JPH024249U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH024249U JPH024249U JP8270788U JP8270788U JPH024249U JP H024249 U JPH024249 U JP H024249U JP 8270788 U JP8270788 U JP 8270788U JP 8270788 U JP8270788 U JP 8270788U JP H024249 U JPH024249 U JP H024249U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- semiconductor
- integrated circuit
- circuit device
- hybrid integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例の外観の斜視図を示し
、第２図にその断面図を示す。第２図によりその
主な構造がわかるように示されている。第３図は
従来技術を示す断面図である。以下に主要部分に
付した符号の説明を記述する。 １は基板の表の導体配線と裏の導体配線を接続
するスルーホール、２は片面のみベアチツプが搭
載されているガラスエポキシ基板、３は半導体Ｉ
Ｃペレツト（裸チツプ）、４，１４は枠、５はプ
リコート材として枠内充填した樹脂、６は基板の
両面に配線されている導体配線、７はリード端子
。
、第２図にその断面図を示す。第２図によりその
主な構造がわかるように示されている。第３図は
従来技術を示す断面図である。以下に主要部分に
付した符号の説明を記述する。 １は基板の表の導体配線と裏の導体配線を接続
するスルーホール、２は片面のみベアチツプが搭
載されているガラスエポキシ基板、３は半導体Ｉ
Ｃペレツト（裸チツプ）、４，１４は枠、５はプ
リコート材として枠内充填した樹脂、６は基板の
両面に配線されている導体配線、７はリード端子
。
Claims (1)
- スルーホールを有し、両面に配線パターンのあ
るガラスエポキシ基板の表面上に半導体ＩＣペレ
ツトを搭載した混成集積回路装置において、前記
半導体ＩＣペレツトが搭載されていない基板裏面
にも樹脂をコーテイングしたことを特徴とする混
成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270788U JPH024249U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270788U JPH024249U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024249U true JPH024249U (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=31307450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8270788U Pending JPH024249U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH024249U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043135A1 (fr) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication associe |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP8270788U patent/JPH024249U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043135A1 (fr) * | 2000-11-22 | 2002-05-30 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication associe |