JPH0240991A - 回路基板 - Google Patents
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- JPH0240991A JPH0240991A JP19177788A JP19177788A JPH0240991A JP H0240991 A JPH0240991 A JP H0240991A JP 19177788 A JP19177788 A JP 19177788A JP 19177788 A JP19177788 A JP 19177788A JP H0240991 A JPH0240991 A JP H0240991A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims abstract description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 4
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 101100366935 Caenorhabditis elegans sto-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 206010009691 Clubbing Diseases 0.000 description 1
- 229910017583 La2O Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は金属基体上にほうろう層を被覆してなる回路基
板、特にその基板上に厚膜印刷法にて、微・細配線パタ
ーンを施した基板を提供できる回路基板に関する。
板、特にその基板上に厚膜印刷法にて、微・細配線パタ
ーンを施した基板を提供できる回路基板に関する。
従来の技術
従来、厚膜ハイブリッドICやプリント基板には、アル
ミナ基板やガラスエポキシ基板が用いられていた。アル
ミナ基板の欠点は機械的強度が弱く、かつ大型の基板の
製造が困難である。他方、ガラスエポキシ基板は、安価
で大■生産に向いているが、耐熱性が悪く、回路形成に
用いられる材料(厚膜ペーストは焼成温度が800〜9
00℃の材料が多い)が低温用に限られること、製品の
使用環境が400 ’C以下という制限があった。
ミナ基板やガラスエポキシ基板が用いられていた。アル
ミナ基板の欠点は機械的強度が弱く、かつ大型の基板の
製造が困難である。他方、ガラスエポキシ基板は、安価
で大■生産に向いているが、耐熱性が悪く、回路形成に
用いられる材料(厚膜ペーストは焼成温度が800〜9
00℃の材料が多い)が低温用に限られること、製品の
使用環境が400 ’C以下という制限があった。
これらの問題点を解決する方法として、金属基材にガラ
ス質層を被覆した、いわゆるほうろう基板が提案された
。まず第一の提案は、アルカリ金属酸化物(Na2e、
に201 L 120)の量が比較的少ない非晶質ガ
ラスを被覆した基板である。このタイプの基板の欠点は
(a)繰り返し焼成すると、ほうろう層が再軟化するこ
と、(b)アルミナ基板に比べて、高温時の電気絶縁性
に劣ること、(C)高温中で長時間、電圧を印加すると
、アルカリイオンのマイグレーションによって、回路網
に悪影響を及ぼす、(d)ペースト焼成時の凝集力によ
って、印刷回路の寸法が焼成前後において収縮すること
など; 絶縁層の再軟化性、電気絶縁性、信頼性、回路
の精度に問題があった。
ス質層を被覆した、いわゆるほうろう基板が提案された
。まず第一の提案は、アルカリ金属酸化物(Na2e、
に201 L 120)の量が比較的少ない非晶質ガ
ラスを被覆した基板である。このタイプの基板の欠点は
(a)繰り返し焼成すると、ほうろう層が再軟化するこ
と、(b)アルミナ基板に比べて、高温時の電気絶縁性
に劣ること、(C)高温中で長時間、電圧を印加すると
、アルカリイオンのマイグレーションによって、回路網
に悪影響を及ぼす、(d)ペースト焼成時の凝集力によ
って、印刷回路の寸法が焼成前後において収縮すること
など; 絶縁層の再軟化性、電気絶縁性、信頼性、回路
の精度に問題があった。
これに対し、第二の提案は結晶化ガラスをほうろう層と
するという試みである。例えば、特開昭58−7384
3号公報に開示されているように、6〜25モル%のB
ad、30〜60モル%の金属ta化物(MgO,Zn
O,CaOの群から選ばれる1または2以上の混合物)
、13〜35モル%のB209.10〜25モル%の5
iOaの組成からなる結晶化ガラスを鋼板上に被覆した
ほうろう基板は800〜900″Cでペーストを印刷し
繰り返し焼成しても、ほうろう層の再軟化が起こらず、
また無アルカリガラスであるため、電気絶縁性、信頼性
に優れており、第1の提案を完全に超えるものであった
。
するという試みである。例えば、特開昭58−7384
3号公報に開示されているように、6〜25モル%のB
ad、30〜60モル%の金属ta化物(MgO,Zn
O,CaOの群から選ばれる1または2以上の混合物)
、13〜35モル%のB209.10〜25モル%の5
iOaの組成からなる結晶化ガラスを鋼板上に被覆した
ほうろう基板は800〜900″Cでペーストを印刷し
繰り返し焼成しても、ほうろう層の再軟化が起こらず、
また無アルカリガラスであるため、電気絶縁性、信頼性
に優れており、第1の提案を完全に超えるものであった
。
なお、第2の提案のモル%で表わされた範囲を実施例を
参照して重量%で表わすと、B a O= 16〜50
%、MgO=16〜42%,CaO=0〜11%、Zn
0=0〜5%,P2O5=0〜11%+ Ca O+
Z n O=0〜5%,P2O5=0〜11 %+
132O3= 12〜34%+ S i C)2=
10〜23%,ZrO2=0〜5%、A1aO3=0〜
5%、5nO2=0〜5%、Z r02+A 1203
+ S n C)2= 0〜5%である。以下、本明細
書は重量%で統一する。
参照して重量%で表わすと、B a O= 16〜50
%、MgO=16〜42%,CaO=0〜11%、Zn
0=0〜5%,P2O5=0〜11%+ Ca O+
Z n O=0〜5%,P2O5=0〜11 %+
132O3= 12〜34%+ S i C)2=
10〜23%,ZrO2=0〜5%、A1aO3=0〜
5%、5nO2=0〜5%、Z r02+A 1203
+ S n C)2= 0〜5%である。以下、本明細
書は重量%で統一する。
発明が解決しようとする課題
第2の提案の問題点としては、(a)耐熱性に劣る、(
b)耐酸性が悪い、(C)表面粗度が大きく、微細配線
用基板としては不適である、などがあげられる。
b)耐酸性が悪い、(C)表面粗度が大きく、微細配線
用基板としては不適である、などがあげられる。
これらの欠点(a)、(b)については、特開昭58−
104042号公報及び特開昭GO−172102号公
報に開示しであるような、ガラス組成で改善しようとす
る試みもなされているが、未だ実用には供されていない
。その理由は、第2の提案よりも極端に表面粗度が大き
くなり、厚膜印刷用回路基板としては使用できなかった
からである。というのは、このようなMgOBaO−B
2O3S io2系のガラスは800〜900℃で焼成
すると、BaO・2Mgo・2sioa、2MgO”B
a0a(’)結晶相が析出し、結晶粒が肥大化するため
に、基板の表面粗度が大きくなるためである。第2図は
その様子を示したものである。
104042号公報及び特開昭GO−172102号公
報に開示しであるような、ガラス組成で改善しようとす
る試みもなされているが、未だ実用には供されていない
。その理由は、第2の提案よりも極端に表面粗度が大き
くなり、厚膜印刷用回路基板としては使用できなかった
からである。というのは、このようなMgOBaO−B
2O3S io2系のガラスは800〜900℃で焼成
すると、BaO・2Mgo・2sioa、2MgO”B
a0a(’)結晶相が析出し、結晶粒が肥大化するため
に、基板の表面粗度が大きくなるためである。第2図は
その様子を示したものである。
本発明は、上記の問題点を解決したほうろう基板を提供
することを目的とする。
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するため、ほうろう層と
して、主成分が少なくとも、重量%で、La5Oa:0
.5〜3%、MgO=20〜50%、Cao=1〜25
%、 Ba0=0〜5%,P2O5=0〜15%、
820g: 10〜30%、 S i 0a=8〜
20%I MO2(MはTis Zr、Snの少な
くとも1種)=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O
5=0〜5%のものを用いることを特徴とする。
して、主成分が少なくとも、重量%で、La5Oa:0
.5〜3%、MgO=20〜50%、Cao=1〜25
%、 Ba0=0〜5%,P2O5=0〜15%、
820g: 10〜30%、 S i 0a=8〜
20%I MO2(MはTis Zr、Snの少な
くとも1種)=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O
5=0〜5%のものを用いることを特徴とする。
望ましくはLa20i:0.5〜3%、MgO=20〜
40%,CaO=1〜20%,BaO=0〜15%、
820s= 15〜25%、 SiO2:10〜20%
,ZrO2=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O5
=0〜5%,P2O5=0〜5%であることを特徴とす
る。
40%,CaO=1〜20%,BaO=0〜15%、
820s= 15〜25%、 SiO2:10〜20%
,ZrO2=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O5
=0〜5%,P2O5=0〜5%であることを特徴とす
る。
さらに望ましくはLa2O3:0.5〜3%、MgO=
20〜40%,CaO=1〜20%、82O3=15〜
25%、5iOa=10〜20%、ZrO□=0〜5%
,PQOも二〇〜5%であることを特徴とする。
20〜40%,CaO=1〜20%、82O3=15〜
25%、5iOa=10〜20%、ZrO□=0〜5%
,PQOも二〇〜5%であることを特徴とする。
作用
本発明により、第1図に示すように表面平滑性の向上し
た、かつ耐酸性、耐熱性に優れた回路基板が得られる。
た、かつ耐酸性、耐熱性に優れた回路基板が得られる。
その結果高密度配線パターンを形成することができる基
板として適用することが可能となる。
板として適用することが可能となる。
実施例
本発明のほうろう層に用いられる結晶化ガラスは、原料
として各成分に相当する酸化物、炭酸塩、硝酸塩、燐酸
塩などを用い、白金または白金ロジウムルツボ中にて、
1400−1500℃で30分〜1時間溶融後、水中急
冷または双ローラーにて急冷して製造した。
として各成分に相当する酸化物、炭酸塩、硝酸塩、燐酸
塩などを用い、白金または白金ロジウムルツボ中にて、
1400−1500℃で30分〜1時間溶融後、水中急
冷または双ローラーにて急冷して製造した。
表1は本発明のほうろう層を被覆したほうろう基板につ
きガラスの組成と、該ガラス粉末をボールミルにてプロ
パツールに分散させ、ステンレス基材(SUS430.
大きさ50X 50X I)の全面に厚さ100μ
m電着し、900°Cで10分焼成した基板につき表面
粗さ、うねり性、耐熱性、耐酸性などについて調べた結
果を示したものである。
きガラスの組成と、該ガラス粉末をボールミルにてプロ
パツールに分散させ、ステンレス基材(SUS430.
大きさ50X 50X I)の全面に厚さ100μ
m電着し、900°Cで10分焼成した基板につき表面
粗さ、うねり性、耐熱性、耐酸性などについて調べた結
果を示したものである。
ここで表面粗さは中心線平均粗さRa、 うねり性は
目安として最大高さRI!laxで表わした。耐熱性は
基板を920℃の電気炉に10分入れ、取り出して30
分室温に放置するサイクルを繰り返し、クラブ、りや剥
離の発生を調べた。クラックは基板を赤(続き) インキ中に浸せき後、取り出して余分なインキをエアガ
ンで除去して観察した。表中の○△×は、Oが10サイ
クル以上行なってもクラックや剥離の発生がなかったも
の、Δが5〜9サイクル耐えたもの、×が4サイクル以
下で発生したものを示す。耐酸性は基板を、5%のくえ
ん酸水溶液中に60℃、30分浸せきして調べ、0は1
0mg/cI112以下の減量を、Δが11〜20mg
/cm2のそれを、×が20mg/C112以上のそれ
を示し、小さいものほど耐酸性がよいことを示す。
目安として最大高さRI!laxで表わした。耐熱性は
基板を920℃の電気炉に10分入れ、取り出して30
分室温に放置するサイクルを繰り返し、クラブ、りや剥
離の発生を調べた。クラックは基板を赤(続き) インキ中に浸せき後、取り出して余分なインキをエアガ
ンで除去して観察した。表中の○△×は、Oが10サイ
クル以上行なってもクラックや剥離の発生がなかったも
の、Δが5〜9サイクル耐えたもの、×が4サイクル以
下で発生したものを示す。耐酸性は基板を、5%のくえ
ん酸水溶液中に60℃、30分浸せきして調べ、0は1
0mg/cI112以下の減量を、Δが11〜20mg
/cm2のそれを、×が20mg/C112以上のそれ
を示し、小さいものほど耐酸性がよいことを示す。
また印刷精度の評価は、基板に印刷法、フォトレジスト
法を用いて、30μm幅の金電極をちどり状に6本/m
mの割合で形成し、さらにその上に幅300μmの酸化
ルテニウム抵抗体を形成して、サーマルヘッドを試作し
、電極間の抵抗値を測定した。そのときの電極間の抵抗
ばらつきが10%以内のものを○、10〜2・0%のも
のを△、20%以上のものを×とした。
法を用いて、30μm幅の金電極をちどり状に6本/m
mの割合で形成し、さらにその上に幅300μmの酸化
ルテニウム抵抗体を形成して、サーマルヘッドを試作し
、電極間の抵抗値を測定した。そのときの電極間の抵抗
ばらつきが10%以内のものを○、10〜2・0%のも
のを△、20%以上のものを×とした。
表中の抵抗変化とは金電極の抵抗値変化をいい、電極と
ほうろう層との反応性を調べたもので、厚さ0.5μm
1 大きさlX20mmの金電極を基板上に形成した
ときの抵抗値変化を、同形状の電極を石英基板上に形成
したときの抵抗値と比較したときの変化で表わしたもの
である。表中のOは変化が1桁以内のもの、△は2桁以
内のもの、×は3桁以上のものを示し、変化が小さいほ
ど反応性が少ないことを示す。
ほうろう層との反応性を調べたもので、厚さ0.5μm
1 大きさlX20mmの金電極を基板上に形成した
ときの抵抗値変化を、同形状の電極を石英基板上に形成
したときの抵抗値と比較したときの変化で表わしたもの
である。表中のOは変化が1桁以内のもの、△は2桁以
内のもの、×は3桁以上のものを示し、変化が小さいほ
ど反応性が少ないことを示す。
以上の評価に基づき総合評価を最下欄に、0Δ×で示し
た。
た。
N011〜7は他の成分を一定として、5iOa/B2
O3を変化させたもの、N018〜13はSto 2
/ B 20 sをほぼ一定にしN MgOを変化さ
せたもの、No、14〜18は同じ<CaOを変化させ
たもの、No、19〜24は同じ<LaaO3を変化さ
せたもの、No、25〜27はBaOを、No。
O3を変化させたもの、N018〜13はSto 2
/ B 20 sをほぼ一定にしN MgOを変化さ
せたもの、No、14〜18は同じ<CaOを変化させ
たもの、No、19〜24は同じ<LaaO3を変化さ
せたもの、No、25〜27はBaOを、No。
28〜33はZ r 021 T l 021 +
S no2+ P2O5,Al2O3を添加したと
きの影響である。なお比較例としてNo、34は特開昭
5G−73G43号公報、No、35は特開昭58−1
04042号公報、No、36は特開昭GO−1721
02号公報に開示されたものの評価結果を示した。
S no2+ P2O5,Al2O3を添加したと
きの影響である。なお比較例としてNo、34は特開昭
5G−73G43号公報、No、35は特開昭58−1
04042号公報、No、36は特開昭GO−1721
02号公報に開示されたものの評価結果を示した。
表から明らかなように、SiO2を増加していけ。
ば、耐熱性、耐酸性は向上するが、表面粗さが悪くなり
、微細印刷に不適となる。逆にB2O3を増加していけ
ば、その反対になる。従って、5102は8〜20%、
B2O3は10〜30%で、その比S i O2/B2
O5が0.25〜1.0の範囲が好t しい。
、微細印刷に不適となる。逆にB2O3を増加していけ
ば、その反対になる。従って、5102は8〜20%、
B2O3は10〜30%で、その比S i O2/B2
O5が0.25〜1.0の範囲が好t しい。
MgOは20%より少ないと結晶析出が不十分で、耐熱
性に劣る。50%より多いと、溶融しがたく、均質なガ
ラスを得ることが難しくなるとともに、表面粗度が大き
くなり、かつ微細パターンの印刷性も悪くなる。
性に劣る。50%より多いと、溶融しがたく、均質なガ
ラスを得ることが難しくなるとともに、表面粗度が大き
くなり、かつ微細パターンの印刷性も悪くなる。
CaOは1%より少ないと表面の平滑性、耐酸性を向上
させる効果がなく、25%より多いと、印刷精度が悪く
なる。第3図はガラスに含まれるBad/ (BaO十
〇aO)を変化させたガラス(その組成は表2のNo、
1〜5に示した)を用いた基板の、前述のクエン酸に対
する耐酸性を調べたものであるo B a O/ (
B a o+ Ca O)が小さくなるにしたがい減量
が小さく、耐酸性に優表2 れていることを意味する。また第4図はN011と5の
ガラスを用いた基板を、室温にて5%の王水に浸漬した
時の減量を調べたものである。No。
させる効果がなく、25%より多いと、印刷精度が悪く
なる。第3図はガラスに含まれるBad/ (BaO十
〇aO)を変化させたガラス(その組成は表2のNo、
1〜5に示した)を用いた基板の、前述のクエン酸に対
する耐酸性を調べたものであるo B a O/ (
B a o+ Ca O)が小さくなるにしたがい減量
が小さく、耐酸性に優表2 れていることを意味する。また第4図はN011と5の
ガラスを用いた基板を、室温にて5%の王水に浸漬した
時の減量を調べたものである。No。
1のほうが減量が小さく、耐酸性に優れていることを意
味する。以上よりCaOはガラスの耐酸性を向上させる
山きを有し、BaOにはそのような俄さがないことがわ
かる。
味する。以上よりCaOはガラスの耐酸性を向上させる
山きを有し、BaOにはそのような俄さがないことがわ
かる。
また第5図はNo、1と5のガラスを用いた基板の、焼
成温度と、表面平滑性の尺度として中心線平均粗さRa
の関係を調べたもので、No、 5の場合820℃以
上の焼成でRaが極端に大きくなる。市販の厚膜ペース
トの焼成温度は810〜850″Cのものが多いので、
一般に基板の焼成温度はこれ以上にしておく必要がある
。例えば基板の焼成温度を900°Cとすると、Raは
0.35μmとなり、この上に厚膜ペーストを0.3μ
mの厚さに印刷すると回路の断線を生じることになる。
成温度と、表面平滑性の尺度として中心線平均粗さRa
の関係を調べたもので、No、 5の場合820℃以
上の焼成でRaが極端に大きくなる。市販の厚膜ペース
トの焼成温度は810〜850″Cのものが多いので、
一般に基板の焼成温度はこれ以上にしておく必要がある
。例えば基板の焼成温度を900°Cとすると、Raは
0.35μmとなり、この上に厚膜ペーストを0.3μ
mの厚さに印刷すると回路の断線を生じることになる。
一方No、 1の場合は900 ’Cで焼成してもR
aは0.08μmであり、この上に厚膜ペーストを印刷
しても回路の断線を生じにくい。この理由はNo、5ガ
ラスでは2MgO ” B203、BaO* 2MgO
@ 2SI02の2種の結晶が生成し、Raを大きく
するのに対し、No。
aは0.08μmであり、この上に厚膜ペーストを印刷
しても回路の断線を生じにくい。この理由はNo、5ガ
ラスでは2MgO ” B203、BaO* 2MgO
@ 2SI02の2種の結晶が生成し、Raを大きく
するのに対し、No。
1ガラスではBaOを含まないために2MgO @ a
eo3しか生成せず、そのようなことがないためである
。
eo3しか生成せず、そのようなことがないためである
。
La2’sは基板の表面平滑性を向上させ、かつ耐熱性
の向上に大きく寄与する。耐熱性が向上する原因は、基
板とホーロ層の密着性が向上するためと思われる。ここ
でアメリカほうろう協会が開発したPEI試験法によれ
ば、基材としてニッケル処理した5US430を用いた
とき、La2O3を含まないNo、6ガラスを用いた基
板の密着性は26%、La2O3を含むNo、1の場合
のそれは100%であった。基板とホーロ層の密着性が
向上する理由は明確ではないがLa2O3と基材に含ま
れるF e203+ N i Oとの相互反応のため
と考えられる。なおこのことを直接支持するものではな
いが、Binary Phase Diagrams
Handbook(1981GE Co)3/81に
はLaとFe、Niとが固溶体をつくることが記載され
ているが、酸化物の場合にもなんらかの反応が起きてい
るものと考えられる。
の向上に大きく寄与する。耐熱性が向上する原因は、基
板とホーロ層の密着性が向上するためと思われる。ここ
でアメリカほうろう協会が開発したPEI試験法によれ
ば、基材としてニッケル処理した5US430を用いた
とき、La2O3を含まないNo、6ガラスを用いた基
板の密着性は26%、La2O3を含むNo、1の場合
のそれは100%であった。基板とホーロ層の密着性が
向上する理由は明確ではないがLa2O3と基材に含ま
れるF e203+ N i Oとの相互反応のため
と考えられる。なおこのことを直接支持するものではな
いが、Binary Phase Diagrams
Handbook(1981GE Co)3/81に
はLaとFe、Niとが固溶体をつくることが記載され
ているが、酸化物の場合にもなんらかの反応が起きてい
るものと考えられる。
以上の理由からLa2O3は、少なくとも0.5wt%
以上含有することが望ましい。
以上含有することが望ましい。
また3%より多いと耐酸性の低下、金電極の抵抗値変化
の増加を引き起こす。後者の理由としては先の文献に、
AuとLaが固溶体をつくることが示されており、また
Phase DiagramSfor Ceramls
tsP4G(19G9 Am Ceram 5oc)に
はAuと同じ貴金属のPdの酸化物PdOが、La2O
3と化合物をつくることが示されている。このことから
金電極とほうろう層中のLa2o3とが反応し、抵抗値
変化を引き起こしたものと推察される。
の増加を引き起こす。後者の理由としては先の文献に、
AuとLaが固溶体をつくることが示されており、また
Phase DiagramSfor Ceramls
tsP4G(19G9 Am Ceram 5oc)に
はAuと同じ貴金属のPdの酸化物PdOが、La2O
3と化合物をつくることが示されている。このことから
金電極とほうろう層中のLa2o3とが反応し、抵抗値
変化を引き起こしたものと推察される。
BaOは本発明では必須成分ではないが、15wt%以
下であれば加えてもよい。その理由は前に述べたように
、耐酸性、表面平滑性を低下させるからである。
下であれば加えてもよい。その理由は前に述べたように
、耐酸性、表面平滑性を低下させるからである。
その他の添加可能な成分はZ r 021 T i
O2゜5na2.PzO5+ A120i、ZnOな
どがあげられるが、5%以下までなら添加可能である。
O2゜5na2.PzO5+ A120i、ZnOな
どがあげられるが、5%以下までなら添加可能である。
その理由は多いと表面平滑性を劣化させるからである。
なお上記の成分以外に膨張係数を変化させたり、着色さ
せたりするため、アルカリ金属酸化物;鉄、マンガン、
ニッケル、コバルト、バナジウム、鉛、モリブデン、タ
ングステン、ビスマス、カドミウム、ストロンチウム等
の酸化物を加えることは可能であるが、アルカリ金属酸
化物は電気絶縁性を考慮して2%以下、その他の酸化物
も5%以下であることが望ましい。
せたりするため、アルカリ金属酸化物;鉄、マンガン、
ニッケル、コバルト、バナジウム、鉛、モリブデン、タ
ングステン、ビスマス、カドミウム、ストロンチウム等
の酸化物を加えることは可能であるが、アルカリ金属酸
化物は電気絶縁性を考慮して2%以下、その他の酸化物
も5%以下であることが望ましい。
発明の効果
以上詳しく述べたように、本発明の基板は、表面平滑性
、耐熱性、耐酸性、微細印刷精度、金電極の安定性に優
れ、特に電気回路基板として存用なお上記薄着性が要求
されるモーター軸受け、メカニカルシール、配管やタン
クなどの化学用装置、エンジンカバーなどの自動車部品
、ほうろう鍋などの家庭器具にも用途が考えられる。
、耐熱性、耐酸性、微細印刷精度、金電極の安定性に優
れ、特に電気回路基板として存用なお上記薄着性が要求
されるモーター軸受け、メカニカルシール、配管やタン
クなどの化学用装置、エンジンカバーなどの自動車部品
、ほうろう鍋などの家庭器具にも用途が考えられる。
である。
第1図は本発明の゛一実施例の回路基板の表面粗さを示
す形状図、第2図は従来例の回路基板の表面粗さを示す
形状図である。第3図、第4図は回路基板の耐酸性を示
す図、 第5図は回路基板の焼 成温度と表面粗さの関係を示す図である。
す形状図、第2図は従来例の回路基板の表面粗さを示す
形状図である。第3図、第4図は回路基板の耐酸性を示
す図、 第5図は回路基板の焼 成温度と表面粗さの関係を示す図である。
Claims (4)
- (1)重量%で、La_2O_3=0.5〜3%、Mg
O=20〜50%,CaO=1〜25%,BaO=0〜
15%,B_2O_3=10〜30%,SiO_2=8
〜20%,MO_2(MはTi、Zr,Snの少なくと
も1種)=0〜5%,P_2O_5=0〜5%を主成分
とするほうろうそう上に金電極を形成したことを特徴と
する回路基板。 - (2)ほうろう層の主成分が少なくとも、重量%で、L
a_2O_3=0.5〜3%、MgO=20〜40%,
CaO=1〜20%,BaO=0〜15%,B_2O_
3=15〜25%,SiO_2=10〜20%,ZrO
_2=0〜5%,P_2O_5=0〜5%であることを
特徴とする請求項1記載の回路基板。 - (3)ほうろう層の主成分が少なくとも、重量%で、L
a_2O_3=0.5〜3%、MgO=20〜40%,
CaO=1〜20%,B_2O_3=15〜25%,S
iO_2=10〜20%,ZrO_2=0〜5%,P_
2O_5=0〜5%であることを特徴とする請求項2記
載の回路基板。 - (4)SiO_2/B_2O_3が0.25〜1.0で
あることを特徴とする請求項1、2または3記載の回路
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19177788A JPH0656913B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19177788A JPH0656913B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0240991A true JPH0240991A (ja) | 1990-02-09 |
JPH0656913B2 JPH0656913B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=16280362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19177788A Expired - Lifetime JPH0656913B2 (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0656913B2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19177788A patent/JPH0656913B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0656913B2 (ja) | 1994-07-27 |
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