JPS58158917A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPS58158917A JPS58158917A JP57043571A JP4357182A JPS58158917A JP S58158917 A JPS58158917 A JP S58158917A JP 57043571 A JP57043571 A JP 57043571A JP 4357182 A JP4357182 A JP 4357182A JP S58158917 A JPS58158917 A JP S58158917A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に簡単な印刷および＃＠成方法で電極を形成す
る半導体装置の電極形成方法に関するものである。
る半導体装置の電極形成方法に関するものである。
第１囚乃至第４図に従来の太陽電池の電極形成方法を示
す工程図であり、以下に製造工程に従って説明する。第
１図ｒＬ電極が形成される前の状態？示す図で、ＰＭ半
導体基板ｉｌｌの一方の主面側にｎ型半導体層（３）が
形成されており、このｎ型半導体層（３）の上に反射防
止膜（４１が形成されている。電極の形成はこの後行な
われる０まず第２図に示すように、Ｐ型半導体基板１１
）の他方の主面上にＡｌ−Ａｇペース）１−印刷して半
導体基板用のｗ１極となる第１の導電層（６）を形成し
た彼、１５０℃前後のホットプレート上で１〜２分間プ
リベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発させる。次
に１１！３図に示すように反射防止膜（４）上にＡｇペ
ーストを印刷してｎ型半導体層用の電極となる導電層（
７）ｔ−形成した後、裏面のＡ／ −Ａ ｇペーストと
同様にプリベ−り１行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる。最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたホートラ
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れて、Ａ
／−ＡｇペーストおよびＡｇペース）ｔ−焼成させる。
す工程図であり、以下に製造工程に従って説明する。第
１図ｒＬ電極が形成される前の状態？示す図で、ＰＭ半
導体基板ｉｌｌの一方の主面側にｎ型半導体層（３）が
形成されており、このｎ型半導体層（３）の上に反射防
止膜（４１が形成されている。電極の形成はこの後行な
われる０まず第２図に示すように、Ｐ型半導体基板１１
）の他方の主面上にＡｌ−Ａｇペース）１−印刷して半
導体基板用のｗ１極となる第１の導電層（６）を形成し
た彼、１５０℃前後のホットプレート上で１〜２分間プ
リベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発させる。次
に１１！３図に示すように反射防止膜（４）上にＡｇペ
ーストを印刷してｎ型半導体層用の電極となる導電層（
７）ｔ−形成した後、裏面のＡ／ −Ａ ｇペーストと
同様にプリベ−り１行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる。最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたホートラ
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れて、Ａ
／−ＡｇペーストおよびＡｇペース）ｔ−焼成させる。
このとき、反射防止Ｍ（４）に薄く被着されているので
、第４図に示すようにＡｇペース）Ｈ反射防止膜（４）
を突き抜けてｎ型中導体層＋３１１と接続される。この
ようにして形成された太陽電池は、第５図に示すように
、電極にリード＃ （８１’ｅハンダ付けし、複数個の
太陽電池を直列に接続した太陽・電池パネルとして利用
する場合がある。
、第４図に示すようにＡｇペース）Ｈ反射防止膜（４）
を突き抜けてｎ型中導体層＋３１１と接続される。この
ようにして形成された太陽電池は、第５図に示すように
、電極にリード＃ （８１’ｅハンダ付けし、複数個の
太陽電池を直列に接続した太陽・電池パネルとして利用
する場合がある。
ところが、従来の太陽電池の電極形成方法によると＠に
、後工程である太陽電池パネル等の組立において、第１
の導電層（５）すなわち電極にリードｍ ｔｓ＋ ｔ−
ハンダ付けする際、電極の焼成工程でその電極の表面に
絶縁性Ａ４酸化物が形成されているため、そのままでに
ハンダ付は性が悪く、酸化物をブラシでこすって除去し
た後ハンダ付けを行なっていたが作業性が悪く、シかも
酸化物を完全に除去することに困難であり、酸化物が残
っている等のためにｇｔの導電層ｉｉｌとハンダとの接
着の機−３独酌強鼓か弱く、また電気的な直列抵抗が増
加して電流が流れにく（なり、太陽電池パネル等の規格
を満足させることができないという欠点があった０ この発明に上記のような従来の方法の欠点を除くために
なされたもので、半導体基板とオーミック接触する第１
の導電層と、この第１の導電層上にこれに比べて酸化し
にくい第２の導電層を印刷および焼成によって形成する
ことにより、従来と一様な簡単な方法を用いながら）１
ンダ付は性の良い電極を形成することができる方法を提
供することを目的としている０ 以下、この発明の一実施例を第６図〜第１２図の工程１
．１ｉｌ−用いて説明する。ｂσ工程としてｌ１ｇ６図
に示すように、Ｐ型ｓｔ半導体基板ｆｌ＋の破砕層を酸
エツチング液ぴ硝酸：弗酸：酢１ｇ＝３：１：２）でエ
ツチングし、片面で５０μｍ程度除去した後、王水で氷
化前処理を行なう。次にＰ型半導体基板１１１を１１０
０℃前後の電気炉の中に置いて第７図に示すように、全
体に数千オングストローム程度の厚みのＳｉＯ□膜（２
）全成長させる。次いでＰ型半導体基板（１）の一方の
主面のＳｉＯ□膜（２）ｔ−写真製版技術を用いて除、
去し、さらにレジスト膜（図示せず）全熱濃硫酸で除去
した後、王水でリン拡散前処理を行ない、次に９００℃
前後でリン拡散を行ない、第８図に示すｎ型半導体層（
３）全形成する０この後ｐｍ半導体基板（１）會弗酸系
の液に数分間浸漬してＳｌｙ、ＩＩＩ（２１およびリン
ガラス（図示せず）除去し、第９図に示すように、ｎｆ
ｆ１半導体層（３）上に反射防止膜（４）を形成する０
次に第１０図に示すように、Ｐ型反導体基板＋１１上に
Ａ／−Ａｇペーストを印刷してＰ型半導体基板用第１の
導電層（６）を形成した後、１５０℃前後のホットプレ
ート上でｌＮｚ分間プリベークを行ない、ペースト中の
溶媒を蒸発させ、さらにＰ型半導体基板（ｌｌｔ−ボー
トに並べ、このボー）ｆａ１００℃の空気雰囲気の焼成
炉に所足時間入れてＡ４−Ａｇペース）を焼成させる０
この後第１１因に示すように、Ａ４−Ａｇペーストを焼
成させて得たｗｉｌの導電層（６）の上にＡｇペース）
ｔ−印刷してＰ型半導体基板用第２の導電層（６）を形
成した後、ＡＪ’−Ａｇペーストと同様にプリベークを
行なってペースト中の溶媒を蒸発させ、次いで反射防止
Ｊ［ｔ＋＋上にもＡｇペース）１印刷してｎ型半導体層
用導電層（７）ｔ−形成した後、Ａ／−Ａｇペーストド
同様にプリベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる０最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたボートを
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れてＡｇ
ペース）’ｔｆｉｇさせる０反射防止膜（４１に薄く被
着されているので、第１０図に示すよう［、Ａｇペース
ト焼成のとき反射防止膜（４）上のＡｇペーストに反射
防止膜（４）ヲ突き抜けてｎｆｆ１半導体層（３］と接
続することに従来と同じである。
、後工程である太陽電池パネル等の組立において、第１
の導電層（５）すなわち電極にリードｍ ｔｓ＋ ｔ−
ハンダ付けする際、電極の焼成工程でその電極の表面に
絶縁性Ａ４酸化物が形成されているため、そのままでに
ハンダ付は性が悪く、酸化物をブラシでこすって除去し
た後ハンダ付けを行なっていたが作業性が悪く、シかも
酸化物を完全に除去することに困難であり、酸化物が残
っている等のためにｇｔの導電層ｉｉｌとハンダとの接
着の機−３独酌強鼓か弱く、また電気的な直列抵抗が増
加して電流が流れにく（なり、太陽電池パネル等の規格
を満足させることができないという欠点があった０ この発明に上記のような従来の方法の欠点を除くために
なされたもので、半導体基板とオーミック接触する第１
の導電層と、この第１の導電層上にこれに比べて酸化し
にくい第２の導電層を印刷および焼成によって形成する
ことにより、従来と一様な簡単な方法を用いながら）１
ンダ付は性の良い電極を形成することができる方法を提
供することを目的としている０ 以下、この発明の一実施例を第６図〜第１２図の工程１
．１ｉｌ−用いて説明する。ｂσ工程としてｌ１ｇ６図
に示すように、Ｐ型ｓｔ半導体基板ｆｌ＋の破砕層を酸
エツチング液ぴ硝酸：弗酸：酢１ｇ＝３：１：２）でエ
ツチングし、片面で５０μｍ程度除去した後、王水で氷
化前処理を行なう。次にＰ型半導体基板１１１を１１０
０℃前後の電気炉の中に置いて第７図に示すように、全
体に数千オングストローム程度の厚みのＳｉＯ□膜（２
）全成長させる。次いでＰ型半導体基板（１）の一方の
主面のＳｉＯ□膜（２）ｔ−写真製版技術を用いて除、
去し、さらにレジスト膜（図示せず）全熱濃硫酸で除去
した後、王水でリン拡散前処理を行ない、次に９００℃
前後でリン拡散を行ない、第８図に示すｎ型半導体層（
３）全形成する０この後ｐｍ半導体基板（１）會弗酸系
の液に数分間浸漬してＳｌｙ、ＩＩＩ（２１およびリン
ガラス（図示せず）除去し、第９図に示すように、ｎｆ
ｆ１半導体層（３）上に反射防止膜（４）を形成する０
次に第１０図に示すように、Ｐ型反導体基板＋１１上に
Ａ／−Ａｇペーストを印刷してＰ型半導体基板用第１の
導電層（６）を形成した後、１５０℃前後のホットプレ
ート上でｌＮｚ分間プリベークを行ない、ペースト中の
溶媒を蒸発させ、さらにＰ型半導体基板（ｌｌｔ−ボー
トに並べ、このボー）ｆａ１００℃の空気雰囲気の焼成
炉に所足時間入れてＡ４−Ａｇペース）を焼成させる０
この後第１１因に示すように、Ａ４−Ａｇペーストを焼
成させて得たｗｉｌの導電層（６）の上にＡｇペース）
ｔ−印刷してＰ型半導体基板用第２の導電層（６）を形
成した後、ＡＪ’−Ａｇペーストと同様にプリベークを
行なってペースト中の溶媒を蒸発させ、次いで反射防止
Ｊ［ｔ＋＋上にもＡｇペース）１印刷してｎ型半導体層
用導電層（７）ｔ−形成した後、Ａ／−Ａｇペーストド
同様にプリベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる０最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたボートを
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れてＡｇ
ペース）’ｔｆｉｇさせる０反射防止膜（４１に薄く被
着されているので、第１０図に示すよう［、Ａｇペース
ト焼成のとき反射防止膜（４）上のＡｇペーストに反射
防止膜（４）ヲ突き抜けてｎｆｆ１半導体層（３］と接
続することに従来と同じである。
ここでＩＩＩＨＰ型Ｓｌ牛導体基板、Ｍｌの導電層（６
）の材料にＡ／−Ａｉｒペースト、＠２の導電層＋６１
の材料ニＡｇペーストと組み合わせて説明したが、この
組み合わせに限るものでなく、要するに（１）ｒｒＬｌ
つの導電型の半導体基板、第１の導電層（６）に焼成に
よって前記半導体基板＋１１との間でオーミック接触す
る材料、第２の導電層（４１１ｒ［Ｇ１の導電Ｎ（６）
と比へて酸化しにくい材料の組み合わせであればよい。
）の材料にＡ／−Ａｉｒペースト、＠２の導電層＋６１
の材料ニＡｇペーストと組み合わせて説明したが、この
組み合わせに限るものでなく、要するに（１）ｒｒＬｌ
つの導電型の半導体基板、第１の導電層（６）に焼成に
よって前記半導体基板＋１１との間でオーミック接触す
る材料、第２の導電層（４１１ｒ［Ｇ１の導電Ｎ（６）
と比へて酸化しにくい材料の組み合わせであればよい。
以上述べたように、この発ＢＡが従来と異なるところに
、１つの導電型の半導体基板ｆｌ＋の表向に形成された
第１の導電層（５）の上に、第１の導電層（５）が有す
る欠点を補なう第２の導電、鳴（６）を形成する工程を
追加した点である。
、１つの導電型の半導体基板ｆｌ＋の表向に形成された
第１の導電層（５）の上に、第１の導電層（５）が有す
る欠点を補なう第２の導電、鳴（６）を形成する工程を
追加した点である。
なお、１つの４電娶の半導体基板ｉｌｌをＰ型ＧａＡ。
半導体基板、第１の導電層（６）の材料’ｔＺｎ−Ａｇ
ペースト、第２の導電層（θ）の材料ＹｒＡｇペースト
と組み合わせてもよく、所期の目的を達成し得ることに
ｉ５までもない。
ペースト、第２の導電層（θ）の材料ＹｒＡｇペースト
と組み合わせてもよく、所期の目的を達成し得ることに
ｉ５までもない。
また、上記実施例でに、第１の導電層（５）の材料を焼
成した後、第゛２の導電、層（６）の材料を焼成させた
が、両者を同時に焼成させてもよく、この場合焼成工程
を一回省略することができ、作業性を向上させることが
できる。
成した後、第゛２の導電、層（６）の材料を焼成させた
が、両者を同時に焼成させてもよく、この場合焼成工程
を一回省略することができ、作業性を向上させることが
できる。
第１および第２の導電層の印刷に、半導体基板の表面の
全体であっても部分的でろってもよい。
全体であっても部分的でろってもよい。
また、上記実施例でに、ペーストを印刷した後、ペース
）ｔ−蒸発させる乾燥工程が入れてあったが、粘度の高
いペーストであれば乾燥工程に入れなくてもよい。
）ｔ−蒸発させる乾燥工程が入れてあったが、粘度の高
いペーストであれば乾燥工程に入れなくてもよい。
以上、太陽電池の電極形成方法について説明し友が、こ
の発明に他の半導体装置の電極形成にも適用でき不こと
ばいうまでもない。
の発明に他の半導体装置の電極形成にも適用でき不こと
ばいうまでもない。
以上のようにこの発明゛によれば、半導体基板上に、そ
れと、オーミ・リフ接触する第１の導電層と、この第１
の導電層上にこれより酸化しにくい第２の導電層を印刷
および焼成して電極を形成するようにしたので、従来と
同様の簡単な方法を採用しながら、後工程である組立に
おいて従来のような電体表面のＡ／酸化膜除去工程を経
ずと％電極へのり−ド耐等のハンダ付けが容易な電極を
形成できるという効果がめる。
れと、オーミ・リフ接触する第１の導電層と、この第１
の導電層上にこれより酸化しにくい第２の導電層を印刷
および焼成して電極を形成するようにしたので、従来と
同様の簡単な方法を採用しながら、後工程である組立に
おいて従来のような電体表面のＡ／酸化膜除去工程を経
ずと％電極へのり−ド耐等のハンダ付けが容易な電極を
形成できるという効果がめる。
講１図乃至ｇ４図ａ従来の太陽電池等の半導体装置の電
極形成方法を示す工程′図、ＩｉｉｇＩＳ図に太陽電池
パネルの組立図、ａ！６図〜［１２図にこの発明の一実
施例を示す工程図である。 図において、ｉｌｌに半導体基板、（５）に第１の導電
層、（６）に第２の導電層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すものと
する０ 代理人 葛野信− 第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５７．７月１６日゛ １、事件の表示 特願昭♂７．４．１（ｌｆ２、
発明の名称 半導体装置の電極形成方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第６行目の「熱濃硫酸」を「熱濃硫酸」と
訂正する。 以 上
極形成方法を示す工程′図、ＩｉｉｇＩＳ図に太陽電池
パネルの組立図、ａ！６図〜［１２図にこの発明の一実
施例を示す工程図である。 図において、ｉｌｌに半導体基板、（５）に第１の導電
層、（６）に第２の導電層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すものと
する０ 代理人 葛野信− 第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５７．７月１６日゛ １、事件の表示 特願昭♂７．４．１（ｌｆ２、
発明の名称 半導体装置の電極形成方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第６行目の「熱濃硫酸」を「熱濃硫酸」と
訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板の主面上に、それとオーミック接触す
るＩＩＩの導電層を印刷する工程、前記第１の導電層上
に前記第１の導電層より酸化しにくいＩＩＩＥ！の導電
層を印刷する工程、前記第ｌおよび第３導電層を焼成す
る工程を含む半導体装置の電極形成方法。 （り半導体基板をＰＷ８１半導体基板、纂ｌの導電層の
材料ｔ−Ａ／−Ａｇベース）、ｇ２の導電層の材料ｔＡ
ｇペーストとした特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の電極形成方法。 （３）半導体基板ｋ Ｐ Ｍｌ ＧａＡｓ半導体基板、
ｇｘの導電層の材料ｔＺｎ−Ａｇペース）、ｊ１２の導
電層の材料をＡｇペーストとした特許請求の範１１１！
１項記載の半導体装置の電極形成方法。 （４） 第１および１ｌＥ２の導電層の焼成を同時と
した特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の電極形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043571A JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043571A JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158917A true JPS58158917A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12667430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57043571A Pending JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119274A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池素子 |
| JPH03250673A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57043571A patent/JPS58158917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119274A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池素子 |
| JPH03250673A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
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