JPH0244335U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0244335U
JPH0244335U JP12381588U JP12381588U JPH0244335U JP H0244335 U JPH0244335 U JP H0244335U JP 12381588 U JP12381588 U JP 12381588U JP 12381588 U JP12381588 U JP 12381588U JP H0244335 U JPH0244335 U JP H0244335U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
layer
separation layer
impurity concentration
semiconductor regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12381588U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH075639Y2 (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP12381588U priority Critical patent/JPH075639Y2/ja
Publication of JPH0244335U publication Critical patent/JPH0244335U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH075639Y2 publication Critical patent/JPH075639Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図が本考案に関し、第１図は
本考案による半導体領域間接合分離構造の実施例
を主な工程ごとの状態で示す集積回路装置の一部
拡大断面図、第２図はその等価回路図である。第
３図および第４図はそれぞれ異なる従来の接合分
離構造を例示する集積回路装置の一部拡大断面図
である。図において、 １：半導体基板、２：外側埋込分離層、３：内
側埋込分離層、４：半導体領域下の埋込層、５：
エピタキシヤル層、６：ドレインコンタクト層、
７：外側分離層、８：内側分離層、１０：半導体
領域、１１：チヤネル形成層、１２：ゲート、１
３：ソース層、１４：電極膜、２０，２１：ＤＭ
ＯＳ形ないし縦形電界効果トランジスタ、Ｃ：キ
ヤパシタないし接合容量、Ｄ：ドレイン端子、Ｅ
：接地端子ないしは接地電位、Ｇ：ゲート端子、
Ｒ１〜Ｒ３：抵抗、Ｓ：ソース端子、ｗ：分離層
の幅、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一方の導電形の半導体基板上に設けられた他方
    の導電形の半導体領域を一方の導電形の分離層に
    よつて相互に接合分離され集積回路を構成する回
    路要素をそれぞれ作り込むべき複数個の半導体領
    域に分割する構造であつて、分離層を一方の導電
    形の外側分離層とこの外側分離層の中に作り込ま
    れた高不純物濃度をもつ一方の導電形の内側分離
    層とで構成し、外側分離層の不純物濃度を同じ導
    電形の内側分離層の不純物濃度よりは低く、異な
    る導電形の半導体領域の不純物濃度と空乏層の広
    がりに対して実質的に等価な濃度値に選定したこ
    とを特徴とする集積回路装置における半導体領域
    間接合分離構造。
JP12381588U 1988-09-21 1988-09-21 集積回路装置における半導体領域間接合分離構造 Expired - Lifetime JPH075639Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12381588U JPH075639Y2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 集積回路装置における半導体領域間接合分離構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12381588U JPH075639Y2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 集積回路装置における半導体領域間接合分離構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0244335U true JPH0244335U (ja) 1990-03-27
JPH075639Y2 JPH075639Y2 (ja) 1995-02-08

Family

ID=31373014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12381588U Expired - Lifetime JPH075639Y2 (ja) 1988-09-21 1988-09-21 集積回路装置における半導体領域間接合分離構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH075639Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128138A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 接合型ｆｅｔおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128138A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 接合型ｆｅｔおよびその製造方法
JP4623923B2 (ja) * 2002-10-01 2011-02-02 三洋電機株式会社 接合型ｆｅｔおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH075639Y2 (ja) 1995-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6397248U (ja)
JP2845493B2 (ja) 半導体装置
JPH0244335U (ja)
JPH03120054U (ja)
JPH0244334U (ja)
JPH0525232Y2 (ja)
JPH01112763A (ja) 半導体装置
JPH0477266U (ja)
JPS63187356U (ja)
JPS6014512B2 (ja) 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ
JPS6124825B2 (ja)
JPH04112564A (ja) 半導体装置
JPS6350143U (ja)
JPS61162067U (ja)
JPH01228157A (ja) 半導体装置
JPH0436256U (ja)
JPH01127261U (ja)
JPH02725U (ja)
JPH0316328U (ja)
JPS6242255U (ja)
JPH0732166B2 (ja) 半導体集積回路
JPH0165151U (ja)
JPH0345661U (ja)
JPS58129651U (ja) 接合形電界効果トランジスタ
JPH03101516U (ja)