JPH0243725A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0243725A JPH0243725A JP19375888A JP19375888A JPH0243725A JP H0243725 A JPH0243725 A JP H0243725A JP 19375888 A JP19375888 A JP 19375888A JP 19375888 A JP19375888 A JP 19375888A JP H0243725 A JPH0243725 A JP H0243725A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体基板の一面に電極金属を破着し
、その電極面を支持板へろう付けする半導体装置の製造
方法に関する。
、その電極面を支持板へろう付けする半導体装置の製造
方法に関する。
半導体基板には、例えばダイオードあるいはサイリスタ
の１合のアノードまたはカソード電極、トランジスタの
場合のコレクタ１を鵠が基ヰ反の一面に金属の蒸着など
により全面に形成され、その金１面が電流取出しを兼ね
る金属支持仮にろう付けされる。半導体基板の一面を絶
縁して支持する場合も、その金属面が絶縁支持板のメタ
ライズ面にろう付けされる。このような電極金属のＦ４
ＴＩなどの工程前には、蒸着面を稀弗化水素酸あるいは
有機系溶剤等で洗浄を行う。
の１合のアノードまたはカソード電極、トランジスタの
場合のコレクタ１を鵠が基ヰ反の一面に金属の蒸着など
により全面に形成され、その金１面が電流取出しを兼ね
る金属支持仮にろう付けされる。半導体基板の一面を絶
縁して支持する場合も、その金属面が絶縁支持板のメタ
ライズ面にろう付けされる。このような電極金属のＦ４
ＴＩなどの工程前には、蒸着面を稀弗化水素酸あるいは
有機系溶剤等で洗浄を行う。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、このようにして被着された電極金属は、半導体
基板との密着が弱く、その後の工程で金属支持板等へ組
立をする場合に電極剥がれが生しやすいという問題があ
った。また、温度上昇による熱応力も剥離を引きおこす
ため、ろう付温度は３６０℃前後に制限されていた。こ
のような問題は基板上面に電極を被着し、接続導体とろ
う付けあるいは溶接する場合にも生じていた。
基板との密着が弱く、その後の工程で金属支持板等へ組
立をする場合に電極剥がれが生しやすいという問題があ
った。また、温度上昇による熱応力も剥離を引きおこす
ため、ろう付温度は３６０℃前後に制限されていた。こ
のような問題は基板上面に電極を被着し、接続導体とろ
う付けあるいは溶接する場合にも生じていた。
本発明の課題は、密着力の強い電極金属を被着し、組立
工程において基板面上の電極の剥がれが生じない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
工程において基板面上の電極の剥がれが生じない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
〔ｔ！１題を解決するための手段〕
上記の課題の解決の前に、本発明は、半導体基板への電
橋金属被着の前処理として被着面に気相エツチングを施
すものとする。
橋金属被着の前処理として被着面に気相エツチングを施
すものとする。
プラズマエツチング、スパッタエツチングあるいはイオ
ンエツチングなどの気相エツチングを施すことにより半
導体基板面が活性化され、電極金属との密着度が向上す
る。
ンエツチングなどの気相エツチングを施すことにより半
導体基板面が活性化され、電極金属との密着度が向上す
る。
第１図＋ａｌ〜ｌｄｌは本発明の一実施例のダイオード
の裏面電極形成工程を示す。第１図（＆）において、Ｎ
形ソリコン基板１に酸化１ｌＩ３をマスクとしての不純
物拡散に２層２を形成し、２層２にはＡＩ蒸着層を破着
してアノード電極４とする。第１図１ｃＩにおいては、
湿式化学的エツチングで裏面酸化膜５１を除去する０次
いで第１図１ｃＩにおいでは、フレオンガスと酸素との
混合ガスを用いて基板裏面を０１μ腸以Ｅプラス′マエ
ノチングする。これにより活性化面５が生ずる０次に第
１図（ｄ＋に示すように、この面５の上にＴｉ膜６．Ｎ
ｉ膜？、Ａｕ膜８を順次真空蒸着してｌ［面電場、すな
わちカソード電極９を形成する。裏面電極の構成は、Ｃ
ｒ−Ｎ１−ｆｉｕ等でもよい。これにより裏面電極９と
シリコン基板ｌの密着力が向上した。例えばシリコン基
板のチップ化のために基板を接着シート上に貼り付け、
基板を切断して千ノブ化後、シートからチップを取り外
すとき、従来は奥面電橋剥離のおそれのあるため、粘着
シートには権力粘着力の弱いものを使用していた。しか
し本発明により裏面電極９の密着力が向上したため、粘
着力の強いシートが使用可能になり、作業時の取扱いが
容易になった。また耐熱特性も大幅に改善され、裏面電
極のろう付は時の温度上昇も４２０℃まで許容されるよ
うになった。
の裏面電極形成工程を示す。第１図（＆）において、Ｎ
形ソリコン基板１に酸化１ｌＩ３をマスクとしての不純
物拡散に２層２を形成し、２層２にはＡＩ蒸着層を破着
してアノード電極４とする。第１図１ｃＩにおいては、
湿式化学的エツチングで裏面酸化膜５１を除去する０次
いで第１図１ｃＩにおいでは、フレオンガスと酸素との
混合ガスを用いて基板裏面を０１μ腸以Ｅプラス′マエ
ノチングする。これにより活性化面５が生ずる０次に第
１図（ｄ＋に示すように、この面５の上にＴｉ膜６．Ｎ
ｉ膜？、Ａｕ膜８を順次真空蒸着してｌ［面電場、すな
わちカソード電極９を形成する。裏面電極の構成は、Ｃ
ｒ−Ｎ１−ｆｉｕ等でもよい。これにより裏面電極９と
シリコン基板ｌの密着力が向上した。例えばシリコン基
板のチップ化のために基板を接着シート上に貼り付け、
基板を切断して千ノブ化後、シートからチップを取り外
すとき、従来は奥面電橋剥離のおそれのあるため、粘着
シートには権力粘着力の弱いものを使用していた。しか
し本発明により裏面電極９の密着力が向上したため、粘
着力の強いシートが使用可能になり、作業時の取扱いが
容易になった。また耐熱特性も大幅に改善され、裏面電
極のろう付は時の温度上昇も４２０℃まで許容されるよ
うになった。
第１図に示した実施例では、予め酸化膜５１をつＬ ’
）トエソチングで除去したが、その工程を省き、第１図
１ｃＩのプラズマエツチング時に酸化膜５１の除去も行
ってもよい。また、プラズマエツチングの代わりに、ス
パッタエツチングあるいはイオンエツチングなどの他の
気相エツチング法を適用することもできる。そのほか、
電極金属をスパッタリングなどで被着するときにも有効
である。
）トエソチングで除去したが、その工程を省き、第１図
１ｃＩのプラズマエツチング時に酸化膜５１の除去も行
ってもよい。また、プラズマエツチングの代わりに、ス
パッタエツチングあるいはイオンエツチングなどの他の
気相エツチング法を適用することもできる。そのほか、
電極金属をスパッタリングなどで被着するときにも有効
である。
本発明によれば、半導体基板への電極金属の破着の前処
理を気相エツチングにより行うことにより、ｉｉｔ極金
属の半導体基板との密着力が格段に向ＪＴ、 した。こ
れにより、従来の洗浄による前処理の場合のように後の
組立工程におけるｔ ｆｆｉ ＩＩ離の全件が情無とな
り、半導体装置製造コストの低減に掻めて大きな効果が
得られた。
理を気相エツチングにより行うことにより、ｉｉｔ極金
属の半導体基板との密着力が格段に向ＪＴ、 した。こ
れにより、従来の洗浄による前処理の場合のように後の
組立工程におけるｔ ｆｆｉ ＩＩ離の全件が情無とな
り、半導体装置製造コストの低減に掻めて大きな効果が
得られた。
第１図（５）〜（ｄ＋は本発明の一実施例の電極形成工
程を順次示す断面図である。 １−シリコン基板、４；アノード電極、５：プ面ズマエ
ツチング而、６：Ｔｉ膜、７：Ｎｉ１ｌ、８：Ａｕ膜、
９；裏面電極（カソード電橋）４７ノーＦ＠＠き 第１ 図
程を順次示す断面図である。 １−シリコン基板、４；アノード電極、５：プ面ズマエ
ツチング而、６：Ｔｉ膜、７：Ｎｉ１ｌ、８：Ａｕ膜、
９；裏面電極（カソード電橋）４７ノーＦ＠＠き 第１ 図
Claims (1)
- １）半導体基板への電極金属被着の前処理として被着面
に気相エッチングを施すことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19375888A JPH0243725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19375888A JPH0243725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243725A true JPH0243725A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16313322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19375888A Pending JPH0243725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243725A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004048688B4 (de) * | 2004-01-14 | 2013-05-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Leistungs-Halbleitervorrichtung |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19375888A patent/JPH0243725A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004048688B4 (de) * | 2004-01-14 | 2013-05-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Leistungs-Halbleitervorrichtung |
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