JPH0249022B2 - Handotaisochinoseizohoho - Google Patents

Handotaisochinoseizohoho

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JPH0249022B2
JPH0249022B2 JP11948381A JP11948381A JPH0249022B2 JP H0249022 B2 JPH0249022 B2 JP H0249022B2 JP 11948381 A JP11948381 A JP 11948381A JP 11948381 A JP11948381 A JP 11948381A JP H0249022 B2 JPH0249022 B2 JP H0249022B2
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JP
Japan
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semiconductor device
electrode body
semiconductor
spacer
side sectional
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JP11948381A
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Jiro Kakehi
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NEC Home Electronics Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にリ
ードレスタイプのダイオードの製造方法に関す
る。
ダイオードの一例を第1図より説明すると、1
は半導体素子で、一対のスラグリード2,2で挾
持され、ガラススリーブ3に挿通され、ガラスス
リーブ3の両端部とスラグ2a,2aとを気密封
着して構成されている。
このダイオードは第2図に示すように、上面に
開口しガラススリーブ3を収容するスリーブ収容
孔4aとスリーブ収容孔4aの底面に開口するリ
ード挿通孔4bを複数穿設したカーボン製の下治
具4と、下治具4のスリーブ収容孔4aに対応し
て、下面に開口するリード挿通孔5aを穿設した
カーボン製の上治具5とを用い、下治具4のスリ
ーブ収容孔4aにガラススリーブ3を収容し、さ
らにガラススリーブ3内にスラグリード2、半導
体素子1、スラグリード2を順次収容し、上治具
5を載置して、加熱炉に供給し封着一体化して製
造される。
ところで、電子装置は製造コストの低減化、信
頼性の向上のため、自動化が推進され、混成集積
回路装置等ではリードレスタイプの電子部品が要
求される。
そのため第3図に示すようにリードレスのスラ
グ2a,2aで半導体素子1を挾持しガラススリ
ーブ3で封着したダイオードを用いることができ
るが、第2図に示した治具の、リード挿通孔4
b,5aを除いた治具を用いる点では変りがな
く、リードがないことにより治具内にスラグ2a
を収容した時に斜めに入つたり、立つた状態で入
るため製造が煩雑になるという問題があつた。
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、
量生産が良好なリードレスタイプのダイオードの
製造方法を提供する。
以下本発明を第4図乃至第10図より説明す
る。
第4図は半導体装置構成体を示すもので、図に
おいて、6は両面に電極(図示せず)を形成した
半導体素子、7,7は一対の電極板(電極体)
で、半導体素子6の電極と密着し電気的に接続
し、半導体装置構成体8を形成している。ここで
密着とはロウ付けあるいは圧着を含む。第5図乃
至第7図は本発明の第1実施例を示すもので、先
ず、第5図に示すように半導体装置構成体8を複
数個、半導体素子6の電極面と平行な電極板7の
面をスペーサ9を介みて密着させ一直線上に配列
し、両端部に保護板10を当てて押圧する。次に
第6図に示すように一直線上に配列した複数の半
導体装置構成体8a〜8nをエポキシ樹脂等の外
装材液に浸漬して、外装部11を形成する。外装
部11は樹脂液に浸漬後一連の半導体装置構成体
8a〜8nを回転させることにより成形できる。
次に7図に示すように外装部11を硬化させて
後、保護板10を除去し、スペーサ9部分より分
離し各半導体装置構成体8a,8b,…8nにそ
れぞれ外装部11を形成した半導体装置12に分
割する。
これにより、複数個の半導体装置12が一括し
て製造でき、煩雑な作業をともなうカーボン製の
治具が不要となり、製造が容易となる。
また第8図乃至第10図は本発明の第2の実施
例を示すもので、先ず第8図に示すように半導体
装置構成体8を複数個、電極板(電極体)7の側
面をスペーサ9を介して密着させ一直線上に配列
し、両端部に保護板10を当てて押圧する。次に
第9図に示すように一直線上に配列した複数の半
導体装置構成体8a〜8nをエポキシ樹脂等の外
装材液に浸漬して、外装部11を形成する。次に
外装部11を硬化させて後、保護板10を除去
し、スペーサ9部分より分離して第10図に示す
ように各半導体装置構成体8a〜8nにそれぞれ
外装部11を形成した半導体装置13に分割す
る。
この半導体装置13は2枚の電極板7を同一平
面に露呈させることができる。
尚、上記実施例において、外装部11は樹脂材
だけでなく、ガラスを用いることができ、一層に
形成するだけでなく、例えばガラスによる下地層
を形成しさらに樹脂外装して複数層に形成しても
よい。また外装部11は浸漬法だけでなく、滴下
法あるいは電着法、射出成形法を用いることがで
き、これらを組合せてもよい。またスペーサ9、
保護板10は外装材に対して接着性の劣る材料が
望ましく、例えばエポキシ樹脂等では塩化ビニル
等、ガラスに対してはアルミニウム等を用いるこ
とができ、電極体7に対して粘着性のあるものを
用いることにより半導体装置構成体8a〜8nの
一体化を容易にできる。またスペーサ9、保護板
10として弾性を有し厚いものを用い、電極体7
をくい込ませるように圧着したり、第11図に示
すように電極体7を収容する凹部14又は孔を形
成することにより第12図に示すように電極体7
の露呈面を外装部11より突出させることがで
き、これを利用して極性表示もできる。また電極
体7は第13図に示すように側壁をテーパ面15
としたり、第14図に示すように側壁に段部16
あるいは凹溝を形成したり、第15図に示すよう
に透孔17あるいは切欠きを形成することによ
り、外装部11の剥離を防止でき、耐湿性の良好
な半導体装置を提供できる。また個々の半導体装
置12,13に分割する際にスペーサ9が露呈す
るように外装部11を切削することにより分割を
容易にすることができる。またスペーサ9は必ず
しも必要ではなく、電極体7の密着性が保たれる
のであれば直接的に密着させてもよいし、あるい
は電極体7に予め剥離可能な樹脂被膜を形成して
おくことによりスペーサ9を省くことができる。
また半導体装置構成体8を複数、粘着テープや接
着材により基板上に接着すれば保護板10なしで
配列できる。
また電極体7の形状は平板状だけでなく棒状の
ものを用い放熱性を良好にできるし、また例えば
第16図に示すように一方の電極体7′を断面L
字状に形成することにより、電極を両面に露程さ
せると共に同一平面に露呈させた半導体装置を製
造でき、第17図に示すように電極面積が広く、
半田付け性の良好な半導体装置を製造できる。
以上のように本発明によれば、煩雑な作業をと
もなうカーボン製の治具が不要となり、浸漬法等
の簡単な作業で複数の半導体装置を一括して製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はガラス封止ダイオードの一例を示す側
断面図、第2図は第1図ダイオードの製造に用い
るカーボン製治具の側断面図、第3図はリードレ
スダイオードの一例を示す側断面図、第4図は本
発明による半導体装置の構成体を示す側面図、第
5図及び第6図は本発明の第1の実施例を示す側
面図及び側断面図、第7図は第1の実施例により
製造された半導体装置の側断面図、第8図及び第
9図は本発明の第2の実施例を示す側面図及び側
断面図、第10図は第2の実施例により製造され
た半導体装置の側断面図、第11図はスペーサ9
の変形例を示す側断面図、第12図は第11図ス
ペーサ9を用いて製造された半導体装置の側断面
図、第13図乃至第17図はそれぞれ変形された
電極体を有する半導体装置の側断面図である。 6……半導体素子、7……電極体、8……半導
体装置構成体、11……外装部、12,13……
半導体装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 一対の電極体で半導体素子を挾持した半導体
    装置構成体の複数を、隣接部分に外装材が被着し
    ないように配列して、半導体素子を含む要部を外
    装し、その後、個々の半導体装置に分割すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP11948381A 1981-07-29 1981-07-29 Handotaisochinoseizohoho Expired - Lifetime JPH0249022B2 (ja)

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JPS5821360A JPS5821360A (ja) 1983-02-08
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