JP2523765B2 - ガラスセラミック基板 - Google Patents

ガラスセラミック基板

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JP2523765B2
JP2523765B2 JP63046229A JP4622988A JP2523765B2 JP 2523765 B2 JP2523765 B2 JP 2523765B2 JP 63046229 A JP63046229 A JP 63046229A JP 4622988 A JP4622988 A JP 4622988A JP 2523765 B2 JP2523765 B2 JP 2523765B2
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正樹 池田
西野  敦
康男 水野
将浩 平賀
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は耐熱性金属基板上に、ガラスセラミックを被
覆してなる基板に関する。
従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドICやプリント回路基板には、
アルミナ基板やエポキシガラス基板を用いていた。アル
ミナ基板の欠点は機械的強度が弱く、かつ大型の基板の
作製が困難であった。他方、エポキシガラス基板は安価
で大量生産に向いているが、耐熱性に問題があり、回路
形成に用いられる材料が低温用に限られていたこと、ま
た、製品使用環境が400℃以下という制限があった。
これら、従来の回路用基板の問題点を解決する方法と
して、金属基板にガラス質層を被覆した、いわゆるホー
ロ絶縁基板が提案された。まず第一の提案は、アルカリ
金属酸化物(Na2O,K2O,Li2O)の料が比較的少い非晶質
ガラスをホーロ絶縁層とした基板である。このタイプの
絶縁基板の欠点は従来の基板(アルミナ基板)に比べ
て、高温時の電気絶縁性に劣ること、高温中で、長時
間、電圧を印加すると、アルカリイオンのマイグレーシ
ョンによって、回路網に悪影響を及ぼすこと等、電気絶
縁性,信頼性に問題があった。
これに対し、第二の提案は、ホーロ絶縁層に結晶化ガ
ラスを使用するという試みである。例えば、特開昭56−
73643号公報に開示されているように、6〜25モル%のB
aO,30〜60モル%の金属酸化物(MgO,ZnO,CaOの郡から選
ばれる1又は2以上の混合物)、13〜35モル%のB2O3
10〜25モル%のSiO2の組成からなる結晶化ガラスを鋼板
上に被覆したホーロ絶縁基板は、無アルカリガラスであ
るため、電気絶縁性、信頼性に優れており、第一の提案
を超えるものおあった。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この第2の提案の結晶化ガラス層を金
属基材上に形成すると、金属基材とガラス層の間の密着
性が極端に悪い。その理由は、ガラス成分中にアルカリ
成分が入っていないため、金属基材とガラス層の相互拡
散が乏しいためである。特に、耐食性金属である、ステ
ンレス鋼、各種耐熱合金を金属基材として用いた場合、
その傾向が顕著であり、わずかな機械的衝撃で簡単に剥
離していた。
本発明は、上記の課題にもとづき、結晶化ガラス層と
Cr成分を含有する耐食性金属基材との密着性を著しく向
上させたガラスセラミック基板を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段 本発明のガラスセラミック基板は、クロム成分を含む
耐熱性金属板上に、クロムの酸化皮膜を形成し、さらに
その上にニッケル,コバルト,クロムから選ばれる金属
メッキを施こした金属基体に、前記無アルカリ結晶化ガ
ラス層を被覆することを特徴としたものである。
作用 上記、手段で構成することにより、従来では密着性の
観点から不可能であった、耐熱性金属板上に結晶化ガラ
ス層を形成することができ、耐熱性,耐衝撃性,長寿命
性,絶縁性等に優れた基板を得られる。
実 施 例 まず初めにCr2O3酸化皮膜の動作について、Cr成分を
含有する耐熱性金属基材としてステンレス鋼SUS 430
(Cr成分17%)を例にとって述べる。
SUS 430は加熱処理をすると表面に酸化スケールを生
ずることが知られており、その酸化スケールの形態は処
理温度によって異なる。
800〜900℃の温度域では、Fe成分をほとんど含まない
Cr2O3の六方晶系とスピネル系酸化物になっている。900
℃以上の処理温度では、酸化スケールは(Fe,Cr)2O3
六方晶系酸化物になり、密着性の弱い、剥離性のスケー
ルとなる。本発明に有効な酸化物は酸化クロム層であ
り、この酸化物層は非常にち密で、かつ析出粒子が細か
いため、金属基体上は細かな凹凸が無数に発生する。こ
の酸化層表面にガラス質を焼き付けると、その表面の凹
凸性によるアンカー効果により、密着性は著しく向上す
る。このCrO2皮膜の生成温度は、金属の組成によって異
なるので、それぞれの材質によって、加熱処理温度は異
なる。CrO2皮膜をさらにち密で、析出粒子を均一にする
方法としては、金属基材をあらかじめ、ブラスト処理、
化学エッチング処理、エメリー研削等で、表面を粗して
おくことも効果的である。
酸化処理は通常の酸化雰囲気中で加熱処理する方法は
一般的であるが、426合金(42Ni−6Cr−Fe)のように、
水素ガスを流して、表面にCrを選択的に析出させ、酸化
する方法もある。
次に金属メッキ層の作用について説明する。
本発明の金属メッキ層の効果は、(イ)ガラスと金属
基材の相互拡散を助長すること。(ロ)ガラスセラミッ
クを焼成する時に泡の発生を防止することである。
(イ)についてはホーロ分野ではよく知られたことであ
る。(ロ)については、本発明のような、結晶化ガラス
を電気泳動法で、試料を陰分極で形成する場合は、特に
効果的である。その理由を以下に述べる。結晶化ガラス
は微粉末状にし、アルコール系溶媒と数%の水を加え
て、ボールミル混合して、スラリーとする。ガラス粉末
はに帯電するので、金属基体上に被覆させるために
は、陰分極する必要がある。このような陰分極では、ガ
ラス粒子の析出と同時に、電気分解により、わずかの水
素がCr2O3皮膜の凹凸部に吸着される。上記のようなメ
ッキ層を形成しない場合は、焼成時に、H2ガスがホーロ
層中に含包したり、ホーロ表面にピンホールとなり、電
気絶縁耐圧が低下したり、配線パターンに悪影響を及ぼ
す。しかしながら、本発明のように、Cr2O3皮膜上に金
属メッキ、例えばNiメッキを施こしてやれば、Niメッキ
層によって水素ガスが吸蔵され、焼成時に泡の発生に
は、いたらないからである。そのほか、金属メッキの種
類としては、Cr,Co等も有効である。また、その方法も
一般的な電気メッキのほかに、無電解メッキでもかまわ
ない。
(具体例) 第1表に示した、ガラス組成の結晶化ガラス粉末200g
とイソプロピルアルコール970c.c.、水30c.c.を加え、
ボールミルで20時間、粉砕混合し、ガラス平均粒径3〜
5μmのスラリーとする。
本実施例では、耐熱金属として代表的なSUS430と426
合金を用いた。基材は50mm×50mm×0.8で、日本金属
(株)製SUS430は、表面を#60のAl2O3ブラスト材でブ
ラスト処理した後、850℃で30分間、電気炉中に入れ、C
rO2酸化皮膜を形成した。また住友特殊金属(株)製426
合金は1200℃で水素ガスをフローした処理炉中で、Cr2O
3酸化皮膜を形成したサンプルを用いた。さらに、これ
らCr2O3皮膜を形成した基材を60℃のNiメッキ液(ワッ
ト浴)中に浸漬し、1000クーロンの電気量を流して、ニ
ッケル層を形成させた。これらのサンプルを、前記のス
ラリー中に浸漬し、対極との極間距離20mm、印加電圧15
0Vの条件で、ガラス粒子を厚みで100μmになるよう被
覆させた。さらに、これを乾燥し、900℃、10分間焼成
し、サンプルとした。
また、比較例として、Cr2O3皮膜およびNi皮膜のいず
れかを形成していないか、どちらも形成していないサン
プルを同一条件で作製し、密着性,絶縁性,表面性をチ
ェックした。
なお密着性は米国ホーロ協会のPEI密着試験法で行っ
た。○は密着度が80%以上、△は80〜50%、×は30%以
下とした。
絶縁性は絶縁耐圧計を用いて、30φの面積での絶縁耐
圧(ブレークダウン値1mA)を調べた。
表面性は目視によって、ピンホール、泡の状態を観察
したものである。○はいずれも無いもの、△は1〜5
コ、×は5コ以上あるものの結果を示す。その結果を第
2表に示す。
発明の効果 以上、詳述のように、本発明の回路用ガラスセラミッ
ク基板は、従来では使用できなかった耐熱性金属でも、
密着性,電気絶縁性,表面性を著しく改善することがで
きる。なお、本発明に有効な金属はフェライト系ステン
レス、Ni−Cr基合金などである。
なお、本発明における基板は回路基板としての絶縁性
基板のほかに、モータ軸受、メカニカルシール等の耐摩
耗性基板としての使用も可能である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】クロム成分を含む耐熱性金属板上に、クロ
    ム酸化皮膜を形成し、さらにその表面にニッケル,コバ
    ルト,クロムから選ばれる金属メッキを施した前記金属
    基体上に無アルカリ結晶化ガラス層を被覆することを特
    徴とするガラスセラミック基板。
JP63046229A 1988-02-29 1988-02-29 ガラスセラミック基板 Expired - Lifetime JP2523765B2 (ja)

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