlled oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0004—Circuit elements of modulators
- H03C2200/0033—Transmission lines, e.g. striplines, microstrips or coplanar lines
-
- H—ELECTRICITY
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- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
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-
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- H03C—MODULATION
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- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
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Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、移動無線システムに利用するに適する。特に
、変調をかけることのできる電圧制御発振器をもつ周波
数シンセサイザに関する。
、変調をかけることのできる電圧制御発振器をもつ周波
数シンセサイザに関する。
本発明は、電圧制御発振器が有する可変ダイオードに印
加する逆バイアスを変化させてFM変調波を生成する周
波数シンセサイザにおいて、逆バイアスを電圧制御発振
器の制御電圧に応じて変化させることにより、 発振周波数の相異による変調感度の変化を補正すること
ができるようにしたものである。
加する逆バイアスを変化させてFM変調波を生成する周
波数シンセサイザにおいて、逆バイアスを電圧制御発振
器の制御電圧に応じて変化させることにより、 発振周波数の相異による変調感度の変化を補正すること
ができるようにしたものである。
第3図に従来の周波数シンセサイザの構成を示す。電圧
制御発振器2の出力は増幅回路3に入力され、出力端子
31からシンセサイザ出力信号として取り出される。一
方、この出力は第一分周器4で分周され、位相比較回路
6に入力される。基準発振器8の出力も第二分周器7で
分周され位相比較回路6に入力される。位相比較回路6
で第一分周器4および第二分周器7の出力が位相比較さ
れてその位相差に応じた電圧が出力され、ローパスフィ
ルタ5を通って制御電圧20として電圧制御発振器2の
発振周波数をコントロールする。
制御発振器2の出力は増幅回路3に入力され、出力端子
31からシンセサイザ出力信号として取り出される。一
方、この出力は第一分周器4で分周され、位相比較回路
6に入力される。基準発振器8の出力も第二分周器7で
分周され位相比較回路6に入力される。位相比較回路6
で第一分周器4および第二分周器7の出力が位相比較さ
れてその位相差に応じた電圧が出力され、ローパスフィ
ルタ5を通って制御電圧20として電圧制御発振器2の
発振周波数をコントロールする。
従来、変調用に可変容量ダイオードを持つ電圧制御発振
器に変調をかけると第5図に示すように発振周波数によ
って変調感度が変化するので、変調トラッキング回路9
で変調信号のレベルを変えて等価的に変調入力端子30
にあける変調感度が変化しないようにしてバイアス回路
10を経由して可変容量ダイオードに逆電圧を与えてい
る。変調トラッキング回路9は、第4図に示すように、
チャンネル指定情報に応じてアナログスイッチを切り換
え、変調信号のレベルを変化させる。
器に変調をかけると第5図に示すように発振周波数によ
って変調感度が変化するので、変調トラッキング回路9
で変調信号のレベルを変えて等価的に変調入力端子30
にあける変調感度が変化しないようにしてバイアス回路
10を経由して可変容量ダイオードに逆電圧を与えてい
る。変調トラッキング回路9は、第4図に示すように、
チャンネル指定情報に応じてアナログスイッチを切り換
え、変調信号のレベルを変化させる。
このような従来例では、発振周波数帯域が広くなるほど
、また、変調感度偏差が大きくなるほど変調トラッキン
グ回路の部品点数が増える欠点がある。
、また、変調感度偏差が大きくなるほど変調トラッキン
グ回路の部品点数が増える欠点がある。
本発明はこのような欠点を除去するもので、簡単な部品
の付加により発振周波数の相異による変調感度の変化を
補正できる周波数シンセサイザを提供することを目的と
する。
の付加により発振周波数の相異による変調感度の変化を
補正できる周波数シンセサイザを提供することを目的と
する。
本発明は、変調信号が到来する入力端子と、可変容量ダ
イオードを有する電圧制御発振器と、方の端が電源に接
続された第一抵抗、一方の端が共通電位に接続された第
二抵抗およびこの第一抵抗および第二抵抗のそれぞれの
他方の端が接続された接続点と上記入力端子との間の経
路に挿入されたコンデンサを有し、この接続点の電位を
上記可変容量ダイオードのバイアス電圧として与えるバ
イアス回路とを備えた周波数シンセサイザにおいて、上
記バイアス回路は、上記接続点に出力電極が接続され、
上記第二抵抗の他方の端に入力電極が接続され、上記電
圧制御発振器の制御電圧が制御電極に与えられる電界効
果トランジスタを備えたことを特徴とする。
イオードを有する電圧制御発振器と、方の端が電源に接
続された第一抵抗、一方の端が共通電位に接続された第
二抵抗およびこの第一抵抗および第二抵抗のそれぞれの
他方の端が接続された接続点と上記入力端子との間の経
路に挿入されたコンデンサを有し、この接続点の電位を
上記可変容量ダイオードのバイアス電圧として与えるバ
イアス回路とを備えた周波数シンセサイザにおいて、上
記バイアス回路は、上記接続点に出力電極が接続され、
上記第二抵抗の他方の端に入力電極が接続され、上記電
圧制御発振器の制御電圧が制御電極に与えられる電界効
果トランジスタを備えたことを特徴とする。
電圧制御発振器はその発振周波数の増加に伴って変調感
度が高くなり、発振周波数が異なると均一の変調感度を
有する周波数シン乍すイザを実現する要求が満たされな
い。本発明では、可変容量ダイオードに与えるバイアス
電圧を電圧制御発振器の制御電圧に応じて変化させてこ
の要求を実現するものである。すなわち、電源電圧が印
加された二つの抵抗の間にFETを挿入し、このFET
のゲート電極に電圧制御発振器の制御電圧を与えると、
発振周波数が高いときにFETのドレイン電位が下がり
、これに伴って可変容量ダイオードの容量値が増加し、
容量変化による周波数変化すなわち変調感度が下がり、
発振周波数の上昇に伴う変調感度の上昇を抑制すること
ができる。
度が高くなり、発振周波数が異なると均一の変調感度を
有する周波数シン乍すイザを実現する要求が満たされな
い。本発明では、可変容量ダイオードに与えるバイアス
電圧を電圧制御発振器の制御電圧に応じて変化させてこ
の要求を実現するものである。すなわち、電源電圧が印
加された二つの抵抗の間にFETを挿入し、このFET
のゲート電極に電圧制御発振器の制御電圧を与えると、
発振周波数が高いときにFETのドレイン電位が下がり
、これに伴って可変容量ダイオードの容量値が増加し、
容量変化による周波数変化すなわち変調感度が下がり、
発振周波数の上昇に伴う変調感度の上昇を抑制すること
ができる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。第1
図はこの実施例の構成を示すブロック構成図である。第
2図は、この実施例のバイアス回路の構成を示す回路構
成図である。
図はこの実施例の構成を示すブロック構成図である。第
2図は、この実施例のバイアス回路の構成を示す回路構
成図である。
この実施例は、第1図に示すように、変調入力端子30
を経由して与えられる変調信号にバイアス電圧を加える
バイアス回路1と、このバイアス回路1の出力が与えら
れる可変容量ダイオードを有する電圧制御発振器2と、
この電圧制御発振器2の出力が与えられ出力端子31を
経由してシンセサイザ出力信号を出力する増幅回路3と
、電圧制御発振器2の出力を分周する第一分周器4と、
基準周波数信号を発振する基準発振器8と、この基準発
振器8の出力を分周する第二分周器7と、第一分周器4
の出力の位相と第二分周器の出力の位相とを比較する位
相比較器6と、この位相比較器6の出力が与えられ、バ
イアス回路1のバイアス値制御手段および電圧制御発振
器2の制御電圧を生成するローパスフィルタ5とを備え
る。ここで、本発明の特徴とするところのバイアス回路
1は、変調信号が与えられる端子70と、ローパスフィ
ルタ5が与える制御電圧がゲート端子61に印加され、
ソース電極が抵抗51を介して共通電位に接続され、ド
レイン電極が抵抗50を介して電源VCCに接続された
電圧制御発振器2の可変容量ダイオードのカソードに端
子71を経由して接続された電界効果トランジスタ (
以下、FETという。)60と、端子70とF E T
2Oのドレインとの間に挿入されたコンデンサ40とを
備える。すなわち、この実施例は、変調信号が到来する
入力端子である変調入力端子30と、可変容量ダイオー
ドを有する電圧制御発振器2と、一端が電源に接続され
た第一抵抗である抵抗50、一端が共通電位に接続され
た第二抵抗である抵抗51、この第一抵抗および第二抵
抗のそれぞれの他端が接続された接続点と上記入力端子
との間の経路に挿入されたコンデンサ40、および上記
接続点に出力電極が接続され、上記第二抵抗の他端に入
力電極が接続され、電圧制御発振器2の制御電圧が制御
電極に与えられる電界効果トランジスタ60を有し、こ
の接続点の電位を上記可変容量ダイオードのバイアス電
圧として与えるバイアス回路1とを備える。
を経由して与えられる変調信号にバイアス電圧を加える
バイアス回路1と、このバイアス回路1の出力が与えら
れる可変容量ダイオードを有する電圧制御発振器2と、
この電圧制御発振器2の出力が与えられ出力端子31を
経由してシンセサイザ出力信号を出力する増幅回路3と
、電圧制御発振器2の出力を分周する第一分周器4と、
基準周波数信号を発振する基準発振器8と、この基準発
振器8の出力を分周する第二分周器7と、第一分周器4
の出力の位相と第二分周器の出力の位相とを比較する位
相比較器6と、この位相比較器6の出力が与えられ、バ
イアス回路1のバイアス値制御手段および電圧制御発振
器2の制御電圧を生成するローパスフィルタ5とを備え
る。ここで、本発明の特徴とするところのバイアス回路
1は、変調信号が与えられる端子70と、ローパスフィ
ルタ5が与える制御電圧がゲート端子61に印加され、
ソース電極が抵抗51を介して共通電位に接続され、ド
レイン電極が抵抗50を介して電源VCCに接続された
電圧制御発振器2の可変容量ダイオードのカソードに端
子71を経由して接続された電界効果トランジスタ (
以下、FETという。)60と、端子70とF E T
2Oのドレインとの間に挿入されたコンデンサ40とを
備える。すなわち、この実施例は、変調信号が到来する
入力端子である変調入力端子30と、可変容量ダイオー
ドを有する電圧制御発振器2と、一端が電源に接続され
た第一抵抗である抵抗50、一端が共通電位に接続され
た第二抵抗である抵抗51、この第一抵抗および第二抵
抗のそれぞれの他端が接続された接続点と上記入力端子
との間の経路に挿入されたコンデンサ40、および上記
接続点に出力電極が接続され、上記第二抵抗の他端に入
力電極が接続され、電圧制御発振器2の制御電圧が制御
電極に与えられる電界効果トランジスタ60を有し、こ
の接続点の電位を上記可変容量ダイオードのバイアス電
圧として与えるバイアス回路1とを備える。
次に、本発明の特徴とするバイアス回路1の動作を説明
する。
する。
制御電圧20はNチャンネルのF E T2Oのゲート
に加えられ、変調信号はコンデンサ40を介してFE
T2Oのドレインに接続され、DCバイアスが重畳され
て電圧制御発振器2の可変容量ダイオードに加えられる
。さて、電圧制御発振器2の発振周波数が高い場合には
、F E T2Oのゲート端子61に印加される制御電
圧20も高くなり、あらかじめ抵抗50および51の抵
抗値をF E T2Oのドレイン電流が飽和するように
選ぶと、F E T2Oのドレインの電位すなわちDC
バイアスはドレイン電流の増加分ΔIPSと抵抗50の
抵抗値Rとの積RΔIPSだけ下がる。DCバイアスが
下がると第6図に示すように可変容量ダイオードの容量
値が増え、容量変化による周波数変化が減り、したがっ
て変調感度が下がり、第5図に示す発振周波数と変調感
度の関係をフラットに補正することができる。
に加えられ、変調信号はコンデンサ40を介してFE
T2Oのドレインに接続され、DCバイアスが重畳され
て電圧制御発振器2の可変容量ダイオードに加えられる
。さて、電圧制御発振器2の発振周波数が高い場合には
、F E T2Oのゲート端子61に印加される制御電
圧20も高くなり、あらかじめ抵抗50および51の抵
抗値をF E T2Oのドレイン電流が飽和するように
選ぶと、F E T2Oのドレインの電位すなわちDC
バイアスはドレイン電流の増加分ΔIPSと抵抗50の
抵抗値Rとの積RΔIPSだけ下がる。DCバイアスが
下がると第6図に示すように可変容量ダイオードの容量
値が増え、容量変化による周波数変化が減り、したがっ
て変調感度が下がり、第5図に示す発振周波数と変調感
度の関係をフラットに補正することができる。
ここで、FET0代わりにトランジスタを用いると、同
じ動作をするが、ベース電流を必要とするので制御電圧
のリークが起こってリファレンスリークが現れ、シンセ
サイザの性能に悪影響を与える。
じ動作をするが、ベース電流を必要とするので制御電圧
のリークが起こってリファレンスリークが現れ、シンセ
サイザの性能に悪影響を与える。
本発明は、以上説明したように、バイアス回路にFET
を追加するだけで発振周波数による変調感度偏差を補正
することができるので、変調トラッキング回路のように
部品点数の多い回路を省くことができ、コスト低減およ
び実装効率の向上が図れる効果がある。
を追加するだけで発振周波数による変調感度偏差を補正
することができるので、変調トラッキング回路のように
部品点数の多い回路を省くことができ、コスト低減およ
び実装効率の向上が図れる効果がある。
第1図は本発明実施例の構成を示すブロック構成図。
第2図は本発明実施例のバイアス回路の構成を示す回路
接続図。 第3図は従来例の構成を示すブロック構成図。 第4図は従来例の変調トラッキング回路の構成を示す回
路接続図。 第5図は電圧制御発振器の発振周波数と変調感度の関係
を示す図。 第6図は可変容量ダイオードの逆バイアスと容量の関係
を示す図。 1.10・・・バイアス回路、2・・・電圧制御発振器
、3・・・増幅回路、4・・・第一分周器、5・・・ロ
ーパスフィルタ、6・・・位相比較回路、7・・・第二
分周器、8・・・基準発振器、9・・・変調トラッキン
グ回路、20・・・制御電圧、30・・・変調入力端子
、31・・・出力端子、40・・・コンデンサ、50.
51・・・抵抗、60・・・FET、。 特許出願人 日本電気株式会社、<1.、。 代理人 弁理士 井 出 直 孝 −45=
接続図。 第3図は従来例の構成を示すブロック構成図。 第4図は従来例の変調トラッキング回路の構成を示す回
路接続図。 第5図は電圧制御発振器の発振周波数と変調感度の関係
を示す図。 第6図は可変容量ダイオードの逆バイアスと容量の関係
を示す図。 1.10・・・バイアス回路、2・・・電圧制御発振器
、3・・・増幅回路、4・・・第一分周器、5・・・ロ
ーパスフィルタ、6・・・位相比較回路、7・・・第二
分周器、8・・・基準発振器、9・・・変調トラッキン
グ回路、20・・・制御電圧、30・・・変調入力端子
、31・・・出力端子、40・・・コンデンサ、50.
51・・・抵抗、60・・・FET、。 特許出願人 日本電気株式会社、<1.、。 代理人 弁理士 井 出 直 孝 −45=
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、変調信号が到来する入力端子と、 可変容量ダイオードを有する電圧制御発振器と、一端が
電源に接続された第一抵抗、一端が共通電位に接続され
た第二抵抗およびこの第一抵抗および第二抵抗のそれぞ
れの他端が接続された接続点と上記入力端子との間の経
路に挿入されたコンデンサを有し、この接続点の電位を
上記可変容量ダイオードのバイアス電圧として与えるバ
イアス回路と を備えた周波数シンセサイザにおいて、 上記バイアス回路は、上記接続点に出力電極が接続され
、上記第二抵抗の他端に入力電極が接続され、上記電圧
制御発振器の制御電圧が制御電極に与えられる電界効果
トランジスタ を備えたことを特徴とする周波数シンセサイザ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201276A JPH0250606A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 周波数シンセサイザ |
DE68928459T DE68928459T2 (de) | 1988-08-12 | 1989-08-11 | Einen Synthesierer verwendender Frequenzmodulator |
EP89114902A EP0357996B1 (en) | 1988-08-12 | 1989-08-11 | Frequency modulator utilizing frequency synthesizer |
US07/393,179 US5027429A (en) | 1988-08-12 | 1989-08-14 | Frequency modulator utilizing frequency synthesizer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201276A JPH0250606A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 周波数シンセサイザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250606A true JPH0250606A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16438282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63201276A Pending JPH0250606A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 周波数シンセサイザ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5027429A (ja) |
EP (1) | EP0357996B1 (ja) |
JP (1) | JPH0250606A (ja) |
DE (1) | DE68928459T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5175884A (en) * | 1990-06-01 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator with current control |
DE4291072T1 (ja) * | 1991-04-15 | 1993-04-01 | Motorola, Inc., Schaumburg, Ill., Us | |
US5130674A (en) * | 1991-09-30 | 1992-07-14 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscilator having controlled bias voltage, AGC and output amplifier |
FI914763A0 (fi) * | 1991-10-09 | 1991-10-09 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kompensering av en spaenningsstyrd olineaer komponent i en radiotelefon. |
FI90169C (fi) * | 1991-12-31 | 1993-12-27 | Nokia Mobile Phones Ltd | Foerfarande och kopplingsarrangemang foer att alstra en modulerad signal |
FR2719728A1 (fr) * | 1994-05-04 | 1995-11-10 | Philips Composants | Diviseur de fréquence, synthétiseur de fréquence comportant un tel diviseur et radiotéléphone comportant un tel synthétiseur. |
US5493715A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-20 | Motorola, Inc. | Multi-range voltage controlled resonant circuit |
US5477197A (en) * | 1994-10-24 | 1995-12-19 | At&T Corp. | Voltage controlled oscillator with improved voltage versus frequency characteristic |
US5881374A (en) * | 1997-01-31 | 1999-03-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Circuitry and method for detecting frequency deviation caused by aging of an oscillator |
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