JPS5884468A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS5884468A JPS5884468A JP56182550A JP18255081A JPS5884468A JP S5884468 A JPS5884468 A JP S5884468A JP 56182550 A JP56182550 A JP 56182550A JP 18255081 A JP18255081 A JP 18255081A JP S5884468 A JPS5884468 A JP S5884468A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良されたシリコン太陽電池の製造方法に関す
るものである。
るものである。
第1図、#!2図は従来の太陽電池の製造方法を示す工
程別断面図である。
程別断面図である。
従来のシリコン太陽電池は第1図に示すようにスライス
したp製シリコンウエノ5(11を硝酸、弗酸。
したp製シリコンウエノ5(11を硝酸、弗酸。
酢酸の混合液で数分間エツチングを行ない、シリコンウ
ェハの破砕層を除去した後、公知の拡散前処理を行ない
、シリコンウエノ\を酸化炉に投入し工数千オングスト
ロームんの酸化膜を形成する。
ェハの破砕層を除去した後、公知の拡散前処理を行ない
、シリコンウエノ\を酸化炉に投入し工数千オングスト
ロームんの酸化膜を形成する。
次に、写真製版法によりシリコンウエノ1の一方の主面
の酸化膜を除去し、その除去した面にリン拡散を行ない
、浅いn型半導体層(2)を形成する。
の酸化膜を除去し、その除去した面にリン拡散を行ない
、浅いn型半導体層(2)を形成する。
このように、n型半導体層(2)を形成した後、シリコ
ンウェハのn型半導体層(2)側の主面とpm半導体層
11111の主面が判別できるように印をつける。
ンウェハのn型半導体層(2)側の主面とpm半導体層
11111の主面が判別できるように印をつける。
次に、シリコンウェハ表面の汚れ、リンガラス層。
酸化膜等を除去する為に弗酸系の溶液で電極前処理を行
ない、n型半導体層(211illの主面とp型半導体
鳩(1)側の主面にAgまたはAgとAtの混合物、ガ
ラス、m剤から成るペーストを印刷して金属電極14)
(5)を形成する。次に、数百度に調整し九電気炉にシ
リコンウェハを投入して金属電極+41 (63がシリ
コンウェハと良好な電気的接触を有するようにする。
ない、n型半導体層(211illの主面とp型半導体
鳩(1)側の主面にAgまたはAgとAtの混合物、ガ
ラス、m剤から成るペーストを印刷して金属電極14)
(5)を形成する。次に、数百度に調整し九電気炉にシ
リコンウェハを投入して金属電極+41 (63がシリ
コンウェハと良好な電気的接触を有するようにする。
次に、第2図に示すようにn型半導体層(2)貴の主面
に太陽光の吸収を良(する為に厚みが500〜ツ50A
のTa ao 6からなる反射防止III (37を形
成する。
に太陽光の吸収を良(する為に厚みが500〜ツ50A
のTa ao 6からなる反射防止III (37を形
成する。
この時、金属電極(4)の表面(aa)を図示しないモ
リブデン板からなる電極カバーで機う。これは、反射防
止膜(3)が金属電極(4)の表面に付着し、後工程で
のハンダ付を困−とすることがないようにする為である
。次に、反射防止lIK <8)の表面を清浄にし。
リブデン板からなる電極カバーで機う。これは、反射防
止膜(3)が金属電極(4)の表面に付着し、後工程で
のハンダ付を困−とすることがないようにする為である
。次に、反射防止lIK <8)の表面を清浄にし。
かつシリコンウェハとの結合度を高める為、シリコンウ
ェハを400°前後に昇温した水素炉に投入する。更に
、ウェハ特性評価等を行なった後、良品のシリコンウェ
ハはパネルにはり付けられ太陽電池モジュールとじて完
成する。
ェハを400°前後に昇温した水素炉に投入する。更に
、ウェハ特性評価等を行なった後、良品のシリコンウェ
ハはパネルにはり付けられ太陽電池モジュールとじて完
成する。
しかしながら、上記従来の太陽電池の113!!方法は
、金属電極(4)の形成後、反射防止膜(3)を形成す
る金属電極(4)を電極カバーで覆う作業が必要であシ
、作業性が良好でなかった。また、反射防止膜(3)は
スパッタ装置で成長する為、電極カバーで覆われない金
属電極(4)の側部(4b)はTa*Oaが直接衝突し
て金属電極(4)中に入り線間抵抗が大きくなり、この
為電流が流れにくくなり、短絡電流や変換効率の低下も
引き起す。
、金属電極(4)の形成後、反射防止膜(3)を形成す
る金属電極(4)を電極カバーで覆う作業が必要であシ
、作業性が良好でなかった。また、反射防止膜(3)は
スパッタ装置で成長する為、電極カバーで覆われない金
属電極(4)の側部(4b)はTa*Oaが直接衝突し
て金属電極(4)中に入り線間抵抗が大きくなり、この
為電流が流れにくくなり、短絡電流や変換効率の低下も
引き起す。
本発明は上記従来の太陽電池の製造方法の欠点を取除(
為になされたものであシ、反射防止膜を形成後、金属電
極を形成し、作業性が良好となるとともに製品の特性を
改善することができる太陽電池の製造方法を提供するも
のである。
為になされたものであシ、反射防止膜を形成後、金属電
極を形成し、作業性が良好となるとともに製品の特性を
改善することができる太陽電池の製造方法を提供するも
のである。
本発明の一実施例を+43図、第4図工程刷新面図によ
シ説明する。なお、リン拡散によるnm半導体層(2)
の形成までは上記従来の製造方法と同様であり、説明は
省略する。まず、第3図に示すように、リン拡散で形成
されたリンガラス層及びp履半導体層11)側の主面・
・の酸化膜の除去を行ない。
シ説明する。なお、リン拡散によるnm半導体層(2)
の形成までは上記従来の製造方法と同様であり、説明は
省略する。まず、第3図に示すように、リン拡散で形成
されたリンガラス層及びp履半導体層11)側の主面・
・の酸化膜の除去を行ない。
次に、n型半導体層121tillの主面に厚みが50
0〜〒5OAのTa5ksからなる反射防止膜(3)を
形成し、更に反射防止膜(3)上にAgまたはAgとh
Lの混合物。
0〜〒5OAのTa5ksからなる反射防止膜(3)を
形成し、更に反射防止膜(3)上にAgまたはAgとh
Lの混合物。
ガラス、溶剤から成るペーストを印刷して金属電極(4
)を被着するとともに、金属電極(4)と同様の印刷法
によt)p型半導体層11111の主面に金属電極(6
)を形成する。これらの金属電極(41+53の形成後
シリコンウェハを電気炉に投入する。この熱も理によっ
て金属電極(4)は反射防止膜(3)を拡散し、mai
l半導体層(2)との電気的に良好な接触を祷る。
)を被着するとともに、金属電極(4)と同様の印刷法
によt)p型半導体層11111の主面に金属電極(6
)を形成する。これらの金属電極(41+53の形成後
シリコンウェハを電気炉に投入する。この熱も理によっ
て金属電極(4)は反射防止膜(3)を拡散し、mai
l半導体層(2)との電気的に良好な接触を祷る。
との熱処理温度は反射防止I! (3)の厚みが500
〜〒5OAの場合、760℃程度が最適である。
〜〒5OAの場合、760℃程度が最適である。
このような一実施例によれば、金属電極(4)の形成の
作業性が良好になるので、製品の価格も低摩になり、更
に特性においても線間抵抗の増大、短絡電流や変換効率
の低下等の悪くなるという□問題・が取り除かれ、特性
の向上にも大きな効果を上げることが可能となった。
作業性が良好になるので、製品の価格も低摩になり、更
に特性においても線間抵抗の増大、短絡電流や変換効率
の低下等の悪くなるという□問題・が取り除かれ、特性
の向上にも大きな効果を上げることが可能となった。
第5図は上記一実施例のV−工時性を示すグラフCある
。図中、(a)は従来の製造方法により作られ九太陽電
池の特性カーブ、(1))は上記一実施例によ妙作られ
た太陽電池の特性カーブである。
。図中、(a)は従来の製造方法により作られ九太陽電
池の特性カーブ、(1))は上記一実施例によ妙作られ
た太陽電池の特性カーブである。
このグラフからも明らかなように上記−実織例により作
られ九太陽電池は従来の製造方法により作られた太陽電
池よりも小電流領域での翻れ電流が非常に小さい〔10
分のl (at 0.2V) )。
られ九太陽電池は従来の製造方法により作られた太陽電
池よりも小電流領域での翻れ電流が非常に小さい〔10
分のl (at 0.2V) )。
これによって太陽電池の変換効率が10チ以上向上し開
放端電圧、短絡電流、変換効率共良好な矢湯電池を得る
ことが可能となった。
放端電圧、短絡電流、変換効率共良好な矢湯電池を得る
ことが可能となった。
以上説明のように、本発明によれば反射防止膜を形成後
、この反射防止膜上に金属電極を形成したので、作業性
を同上することができると共に、短絡電流や変換効率が
艮好な太陽電池を得ることができるという優れた効果を
有する。
、この反射防止膜上に金属電極を形成したので、作業性
を同上することができると共に、短絡電流や変換効率が
艮好な太陽電池を得ることができるという優れた効果を
有する。
#I1図、第2図は従来の太陽電池の製造方法を示す工
程別断面図、第3図、第4図は本発明の一実施例を示す
工程別断面図、第5図は本発明の一実施例により作られ
た太陽電池のV−1特性を示すグラフである。 (1]はp型半導体層、(2)はn型半導体層、(3)
は反射防止膜、(4)は金属電極である。 代理人 葛野信− 第1図 第2図 第3図 第4図
程別断面図、第3図、第4図は本発明の一実施例を示す
工程別断面図、第5図は本発明の一実施例により作られ
た太陽電池のV−1特性を示すグラフである。 (1]はp型半導体層、(2)はn型半導体層、(3)
は反射防止膜、(4)は金属電極である。 代理人 葛野信− 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 第1導111111iの半導体基板の一方の土面に第2
尋*mの半導体層を形成する工程と、前記一方の主面に
反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に金属
電極を被着する工程と、前記金属電極を熱処理により前
記第2導電飄の半導体層に電気的に接触させる工程とを
含む太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56182550A JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56182550A JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5884468A true JPS5884468A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16120239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56182550A Pending JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5884468A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0338657A1 (en) * | 1988-01-30 | 1989-10-25 | The British Petroleum Company p.l.c. | Method for producing a silver electrode on a photovoltaic silicon cell |
WO1993024960A1 (en) * | 1992-05-27 | 1993-12-09 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cells with thick aluminum contacts |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49114888A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56182550A patent/JPS5884468A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49114888A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0338657A1 (en) * | 1988-01-30 | 1989-10-25 | The British Petroleum Company p.l.c. | Method for producing a silver electrode on a photovoltaic silicon cell |
WO1993024960A1 (en) * | 1992-05-27 | 1993-12-09 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cells with thick aluminum contacts |
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