JPH0240991A - 回路基板 - Google Patents

回路基板

Info

Publication number
JPH0240991A
JPH0240991A JP19177788A JP19177788A JPH0240991A JP H0240991 A JPH0240991 A JP H0240991A JP 19177788 A JP19177788 A JP 19177788A JP 19177788 A JP19177788 A JP 19177788A JP H0240991 A JPH0240991 A JP H0240991A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
enamel layer
gold electrode
circuit
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19177788A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0656913B2 (ja
Inventor
Yasuo Mizuno
水野 康男
Atsushi Nishino
敦 西野
Masaki Ikeda
正樹 池田
Masahiro Hiraga
将浩 平賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19177788A priority Critical patent/JPH0656913B2/ja
Publication of JPH0240991A publication Critical patent/JPH0240991A/ja
Publication of JPH0656913B2 publication Critical patent/JPH0656913B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は金属基体上にほうろう層を被覆してなる回路基
板、特にその基板上に厚膜印刷法にて、微・細配線パタ
ーンを施した基板を提供できる回路基板に関する。
従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドICやプリント基板には、アル
ミナ基板やガラスエポキシ基板が用いられていた。アル
ミナ基板の欠点は機械的強度が弱く、かつ大型の基板の
製造が困難である。他方、ガラスエポキシ基板は、安価
で大■生産に向いているが、耐熱性が悪く、回路形成に
用いられる材料(厚膜ペーストは焼成温度が800〜9
00℃の材料が多い)が低温用に限られること、製品の
使用環境が400 ’C以下という制限があった。
これらの問題点を解決する方法として、金属基材にガラ
ス質層を被覆した、いわゆるほうろう基板が提案された
。まず第一の提案は、アルカリ金属酸化物(Na2e、
に201  L 120)の量が比較的少ない非晶質ガ
ラスを被覆した基板である。このタイプの基板の欠点は
(a)繰り返し焼成すると、ほうろう層が再軟化するこ
と、(b)アルミナ基板に比べて、高温時の電気絶縁性
に劣ること、(C)高温中で長時間、電圧を印加すると
、アルカリイオンのマイグレーションによって、回路網
に悪影響を及ぼす、(d)ペースト焼成時の凝集力によ
って、印刷回路の寸法が焼成前後において収縮すること
など; 絶縁層の再軟化性、電気絶縁性、信頼性、回路
の精度に問題があった。
これに対し、第二の提案は結晶化ガラスをほうろう層と
するという試みである。例えば、特開昭58−7384
3号公報に開示されているように、6〜25モル%のB
ad、30〜60モル%の金属ta化物(MgO,Zn
O,CaOの群から選ばれる1または2以上の混合物)
、13〜35モル%のB209.10〜25モル%の5
iOaの組成からなる結晶化ガラスを鋼板上に被覆した
ほうろう基板は800〜900″Cでペーストを印刷し
繰り返し焼成しても、ほうろう層の再軟化が起こらず、
また無アルカリガラスであるため、電気絶縁性、信頼性
に優れており、第1の提案を完全に超えるものであった
なお、第2の提案のモル%で表わされた範囲を実施例を
参照して重量%で表わすと、B a O= 16〜50
%、MgO=16〜42%,CaO=0〜11%、Zn
0=0〜5%,P2O5=0〜11%+  Ca O+
 Z n O=0〜5%,P2O5=0〜11 %+ 
 132O3= 12〜34%+  S i C)2=
10〜23%,ZrO2=0〜5%、A1aO3=0〜
5%、5nO2=0〜5%、Z r02+A 1203
+ S n C)2= 0〜5%である。以下、本明細
書は重量%で統一する。
発明が解決しようとする課題 第2の提案の問題点としては、(a)耐熱性に劣る、(
b)耐酸性が悪い、(C)表面粗度が大きく、微細配線
用基板としては不適である、などがあげられる。
これらの欠点(a)、(b)については、特開昭58−
104042号公報及び特開昭GO−172102号公
報に開示しであるような、ガラス組成で改善しようとす
る試みもなされているが、未だ実用には供されていない
。その理由は、第2の提案よりも極端に表面粗度が大き
くなり、厚膜印刷用回路基板としては使用できなかった
からである。というのは、このようなMgOBaO−B
2O3S io2系のガラスは800〜900℃で焼成
すると、BaO・2Mgo・2sioa、2MgO”B
a0a(’)結晶相が析出し、結晶粒が肥大化するため
に、基板の表面粗度が大きくなるためである。第2図は
その様子を示したものである。
本発明は、上記の問題点を解決したほうろう基板を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は、上記の問題点を解決するため、ほうろう層と
して、主成分が少なくとも、重量%で、La5Oa:0
.5〜3%、MgO=20〜50%、Cao=1〜25
%、  Ba0=0〜5%,P2O5=0〜15%、 
 820g: 10〜30%、  S i 0a=8〜
20%I  MO2(MはTis  Zr、Snの少な
くとも1種)=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O
5=0〜5%のものを用いることを特徴とする。
望ましくはLa20i:0.5〜3%、MgO=20〜
40%,CaO=1〜20%,BaO=0〜15%、 
820s= 15〜25%、 SiO2:10〜20%
,ZrO2=0〜5%,P2O5=0〜5%,P2O5
=0〜5%,P2O5=0〜5%であることを特徴とす
る。
さらに望ましくはLa2O3:0.5〜3%、MgO=
20〜40%,CaO=1〜20%、82O3=15〜
25%、5iOa=10〜20%、ZrO□=0〜5%
,PQOも二〇〜5%であることを特徴とする。
作用 本発明により、第1図に示すように表面平滑性の向上し
た、かつ耐酸性、耐熱性に優れた回路基板が得られる。
その結果高密度配線パターンを形成することができる基
板として適用することが可能となる。
実施例 本発明のほうろう層に用いられる結晶化ガラスは、原料
として各成分に相当する酸化物、炭酸塩、硝酸塩、燐酸
塩などを用い、白金または白金ロジウムルツボ中にて、
1400−1500℃で30分〜1時間溶融後、水中急
冷または双ローラーにて急冷して製造した。
表1は本発明のほうろう層を被覆したほうろう基板につ
きガラスの組成と、該ガラス粉末をボールミルにてプロ
パツールに分散させ、ステンレス基材(SUS430.
  大きさ50X 50X I)の全面に厚さ100μ
m電着し、900°Cで10分焼成した基板につき表面
粗さ、うねり性、耐熱性、耐酸性などについて調べた結
果を示したものである。
ここで表面粗さは中心線平均粗さRa、  うねり性は
目安として最大高さRI!laxで表わした。耐熱性は
基板を920℃の電気炉に10分入れ、取り出して30
分室温に放置するサイクルを繰り返し、クラブ、りや剥
離の発生を調べた。クラックは基板を赤(続き) インキ中に浸せき後、取り出して余分なインキをエアガ
ンで除去して観察した。表中の○△×は、Oが10サイ
クル以上行なってもクラックや剥離の発生がなかったも
の、Δが5〜9サイクル耐えたもの、×が4サイクル以
下で発生したものを示す。耐酸性は基板を、5%のくえ
ん酸水溶液中に60℃、30分浸せきして調べ、0は1
0mg/cI112以下の減量を、Δが11〜20mg
/cm2のそれを、×が20mg/C112以上のそれ
を示し、小さいものほど耐酸性がよいことを示す。
また印刷精度の評価は、基板に印刷法、フォトレジスト
法を用いて、30μm幅の金電極をちどり状に6本/m
mの割合で形成し、さらにその上に幅300μmの酸化
ルテニウム抵抗体を形成して、サーマルヘッドを試作し
、電極間の抵抗値を測定した。そのときの電極間の抵抗
ばらつきが10%以内のものを○、10〜2・0%のも
のを△、20%以上のものを×とした。
表中の抵抗変化とは金電極の抵抗値変化をいい、電極と
ほうろう層との反応性を調べたもので、厚さ0.5μm
1  大きさlX20mmの金電極を基板上に形成した
ときの抵抗値変化を、同形状の電極を石英基板上に形成
したときの抵抗値と比較したときの変化で表わしたもの
である。表中のOは変化が1桁以内のもの、△は2桁以
内のもの、×は3桁以上のものを示し、変化が小さいほ
ど反応性が少ないことを示す。
以上の評価に基づき総合評価を最下欄に、0Δ×で示し
た。
N011〜7は他の成分を一定として、5iOa/B2
O3を変化させたもの、N018〜13はSto 2 
/ B 20 sをほぼ一定にしN  MgOを変化さ
せたもの、No、14〜18は同じ<CaOを変化させ
たもの、No、19〜24は同じ<LaaO3を変化さ
せたもの、No、25〜27はBaOを、No。
28〜33はZ r 021  T l 021  +
 S no2+  P2O5,Al2O3を添加したと
きの影響である。なお比較例としてNo、34は特開昭
5G−73G43号公報、No、35は特開昭58−1
04042号公報、No、36は特開昭GO−1721
02号公報に開示されたものの評価結果を示した。
表から明らかなように、SiO2を増加していけ。
ば、耐熱性、耐酸性は向上するが、表面粗さが悪くなり
、微細印刷に不適となる。逆にB2O3を増加していけ
ば、その反対になる。従って、5102は8〜20%、
B2O3は10〜30%で、その比S i O2/B2
O5が0.25〜1.0の範囲が好t しい。
MgOは20%より少ないと結晶析出が不十分で、耐熱
性に劣る。50%より多いと、溶融しがたく、均質なガ
ラスを得ることが難しくなるとともに、表面粗度が大き
くなり、かつ微細パターンの印刷性も悪くなる。
CaOは1%より少ないと表面の平滑性、耐酸性を向上
させる効果がなく、25%より多いと、印刷精度が悪く
なる。第3図はガラスに含まれるBad/ (BaO十
〇aO)を変化させたガラス(その組成は表2のNo、
1〜5に示した)を用いた基板の、前述のクエン酸に対
する耐酸性を調べたものであるo  B a O/ (
B a o+ Ca O)が小さくなるにしたがい減量
が小さく、耐酸性に優表2 れていることを意味する。また第4図はN011と5の
ガラスを用いた基板を、室温にて5%の王水に浸漬した
時の減量を調べたものである。No。
1のほうが減量が小さく、耐酸性に優れていることを意
味する。以上よりCaOはガラスの耐酸性を向上させる
山きを有し、BaOにはそのような俄さがないことがわ
かる。
また第5図はNo、1と5のガラスを用いた基板の、焼
成温度と、表面平滑性の尺度として中心線平均粗さRa
の関係を調べたもので、No、  5の場合820℃以
上の焼成でRaが極端に大きくなる。市販の厚膜ペース
トの焼成温度は810〜850″Cのものが多いので、
一般に基板の焼成温度はこれ以上にしておく必要がある
。例えば基板の焼成温度を900°Cとすると、Raは
0.35μmとなり、この上に厚膜ペーストを0.3μ
mの厚さに印刷すると回路の断線を生じることになる。
一方No、  1の場合は900 ’Cで焼成してもR
aは0.08μmであり、この上に厚膜ペーストを印刷
しても回路の断線を生じにくい。この理由はNo、5ガ
ラスでは2MgO ” B203、BaO* 2MgO
 @ 2SI02の2種の結晶が生成し、Raを大きく
するのに対し、No。
1ガラスではBaOを含まないために2MgO @ a
eo3しか生成せず、そのようなことがないためである
La2’sは基板の表面平滑性を向上させ、かつ耐熱性
の向上に大きく寄与する。耐熱性が向上する原因は、基
板とホーロ層の密着性が向上するためと思われる。ここ
でアメリカほうろう協会が開発したPEI試験法によれ
ば、基材としてニッケル処理した5US430を用いた
とき、La2O3を含まないNo、6ガラスを用いた基
板の密着性は26%、La2O3を含むNo、1の場合
のそれは100%であった。基板とホーロ層の密着性が
向上する理由は明確ではないがLa2O3と基材に含ま
れるF e203+  N i Oとの相互反応のため
と考えられる。なおこのことを直接支持するものではな
いが、Binary  Phase Diagrams
 Handbook(1981GE Co)3/81に
はLaとFe、Niとが固溶体をつくることが記載され
ているが、酸化物の場合にもなんらかの反応が起きてい
るものと考えられる。
以上の理由からLa2O3は、少なくとも0.5wt%
以上含有することが望ましい。
また3%より多いと耐酸性の低下、金電極の抵抗値変化
の増加を引き起こす。後者の理由としては先の文献に、
AuとLaが固溶体をつくることが示されており、また
Phase DiagramSfor Ceramls
tsP4G(19G9 Am Ceram 5oc)に
はAuと同じ貴金属のPdの酸化物PdOが、La2O
3と化合物をつくることが示されている。このことから
金電極とほうろう層中のLa2o3とが反応し、抵抗値
変化を引き起こしたものと推察される。
BaOは本発明では必須成分ではないが、15wt%以
下であれば加えてもよい。その理由は前に述べたように
、耐酸性、表面平滑性を低下させるからである。
その他の添加可能な成分はZ r 021  T i 
O2゜5na2.PzO5+  A120i、ZnOな
どがあげられるが、5%以下までなら添加可能である。
その理由は多いと表面平滑性を劣化させるからである。
なお上記の成分以外に膨張係数を変化させたり、着色さ
せたりするため、アルカリ金属酸化物;鉄、マンガン、
ニッケル、コバルト、バナジウム、鉛、モリブデン、タ
ングステン、ビスマス、カドミウム、ストロンチウム等
の酸化物を加えることは可能であるが、アルカリ金属酸
化物は電気絶縁性を考慮して2%以下、その他の酸化物
も5%以下であることが望ましい。
発明の効果 以上詳しく述べたように、本発明の基板は、表面平滑性
、耐熱性、耐酸性、微細印刷精度、金電極の安定性に優
れ、特に電気回路基板として存用なお上記薄着性が要求
されるモーター軸受け、メカニカルシール、配管やタン
クなどの化学用装置、エンジンカバーなどの自動車部品
、ほうろう鍋などの家庭器具にも用途が考えられる。
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の゛一実施例の回路基板の表面粗さを示
す形状図、第2図は従来例の回路基板の表面粗さを示す
形状図である。第3図、第4図は回路基板の耐酸性を示
す図、 第5図は回路基板の焼 成温度と表面粗さの関係を示す図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)重量%で、La_2O_3=0.5〜3%、Mg
    O=20〜50%,CaO=1〜25%,BaO=0〜
    15%,B_2O_3=10〜30%,SiO_2=8
    〜20%,MO_2(MはTi、Zr,Snの少なくと
    も1種)=0〜5%,P_2O_5=0〜5%を主成分
    とするほうろうそう上に金電極を形成したことを特徴と
    する回路基板。
  2. (2)ほうろう層の主成分が少なくとも、重量%で、L
    a_2O_3=0.5〜3%、MgO=20〜40%,
    CaO=1〜20%,BaO=0〜15%,B_2O_
    3=15〜25%,SiO_2=10〜20%,ZrO
    _2=0〜5%,P_2O_5=0〜5%であることを
    特徴とする請求項1記載の回路基板。
  3. (3)ほうろう層の主成分が少なくとも、重量%で、L
    a_2O_3=0.5〜3%、MgO=20〜40%,
    CaO=1〜20%,B_2O_3=15〜25%,S
    iO_2=10〜20%,ZrO_2=0〜5%,P_
    2O_5=0〜5%であることを特徴とする請求項2記
    載の回路基板。
  4. (4)SiO_2/B_2O_3が0.25〜1.0で
    あることを特徴とする請求項1、2または3記載の回路
    基板。
JP19177788A 1988-07-29 1988-07-29 回路基板 Expired - Lifetime JPH0656913B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19177788A JPH0656913B2 (ja) 1988-07-29 1988-07-29 回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19177788A JPH0656913B2 (ja) 1988-07-29 1988-07-29 回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0240991A true JPH0240991A (ja) 1990-02-09
JPH0656913B2 JPH0656913B2 (ja) 1994-07-27

Family

ID=16280362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19177788A Expired - Lifetime JPH0656913B2 (ja) 1988-07-29 1988-07-29 回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0656913B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0656913B2 (ja) 1994-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6238299B2 (ja)
US4965229A (en) Glass ceramic for coating metal substrate
JP2015513512A (ja) 高温用途用のガラスはんだの製造用の組成物と、その利用
JPH01179741A (ja) ガラスセラミックス組成物
JPH0240991A (ja) 回路基板
JPH01239038A (ja) 金属基体被覆用ガラスセラミック
JPH0240990A (ja) 回路基板
JPS626284B2 (ja)
JPS60137847A (ja) 厚膜形成用組成物
JPS5811565A (ja) 導電塗料
JP2519938B2 (ja) ガラス組成物
JPH0793500B2 (ja) 導電回路の製造方法
JPS59207853A (ja) ガラス組成物
JP2512062B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造法
JP2523765B2 (ja) ガラスセラミック基板
JPS58199865A (ja) ホ−ロ−基板
JPH0368485B2 (ja)
JPH098325A (ja) 電気絶縁基板の製造法およびこれを用いた力学量センサ
JP2000236147A (ja) ガラス基板およびその製造方法
JPS60172102A (ja) 鋼板被覆用結晶化ガラス組成物
JP2624147B2 (ja) 低温焼成基板用組成物
JPH06174567A (ja) トルクセンサおよびその製造方法
JPS627135B2 (ja)
JPS6177636A (ja) セラミック基板
JPH04187540A (ja) 導電ペースト