JPH024138B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH024138B2 JPH024138B2 JP56210513A JP21051381A JPH024138B2 JP H024138 B2 JPH024138 B2 JP H024138B2 JP 56210513 A JP56210513 A JP 56210513A JP 21051381 A JP21051381 A JP 21051381A JP H024138 B2 JPH024138 B2 JP H024138B2
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- JP
- Japan
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- film
- aluminum nitride
- nitride film
- mask
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H10P95/90—
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210513A JPS58112372A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56210513A JPS58112372A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112372A JPS58112372A (ja) | 1983-07-04 |
| JPH024138B2 true JPH024138B2 (en:Method) | 1990-01-26 |
Family
ID=16590611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56210513A Granted JPS58112372A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112372A (en:Method) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849620A (en) * | 1995-10-18 | 1998-12-15 | Abb Research Ltd. | Method for producing a semiconductor device comprising an implantation step |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56210513A patent/JPS58112372A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58112372A (ja) | 1983-07-04 |
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