JPH0246588A - 中間レベル発生回路 - Google Patents
中間レベル発生回路Info
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- JPH0246588A JPH0246588A JP63196910A JP19691088A JPH0246588A JP H0246588 A JPH0246588 A JP H0246588A JP 63196910 A JP63196910 A JP 63196910A JP 19691088 A JP19691088 A JP 19691088A JP H0246588 A JPH0246588 A JP H0246588A
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- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 102220008426 rs394105 Human genes 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
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- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
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- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、中間レベル発生回路に関し、特に動作速度を
高めた中間レベル発生回路に関する。
高めた中間レベル発生回路に関する。
［従来の技術］
中間レベル発生回路は、ダイナミックメモリ等に使われ
ており、例えば、ビット線のバランスレベル等に利用さ
れている。即ち、ダイナミックメモリは、大容量化の要
請から、最近では１素子型メモリセルのものが大勢をし
めるに至っているが、この型のメモリは、” Ｈ”レベ
ルと゛Ｌ゛ルベルとの差が小さいことから、メモリセル
から読み出した信号レベルを中間レベルと比較して、い
ずれのレベルであるのかを判定している。
ており、例えば、ビット線のバランスレベル等に利用さ
れている。即ち、ダイナミックメモリは、大容量化の要
請から、最近では１素子型メモリセルのものが大勢をし
めるに至っているが、この型のメモリは、” Ｈ”レベ
ルと゛Ｌ゛ルベルとの差が小さいことから、メモリセル
から読み出した信号レベルを中間レベルと比較して、い
ずれのレベルであるのかを判定している。
第５図は、この種用途に用いられる従来の中間レベル発
生回路の一例であって、第６図は、従来の中間レベル発
生回路の各部の波形図である。図中−点鎖線で囲んだ部
分が、中間レベル発生部ａであり、そして、この中間レ
ベル発生部ａと中間レベル使用回路が、中間レベル線と
中間レベル要求信号線で接続されている。また、波形図
のφ０がＬレベルの間は、中間レベル使用回路が中間レ
ベルを要求している期間であり、Ｈレベルの間は要求し
ていない期間である。
生回路の一例であって、第６図は、従来の中間レベル発
生回路の各部の波形図である。図中−点鎖線で囲んだ部
分が、中間レベル発生部ａであり、そして、この中間レ
ベル発生部ａと中間レベル使用回路が、中間レベル線と
中間レベル要求信号線で接続されている。また、波形図
のφ０がＬレベルの間は、中間レベル使用回路が中間レ
ベルを要求している期間であり、Ｈレベルの間は要求し
ていない期間である。
以下、第６図の波形図を用いて、第５図の回路動作を説
明する。まず、φ。がＬレベルの間は、Ｐ型トランジス
タ５およびＮ型トランジスタ６は導通し、電源（Ｖｃｃ
）−抵抗Ｒ１−トランジスタ５−トランジスタ３−トラ
ンジスタ４−トランジスタ６−抵抗Ｒ２−接地の回路に
一定の電流が流れ、接続点ｖｌｌ、■２１には一定の電
位が与えられる。ここで、抵抗Ｒ１、Ｒ２は、中間レベ
ルを使用する回路に接続点Ｖ、から中間レベルを供給す
る際のａ部自体の消費電流を低減するために挿入された
高抵抗値を有する抵抗である。接続点■１１、ｖ２□の
レベルを、Ｖｌｌ、Ｖ２１とすると次式が成り立つ。
明する。まず、φ。がＬレベルの間は、Ｐ型トランジス
タ５およびＮ型トランジスタ６は導通し、電源（Ｖｃｃ
）−抵抗Ｒ１−トランジスタ５−トランジスタ３−トラ
ンジスタ４−トランジスタ６−抵抗Ｒ２−接地の回路に
一定の電流が流れ、接続点ｖｌｌ、■２１には一定の電
位が与えられる。ここで、抵抗Ｒ１、Ｒ２は、中間レベ
ルを使用する回路に接続点Ｖ、から中間レベルを供給す
る際のａ部自体の消費電流を低減するために挿入された
高抵抗値を有する抵抗である。接続点■１１、ｖ２□の
レベルを、Ｖｌｌ、Ｖ２１とすると次式が成り立つ。
（Ｖｃｃ Ｖ ＋１） ／Ｒ１＝ Ｖ ２１／ Ｒ２
また、中間レベル線のレベルをＶｌとすると、Ｖ ｌ
＝Ｖ１１ Ｖ丁Ｎ＝Ｖ２１＋ＶＴＰである。但し、
ＶＴＮ、■ＴＰは、それぞれＮ型トランジスタ、Ｐ型ト
ランジスタのしきい値電圧である。上記の式から、接続
点ｖ１の電位ｖ１は次式で与えられる。
また、中間レベル線のレベルをＶｌとすると、Ｖ ｌ
＝Ｖ１１ Ｖ丁Ｎ＝Ｖ２１＋ＶＴＰである。但し、
ＶＴＮ、■ＴＰは、それぞれＮ型トランジスタ、Ｐ型ト
ランジスタのしきい値電圧である。上記の式から、接続
点ｖ１の電位ｖ１は次式で与えられる。
Ｖ１＝ （Ｒ２・Ｖｃｃ＋Ｒ１・Ｖｔｐ Ｒ２・ＶＴ
Ｎ）／ （Ｒ１＋ Ｒ２） ａ部は、この電位を中間レベル使用回路に供給する。
Ｎ）／ （Ｒ１＋ Ｒ２） ａ部は、この電位を中間レベル使用回路に供給する。
次に、φ０がＨレベルになると、Ｎ型トランジスタ７と
Ｐ型トランジスタ８が導通し、トランジスタ５．６は非
導通状態となり、接続点ｖ１１のレベルは接地レベル、
接続点■２□のレベルは電源レベルとなる。そして、ト
ランジスタ１．２は非導通となり、ｖｌのレベルは、フ
ローティング状態となる。よって、ａ部の消費電流は、
この状態ではＯとなる。
Ｐ型トランジスタ８が導通し、トランジスタ５．６は非
導通状態となり、接続点ｖ１１のレベルは接地レベル、
接続点■２□のレベルは電源レベルとなる。そして、ト
ランジスタ１．２は非導通となり、ｖｌのレベルは、フ
ローティング状態となる。よって、ａ部の消費電流は、
この状態ではＯとなる。
次に、再びφ０がＬレベルになると、Ｐ型トランジスタ
５が導通し、接地レベルになっている接続点■１１に、
電源から高抵抗Ｒ１を介して電流を供給し始め、したが
って、接続点Ｖ １１の電位は上昇し始める。同様にＮ
型トランジスタ６も導通し、高抵抗Ｒ２を介して、電源
レベルになっているｖ２□のレベルを接地電位に下げ始
める。ある時間経過した後、前述したＶ １１． Ｖ
２１のレベルになり中間レベルｖ１を中間レベル使用回
路に供給できる。
５が導通し、接地レベルになっている接続点■１１に、
電源から高抵抗Ｒ１を介して電流を供給し始め、したが
って、接続点Ｖ １１の電位は上昇し始める。同様にＮ
型トランジスタ６も導通し、高抵抗Ｒ２を介して、電源
レベルになっているｖ２□のレベルを接地電位に下げ始
める。ある時間経過した後、前述したＶ １１． Ｖ
２１のレベルになり中間レベルｖ１を中間レベル使用回
路に供給できる。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の中間レベル発生回路においては、中間レ
ベルの非供給状態から供給状態に移行するとき、接続点
Ｖｌｌ、■２１はそれぞれ抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して充放
電がなされて、定常状態におちつく。ところが、抵抗Ｒ
１、Ｒ２は、中間レベル発生部ａの消費電力を低減する
ために高抵抗になされているので、接続点Ｖｌｌ、Ｖ２
１の電位が安定するには時間がかかり、その間、中間レ
ベルｖ１も不安定な状態となる。従って、従来の中間レ
ベル発生回路では、瞬時に中間レベルを要求している回
路に対して高速に対応できない。
ベルの非供給状態から供給状態に移行するとき、接続点
Ｖｌｌ、■２１はそれぞれ抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して充放
電がなされて、定常状態におちつく。ところが、抵抗Ｒ
１、Ｒ２は、中間レベル発生部ａの消費電力を低減する
ために高抵抗になされているので、接続点Ｖｌｌ、Ｖ２
１の電位が安定するには時間がかかり、その間、中間レ
ベルｖ１も不安定な状態となる。従って、従来の中間レ
ベル発生回路では、瞬時に中間レベルを要求している回
路に対して高速に対応できない。
そこで本発明の目的は、以上の欠点を解決し、中間レベ
ル使用回路の要求により直ちに中間レベルを供給できる
中間レベル発生回路を提供することにある。
ル使用回路の要求により直ちに中間レベルを供給できる
中間レベル発生回路を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、第１の接続点■、１と電源（または接地）間
に第１のコンデンサを接続し、第２の接続点ｖ２１と電
源（または接地）間に第２のコンデンサを接続しておき
、中間レベルが要求されていない状態から、中間レベル
を要求されると、直ちに第１、第２のコンデンサに充放
電を行わせ、第１および第２の接続点の電位を、中間レ
ベル要求状態における定常状態の電位に、あるいはそれ
に近づいた電位にするものである。
に第１のコンデンサを接続し、第２の接続点ｖ２１と電
源（または接地）間に第２のコンデンサを接続しておき
、中間レベルが要求されていない状態から、中間レベル
を要求されると、直ちに第１、第２のコンデンサに充放
電を行わせ、第１および第２の接続点の電位を、中間レ
ベル要求状態における定常状態の電位に、あるいはそれ
に近づいた電位にするものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の中間レベル発生回路であ
る。中間レベル発生部ａと中間レベル使用回路が中間レ
ベル線で接続されているところは従来技術と同様である
が、本実施例においては、制御信号７τにより制御をう
ける中間レベル発生部制御回路すが、中間レベル発生部
ａに付加されている。制御回路すは、コンデンサ０１〜
Ｃ４、Ｎ型トランジスタ１１．１２．１４、Ｐ型トラン
ジスタ１３およびインバータ１５から構成されている。
る。中間レベル発生部ａと中間レベル使用回路が中間レ
ベル線で接続されているところは従来技術と同様である
が、本実施例においては、制御信号７τにより制御をう
ける中間レベル発生部制御回路すが、中間レベル発生部
ａに付加されている。制御回路すは、コンデンサ０１〜
Ｃ４、Ｎ型トランジスタ１１．１２．１４、Ｐ型トラン
ジスタ１３およびインバータ１５から構成されている。
第２図は、中間レベル要求信号φ。と中間レベル発生部
の制御信号７の波形及び各内部接続点の波形を示すタイ
ミング図である。φ０がＬの状態、即ち、中間レベルを
供給している状態では、「はＨの状態でＮ型トランジス
タ１１．１２は導通しており、Ｐ型トランジスタ１３、
Ｎ型トランジスタ１４は、非導通となっているため、接
続点ｖ１１は、Ｖ１２と、そして、接続点■２１は、Ｖ
２□とそれぞれ同電位となる。
の制御信号７の波形及び各内部接続点の波形を示すタイ
ミング図である。φ０がＬの状態、即ち、中間レベルを
供給している状態では、「はＨの状態でＮ型トランジス
タ１１．１２は導通しており、Ｐ型トランジスタ１３、
Ｎ型トランジスタ１４は、非導通となっているため、接
続点ｖ１１は、Ｖ１２と、そして、接続点■２１は、Ｖ
２□とそれぞれ同電位となる。
次にφ０がＨの状態、即ち、中間レベルを供給しない状
態では、ａｎはＬの状態で、前記トランジスタ１１．１
２は非導通となり、接続点Ｖ１１とＶ１２及び接続点ｖ
２１と■２□のそれぞれを独立させる。この時、従来例
で説明したように、Ｎ型トランジスタ７とＰ型トランジ
スタ８は、導通しており接続点ｖ１１は、接地レベルに
、接続点Ｖ ２１は、電源レベルになる。また、Ｐ型ト
ランジスタ１３とＮ型トランジスタ１４も導通するので
、接続点■１□は電源レベルに接続点■２□は接地レベ
ルになる。ここで、この時コンデンサＣ２と０３に充電
される電荷量をＣ２、Ｃ３とし、接続点■１□、■２１
の電位をそれぞれＶ１２、Ｖ２１とすると、Ｃ２＝Ｃ２
Ｖ１２＝Ｃ２ＶＣＣ Ｑ３ ＝Ｃ３Ｖ２１＝Ｃ３ＶＣＣ となる。
態では、ａｎはＬの状態で、前記トランジスタ１１．１
２は非導通となり、接続点Ｖ１１とＶ１２及び接続点ｖ
２１と■２□のそれぞれを独立させる。この時、従来例
で説明したように、Ｎ型トランジスタ７とＰ型トランジ
スタ８は、導通しており接続点ｖ１１は、接地レベルに
、接続点Ｖ ２１は、電源レベルになる。また、Ｐ型ト
ランジスタ１３とＮ型トランジスタ１４も導通するので
、接続点■１□は電源レベルに接続点■２□は接地レベ
ルになる。ここで、この時コンデンサＣ２と０３に充電
される電荷量をＣ２、Ｃ３とし、接続点■１□、■２１
の電位をそれぞれＶ１２、Ｖ２１とすると、Ｃ２＝Ｃ２
Ｖ１２＝Ｃ２ＶＣＣ Ｑ３ ＝Ｃ３Ｖ２１＝Ｃ３ＶＣＣ となる。
次に、φ０が再びＬの状態、即ち中間レベルを供給して
いる状態になると、Ｐ型トランジスタ８１３及びＮ型ト
ランジスタ７．１４が非導通となる。そして、Ｎ型トラ
ンジスタ１１．１２が導通することによって、接続点Ｖ
１１は、■１□と、そして、接続点■２□は、■２□と
、Ｃ２からＣ１へ及びＣ８からＣ４への電荷の移動によ
ってそれぞれ同電位になろうとする。この時、■１１と
ｖ１２の等しくなる電位をＶｌｌ’ 、Ｖ２１とＶ２２
が等しくなる電位をＶ２１″とすると、電荷保存則より
次式が成り立つ。
いる状態になると、Ｐ型トランジスタ８１３及びＮ型ト
ランジスタ７．１４が非導通となる。そして、Ｎ型トラ
ンジスタ１１．１２が導通することによって、接続点Ｖ
１１は、■１□と、そして、接続点■２□は、■２□と
、Ｃ２からＣ１へ及びＣ８からＣ４への電荷の移動によ
ってそれぞれ同電位になろうとする。この時、■１１と
ｖ１２の等しくなる電位をＶｌｌ’ 、Ｖ２１とＶ２２
が等しくなる電位をＶ２１″とすると、電荷保存則より
次式が成り立つ。
（ＣＩ ＋Ｃ２） Ｖｌｌ ＝Ｃ２Ｖｃｃ（Ｃ３＋Ｃ
４） Ｖ２１ ＝Ｃ３Ｖｃｃよって、 Ｖｌｌｏ−Ｃ１Ｖｃｃ／ （Ｃｔ ＋Ｃ２）Ｖ２１’
−Ｃ３・Ｖｃｃ／ （Ｃ３＋Ｃ４）となり、コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２及びコンデンサＣ３、Ｃ４の容量値の比によ
って接続点■１１．Ｖ１２のレベルを瞬時に決定できる
。従って、容量値を調整することによって、抵抗Ｒ１，
Ｒ２の比によって決まる接続点Ｖ１１、■１２のレベル
に合わせることができる。即ち、第２図に示すように、
中間レベル要求信号φ。が発せられると、接続点■１１
、■２、の電位は、直ちに安定点におちつき、これに伴
って接続点Ｖｌの電位も、瞬間的に中間レベルに達する
。
４） Ｖ２１ ＝Ｃ３Ｖｃｃよって、 Ｖｌｌｏ−Ｃ１Ｖｃｃ／ （Ｃｔ ＋Ｃ２）Ｖ２１’
−Ｃ３・Ｖｃｃ／ （Ｃ３＋Ｃ４）となり、コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２及びコンデンサＣ３、Ｃ４の容量値の比によ
って接続点■１１．Ｖ１２のレベルを瞬時に決定できる
。従って、容量値を調整することによって、抵抗Ｒ１，
Ｒ２の比によって決まる接続点Ｖ１１、■１２のレベル
に合わせることができる。即ち、第２図に示すように、
中間レベル要求信号φ。が発せられると、接続点■１１
、■２、の電位は、直ちに安定点におちつき、これに伴
って接続点Ｖｌの電位も、瞬間的に中間レベルに達する
。
第３図は、本発明の他の実施例の中間レベル発生回路で
ある。中間レベル発生部制御回路すの構成を第１図に示
すｂの構成より素子数を減らし、制御信号φ１により制
御する。第４図に制御信号及び各内部接続点の波形を示
す。φ１は、φ０がＨ−＋Ｌに変化するときのみ、活性
化するワンショット信号である。φ１がＬの間、Ｎ型ト
ランジスタ１１１は非導通となっているので、φ０がＨ
である間、コンデンサＣＩ、Ｃ２の接続点■、１、■２
□側端子は、それぞれ接地レベル、電源レベルになって
いる。いま、φ０がＨ→Ｌと変化したとすると、φ□が
Ｈとなって、Ｎ型トランジスタ１１１は導通し、接続点
Ｖ１１とＶ２□に次式で示すレベルｖ１．１を与える。
ある。中間レベル発生部制御回路すの構成を第１図に示
すｂの構成より素子数を減らし、制御信号φ１により制
御する。第４図に制御信号及び各内部接続点の波形を示
す。φ１は、φ０がＨ−＋Ｌに変化するときのみ、活性
化するワンショット信号である。φ１がＬの間、Ｎ型ト
ランジスタ１１１は非導通となっているので、φ０がＨ
である間、コンデンサＣＩ、Ｃ２の接続点■、１、■２
□側端子は、それぞれ接地レベル、電源レベルになって
いる。いま、φ０がＨ→Ｌと変化したとすると、φ□が
Ｈとなって、Ｎ型トランジスタ１１１は導通し、接続点
Ｖ１１とＶ２□に次式で示すレベルｖ１．１を与える。
Ｖ＋＋＋ ＝Ｃ２・Ｖｃｃ／ （ＣＩ ＋Ｃ２）φ１は
すぐにＬになり、Ｎ型トランジスタ１１１は非導通とな
る。
すぐにＬになり、Ｎ型トランジスタ１１１は非導通とな
る。
このように、コンデンサＣ１、Ｃ２の容量比できまるレ
ベル■１□□から、Ｒ１、Ｒ２によって決まるＶｌｌ、
Ｖ２１のレベルに達するまでは、従来例に比べて非常に
短時間である。よって、この実施例では、少ない素子数
の制御回路によって、中間レベル使用回路に高速に中間
レベルを供給できるという利点がある。
ベル■１□□から、Ｒ１、Ｒ２によって決まるＶｌｌ、
Ｖ２１のレベルに達するまでは、従来例に比べて非常に
短時間である。よって、この実施例では、少ない素子数
の制御回路によって、中間レベル使用回路に高速に中間
レベルを供給できるという利点がある。
なお、以上の実施例では、コンデンサの一端は接地され
ていたが、本発明では、必ずしもそのように接続する必
要はなく適宜、電源端子Ｖ。０と接続してもよい。
ていたが、本発明では、必ずしもそのように接続する必
要はなく適宜、電源端子Ｖ。０と接続してもよい。
［発明の効果］
以上、説明したように、本発明は、中間レベルを供給す
る二つのトランジスタのそれぞれのゲートが接続される
接続点にコンデンサを接続し、中間レベル要求が発せら
れた際に、このコンデンサに対する充放電を制御するこ
とにより、回路の消費電力を増加させることなく、速や
かに安定な中間レベルの電位を回路へ供給することがで
きる。
る二つのトランジスタのそれぞれのゲートが接続される
接続点にコンデンサを接続し、中間レベル要求が発せら
れた際に、このコンデンサに対する充放電を制御するこ
とにより、回路の消費電力を増加させることなく、速や
かに安定な中間レベルの電位を回路へ供給することがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例の回路図、第２図は、第１
図のタイミング図、第３図は、本発明の他の実施例回路
図、第４図は、第３図のタイミング図、第５図は、従来
例の回路図、第６図は、第５図のタイミング図である。 １．３．６．７．１１．１２．１４．１１１・・・Ｎ型
トランジスタ、 ２．４．５．８．１３・・・Ｐ型ト
ランジスタ、 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、 Ｃ１、Ｃ２、
Ｃ３、Ｃ４・・・コンデンサ。
図のタイミング図、第３図は、本発明の他の実施例回路
図、第４図は、第３図のタイミング図、第５図は、従来
例の回路図、第６図は、第５図のタイミング図である。 １．３．６．７．１１．１２．１４．１１１・・・Ｎ型
トランジスタ、 ２．４．５．８．１３・・・Ｐ型ト
ランジスタ、 Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗、 Ｃ１、Ｃ２、
Ｃ３、Ｃ４・・・コンデンサ。
Claims (1)
- そのドレイン電極を第１の電極に接続し、そのソース電
極を出力端子に接続し、そのゲート電極を第１の接続点
に接続した第１のトランジスタと、そのドレイン電極を
第２の電源に接続し、そのソース電極を出力端子に接続
し、そのゲート電極を第２の接続点に接続した第２のト
ランジスタと、第１の接続点に、第１のトランジスタを
導通状態にすることができる第１の電位と第１のトラン
ジスタを非導通状態にすることのできる第２の電位を与
え、第２の接続点に、第１の接続点が第１の電位にある
ときには、第２のトランジスタを導通状態にすることの
できる第３の電位と、第１の接続点が第２の電位にある
ときには第２のトランジスタを非導通状態にすることの
できる第４の電位を与えることのできる給電手段とを具
備する中間レベル発生回路において、少なくとも第１の
接続点と第１の電源または第２の電源間には第１のコン
デンサが、第２の接続点と第１の電源または第２の電源
間には第２のコンデンサが接続され、かつ、前記第１、
第２の接続点が前記第２、第４の電位から前記第１、第
３の電位に遷移するとき、前記第１、第２のコンデンサ
への電荷の充放電を制御することにより、前記第１、第
２の接続点の電位が前記第２、第４の電位から前記第１
、第３の電位に遷移する時間を短縮せしめたことを特徴
とする中間レベル発生回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196910A JP2752640B2 (ja) | 1988-08-07 | 1988-08-07 | 中間レベル発生回路 |
| DE68920378T DE68920378T2 (de) | 1988-08-07 | 1989-08-04 | Schaltung zur selektiven und sehr schnellen Erzeugung einer konstanten Spannung. |
| EP89307949A EP0354735B1 (en) | 1988-08-07 | 1989-08-04 | Constant voltage generating circuit for selectively generating a constant voltage at a high-speed |
| US07/390,002 US4933627A (en) | 1988-08-07 | 1989-08-07 | Constant voltage generating circuit for selectively generating a constant voltage at a high-speed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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