JPH0239557A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH0239557A JPH0239557A JP19027088A JP19027088A JPH0239557A JP H0239557 A JPH0239557 A JP H0239557A JP 19027088 A JP19027088 A JP 19027088A JP 19027088 A JP19027088 A JP 19027088A JP H0239557 A JPH0239557 A JP H0239557A
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- semiconductor element
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、リードフレーム及び該リードフレームを用い
た半導体装置に関する。
た半導体装置に関する。
［従来の技術及び課題］
従来、リードフレームは帯状の金属板をエツチング法等
により加工することによって製造されている。一方、半
導体装置に組込まれる半導体素子は近年、集積度の向上
が目覚ましく、これに伴って多ピン化される傾向にある
。こうした多ビン化に対応させるには、前記半導体素子
に接続されるリードフレームのインナーリードの本数を
増大させる必要がある。インナーリードの本数を増大さ
せるには、該リード先端を微細加工する必要がある。し
かしながら、前記帯状金属板のエツチングに際してはイ
ンナーリードと一体化されるアウターリードの機械的強
度を持たせる観点から比較的厚い帯状金属板を用い、し
かもエツチングが等方的に進行するため、インナーリー
ドを微細加工してその本数を増大させることは自ずと限
界があった。
により加工することによって製造されている。一方、半
導体装置に組込まれる半導体素子は近年、集積度の向上
が目覚ましく、これに伴って多ピン化される傾向にある
。こうした多ビン化に対応させるには、前記半導体素子
に接続されるリードフレームのインナーリードの本数を
増大させる必要がある。インナーリードの本数を増大さ
せるには、該リード先端を微細加工する必要がある。し
かしながら、前記帯状金属板のエツチングに際してはイ
ンナーリードと一体化されるアウターリードの機械的強
度を持たせる観点から比較的厚い帯状金属板を用い、し
かもエツチングが等方的に進行するため、インナーリー
ドを微細加工してその本数を増大させることは自ずと限
界があった。
このようなことから、半導体装置の多ビン化に対応して
インナーリードの増大、微細化を達成したリードフレー
ム（特開昭６１−１７００５３号公報）が提案されてい
る。かかるリードフレームを第７図に示す裏面側からみ
た斜視図を参照して説明する。
インナーリードの増大、微細化を達成したリードフレー
ム（特開昭６１−１７００５３号公報）が提案されてい
る。かかるリードフレームを第７図に示す裏面側からみ
た斜視図を参照して説明する。
このリードフレームは、帯状金属板のインナーリード２
に相当する裏面側をハーフエツチングして他の部分より
薄くした後、リードフレームのエツチング加工を施すこ
とにより製造されたもので、図中の１は元の金属板の厚
さを有するタブである。
に相当する裏面側をハーフエツチングして他の部分より
薄くした後、リードフレームのエツチング加工を施すこ
とにより製造されたもので、図中の１は元の金属板の厚
さを有するタブである。
このタブ１を中心にしてその周囲には、前記複数本のイ
ンナーリード２が配置されている。これらインナーリー
ド２の他端には、元の金属板の厚さを有するアウターリ
ード３がタイバー４を介して一体的に設けられている。
ンナーリード２が配置されている。これらインナーリー
ド２の他端には、元の金属板の厚さを有するアウターリ
ード３がタイバー４を介して一体的に設けられている。
また、図中の５はフレームである。こうしたエツチング
により製造されたリードフレームは、そのインナーリー
ド２の先端ピッチ及び形状を微細化することができるた
め、インナーリードの本数の増大化が可能なり、しかも
他の部分（アウターリード３等）は元の金属板の厚さを
有す、るため充分な機械的強度を持たせることが可能と
なる。なお、インナーリードに相当する部分のハーフエ
ツチングに際してはその目的から前述したように裏面側
をエツチングしても、或いは表面側をエツチングしても
よい。
により製造されたリードフレームは、そのインナーリー
ド２の先端ピッチ及び形状を微細化することができるた
め、インナーリードの本数の増大化が可能なり、しかも
他の部分（アウターリード３等）は元の金属板の厚さを
有す、るため充分な機械的強度を持たせることが可能と
なる。なお、インナーリードに相当する部分のハーフエ
ツチングに際してはその目的から前述したように裏面側
をエツチングしても、或いは表面側をエツチングしても
よい。
ところで、前記構造のリードフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置を製造するには、第８図に示すようにリー
ドフレームのタブ１に半導体素子６をマウントし、該半
導体素子６表面の複数のボンディングパッド（図示せず
）とインナーリード２の先端側表面とを金ボンディング
ワイヤ７を介して接続し、その後半導体素子６及びイン
ナーリード２を覆うように例えばエポキシ樹脂等からな
る封止樹脂層８を形成する方法が採用されている。
型半導体装置を製造するには、第８図に示すようにリー
ドフレームのタブ１に半導体素子６をマウントし、該半
導体素子６表面の複数のボンディングパッド（図示せず
）とインナーリード２の先端側表面とを金ボンディング
ワイヤ７を介して接続し、その後半導体素子６及びイン
ナーリード２を覆うように例えばエポキシ樹脂等からな
る封止樹脂層８を形成する方法が採用されている。
このため、高価な金ボンディングワイヤやボンディング
マシンを必要となるばかりか、繁雑なボンディング工程
が必要となり、コストの高騰化や生産性の低下を招く問
題があった。
マシンを必要となるばかりか、繁雑なボンディング工程
が必要となり、コストの高騰化や生産性の低下を招く問
題があった。
一方、リードフレームとしてＴＡＢ （フィルムキャリ
ア）方式のものが知られている。かかるフィルムキャリ
ア方式では、半導体装置の製造に際してボンディングワ
イヤを使用しないワイヤレス化が可能となる利点を有す
る。しかしながら、フィルムキャリアは前述したエツチ
ング法によるリードフレームの製造に比べて工程数が多
く、コスト、生産性の点で劣るばかりか、半導体装置の
製造に際して特別な装置が必要とする問題があった。
ア）方式のものが知られている。かかるフィルムキャリ
ア方式では、半導体装置の製造に際してボンディングワ
イヤを使用しないワイヤレス化が可能となる利点を有す
る。しかしながら、フィルムキャリアは前述したエツチ
ング法によるリードフレームの製造に比べて工程数が多
く、コスト、生産性の点で劣るばかりか、半導体装置の
製造に際して特別な装置が必要とする問題があった。
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、エツチングリードフレームとフィルムキャリの両
方の利点を兼ね備えたリードフレーム及び該リードフレ
ームを使用して製造された半導体装置を提供しようとす
るものである。
ので、エツチングリードフレームとフィルムキャリの両
方の利点を兼ね備えたリードフレーム及び該リードフレ
ームを使用して製造された半導体装置を提供しようとす
るものである。
［課題を解決するための手段］
本発明のリードフレームは、接続すべき半導体素子の配
置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを該開口
部の内側まで延出させると共に各インナーリードの先端
から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くしたこと
を特徴とするものである。
置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを該開口
部の内側まで延出させると共に各インナーリードの先端
から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くしたこと
を特徴とするものである。
また、本発明の他のリードフレームは接続すべき半導体
素子、の配置領域を開口させ、かつ複数のインナーリー
ドを該開口部の内側まで延出させると共に各インナーリ
ードの先端部を除く部分から中央付近に亙る裏面側を他
の部分より薄くしたことを特徴とするものである。
素子、の配置領域を開口させ、かつ複数のインナーリー
ドを該開口部の内側まで延出させると共に各インナーリ
ードの先端部を除く部分から中央付近に亙る裏面側を他
の部分より薄くしたことを特徴とするものである。
更に、本発明の半導体装置は接続すべき半導体素子の配
置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを該開口
部の内側まで延出させると共に各インナーリードの先端
から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くしたリー
ドフレームと、このリードフレームの開口部に配置され
、前記各インナーリードの先端部の裏面が接続されるボ
ンディングパッドを表面に有する半導体素子とを具備し
たことを特徴とするものである。
置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを該開口
部の内側まで延出させると共に各インナーリードの先端
から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くしたリー
ドフレームと、このリードフレームの開口部に配置され
、前記各インナーリードの先端部の裏面が接続されるボ
ンディングパッドを表面に有する半導体素子とを具備し
たことを特徴とするものである。
［作用］
本発明のリードフレームによれば、接続すべき半導体素
子の配置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを
該開口部の内側まで延出させると共に各インナーリード
の先端から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くす
ることによって、帯状金属板のエツチング加工に際し、
等方的なエツチングが進行してもインナーリードの先端
ピッチ及び形状を微細化することができるため、インナ
ーリードの本数の増大化が可能なり、しかも他の部分（
アウターリード等）は元の金属板の厚さを何するため充
分な機械的強度を持たせることが可能となる。また、か
かるリードフレームを用い、その開口部に半導体素子を
その裏面側から挿入配置し、各インナーリードの前記開
口部の内側まで延出した他の部分より薄い先端部の裏面
を前記半導体素子表面のボンディングパッドに接続する
ことによって、各インナーリードをそれら裏面側の薄厚
化により半導体素子に対する段差を緩和でき、クラック
や切断不良を招くことなく各インナーリドが半導体素子
表面のボンディングパッドに良好に接続された信頼性の
高い半導体装置を得ること力（できる。しかも、リード
フレーム自体はフィルムキャリアに比べて極めて簡単な
工程で製作でき、かつ半導体装置の組立てに際しては従
来のエツチングリードフレームのような金ボンディング
ワイヤが不要となるため、低コスト化と生産性の向上を
達成できる。
子の配置領域を開口させ、かつ複数のインナーリードを
該開口部の内側まで延出させると共に各インナーリード
の先端から中央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くす
ることによって、帯状金属板のエツチング加工に際し、
等方的なエツチングが進行してもインナーリードの先端
ピッチ及び形状を微細化することができるため、インナ
ーリードの本数の増大化が可能なり、しかも他の部分（
アウターリード等）は元の金属板の厚さを何するため充
分な機械的強度を持たせることが可能となる。また、か
かるリードフレームを用い、その開口部に半導体素子を
その裏面側から挿入配置し、各インナーリードの前記開
口部の内側まで延出した他の部分より薄い先端部の裏面
を前記半導体素子表面のボンディングパッドに接続する
ことによって、各インナーリードをそれら裏面側の薄厚
化により半導体素子に対する段差を緩和でき、クラック
や切断不良を招くことなく各インナーリドが半導体素子
表面のボンディングパッドに良好に接続された信頼性の
高い半導体装置を得ること力（できる。しかも、リード
フレーム自体はフィルムキャリアに比べて極めて簡単な
工程で製作でき、かつ半導体装置の組立てに際しては従
来のエツチングリードフレームのような金ボンディング
ワイヤが不要となるため、低コスト化と生産性の向上を
達成できる。
また、本発明の他のリードフレームによれば接続すべき
半導体素子の配置領域を開口させ、かつ複数のインナー
リードを該開口部の内側まで延出させると共に各インナ
ーリードの先端部を除く部分から中央付近に亙る裏面側
を他の部分より薄くすることによって、帯状金属板のエ
ツチング加工に際し、インナーリードの先端の微細化が
多少損われるが、半導体装置に使用した場合、次のよう
な作用を有する。即ち、かかるリードフレームの開口部
に半導体素子をその裏面側から挿入配置し、各インナー
リードの前記開口部の内側まで延出した先端部の裏面を
前記半導体素子表面のボンディングパッドに接続するこ
とによって、インナーリードは該先端部を除く裏面側か
薄厚化されているため、半導体素子表面に延出したイン
ナーリードはその先端部以外の裏面が該素子表面から充
分に離れて配置されせることができる。その結果、イン
ナーリードがボンディングパッド以外の半導体素子表面
領域において接触、短絡するのを防止した高信頼性の半
導体装置を得ることができる。
半導体素子の配置領域を開口させ、かつ複数のインナー
リードを該開口部の内側まで延出させると共に各インナ
ーリードの先端部を除く部分から中央付近に亙る裏面側
を他の部分より薄くすることによって、帯状金属板のエ
ツチング加工に際し、インナーリードの先端の微細化が
多少損われるが、半導体装置に使用した場合、次のよう
な作用を有する。即ち、かかるリードフレームの開口部
に半導体素子をその裏面側から挿入配置し、各インナー
リードの前記開口部の内側まで延出した先端部の裏面を
前記半導体素子表面のボンディングパッドに接続するこ
とによって、インナーリードは該先端部を除く裏面側か
薄厚化されているため、半導体素子表面に延出したイン
ナーリードはその先端部以外の裏面が該素子表面から充
分に離れて配置されせることができる。その結果、イン
ナーリードがボンディングパッド以外の半導体素子表面
領域において接触、短絡するのを防止した高信頼性の半
導体装置を得ることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
実施例１
第１図は、本実施例１のリードフレームを示す背面図、
第２図（Ａ）はリードフレームのインナーリードを示す
平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断面図である。図中
の１１は、接続すべき半導体素子が配置される開口部、
図中の１２は先端部を前記開口部１１の内側まで延出さ
せた複数のインナーリードである。これらインナーリー
ド１２には、先端から中央付近に亙る裏面を削って他の
部分より薄くした薄層部１２ａが形成されている。図中
の１３は、前記インナーリード１２の後端とタイバー１
４を介して一体的に接続されたアウターリード、１５は
フレームである。なお、かかるリードフレームは例えば
３６％Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる帯状金属板をインナーリ
ード１２の先端から中央付近に亙る領域に相当する裏面
側をハーフエツチングして他の部分より薄くした後、リ
ードフレームのエツチング加工を施すことにより製造さ
れる。
第２図（Ａ）はリードフレームのインナーリードを示す
平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断面図である。図中
の１１は、接続すべき半導体素子が配置される開口部、
図中の１２は先端部を前記開口部１１の内側まで延出さ
せた複数のインナーリードである。これらインナーリー
ド１２には、先端から中央付近に亙る裏面を削って他の
部分より薄くした薄層部１２ａが形成されている。図中
の１３は、前記インナーリード１２の後端とタイバー１
４を介して一体的に接続されたアウターリード、１５は
フレームである。なお、かかるリードフレームは例えば
３６％Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる帯状金属板をインナーリ
ード１２の先端から中央付近に亙る領域に相当する裏面
側をハーフエツチングして他の部分より薄くした後、リ
ードフレームのエツチング加工を施すことにより製造さ
れる。
このような実施例１のリードフレームによれば、複数の
インナーリード１２を開口部１１の内側まで延出させる
と共に各インナーリード１２の先端から中央付近に亙る
裏面側を削って他の部分より薄して薄層部１２ａを形成
することによって、帯状金属板のエツチング加工に際し
、等方的なエツチングが進行してもインナーリード１２
の先端ピッチ及び形状を微細化することができるため、
半導体装置の多ビン化に対応してインナーリード１２の
本数の増大化が可能なり、しかも他の部分（アウターリ
ード１３等）は元の金属板の厚さを有するため充分な機
械的強度を持たせることが可能となる。
インナーリード１２を開口部１１の内側まで延出させる
と共に各インナーリード１２の先端から中央付近に亙る
裏面側を削って他の部分より薄して薄層部１２ａを形成
することによって、帯状金属板のエツチング加工に際し
、等方的なエツチングが進行してもインナーリード１２
の先端ピッチ及び形状を微細化することができるため、
半導体装置の多ビン化に対応してインナーリード１２の
本数の増大化が可能なり、しかも他の部分（アウターリ
ード１３等）は元の金属板の厚さを有するため充分な機
械的強度を持たせることが可能となる。
また、かかるリードフレームを用いて製造された樹脂封
止型半導体装置を第３図及び第４図に示す。図中の１６
は、前記開口部１１にその裏面側から挿入配置され、表
面の周縁に複数のボンディングパッド１７を有する半導
体素子である。この半導体素子１６表面のボンディング
パッド１７には、前記各インナーリード１２の前記開口
部１１の内側まで延出した先端部の裏面が例えば金ろう
材を介してボンディングされている。そして、前記半導
体素子１６及びインナーリード１２を覆うように例えば
エポキシ樹脂からなる封止樹脂層１８が被覆されている
。
止型半導体装置を第３図及び第４図に示す。図中の１６
は、前記開口部１１にその裏面側から挿入配置され、表
面の周縁に複数のボンディングパッド１７を有する半導
体素子である。この半導体素子１６表面のボンディング
パッド１７には、前記各インナーリード１２の前記開口
部１１の内側まで延出した先端部の裏面が例えば金ろう
材を介してボンディングされている。そして、前記半導
体素子１６及びインナーリード１２を覆うように例えば
エポキシ樹脂からなる封止樹脂層１８が被覆されている
。
上述した第３図及び第４図に示す構成によれば、各イン
ナーリード１２を半導体素子１６のボンディングパッド
１７に直接ボンディングするため、従来のエツチングリ
ードフレームのような金ボンディングワイヤが不要とな
り、樹脂封止型半導体装置を低コストで生産性よく得る
ことができる。しかも、このボンディングにおいて各イ
ンナーリード１２のボンディング部となる先端から中央
付近に亙る裏面側に薄層部１２ａを形成しているため、
各インナーリード１２の半導体素子１Ｂに対する段差を
緩和でき、クラックや切断不良のない高信頼性の樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。更に、リードフレ
ーム自体はフィルムキャリアに比べて極めて簡単な工程
で製作できる。
ナーリード１２を半導体素子１６のボンディングパッド
１７に直接ボンディングするため、従来のエツチングリ
ードフレームのような金ボンディングワイヤが不要とな
り、樹脂封止型半導体装置を低コストで生産性よく得る
ことができる。しかも、このボンディングにおいて各イ
ンナーリード１２のボンディング部となる先端から中央
付近に亙る裏面側に薄層部１２ａを形成しているため、
各インナーリード１２の半導体素子１Ｂに対する段差を
緩和でき、クラックや切断不良のない高信頼性の樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。更に、リードフレ
ーム自体はフィルムキャリアに比べて極めて簡単な工程
で製作できる。
実施例２
本実施例２のリードフレームは、前述した第１図と同様
な形状を有すし、かつインナーリード１２は第５図（Ａ
）、（Ｂ）に示すように先端部を除く部分から中央に亙
る裏面を削って他の部分より薄くした薄層部１２ａが形
成された構造になっている。かかるリードフレームを用
いて製造された樹脂封止型半導体装置を第６図に示す。
な形状を有すし、かつインナーリード１２は第５図（Ａ
）、（Ｂ）に示すように先端部を除く部分から中央に亙
る裏面を削って他の部分より薄くした薄層部１２ａが形
成された構造になっている。かかるリードフレームを用
いて製造された樹脂封止型半導体装置を第６図に示す。
図中の１６は、前記開口部１１にその裏面側から挿入配
置され、表面の周縁に複数のボンディングバット（図示
せず）を有する半導体素子である。この半導体素子１６
表面のボンディングパッドには、前記各インナーリード
１２′ の前記開口部１１の内側まで延出した先端部の
裏面側が例えば金ろう材を介してボンディングされてい
る。そして、前記半導体素子１６及びインナーリード１
２を覆うように例えばエポキシ樹脂からなる封止樹脂層
１８が被覆されている。
置され、表面の周縁に複数のボンディングバット（図示
せず）を有する半導体素子である。この半導体素子１６
表面のボンディングパッドには、前記各インナーリード
１２′ の前記開口部１１の内側まで延出した先端部の
裏面側が例えば金ろう材を介してボンディングされてい
る。そして、前記半導体素子１６及びインナーリード１
２を覆うように例えばエポキシ樹脂からなる封止樹脂層
１８が被覆されている。
このような構成によれば、インナーリード１２′は該先
端部を除く部分から中央付近に亙る裏面が切削されて薄
層部１２ａを形成しているため、インナーリード１２′
はその先端部以外の裏面を半導体素子１６表面から充
分に離れて配置できる。その結果、インナーリード１２
“がボンディングパッド以外の半導体素子１６表面領域
において接触、短絡するのを防止した高信頼性の樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。
端部を除く部分から中央付近に亙る裏面が切削されて薄
層部１２ａを形成しているため、インナーリード１２′
はその先端部以外の裏面を半導体素子１６表面から充
分に離れて配置できる。その結果、インナーリード１２
“がボンディングパッド以外の半導体素子１６表面領域
において接触、短絡するのを防止した高信頼性の樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。
なお、上記実施例ではリードフレームを３６％Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金により形成したが、純銅、４６％Ｆｅ−Ｎｉ合金
等により形成してもよい。
ｉ合金により形成したが、純銅、４６％Ｆｅ−Ｎｉ合金
等により形成してもよい。
上記実施例では、インナーリードの先端を半導体素子表
面のボンディングパッドに金ろう材を介してボンデライ
ングしたが、銀ろう材等を介してボンディングしてもよ
い。
面のボンディングパッドに金ろう材を介してボンデライ
ングしたが、銀ろう材等を介してボンディングしてもよ
い。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によればエツチングリードフ
レームの利点である製作コストの低減化とフィルムキャ
リの利点であるワイヤレス化の両方を兼ね備えたリード
フレーム、並びにかかるリードフレームを使用して製造
された低コストで高信頼性の半導体装置を提供できる。
レームの利点である製作コストの低減化とフィルムキャ
リの利点であるワイヤレス化の両方を兼ね備えたリード
フレーム、並びにかかるリードフレームを使用して製造
された低コストで高信頼性の半導体装置を提供できる。
第１図は本発明の実施例１のリードフレームを示す背面
図、第２図（Ａ）は第１図のインナーリードを示す平面
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断面図、第３図は第１図
のリードフレームを用いて製造された樹脂封止型半導体
装置を示す断面図、第４図は第３図の要部概略斜視図、
第５図（Ａ）は実施例２におけるリードフレームのイン
ナーリードを示す平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断
面図、第６図は実施例２のリードフレームを用いて製造
された樹脂封止型半導体装置を示す断面図、第７図は従
来のエツチングリードフレームを背面からみた斜視図、
第８図は第７図のリードフレームを用いて製造された樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 １１・・・開口部、１２．１２° ・・・インナーリー
ド、１２ａ ・・・薄層部、 １３・・・アウターリード、 １５・・・フレー ム、 １６・・・半導体素子、 １７・・・ポンデイ ングパッ ド、 １８・・・封止樹脂層。
図、第２図（Ａ）は第１図のインナーリードを示す平面
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断面図、第３図は第１図
のリードフレームを用いて製造された樹脂封止型半導体
装置を示す断面図、第４図は第３図の要部概略斜視図、
第５図（Ａ）は実施例２におけるリードフレームのイン
ナーリードを示す平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の断
面図、第６図は実施例２のリードフレームを用いて製造
された樹脂封止型半導体装置を示す断面図、第７図は従
来のエツチングリードフレームを背面からみた斜視図、
第８図は第７図のリードフレームを用いて製造された樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 １１・・・開口部、１２．１２° ・・・インナーリー
ド、１２ａ ・・・薄層部、 １３・・・アウターリード、 １５・・・フレー ム、 １６・・・半導体素子、 １７・・・ポンデイ ングパッ ド、 １８・・・封止樹脂層。
Claims (3)
- （１）、接続すべき半導体素子の配置領域を開口させ、
かつ複数のインナーリードを該開口部の内側まで延出さ
せると共に各インナーリードの先端から中央付近に亙る
裏面側を他の部分より薄くしたことを特徴とするリード
フレーム。 - （２）、接続すべき半導体素子の配置領域を開口させ、
かつ複数のインナーリードを該開口部の内側まで延出さ
せると共に各インナーリードの先端部を除く部分から中
央付近に亙る裏面側を他の部分より薄くしたことを特徴
とするリードフレーム。 - （３）、接続すべき半導体素子の配置領域を開口させ、
かつ複数のインナーリードを該開口部の内側まで延出さ
せると共に各インナーリードの先端から中央付近に亙る
裏面側を他の部分より薄くしたリードフレームと、この
リードフレームの開口部に配置され、前記各インナーリ
ードの先端部の裏面が接続されるボンディングパッドを
表面に有する半導体素子とを具備したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19027088A JPH0239557A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19027088A JPH0239557A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239557A true JPH0239557A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16255359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19027088A Pending JPH0239557A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114460A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528773A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-22 | Citizen Watch Co Ltd | Ic packaging construction |
| JPS6353959A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19027088A patent/JPH0239557A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528773A (en) * | 1975-07-10 | 1977-01-22 | Citizen Watch Co Ltd | Ic packaging construction |
| JPS6353959A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114460A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびその製造方法 |
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