JPH0240077B2 - - Google Patents
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【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野:
本発明は、式():
〔式中、Phはそれぞれフエニル基を表わす〕で
示される光学活性の1―ベンジル―3,4―ビス
―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリジンの製造
法に関する。
示される光学活性の1―ベンジル―3,4―ビス
―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリジンの製造
法に関する。
従来技術:
非置換又はβ―置換α―アシルアミノ―アクリ
ル酸を均一に不斉水素添加するための触媒として
使用されるロジウム錯体を掌性配位子として含有
するピロリジン誘導体は、従前の公開されてない
西ドイツ国特許出願P3403194.4号に記載されてい
る。この西ドイツ国特許出願に同様に記載され
た、ピロリジン誘導体の製造法は、極めて多工程
であり、したがつて実際に煩雑で長たらしい。
ル酸を均一に不斉水素添加するための触媒として
使用されるロジウム錯体を掌性配位子として含有
するピロリジン誘導体は、従前の公開されてない
西ドイツ国特許出願P3403194.4号に記載されてい
る。この西ドイツ国特許出願に同様に記載され
た、ピロリジン誘導体の製造法は、極めて多工程
であり、したがつて実際に煩雑で長たらしい。
発明を達成するための手段:
ところで、光学活性の1―ベンジル―3,4―
ビス―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリジンを
僅か3つにすぎない処理過程の比較的簡単な方法
で得ることができる新規の製造法が見い出され
た。
ビス―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリジンを
僅か3つにすぎない処理過程の比較的簡単な方法
で得ることができる新規の製造法が見い出され
た。
本発明方法は、
a) 式():
〔式中、Phはフエニル基である)で示される
光学活性の1―ベンジル―2,5―ジオキソ―
3,4―ジヒドロキシ―ピロリジンを−50℃〜
+170℃の温度で不活性溶剤中で0.1〜20倍のモ
ル量の三弗化硼素の存在で1〜20倍のモル量の
ナトリウムボラナートで還元し、式(): 〔式中、Phはフエニル基である〕で示される
1―ベンジル―3,4―ジヒドロキシ―ピロリ
ジンに変え、 b) これを−40℃〜+100℃の温度で2〜20倍
のモル量の3級アミンの存在で2〜10当量のメ
タンスルホン酸無水物又はメタンスルホン酸ク
ロリドで式(): で示される1―ベンジル―3,4―ジメタンス
ルホニル―ピロリジンに変換し、 c) これを−20℃〜+40℃の温度で不活性溶剤
中で酸素の遮断下で2〜6倍のモル量のアルカ
リ金属ジフエニルホスフイドと反応させること
を特徴とする。
光学活性の1―ベンジル―2,5―ジオキソ―
3,4―ジヒドロキシ―ピロリジンを−50℃〜
+170℃の温度で不活性溶剤中で0.1〜20倍のモ
ル量の三弗化硼素の存在で1〜20倍のモル量の
ナトリウムボラナートで還元し、式(): 〔式中、Phはフエニル基である〕で示される
1―ベンジル―3,4―ジヒドロキシ―ピロリ
ジンに変え、 b) これを−40℃〜+100℃の温度で2〜20倍
のモル量の3級アミンの存在で2〜10当量のメ
タンスルホン酸無水物又はメタンスルホン酸ク
ロリドで式(): で示される1―ベンジル―3,4―ジメタンス
ルホニル―ピロリジンに変換し、 c) これを−20℃〜+40℃の温度で不活性溶剤
中で酸素の遮断下で2〜6倍のモル量のアルカ
リ金属ジフエニルホスフイドと反応させること
を特徴とする。
処理過程a)で出発物質として使用される式
()の光学活性の1―ベンジル―2,5―ジオ
キソ―3,4―ジヒドロキシ―ピロリジンは、容
易に自体公知の方法で、光学活性の酒石酸をベン
ジルアミンと縮合させることによつて得ることが
できる。この場合、L―酒石酸を使用する場合に
は、、本発明による方法の最終生成物は、1―ベ
ンジル―3,4―(R,R)―ビス―(ジフエニ
ルホスフイノ)―ピロリジンであり、D―酒石酸
から出発する場合には、相当する方法で1―ベン
ジル―3,4―(S,S)―ビス―(ジフエニル
ホスフイノ)―ピロリジンが生成される。
()の光学活性の1―ベンジル―2,5―ジオ
キソ―3,4―ジヒドロキシ―ピロリジンは、容
易に自体公知の方法で、光学活性の酒石酸をベン
ジルアミンと縮合させることによつて得ることが
できる。この場合、L―酒石酸を使用する場合に
は、、本発明による方法の最終生成物は、1―ベ
ンジル―3,4―(R,R)―ビス―(ジフエニ
ルホスフイノ)―ピロリジンであり、D―酒石酸
から出発する場合には、相当する方法で1―ベン
ジル―3,4―(S,S)―ビス―(ジフエニル
ホスフイノ)―ピロリジンが生成される。
処理過程a)は、有利に0℃〜100℃の温度で
実施される。適当な不活性溶剤は、三弗化硼素
(BF3)及びナトリウムボラナート(NaBH4)が
可溶性であるようなもの、例えばジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、1,4―ジメトキ
シブタン、テトラヒドロフラン又はジグリコール
ジメチルエーテルである。三弗化硼素は、ガスと
して使用することができるか又はエーテラート錯
体として使用することができる。それは、有利に
1〜6倍のモル量で使用される。ナトリウムボラ
ナートは、有利に氷冷却下で少量ずつ緩徐に添加
される。このナトリウムボラナートは、有利に1
〜4倍のモル量で使用される。
実施される。適当な不活性溶剤は、三弗化硼素
(BF3)及びナトリウムボラナート(NaBH4)が
可溶性であるようなもの、例えばジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、1,4―ジメトキ
シブタン、テトラヒドロフラン又はジグリコール
ジメチルエーテルである。三弗化硼素は、ガスと
して使用することができるか又はエーテラート錯
体として使用することができる。それは、有利に
1〜6倍のモル量で使用される。ナトリウムボラ
ナートは、有利に氷冷却下で少量ずつ緩徐に添加
される。このナトリウムボラナートは、有利に1
〜4倍のモル量で使用される。
処理過程a)の粗製反応混合物の後処理は、例
えば過剰の塩酸をガスの発生が終結するまで緩徐
に滴加し、次になお1回短時間高い温度、例えば
70℃に加熱するようにして行なうことができる。
特に好ましいのは、この場合錯形成体を反応混合
物中に含有される硼素化合物に添加し、なお1回
数時間高い温度、例えば100℃に加熱する場合で
ある。このような錯形成体は、例えば隣接せるヒ
ドロキシル基を有するポリヒドロキシル化合物、
例えばグリセリン、糖アルコール又は糖、殊に単
糖類、及び/又はアルカリ金属弗化物、殊に弗化
ナトリウムである。これらの物質は、有利に全部
使用される硼素化合物を越えるモル過剰量で使用
される。更に、冷却後に苛性ソーダ液で中和され
る。水相は、分離されかつ廃棄され、有機相は、
減圧下で蒸発濃縮される。残滓は、水中に引き取
られ、かつ適当な溶剤、特に酢酸エチルエステル
で徹底的に抽出される。合せた抽出液は、減圧下
でできるだけ少量に濃縮され、かつ低い温度、例
えば5℃に冷却される。次に、放置すると、式
()の1―ベンジル―3,4―ジヒドロキシ―
ピロリジンが晶出する。
えば過剰の塩酸をガスの発生が終結するまで緩徐
に滴加し、次になお1回短時間高い温度、例えば
70℃に加熱するようにして行なうことができる。
特に好ましいのは、この場合錯形成体を反応混合
物中に含有される硼素化合物に添加し、なお1回
数時間高い温度、例えば100℃に加熱する場合で
ある。このような錯形成体は、例えば隣接せるヒ
ドロキシル基を有するポリヒドロキシル化合物、
例えばグリセリン、糖アルコール又は糖、殊に単
糖類、及び/又はアルカリ金属弗化物、殊に弗化
ナトリウムである。これらの物質は、有利に全部
使用される硼素化合物を越えるモル過剰量で使用
される。更に、冷却後に苛性ソーダ液で中和され
る。水相は、分離されかつ廃棄され、有機相は、
減圧下で蒸発濃縮される。残滓は、水中に引き取
られ、かつ適当な溶剤、特に酢酸エチルエステル
で徹底的に抽出される。合せた抽出液は、減圧下
でできるだけ少量に濃縮され、かつ低い温度、例
えば5℃に冷却される。次に、放置すると、式
()の1―ベンジル―3,4―ジヒドロキシ―
ピロリジンが晶出する。
処理過程b)は、有利に−20℃〜+20℃の温度
で実施される。3級アミンは、有利にメシル化剤
と同じモル量で使用される。メシル化剤として
は、メタンスルホン酸クロリドが有利に使用され
る。場合によつては、反応は、不活性溶剤中で行
なうこともできる。適当な溶剤は、殊に脂肪族炭
化水素、例えばn―ペンタンもしくはn―ヘキサ
ン;塩化メチレン又は四塩化炭素である。メシル
化剤は、有利には式()の装入された1―ベン
ジル―3,4―ジヒドロキシ―ピロリジン及び3
級アミンに、場合によつては不活性溶剤中の溶液
として、冷却下に緩徐に滴加される。メシル化剤
は、特に3級アミンと全く同様に2〜4倍のモル
量で使用される。メシル化剤の添加が終つた後に
は、反応混合物をなお約30分間室温又は高めた温
度で撹拌するのが望ましい。
で実施される。3級アミンは、有利にメシル化剤
と同じモル量で使用される。メシル化剤として
は、メタンスルホン酸クロリドが有利に使用され
る。場合によつては、反応は、不活性溶剤中で行
なうこともできる。適当な溶剤は、殊に脂肪族炭
化水素、例えばn―ペンタンもしくはn―ヘキサ
ン;塩化メチレン又は四塩化炭素である。メシル
化剤は、有利には式()の装入された1―ベン
ジル―3,4―ジヒドロキシ―ピロリジン及び3
級アミンに、場合によつては不活性溶剤中の溶液
として、冷却下に緩徐に滴加される。メシル化剤
は、特に3級アミンと全く同様に2〜4倍のモル
量で使用される。メシル化剤の添加が終つた後に
は、反応混合物をなお約30分間室温又は高めた温
度で撹拌するのが望ましい。
処理過程b)の粗製反応混合物を後処理するこ
とは、例えば差当り水で洗浄し、洗浄水の分離後
に強力に撹拌しながら過剰の希塩酸を添加するよ
うにして行なうことができる。次に、塩化メチレ
ン相は、デカンテーシヨンされかつ廃棄される。
塩酸の水相は、ほぼ室温で苛性ソーダ液で中和さ
れ、その際に分離される油状沈殿物は、塩化メチ
レンで抽出される。溶剤は、減圧下で蒸発濃縮さ
れ、残滓は、エタノールから再結晶される。
とは、例えば差当り水で洗浄し、洗浄水の分離後
に強力に撹拌しながら過剰の希塩酸を添加するよ
うにして行なうことができる。次に、塩化メチレ
ン相は、デカンテーシヨンされかつ廃棄される。
塩酸の水相は、ほぼ室温で苛性ソーダ液で中和さ
れ、その際に分離される油状沈殿物は、塩化メチ
レンで抽出される。溶剤は、減圧下で蒸発濃縮さ
れ、残滓は、エタノールから再結晶される。
処理過程c)は、有利に−10℃〜+10℃の温度
で実施される。適当な不活性溶剤は、例えばエー
テル、例えばジエチルエーテル、ジ―n―ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサンで
ある。空気酸素は、例えば窒素又はアルゴンの不
活性ガス雰囲気を使用することによつて厳重に遮
断される。アルカリ金属ジフエニルホスフイドと
しては、有利にリチウム、ナトリウム又はカリウ
ムのジフエニルホスフイドが使用される。これ
は、特に2〜3倍のモル量で使用される。有利に
は、このアルカリ金属ジフエニルホスフイドは、
新たにその場でアルカリ金属及びクロルジフエニ
ルホスフインから得られる。
で実施される。適当な不活性溶剤は、例えばエー
テル、例えばジエチルエーテル、ジ―n―ブチル
エーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサンで
ある。空気酸素は、例えば窒素又はアルゴンの不
活性ガス雰囲気を使用することによつて厳重に遮
断される。アルカリ金属ジフエニルホスフイドと
しては、有利にリチウム、ナトリウム又はカリウ
ムのジフエニルホスフイドが使用される。これ
は、特に2〜3倍のモル量で使用される。有利に
は、このアルカリ金属ジフエニルホスフイドは、
新たにその場でアルカリ金属及びクロルジフエニ
ルホスフインから得られる。
1―ベンジル―3,4―ジメタンスルホニル―
ピロリジンは、アルカリ金属ジフエニルホスフイ
ドの装入した溶液に添加される。
ピロリジンは、アルカリ金属ジフエニルホスフイ
ドの装入した溶液に添加される。
処理過程c)の粗製反応混合物を後処理するこ
とは、例えば僅少量の水を添加し、次に減圧下で
蒸発濃縮するようにして行なうことができる。残
滓は、ジエチルエーテル中に引き取られ、このエ
ーテル溶液は、水で洗浄され、次にこれは廃棄さ
れる。引続き、溶液中に含有されている式()
の1―ベンジル―3,4―ビス―(ジフエニルホ
スフイノ)―ピロリジンは、塩酸塩として単離さ
れる。そのためには、このエーテル溶液に希塩酸
を添加し、それによつて蝋状の沈殿物が生成され
る。液相は、デカンテーシヨンされ、残滓は、イ
ソプロピルアルコールから再結晶される。
とは、例えば僅少量の水を添加し、次に減圧下で
蒸発濃縮するようにして行なうことができる。残
滓は、ジエチルエーテル中に引き取られ、このエ
ーテル溶液は、水で洗浄され、次にこれは廃棄さ
れる。引続き、溶液中に含有されている式()
の1―ベンジル―3,4―ビス―(ジフエニルホ
スフイノ)―ピロリジンは、塩酸塩として単離さ
れる。そのためには、このエーテル溶液に希塩酸
を添加し、それによつて蝋状の沈殿物が生成され
る。液相は、デカンテーシヨンされ、残滓は、イ
ソプロピルアルコールから再結晶される。
塩酸塩は、乾燥状態で良好に維持させることが
できる。必要な場合には、これからアルカリ金属
水酸化物、―炭酸水素塩もしくは―炭酸塩又は3
級アミンで処理することによつて遊離塩基を得る
ことができる。
できる。必要な場合には、これからアルカリ金属
水酸化物、―炭酸水素塩もしくは―炭酸塩又は3
級アミンで処理することによつて遊離塩基を得る
ことができる。
実施例:
次に、本発明を1―ベンジル―3,4―(R,
R)―ビス―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリ
ジン塩酸塩を1―ベンジル―2,5―ジオキソ―
3,4―(R,R)―ジヒドロキシ―ピロリジン
から得る場合の実施例によつて詳説する。全ての
百分率の記載は、別記しない限り重量%である。
R)―ビス―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリ
ジン塩酸塩を1―ベンジル―2,5―ジオキソ―
3,4―(R,R)―ジヒドロキシ―ピロリジン
から得る場合の実施例によつて詳説する。全ての
百分率の記載は、別記しない限り重量%である。
処理過程a)
ガス状三沸化硼素200g(2.94モル)を0℃で
ジグリコールジメチルエーテル1500ml中に導入し
た。この溶液に1―ベンジル―2,5―ジオキソ
―3,4―(R,R)―ジヒドロキシ―ピロリジ
ン165g(0.76モル)を添加し、この混合物に氷
冷却下にNaBH475g(2.0モル)を少量ずつ緩徐
に添加し、それによつて発熱反応をガスの発生下
に開始させた。添加の終結後、この反応混合物を
撹拌しながらなお2時間70℃に維持し、次いで室
温に冷却した。
ジグリコールジメチルエーテル1500ml中に導入し
た。この溶液に1―ベンジル―2,5―ジオキソ
―3,4―(R,R)―ジヒドロキシ―ピロリジ
ン165g(0.76モル)を添加し、この混合物に氷
冷却下にNaBH475g(2.0モル)を少量ずつ緩徐
に添加し、それによつて発熱反応をガスの発生下
に開始させた。添加の終結後、この反応混合物を
撹拌しながらなお2時間70℃に維持し、次いで室
温に冷却した。
引続き、20%の塩酸900mlをガスの発生下に緩
徐に滴加し、この反応混合物を撹拌しながらなお
1回15分間70℃に加熱した。次に、撹拌しながら
弗化ナトリウム400gを1回で添加し、この反応
混合物をさらに30分間100℃に加熱した。20℃へ
の冷却後、この反応混合物を20%の苛性ソーダ液
950mlで中和した。水相を分離しかつ廃棄し、有
機相を減圧下で蒸発濃縮した。この残滓を水600
ml中に引き取り、この溶液を3回酢酸エチルエス
テル600ml宛で抽出した。合せた抽出液を減圧下
で500mlの容量に濃縮し、5℃に冷却し、かつこ
の温度で1晩中放置した。100℃の融点を有する
1―ベンジル―3,4―(S,S)―ジヒドロキ
シ―ピロリジンの殆んど無色の結晶125.4g(理
論値の87%)が形成された。
徐に滴加し、この反応混合物を撹拌しながらなお
1回15分間70℃に加熱した。次に、撹拌しながら
弗化ナトリウム400gを1回で添加し、この反応
混合物をさらに30分間100℃に加熱した。20℃へ
の冷却後、この反応混合物を20%の苛性ソーダ液
950mlで中和した。水相を分離しかつ廃棄し、有
機相を減圧下で蒸発濃縮した。この残滓を水600
ml中に引き取り、この溶液を3回酢酸エチルエス
テル600ml宛で抽出した。合せた抽出液を減圧下
で500mlの容量に濃縮し、5℃に冷却し、かつこ
の温度で1晩中放置した。100℃の融点を有する
1―ベンジル―3,4―(S,S)―ジヒドロキ
シ―ピロリジンの殆んど無色の結晶125.4g(理
論値の87%)が形成された。
〔α〕20 D:+32.3゜(c=1.5;メタノール)
処理過程b)
1―ベンジル―3,4―(S,S)―ジヒドロ
キシ―ピロリジン77g(0.4モル)及びトリエチ
ルアミン90g(0.88モル)を塩化メチレン500ml
に溶解した。この溶液に5℃〜10℃でメタンスル
ホニルクロリド100.8g(0.88モル)を緩徐に添
加し、この反応混合物を室温にもたらし、かつな
お30分間撹拌した。
キシ―ピロリジン77g(0.4モル)及びトリエチ
ルアミン90g(0.88モル)を塩化メチレン500ml
に溶解した。この溶液に5℃〜10℃でメタンスル
ホニルクロリド100.8g(0.88モル)を緩徐に添
加し、この反応混合物を室温にもたらし、かつな
お30分間撹拌した。
次に、この反応混合物を2回水150ml宛で洗浄
し、この洗浄水を廃棄した。この塩化メチレン溶
液を1N HCl2と一緒に強力に撹拌し、引続き
塩化メチレンをデカンテーシヨンし、かつ廃棄し
た。水相を室温で20%の苛性ソーダ液で中和し
た。形成された油状沈殿物を2回ジクロルメタン
300ml宛で抽出した。合せた抽出液から減圧下に
塩化メチレンを蒸発させ、残滓をエタノール200
mlから再結晶させた。56.5℃の融点を有する1―
ベンジル―3,4―(S,S)―ジメタンスルホ
ニル―ピロリジン119g(理論値の85%)が得ら
れた。
し、この洗浄水を廃棄した。この塩化メチレン溶
液を1N HCl2と一緒に強力に撹拌し、引続き
塩化メチレンをデカンテーシヨンし、かつ廃棄し
た。水相を室温で20%の苛性ソーダ液で中和し
た。形成された油状沈殿物を2回ジクロルメタン
300ml宛で抽出した。合せた抽出液から減圧下に
塩化メチレンを蒸発させ、残滓をエタノール200
mlから再結晶させた。56.5℃の融点を有する1―
ベンジル―3,4―(S,S)―ジメタンスルホ
ニル―ピロリジン119g(理論値の85%)が得ら
れた。
〔α〕20 D:+36.4゜(c=1;メタノール)
処理過程c)
後に水を添加するまで、全ての反応をアルゴン
雰囲気下で行なつた。
雰囲気下で行なつた。
ナトリウム25gを20℃で小さい断片で無水ジオ
キサン320ml中に懸濁させた。クロルジフエニル
ホスフイン66gを約45分間で緩徐に滴加し、この
反応混合物をなお2時間還流温度に維持した。次
に、この反応混合物を80℃に冷却し、かつ無水テ
トラヒドロフラン450mlで希釈した。ナトリウム
の過剰量を除去するために、この反応混合物をガ
ラス綿で充填したカラムを介して濾過し、この濾
液を0℃に冷却した。
キサン320ml中に懸濁させた。クロルジフエニル
ホスフイン66gを約45分間で緩徐に滴加し、この
反応混合物をなお2時間還流温度に維持した。次
に、この反応混合物を80℃に冷却し、かつ無水テ
トラヒドロフラン450mlで希釈した。ナトリウム
の過剰量を除去するために、この反応混合物をガ
ラス綿で充填したカラムを介して濾過し、この濾
液を0℃に冷却した。
次に、撹拌しながら1―ベンジル―3,4―
(S,S)―ジメタンスルホニル―ピロリジン
41.9gを1回で添加した。1時間後、今やゲル状
で僅かに漸く撹拌することができるような反応混
合物を無水テトラヒドロフランさらに300mlで希
釈し、かつ室温にもたらすために1晩中放置し
た。
(S,S)―ジメタンスルホニル―ピロリジン
41.9gを1回で添加した。1時間後、今やゲル状
で僅かに漸く撹拌することができるような反応混
合物を無水テトラヒドロフランさらに300mlで希
釈し、かつ室温にもたらすために1晩中放置し
た。
次に、水100mlの添加後、この混合物を25℃の
浴温で減圧下に蒸発濃縮した。この残滓をジエチ
ルエーテル350ml中に引き取り、この溶液を2回
水100ml宛で洗浄し、次にこの水を廃棄し、溶液
に2N HCl60mlを添加し、それによつて蝋状の沈
殿物が形成された。液相をデカンテーシヨンし、
残滓をイソプロピルアルコール170mlから再結晶
させた。102℃〜108℃の融点を有する1―ベンジ
ル―3,4―(R,R)―ビス―(ジフエニルホ
スフイノ)―ピロリジン塩酸塩30.8g(理論値の
45.3%)が得られた。
浴温で減圧下に蒸発濃縮した。この残滓をジエチ
ルエーテル350ml中に引き取り、この溶液を2回
水100ml宛で洗浄し、次にこの水を廃棄し、溶液
に2N HCl60mlを添加し、それによつて蝋状の沈
殿物が形成された。液相をデカンテーシヨンし、
残滓をイソプロピルアルコール170mlから再結晶
させた。102℃〜108℃の融点を有する1―ベンジ
ル―3,4―(R,R)―ビス―(ジフエニルホ
スフイノ)―ピロリジン塩酸塩30.8g(理論値の
45.3%)が得られた。
〔α〕20 D:+86.9゜(c=0.88;メタノール)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式(): 〔式中、Phはそれぞれフエニル基を表わす〕で
示される光学活性の1―ベンジル―3,4―ビス
―(ジフエニルホスフイノ)―ピロリジンの製造
法において、 a) 式(): 〔式中、Phはフエニル基を表わす〕で示され
る光学活性の1―ベンジル―2,5―ジオキソ
―3,4―ジヒドロキシ―ピロリジンを−50℃
〜+170℃の温度で不活性溶剤中で0.1〜20倍の
モル量の三弗化硼素の存在で1〜20倍のモル量
のナトリウムボラナートで還元し、式(): 〔式中、Phはフエニル基を表わす〕で示され
る1―ベンジル―3,4―ジヒドロキシ―ピロ
リジンに変え、 b) これを−40℃〜+100℃の温度で2〜20倍
のモル量の3級アミンの存在で2〜10当量のメ
タンスルホン酸無水物又はメタンスルホン酸ク
ロリドで式(): 〔式中、Phはフエニル基を表わす〕で示され
る1―ベンジル―3,4―ジメタンスルホニル
―ピロリジンに変換し、 c) これを−20℃〜+40℃の温度で不活性溶剤
中で酸素の遮断下で2〜6倍のモル量のアルカ
リ金属ジフエニルホスフイドと反応させること
を特徴とする、式()の光学活性の1―ベン
ジル―3,4―ビス―(ジフエニルホスフイ
ノ)―ピロリジンの製造法。 2 処理過程a)を0℃〜100℃の温度で実施す
る、特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 処理過程a)で三弗化硼素を1〜6倍のモル
量で使用する、特許請求の範囲第1項又は第2項
に記載の方法。 4 処理過程a)でナトリウムボラナートを1〜
4倍のモル量で使用する、特許請求の範囲第1項
から第3項までのいずれか1項に記載の方法。 5 処理過程b)を−20℃〜+20℃の温度で実施
する、特許請求の範囲第1項から第4項まのいず
れか1項に記載の方法。 6 処理過程b)で3級アミンを2〜4倍のモル
量で使用する、特許請求の範囲第1項から第5項
までのいずれか1項に記載の方法。 7 処理過程b)でメタンスルホン酸無水物又は
メタンスルホン酸クロリドを2〜4当量の量で使
用する、特許請求の範囲第1項から第6項までの
いずれか1項に記載の方法。 8 反応過程c)を−10℃〜+10℃の温度で実施
する、特許請求の範囲第1項から第7項までのい
ずれか1項に記載の方法。 9 処理過程c)でアルカリ金属ジフエニルホス
フイドを2〜3倍のモル量で使用する、特許請求
の範囲第1項から第8項までのいずれか1項に記
載の方法。
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