JPH0242739A - Ｃｏｂ実装プリント回路板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体チップを裸のまま直接絶縁基板の上に搭
載した構造のＣＯＢ　（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）
実装プリント回路板に関し、更に詳しくは、主としては
んだ付は時にチップと基板間に発生する熱応力を吸収す
ることができ、また絶縁基板として積層板を用いたとき
に、積層板に含有されているイオン不純物の不都合な作
用を封殺することができるので、高い接合信頼性を備え
たＣＯＢ実装プリント回路板に関する。

（従来の技術） ＣＯＢ実装プリント回路板は、半導体ベアチップの実装
密度を高めることができるので、デジタルウォッチや電
卓等の民生用機器から大型コンピュータ等の産業用機器
に到るまでの広い電子産業分野で採用されている。

半導体ベアチップを絶縁基板の上に搭載し、これを基板
上に形成されているランドパターンと電気的に接続する
方法としては、大別して、ワイヤボンディング方式、テ
ープキャリア方式およびフリップチップ方式が実際に行
なわれている。

これらの方式のうち前二者は、半導体ベアチップを基板
に搭載するときに行なうはんだ付は時に発生するチップ
と基板間の熱応力を回避できるという点では好適である
が、しかし基板上に形成される配線パターンの幅は１０
０μｍ程度が必要となるため、実装密度を高めるという
点では不適である。

一方、フリップチップ方式においては、第５図にその１
例を断面図として示したように、絶縁基板５１の表面に
複数個のランド５２と、このランドを起点として基板５
１の上を伸長していく配線パターンを直接形成し、半導
体チップの電極部に形成されているバンブ５３を前記し
たランド５２にはんだ付けすることによって半導体チッ
プ５４が搭載されている。

この方式は、前記した他の２方式の場合に比べ、半導体
チップの実装密度が高いプリント回路板を製造すること
ができる。しかし実装密度の向上はそれに対応してはん
だ付は回数を多くすることになり、またチップ動作時に
おける発熱量の増大を招き、半導体チップと絶縁基板と
の熱応力の増大を招く。

このようなことから、絶縁基板としては一般に、耐熱性
が良好で低熱膨張性も備えているアルミナやベリリアの
ようなセラミックス材が用いられている。しかしながら
、これらの材料は高価であり、また大寸法のプリント回
路板の製作にとって通しているとはいえない。

また最近では、この方式の絶縁基板として、ケブラーポ
リイミド、銅タラッドインバー、銅カーボン複合材など
が開発され検討されているが、しかしこれらの材料はい
まだ高価であり、一部の特殊な分野に適用されるにとど
まっている。

なお、価格の点や大寸法品の製造の点からいえば、絶縁
基板としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂積層板、ガ
ラスポリイミド樹脂積層板、更に、紙をベースとしエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂等を用い
た積層板を利用することが工業的であるといえる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記したような積層板はいずれも、その
内部または表面に各種のイオン不純物が存在している。

これらのイオン不純物のうち、とくに、Ｌｉ”、Ｎａ”
、Ｋ”のようなアルカリ金属イオンやＦ−、Ｃ１−、Ｂ
ｒ−のようなハロゲンイオンは、たとえそれらが数ｐｐ
−でも基板に存在していると、基板の絶縁低下をもたら
す、これらのイオン不純物は、積層板の製造過程でその
工程を厳密に管理することにより除去可能であるが、し
かしそのような処置は工程上もまた経済的にもメーカー
にとって多大の負担となってしまい工業的とはいえない
。

またイオン不純物は、それが移動することにより、半導
体チップの例えばアルミニウム電極の腐食を招くことが
ある。

本発明は絶縁基板が安価な積層板であるにもかかわらず
、フリップチップ方式における上記した問題点を解消し
、信頼性の高いＣＯＢ実装プリント回路板の提供を目的
とする。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明においては、絶縁基
板；該絶縁基板の表面に形成され、イオン交換体が含有
されている柔軟性接着剤層；咳柔軟性接着剤層の上に形
成されたランドおよび該ランドに接続する配線パターン
；ならびにバンブを介して前記ランドに接合されて搭載
された半導体ベアチップから成ることを特徴とするＣＯ
Ｂ実装プリント回路板、更には、絶縁基板；該絶縁基板
の表面に形成され、イオン交換体が含有されている柔軟
性接着剤層；該柔軟性接着剤層の上に形成されたランド
および該ランドに接続する配線パターン；少なくとも前
記ランドおよび前記配線パターンを形成する部分を除く
前記柔軟性接着剤層の上に形成され、イオン交換体が含
有されている保護被膜；ならびにバンプを介して前記ラ
ンドに接合されて搭載された半導体ベアチップから成る
ことを特徴とするＣＯＢ実装プリント回路板が提供され
る。

以下に、本発明のプリント回路板を図面に則して詳細に
説明する。第１図は本発明のプリント回路板の断面図、
第２図は絶縁基板上に形成されたランドおよび配線パタ
ーンの模様を示す平面図である。

図において、絶縁基板１０表面には後述する柔軟性接着
剤層２が形成され、その所定位置には例えば銅を主体と
する複数個のランド３とこれらランド３から所定の配線
設計に基づいて絶縁基板１内を伸長する配線パターン４
が形成されている。

このランド３には、半導体ベアチップ５の電極部に形成
されたバンブ６がはんだ付けして接合され、そのことに
より半導体ベアチップ５が絶縁基板１上に搭載されてい
る。

ここで、絶縁基板としては従来から電子機器に使用され
るプリント配線板用のものであれば何であってもよいが
、例えば、祇−エポキシ樹脂、祇−フェノール樹脂、ガ
ラス−エポキシ樹脂、不織布−エポキシ樹脂、紙−不飽
和ポリエステル樹脂、ガラス−ポリイミド樹脂のように
、各種の基材と各種の熱硬化性樹脂を組合せて製造した
積層板；ポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルファイ
ド樹脂、ポリエーテルスルファイト樹脂のような熱可塑
性樹脂の絶縁基板；ポリイミドフィルム；およびこれら
の多層プリント配線板をあげることができる。

これら絶縁基板の製造過程で含有されてくるイオン不純
物の前記した不都合な作用を封殺するために、これら絶
縁基板を構成する各種の樹脂中にはイオン交換体を含有
せしめることが好適である。

この場合、イオン交換体としては、有機イオン交換体、
無機イオン交換体等を利用することができるが、耐熱性
にすぐれた一〇Ｈ基を有する無機イオン交換体が好適で
ある。さらに詳しくは、−ＯＨ基を有する無機陽イオン
交換体および一〇Ｈ基を有する無機陰イオン交換体を伴
せて含有させることにより、イオン不純物の影響をより
効果的に防止することが可能となる。

好適なイオン交換体である無機イオン交換体としては、
陽イオン交換性、特にアルカリ金属イオンに対して高選
択性を有する、アンチモン酸（ＳｂｚＯｓ　・ｎＨ２Ｏ
）、ニオブ酸（ＮｂｔＯｓ　・ｎＨｚｏ）及びタンタル
酸（Ｔａｘｅｓ・ｎＨＪ）に代表される三価金属の含水
酸化物；リン酸ジルコニウムに代表される不溶性四価金
属リン酸塩；陰イオン交換性、特にハロゲンイオンに対
して高選択性を存する含水酸化ビスマス、含水酸化鉛で
代表される含水金属酸化物；水酸化リン酸鉛；鉛ヒドロ
キシアパタイト、鉛ヒドロキシアパタイト・含水酸化硝
酸ビスマスで代表されるアパタイト類ならびにハイドロ
タルサイト類をあげることができる。

陽イオン交換体としては、その他、タリウム酸、モリブ
デン酸およびタングステン酸等；陰イオン交換体として
は、その信金水酸化鉄、含水酸化スズ、その信金水酸化
アルミニウム、含水酸化ジルコニウムおよび含水酸化チ
タン等をあげることができる。

これらの無機イオン交換体のうち、アンチモン酸で代表
される三価金属の含水酸化物は、とくにアルカリ金属イ
オンの捕捉に優れている。

一方、ハロゲンイオン捕捉用としては、含水酸化ビスマ
ス、含水酸化鉛、鉛ヒドロキシアパタイトおよび水酸化
リン酸鉛が優れており、なかでも−ＯＨ基を一部ＮＯｓ
基に置換したものは、特に優れている。これら無機イオ
ン交換体は、金属イオン捕捉用のものを単独に使用して
もよく、ハロゲンイオン捕捉用のものと併用しても良い
。

また、−０ｔ（基を有する無機イオン交換体としては、
２種以上の金属元素を含む複合物（例えばアンチモン酸
マンガンやアンチモン酸スズ等）やそれらの混合物を使
用することが可能である。

このときの無機イオン交換体の粒度は、イオン捕捉速度
や目的とするイオンとの接触機会を大きくするために細
かい方が望ましく、好ましくは１０μｍ以下で、より好
ましくは５μｍ以下である。

イオン交換体は次のようにしてイオン不純物の作用を封
殺する。すなわち、−ＯＨ基を有する無機イオン交換体
によるイオン捕捉作用は次の通りである。金属イオン捕
捉用の無機陽イオン交換体をＲＯ−「、不純物である金
属イオンをＭ”ＯＲ−の水酸基型で表すと、イオン交換
は次のようになり、結果として水を生成する。

ＲＯ−Ｈ”＋Ｍ”ＯＨ−→ＲＯ−Ｍ”＋Ｈ１０−（ａ）
上記のイオンを捕捉する反応は、イオン交換反応である
が、無機イオン交換体の特徴として、逆反応はおこりに
くく、一般には一度捕捉されたイオンは遊離しにくい、
これは、ＲＯ−Ｈ”の結合がＲＯ−Ｍ”になった後のＯ
−Ｍ間の結合は、共有結合性が強いためと思われる。

ハロゲン等のイオン不純物に対しては、−ＯＨ基を有す
る無機陰イン交換体をＲ”ＯＨ−、ハロゲンイオンをＨ
”Ｘ−の酸型で表すと次のようなヌ応となり、結果とし
て水を生成する。

Ｒ”ＯＲ−＋Ｈ’Ｘ−→Ｒ”Ｘ＋Ｈ！０−（ｂ）中性塩
の場合には、上記の（ａ）（ロ）の反応が同時に起こる
。

ＲＯ−Ｈ”＋Ｒ”　ＯＨ＋Ｍ”Ｘ− →ＲＯ−Ｍ”＋Ｒ’　”Ｘ−＋ｌｈＯ＝（Ｃ）このよう
に、絶縁基板の構成樹脂中に含有されている不純物イオ
ンはイオン交換体によって捕捉されるので、絶縁基板の
絶縁抵抗の低下や電極の腐食等の現象が解消する。

この場合、イオン交換体の絶縁基板を構成する樹脂に対
する含有量が少なすぎると、不純物イオンの捕捉能が低
下して上記効果を発揮することができず、逆に含有量が
多すぎると、絶縁基板の絶縁性を阻害する等の問題が生
じはじめるので、その含有量は、構成樹脂に対し０．１
〜２５重量％であることが好ましい、とくに好ましい含
有量は０゜１〜１０重量％である。

絶縁基板が複数板のプリプレグを積層して構成した積層
板であった場合、各プリプレグの構成樹脂にイオン交換
体を含有せしめてもよいが、その最外層のプリプレグ、
すなわち半導体ベアチップが搭載されるプリプレグにの
みイオン交換体を上記した含有量の範囲で含有せしめて
もよい、このようにしても、イオン交換体の不純イオン
捕捉能を確保することができる。そして経済的には有利
となる。

柔軟性接着剤層２は、絶縁基板１と半導体ベアチップ５
の接合時やチップの動作時に両者間で発生する熱応力を
吸収するための層である。そのため、例えばはんだ付は
作業時の温度下にあっても、柔軟性を有していることが
必要であり、更にはゴム弾性を示すことが好ましい。

この場合の柔軟性接着剤層は、その伸び率がＡＳＴＭＤ
８８２の試験方法で測定して５〜２５０％であるような
柔軟性を有することが好ましく、更に好ましくは２５〜
１００％である。伸び率が５％未満では熱応力の吸収性
が弱く、また２５０％を超えるとパターン形成とき接着
剤の変動が大きくなり、ファインパターンの形成が困難
となり易いからである。

このような柔軟性接着剤層２は、柔軟性を有しかつ接着
性を有する樹脂Ａと熱硬化性樹脂Ｂとを所定量比で配合
して成る樹脂組成物の使用が好ましく、該組成物を、デ
イツプ法、カーテンコート法、ロールコート法、金属ま
たは絶縁フィルム等からなるキャリアを用いた転写法、
スクリーン法などの方法によって、絶縁基板１の表面に
塗布して形成される。

ここで、エポキシ樹脂、ポリビニルアセクール樹脂、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルアセテート、などをあ
げることができる、また、ゴム弾性を有するものとして
、例えば塩化ゴム、ブタジエンアクリル二トル共重体を
あげることができる。

熱硬化性樹脂Ｂは、チップをフローソルダリング、リフ
ローソルダリング、ペーパーフェイズソルダリング等の
はんだ付けを行なうときに、この柔軟性接着剤層２に加
わる熱に対する抵抗力を高める作用を有するもので、例
えば、フェノール、レゾルシノール、クレゾールのよう
な油溶性フェノール系樹脂；キシレノールとアルデヒド
またはフルフラールとから成り融解可能な共重合物；ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂などをあげることができ
る。

柔軟性接着剤層２をは、前記したように接着性樹脂Ａと
熱硬化性樹脂Ｂとの配合物であることが望ましく、樹脂
Ｂの配合割合が大きくなるにつれて層２の柔軟性が低下
しはんだ付は時の耐熱衝撃性が低くなり、また逆に割合
が小さくなると、樹脂Ａの柔軟性に起因して、後述する
配線パターンの形成時に層２が揺動しやすくなり、ファ
インパターンの形成が困難になる。

両者の最も最適な配合割合は、これらの利害損失を勘案
して、目的に応じて適宜設定することができる。

形成される柔軟性接着剤層２の厚みは２０〜１００μｍ
であることが好ましい、その厚みが２０μｍより薄い場
合は絶縁基板１との間で充分な密着強度が得られず、し
かも熱応力の吸収能も低下する。

また、１００μｍより厚くなると層は柔軟性が顕著とな
りすぎ、ファインな配線パターンの形成が困難になる。

例えば、ガラス−エポキシ樹脂積層板上にアクリルニト
ルブタジエンゴムーフェノール樹脂を主成分とする樹脂
組成物を数十μｍ塗布した絶縁基板のランドに最大１０
■ピツチの電極を有する半導体ベアチップを搭載し、実
際上量も過酷なストレスであるはんだ付は時に約２５０
°Ｃまで加熱され、常温の２０℃まで冷却されたとする
と、積層板の収縮はｌＯ■の長さで約３０μｍとなる。

そして、半導体ベアチップの電極部において、この応力
が均等に分散されたと仮定した場合、両端の電極部にお
ける収縮の差は各々１５μｍとなる。

この１５μｍの挙動応力を前記した柔軟性接着剤層が吸
収できるように樹脂組成物の組成を管理し、形成された
層の弾性率の制御と厚みの制御を前記したように行なう
ことにより半導体ベアチップの絶縁基板への接合におけ
る信転性を高く確保することが可能となる。

この柔軟性接着剤層には、前記したイオン交換体を含有
せしめる。その場合の含有量は柔軟性接着剤層を構成す
る樹脂組成物に対し、０．１〜１５重量％であることが
好ましい、とくに、０．１〜１０重量％であることが好
ましい。

含有量が０．１重量％未満の場合は、イオン不純物の捕
捉能が低下し、また１５重置％を超えると、接着剤層の
絶縁性や他の接着性能を阻害する恐れがあるからである
。

本発明のプリント回路板においては、既に述べた柔軟性
接着剤層２の上に、第２図に示したように、複数個のラ
ンド３とこれらランドを起点とする配線パターンが形成
されている。

この場合、ランド３近傍の配線パターンの部分に、屈曲
した平面形状の屈曲部４ａを形成しておくと、半導体ベ
アチップのランド３への接合時に発生する熱応力が分散
され、配線パターン４の破損・切断を回避することがで
きて有益である。

なお、第３図に断面図として示したように、第１図に示
した構造において、ランド３および配線パターンの直下
の柔軟性接着剤層２ａのみを残して、他の柔軟性接着剤
層を除去した構造にすると、それぞれのランドおよび配
線パターン間に存在する柔軟性接着剤層の相互移動現象
が抑制され、また熱応力等の各種応力に対する変形能も
向上し、チップと基板の接合信顛性が一層向上して有益
である。

本発明の他のプリント回路板は、第４図に断面図を示す
ように、第１図に示した構造に加えて、柔軟性接着剤層
２とランド３および配線パターンを被覆し、かつ前記し
たイオン交換体が含有されている保護被膜６を形成した
構造のものである。

この場合、保護被膜６を構成するマトリックス樹脂とし
ては、感光性樹脂フィルムで構成されたドライフィルム
レジスト；熱硬化型またはＵＶ（紫外線）硬化型の液状
レジストでかつ永久レジストとして使用されるソルダレ
ジスト；ポリイミド、ポリエステルまたはポリアミド系
の絶縁性フィルムに接着剤を塗布したフィルムタイプの
フレキシブルプリント回路板用カバーレイ；エポキシ系
樹脂やメラミン樹脂等の熱硬化型またはアクリル酸、メ
タクリル線、ケイ皮酸で変性したポリブタジェンなどか
らなるＵＶ硬化型の絶縁ペーストをあげることができる
。

最外層としての保護被膜中に無機イオン交換体を含有さ
せる場合に、マトリックス樹脂としては例えば柔軟性を
有するソルダレジストを使用することが好ましいが、ソ
ルダレジストは一般的にその厚みが１０〜２０μｍと薄
いため、ソルダレジストそれ自体の熱応力は非常に小さ
くなり、しかもツレダレシストに柔軟性があればそのこ
とだけでソルダレジスト自体が熱応力を吸収するので、
半導体ベアチップへの応力を低減できることになる。

例えば無機イオン交換体をこれら樹脂マトリックスに添
加させる方法としては、−船釣な方法、例えば分散させ
る方法でよい、また含有量はとくに限定されないが、保
護被膜の他の特性を阻害しない範囲であることが好まし
い０例えば、ソルダレジスト構成樹脂、フィルムタイプ
のカバーレイ構成樹脂、絶縁ペースト構成樹脂に対して
含有させる場合には、その含有量は０．１〜２０重量％
が好ましく、より好ましくは０．１〜１０重量％である
。０．１重量％未満ではイオン捕捉の効果が表れず、２
５重量％を超えると保護被膜の絶縁性が妨げられる恐れ
があるからである。

（作用） 半導体ベアチップと絶縁基板の間に介在する柔軟性接着
剤層は、柔軟であるがゆえに、半導体ベアチップの接合
時に発生する熱応力やその他の外力に対し、それらを吸
収する緩衝層として作用する。そのため接合部における
破損等は防止される。

この柔軟性接着剤層には、イオン交換体を含有せしめた
ので、絶縁基板に含有されているイオン不純物の悪影響
を封殺することができるようになり、絶縁基板として、
安価な積層板等を使用することが可能となる。

これらの複合作用により、積層板を用いても高信幀性の
ＣＯＢ実装プリント回路板の製造が可能となる。

（実施例） 実施例１ 第１図に示した構造のＣＯＢ実装プリント回路板を製造
した。

すなわち、ガラスエポキシ樹脂積層板（厚み１．６ｍ５
）１の表面に、アクリルニトリルプクジエンゴム（日本
ゼオン（株）製のハイカー１３１２）２０重量部と油溶
性フェノール樹脂１０重量部とエポキシ樹脂（シェル化
学社製のエピコート１００７）１５重量部と、更に、金
属イオン捕捉用の一〇Ｈ基を有する無機イオン交換体と
してアンチモン酸チタン、ハロゲンイオン捕捉用として
鉛ヒドロキシアパタイトを重量比１：１で混合して得ら
れた混合物５重量部から成る樹脂組成物を塗布して、厚
み３０〜５０μｍの接着剤層２を形成した。

なお無機イオン交換体を含有しない場合の上記樹脂組成
物をＡＳＴＭ　Ｄ８８２の試験方法に従がって、伸び率
を測定したところ２５〜１５０％であった。

この接着剤層２の上に銅ランド３および銅の配線パター
ン４を形成した。

ついで、これらランド３の上に、半導体ベアチップ４の
バンブ５を、温度２６０℃、時間１２０秒の条件でリフ
ローソレダリングにより接合した。

このときのバンブ５は、アルミニウム電極上にニッケル
層をメツキ形成し、更にその上にはんだメツキを施した
ものであった。また、隣接するバンブの中心間距離は、
３．５，７．１０ｍｎ＋とじた。

実施例２ 金属イオン捕捉用の一〇Ｈ基を有する無機イオン交換体
としてリン酸チタン、ハロゲンイン捕捉用として鉛ヒド
ロキシアパタイトを重量比１：１で混合し、得られた混
合物をエポキシ樹脂１００重量部に対してＩＯ重量部混
合して樹脂液を調製した。

この樹脂液をガラス繊維を織成してなるガラスマットに
含浸させたのち乾燥してプリプレグを得た。

次に、予め用意した無機イオン交換体を含まないプリプ
レグ５枚を重ね、積層体の全体を挟むようにして上記し
た無機イオン交換体を含有するプリプレグを最外層に配
置し、１５０°Ｃ１４０ｋｇ／ｄの条件で６０分間熱圧
プレスした。最外層に無機イオン交換体を含むガラスエ
ポキシ樹脂積層板が得られた。

この積層板の上に実施例１と同様にして接着剤層を形成
したのち、第２図に示したランドおよび配線パターンの
部分を除き、他の部分を過マンガン酸カリウムを主成分
とする酸化剤エツチング液で溶解除去した。ついで、残
置しているランドの上に実施例１と同様にしてバンブを
接合し、第３図に示すような構造のＣＯＢ実装プリント
回路板を構造した。

実施例３ 実施例２と同じ積層板の上に、実施例２と同様に接着剤
層２を形成させ、その上に、バンプ５と接合するランド
３を除いて、保護被膜６をスクリーン印刷法で形成した
のち、実施例１と同様にして、第４図に示した構造のＣ
ＯＢ実装プリント回路板を製造した。

保護被膜用の材料としては、ポリサルファイドエポキシ
樹脂６５重量部、メラミン樹脂３５重量部を主成分とす
るエポキシ樹脂系塗料１００重量部に、金属イオン捕捉
用の一〇Ｈ基をもつ無機イオン交換体としてアンチモン
酸チタン及びハロゲンイオン捕捉用として水酸化リン酸
鉛を重量比６：４で混合して成る混合物を１０重量部添
加し、充分混練した絶縁塗料を用いた。

比較例 接着剤層を形成しなかったことを除いては、実施例１と
同様にして第５図に示した構造のＣＯＢ実装プリント回
路板を製造した。

以上４種類のＣＯＢ実装実装プリント回路板各個０個き
、半導体チップの作動有無を調べた。各場合１０個中で
作動したチップの数を第１表に示した。

（以下余白） 第１表 第　　　２　　　表 つぎに、各ＣＯＢ実装プリント回路板をそれぞれ１００
個用意し、これらにつき、■、２気圧、１２１°Ｃの条
件下でプレッシャークツカーテストを２４０時間行ない
、■、１２５℃で３０分の保持と一６５゛Ｃで３０分の
保持を１サイクルとする熱衝撃試験を２０００サイクル
行ない、■、温度６０°Ｃ１相対湿度９５％の条件下で
耐湿試験を２０００時間を行った。なお、半導体チップ
のバンプ間隙は最大１０ｍｍであった。

作動した半導体チップの数を第２表にしめした。

（以下余白） （発明の効果） 以上の説明で明らかなように、本発明のＣＯＢ実装プリ
ント回路板は、柔軟性接着剤層がチップと基板の間に介
在する緩衝層として機能するので、両者間の接合状態は
良好に保持されて接合信鎖性が向上する。また、イオン
交換体の働きにより、絶縁基板中のイオン不純物の悪影
響は封殺されるので、安価な積層板を基板として使用す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例を示すプリント回路板
の断面図、第２図は、プリント回路板の平面図、第３図
は本発明の他の実施例を示すプリント回路板の断面図、
第４図は、本発明の更に他の実施例を示すプリント回路
板の断面図、第５図は、従来のプリント回路板の断面図
である。 １・・・絶縁基板、２，２ａ・・・柔軟性接着剤層、３
・・・ランド、４・・・配線パターン、４ａ・・・屈曲
部、５・・・半導体ベアチップ、６・・・バンブ、７・
・・保護被膜。 出願人　　東亜合成化学工業株式会社 代理人　　弁理士　　　長　門　侃　三筒 図 第３図 手　続　（甫　正　書　岨　発） 昭和６３年１２月

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板；該絶縁基板の表面に形成され、イオン
   交換体が含有されている柔軟性接着剤層；該柔軟性接着
   剤層の上に形成されたランドおよび該ランドに接続する
   配線パターン；ならびに、バンプを介して前記ランドに
   接合されて搭載された半導体ベアチップから成ることを
   特徴とするＣＯＢ実装プリント回路板。
2. （２）前記柔軟性接着剤層は、少なくとも前記ランドお
   よび前記配線パターンを形成する部分にのみ形成されて
   いる請求項１記載のＣＯＢ実装プリント回路板。
3. （３）前記絶縁基板の最外層の部分にはイオン交換体が
   含有せしめられている請求項１記載のＣＯＢ実装プリン
   ト回路板。
4. （４）絶縁基板；該絶縁基板の表面に形成され、イオン
   交換体が含有されている柔軟性接着剤層；該柔軟性接着
   剤層の上に形成されたランドおよび該ランドに接続する
   配線パターン；少なくとも前記ランドおよび前記配線パ
   ターンを形成する部分を除く前記柔軟性接着剤層の上に
   形成され、イオン交換体が含有されている保護被膜；な
   らびに、バンプを介して前記ランドに接合されて搭載さ
   れた半導体ベアチップから成ることを特徴とするＣＯＢ
   実装プリント回路板。