JPH0247867B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0247867B2
JPH0247867B2 JP56104301A JP10430181A JPH0247867B2 JP H0247867 B2 JPH0247867 B2 JP H0247867B2 JP 56104301 A JP56104301 A JP 56104301A JP 10430181 A JP10430181 A JP 10430181A JP H0247867 B2 JPH0247867 B2 JP H0247867B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polycrystalline silicon
transistor
nonvolatile
present
ram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56104301A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS586178A (ja
Inventor
Toshiaki Ogata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP56104301A priority Critical patent/JPS586178A/ja
Publication of JPS586178A publication Critical patent/JPS586178A/ja
Publication of JPH0247867B2 publication Critical patent/JPH0247867B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は不揮発性半導体記憶装置に関する。
本発明の目的は強誘電体によつて多結晶シリコ
ン負荷抵抗の抵抗値に変化させる事を可能にし、
不揮発性のRAMを作る事にある。
以下図によつて説明する。
第１図は従来のRAMのセルを示す図である。
図の１，２，３，４はＮチヤンネルMOSトラン
ジスタである。図の５，６は多結晶シリコンで形
成された負荷抵抗を示す。第１図に示すRAMの
セルは不揮発性が無く、また例えばトランジスタ
１がONし、２がOFFした場合負荷抵抗５とトラ
ンジスタ１を通して電流が流れ、逆の場合も同様
に常時電流が流れる為に消費電流が大きくなる欠
点を有する。
本発明は上記の欠点を除去したものである。第
２図に示す様にトランジスタ７，８，９，１０と
負荷抵抗１１，１２の結線の方法は従来のものと
変化ないが、負荷抵抗１１，１２上に絶縁膜を介
して強誘電体膜１３，１４が形成され電極１５，
１６のそれぞれ逆の電位によつて強誘電体の極性
が反転する。従つて多結晶シリコン負荷抵抗１
１，１２の抵抗値は、一方が増大し電流がほとん
ど遮断され、他方は抵抗値が下がる。上記の構造
において強誘電体の極性は不揮発性を有するので
不揮発性RAMとしての動作が可能であり、また
トランジスタ７がONした場合負荷抵抗１１の抵
抗値は増大しているので消費電流が少なくなる。
以上述べた様に本発明の半導体記憶装置は不揮
発性RAMとして使用できまた消費電流を小さく
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のRAMのセルを示す図である。
第２図は本発明のRAMのセルを示す図である。 １，２，３，４，７，８，９，１０……Ｎチヤ
ンネル、MOSトランジスタ、５，６，１１，１
２……多結晶シリコン負荷抵抗、１３，１４……
強誘電体膜、１５，１６……電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 負荷抵抗となる多結晶シリコン膜上に絶縁物
    を介して強誘電体膜が形成されている事を特徴と
    する半導体記憶装置。
JP56104301A 1981-07-02 1981-07-02 半導体記憶装置 Granted JPS586178A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56104301A JPS586178A (ja) 1981-07-02 1981-07-02 半導体記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56104301A JPS586178A (ja) 1981-07-02 1981-07-02 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS586178A JPS586178A (ja) 1983-01-13
JPH0247867B2 true JPH0247867B2 (ja) 1990-10-23

Family

ID=14377095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56104301A Granted JPS586178A (ja) 1981-07-02 1981-07-02 半導体記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS586178A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07120722B2 (ja) * 1988-07-15 1995-12-20 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2775377B2 (ja) * 1993-03-10 1998-07-16 アミテック株式会社 木工用超仕上鉋盤の鉋台の刃先調整装置
KR19980027519A (ko) * 1996-10-16 1998-07-15 김광호 열전하 방출 회로를 갖는 강유전체 랜덤 액세서 메모리
JP4802415B2 (ja) * 2001-08-13 2011-10-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 強誘電体メモリ
AU2003220785A1 (en) 2002-04-10 2003-10-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Non-volatile flip-flop

Also Published As

Publication number Publication date
JPS586178A (ja) 1983-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1447604A (en) Ferroelectric memory device
JPS5857839B2 (ja) フキハツセイキオクキニタイスル ダイナミツクタントランジスタキオクソシ
JPH0247867B2 (ja)
TWI260629B (en) Programming circuit for a programmable microelectronic device, system including the circuit, and method of forming the same
JPH0438146B2 (ja)
KR910020734A (ko) 스태틱형 반도체메모리
JPS57210662A (en) Semiconductor memory device
JPS62229870A (ja) 半導体集積回路
JPH056653A (ja) メモリ−素子
JPS6028074B2 (ja) スタテイツク型ｍｉｓメモリ
JPS58122695A (ja) 入力過電圧保護回路
JPH0831540B2 (ja) 半導体記憶素子
JPS5992910U (ja) 定電流回路
JPH05342850A (ja) 半導体記憶装置
JPS57162181A (en) Semiconductor memory device
JP2551837B2 (ja) 半導体装置
JPS5932066B2 (ja) スタチック型半導体メモリ−セル
JPS5760867A (en) Tunnel effect load resistance device
JPS5912799Y2 (ja) メモリセル
JPH0278266A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6126157B2 (ja)
JPS62244174A (ja) 電荷転送素子の出力装置
JPS61230358A (ja) 半導体記憶装置
JPH0227762A (ja) 半導体記憶装置
JPH0290307A (ja) ブログラマブル基準電圧発生器