JP2558301B2 - テルペンジオール誘導体の製造方法 - Google Patents

テルペンジオール誘導体の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は下記一般式(I) (式(I)においてnは0〜2の整数を、R1はベンジル
基または1−アルコキシアルキル基を、R2は水素または
フェニルチオ基を、R3は水素、ベンジル基または1−ア
ルコキシアルキル基を表わす。) により示されるテルペンジオール誘導体の製造方法に関
する。
本発明により製造されるテルペンジオール誘導体(以
下化合物(I)と記す。)はプラウノトールなどの医薬
品、ビタミンK2の製造用中間体として使用することがで
きる。
〔従来の技術〕
化合物(I)の製造方法については従来天然物を起源
とする方法が知られているのみである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
化合物(I)を大量かつ安価に供給することが望まれ
ており、本発明はこのことを可能にするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは化合物(I)を大量かつ安価に供給する
ことを目的として、種々検討を重ねた結果、一般式 (式(II)においてnは0〜2の整数を、R1はベンジル
基または1−アルコキシアルキル基を表わし、R2は水素
またはフェニルチオ基を表わす。) により示される化合物(以下化合物(II)と記す。)と
一般式 (式(III)においてXはハロゲン原子を、R3は水素、
ベンジル基または1−アルコキシアルキル基を表わ
す。) により示される化合物(以下化合物(III)と記す)と
を塩基の存在下に反応させることにより、好収率かつ立
体選択的に化合物(I)が得られることを見い出し、本
発明に到達した。
前記一般式におけるR1,R2およびR3について詳しく説
明する。R1はベンジル基または1−アルコキシアルキル
基を表わす。1−アルコキシアルキル基の具体例として
はメトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシ
エチル基、テトラヒドロピラン−2−イル基、テトラヒ
ドロフラン−2−イル基などがある。R2は水素またはフ
ェニルチオ基を表わす。R3は水素、ベンジル基または1
−アルコキシアルキル基を表わす。1−アルコキシアル
キル基の具体例としてはメトキシメチル基、エトキシメ
チル基、1−メトキシエチル基、テトラヒドロピラン−
2−イル基、テトラヒドロフラン−2−イル基などがあ
る。
以下化合物(I),化合物(II)および化合物(II
I)の具体例を示す。
(1) 化合物(I) (2) 化合物(II) (3) 化合物(III) 本発明で用いられる塩基としてはn−ブチルリチウ
ム、sec−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム、カ
リウムメトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属ア
ルコキシド、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの
アルカリ金属水酸化物がある。
本発明において用いられる化合物(II)と化合物(II
I)の使用モル比は特に制限はないが、収率および未反
応原料の回収の点から0.5〜2.0の範囲にあるのが好まし
い。また用いられる塩基は使用される化合物(III)1
モルに対し1〜1.5モル使用するのが好ましい。本発明
の反応は通常溶媒の存在下に行なわれる。用いられる溶
媒としてはテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、テ
トラヒドロピランなどの環状エーテル類、ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタ
ンなどの鎖状エーテル類、n−ヘキサン、n−ヘプタ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類、
酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチルなどの
エステル類、ヘキサメチルホスホロアミドなどが具体的
に示される。またアルカリ金属の水酸化物を用いる場合
は前記した溶媒と共に水を溶媒として用いることができ
るが、この場合はベンジルトリメチルアンモニウムクロ
ライドなどの4級アンモニウム塩を化合物(III)に対
し0.001〜0.05モル%共存させるのが好ましい。
本発明を実施するにあたり、反応温度は通常−100〜1
00℃の範囲で実施されるが、より好ましい反応温度は−
80〜50℃である。
本発明において用いられる化合物(II)は例えば次の
様な方法で製造することができる。
(i)R2が水素原子の場合 (ii)R2がフェニルチオ基の場合 また化合物(III)は例えば次の様な方法で製造する
ことができる。
化合物(I)においてnが1の場合、化合物(I)は
抗腫瘍剤プラウノトール の原料になり得る。例えば化合物(I)−3は還元反応
および加水分解反応を行なうことによりプラウノトール
に変換できる。また化合物(I)−6は還元反応を行な
うことによりプラウノトールに変換できる。これらの場
合の還元反応に液体アンモニア、低級アルキルアミン、
低級アルコールなどの活性水素を持つ化合物とリチウ
ム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属化合物に
よる還元剤が通常用いられる。また加水分解の触媒とし
てはアセタールの加水分解に用いられる触媒(通常は酸
触媒)が使用される。
実施例1 化合物(I)−6の合成 化合物(III)−1 3.62g(6.12mmol)をテトラヒド
ロフラン80mlとHMPA 5mlの混合溶液に懸濁させ、−65℃
でn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5M)4.5ml
(6.75mmol)を加え3.5時間−65℃で撹拌した。これに
化合物(II)−6 3.0g(7.3mmol)のテトラヒドロフ
ラン15ml溶液を−65℃で滴下し、1時間同温度で撹拌し
たのち、ゆっくり室温に戻し、さらに約15時間撹拌し
た。メタノール(10ml)水(10ml)を加え減圧下で溶媒
を留去し、残留物にメタノール50ml、水100mlを加えた
後ジエチルエーテルとヘキサンの1対1(体積比)の混
合溶媒100mlで抽出した。抽出液は飽和食塩水にて洗
浄、次いで硫酸マグネシウムにて乾燥後溶媒留去した。
留去後の残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製
し、化合物(I)−6 1.96g(3.3mmol)を得た。収率
54% 同定データは別表に示す。
参考例1 プラウノトールの合成 実施例1により得られた化合物(I)−6 0.5g(0.
778mmol)をジエチルエーテル10mlに溶解させた。この
ものを金属ナトリウム0.25gを液体アンモニア15mlに溶
かした溶液に−60℃で滴下し30分撹拌した。同温度でイ
ソプレンを反応液の濃紺色が消えるまで加えたのちメタ
ノール10mlを加え室温にもどし、アンモニアを留去し
た。反応液を水にあけ、食塩にて塩析し、酢酸エチル−
ジエチルエーテルの1対1の混合液にて抽出し、硫酸マ
グネシウムにて乾燥後濃縮した。残液をカラムクロマト
グラフィーにて精製し、3,11,15−トリメチル−7−ヒ
ドロキシメチル−2,6,10,14−ヘキサデカテトラエン−
1−オール(プラウノトール)0.167g(0.545mmol)を
得た。収率70% 実施例2 化合物(I)−3の合成 化合物(III)−1 2.48g(4.2mmol)をTHF 65ml−H
MPA 3.5mlからなる混合溶媒に懸濁させ、−65℃でn−
ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5M)3.0ml(4.5mmo
l)を加え3.5時間−65℃で撹拌した。これに化合物(I
I)−3 1.46g(4.96mmol)のTHF 10ml溶液を−65℃で
滴下し1時間同温度で撹拌したのち、ゆっくり室温にも
どし、さらに約11時間撹拌した。メタノール10mlおよび
水10mlを加え減圧下で溶媒を留去し、残留物にメタノー
ル50ml、水100mlを加えたのちジエチルエーテル/n−ヘ
キサンの1対1の混合溶媒で抽出し、飽和食塩水で洗浄
した。次いで硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去、更
にはカラムクロマトグラフィーを行ない、化合物(I)
−3 1.51g(3.14mmol)を得た。収率75%、同定デー
タは別表に示す。
参考例2 プラウノトールの合成 メカニカルスターラーを装備したフラスコに液体アン
モニア30mlを入れ、−60℃以下に冷却した。薄くスライ
スした金属ナトリウム1.0gを加え、−60℃で30分間撹拌
した。溶液は濃青色になる。化合物(I)−3 1.2g
(2.4mmol)の無水エーテル溶液20mlを−65〜−60℃で
約10分かけて滴下し、更に同温で5分間反応させた。塩
化アンモニウムを−60℃以下で濃青色が消えるまでゆっ
くり加えた。液体アンモニアを留去し、残留物を10mlの
水にあけ、エーテル抽出し、洗浄(sat.食塩水)、乾燥
(硫酸マグネシウム)、濃縮し、粗生成物(THP基はそ
のまま)0.93g(収率95%)を得た。更にこの粗生成物
をメタノール40mlに溶解し、p−トルエンスルホン酸1
水和物45mg(0.235mmol)を加え、室温にて15時間撹拌
した。飽和炭酸水素ナトリウムを加えて、反応液を中和
した後、減圧下で濃縮した。水で希釈し、抽出(ジエチ
ルエーテル)、洗浄(sat.食塩水)、乾燥(硫酸マグネ
シウム)後、濃縮し、カラム精製でプラウノトール0.60
g(収率86%)を得た。
〔発明の効果〕 本発明によれば、プラウノトールなどの医薬品、ビタ
ミンK2の製造用中間体として有用な一般式(I)で示さ
れるテルペンジオール誘導体を好収率かつ立体選択的に
得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 319/20 C07C 319/20 323/19 323/19

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (式(II)においてnは0〜2の整数を表わし、R1はベ
    ンジル基または1−アルコキシアルキル基を表わし、R2
    は水素またはフェニルチオ基を表わす。) により示される化合物と 一般式 (式(III)においてXはハロゲン原子を、R3は水素、
    ベンジル基または1−アルコキシアルキル基を表わ
    す。) により示される化合物とを塩基の存在下に反応させるこ
    とを特徴とする 一般式 (式(I)においてn、R1、R2およびR3は式(II)およ
    び式(III)におけると同じ意味を持つ。) で示されるテルペンジオール誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】一般式(I)および(II)においてnが1
    である特許請求の範囲第1項に記載のテルペンジオール
    誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】一般式(I)、(II)および(III)にお
    いてR1、R2、R3がそれぞれベンジル基、フェニルチオ
    基、ベンジル基である特許請求の範囲第1項に記載のテ
    ルペンジオール誘導体の製造方法。
  4. 【請求項4】一般式(I)、(II)および(III)にお
    いてR1、R2、R3がそれぞれ1−アルコキシアルキル基、
    水素、ベンジル基である特許請求の範囲第1項に記載の
    テルペンジオール誘導体の製造方法。
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