JPH0238543A - 半導体用リード素材 - Google Patents

半導体用リード素材

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Publication number
JPH0238543A
JPH0238543A JP18833788A JP18833788A JPH0238543A JP H0238543 A JPH0238543 A JP H0238543A JP 18833788 A JP18833788 A JP 18833788A JP 18833788 A JP18833788 A JP 18833788A JP H0238543 A JPH0238543 A JP H0238543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iron
starting material
lead
iron alloy
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP18833788A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahide Ono
恭秀 大野
Hiroaki Otsuka
広明 大塚
Haruo Shimada
島田 春夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP18833788A priority Critical patent/JPH0238543A/ja
Publication of JPH0238543A publication Critical patent/JPH0238543A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ICやLSIの半導体製造に用いられる鉄
系リード素材に関するものである。
[従来の技術] 一般に、半導体のリード材となるFe系リード素材には
種々の特性が要求されるが、特に半導体の輸送あるいは
電気機器への組込みに際して曲がりや繰り返し曲げによ
って破損が生じない強度および伸び、耐食性が要求され
る。
これまで、リード素材としては、42%Ni合金が多く
使用されていた。
しかし、近年の半導体は大量生産され、コスト低減が大
きな課題となってきているが、一方で、Niはコス1〜
が高騰し、Cu系リードフレームに転換しつつある。し
かし、Cu系は強度の向上が難しくしかもコストも必ず
しも安価ではない。そこで、安価でしかも高強度高耐食
性を具備する鉄系のリードフレーム素材の開発が強く望
まれている。
[発明が解決しようとする課題] 本発明はICやLSI等の半導体製造に用いられる前記
要請に答える事の出来るリード素材の開発を意図したも
のである。
[課題を解決するための手段および作用]すなわち、本
発明は、 C: 0.001−0.5%、 Si : 0.001
 1.0%、 Mn : 0゜05〜2.0%、 P 
: 0.1.0%以下、 S : 0.010%以下。
A fl : 3.0−20.0%、 Cr : 1.
0−10.0%を含有し、残部不可避的不純物およびF
eからなる組成の鉄合金で構成されていることを特徴と
する半導体リード素材であり、また 上記成分に、希土類元素0.01〜0.50%、Ca:
0゜0005〜o、oto%、 Mg : 0.000
5〜0.010%のいずれか1種以上を含有させた組成
の鉄合金で構成されていることを特徴とする半導体用リ
ード素材である。 以下に成分構成を上記の通りに限定
した理由を説明する。なお、本明細書で各成分の含有量
の単位はいずれも重量%である。
Cは、母材の強度を上げるのに有効で含有量として最低
0.001%は必要であり、0.5%を越えると伸びが
低下する。但し、低い方が望ましい。
Slの含有量としては鉄の脱酸上最低0.0OL%必要
で、1.0%を越えると圧延が難しくなる。
Mnの含有量は、本発明の鉄合金の圧延時の割れ防止の
ため最低0.05%必要であり、母材強度のためにも高
い方がよいが、2.0%を越えると伸びが減少する。
P、Sの含有量は低い方が望ましく、各々0.10%、
 0.010%を上限とする。これ以上では、伸びが出
にくく、加工性が低下する。
AQとCrは、本発明鋼の重要添加元素で、AQとCr
の含有量の最適範囲において、耐食性の良好な高強度リ
ード材を得ることができる。
第1図は、鉄合金中のAQ、Cr含有量と塩水噴霧試験
での腐食程度との関係を示すもので、試験材のベース成
分は、C: 0.01%、Sj、:0.1%。
Mn:0.1%以下、S:0.01%、 S : 0.
001%、Ce:0゜05%の鉄合金で、又腐食面積は
塩水噴霧48時間後の表面の腐食面積を示す。
図面からも判るようにAQ、Crは各々3.0%、1゜
0%以上で耐食性が良好となる。
また、AQは、20.0%を越えると圧延が困難になり
、Crは10%以上で耐食性向上効果が飽和するととも
に経済的な観点から上限を10.0%とした。
希土類元素、CaおよびMgの含有量は、本発明のAQ
含有量高い鉄合金を、圧延等の加工を施すために極めて
有効である。特にリード素材は、0.2〜0 、3+n
m程度の板厚にすることが必要なため、リード素材の製
造の際には苛酷な圧延条件となるが、このような場合で
も本発明の鉄合金では健全な素材を作成することが可能
となる。
これらの最適含有量としては、希土類元素で0゜01〜
0.50%、 Ca、 Mgで各々0.0005〜0.
010%で、いずれか1種以上を添加し、鉄合金中に含
有させることが必要である。
希土類元素、CaおよびMgは、複合して含有させても
よい。
なお、希土類元素はLa、Ce、Yなどで、これらの1
種または2種以上を合計して0.01〜0.50%であ
り、精製されたLa、Ce、Yなどでも、ミツシュメタ
ルで添加してもよい。
本発明のリード素材は、目標とする成分範囲の鉄合金を
電気炉、転炉、真空溶解炉などで溶解し、場合によって
は脱ガス後、鋳造、熱間圧延、冷間圧延、焼鈍によって
製造される。
[実施例コ つぎに実施例について説明する。
第1表に、成分組成と特性を一覧表にして示した。
これらのサンプルは、真空溶解後熱間圧延し、0 、3
mm厚に冷間圧延して、それを焼鈍したものである。
上述の方法によって作製された本発明のリード素材より
JIS5号引張試験片を切出し、引張試験をおこなった
。TSはそのときの引張強度、EQは伸びである。
また塩水噴霧試験によって腐食の促進試験を48hrお
こない、表面の錆面績を測定した。
その結果、第1表に示すように本発明材は、強度が高く
しかも耐食性がすぐれていることがわかる。
なお、従来から使用されている42%Nユ合金は48h
rの塩水噴霧で約20%の錆発生であり、強度も60〜
70kgf/mm2と、本発明材と同等かそれ以下であ
り、本発明材は、安価でしかも優れた特性をもつリード
素材であることが判る。
また、リード素材は一般に金、銀などをメツキして実用
に供するが、本発明のリード素材のメツキ特性は良好で
あった。
[発明の効果] 第1表の結果から、本発明のFe合金り−1(素材は、
いずれも強度が高く、しかも耐食性がすぐれた結果を示
している。
以」二のように、この発明のリード素材は、通常の半導
体用Fe合金リード素材に要求される特性を十分満足し
、しかも安価な素材として半導体工業で強く求められて
いる経済性と信頼性とを共に具備しうる等顕著な効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、鉄合金中のAQ、Cr含有量と塩水噴霧試験
での腐食面積との関係を示す図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)C:0.001〜0.5%、Si:0.001〜
    1.0%、 Mn:0.05〜2.0%、P:0.10%以下、 S:0.010%以下、Al:3.0〜20.0%、 Cr:1.0〜10.0% を含有し、残部不可避不純物およびFeからなる組成の
    鉄合金で構成されていることを特徴とする半導体用リー
    ド素材
  2. (2)C:0.001〜0.5%、Si:0.001〜
    1.0%、 Mn:0.05〜2.0%、P:0.10%以下、 S:0.010%以下、Al:3.0〜20.0%、 Cr:1.0〜10.0% を含有し、さらに 希土類元素:0.01〜0.50%、 Ca:0.0005〜0.010%、 Mg:0.0005〜0.010% のいずれか1種以上を含有し残部不可避不純物およびF
    eからなる組成の鉄合金で構成されていることを特徴と
    する半導体用リード素材
JP18833788A 1988-07-29 1988-07-29 半導体用リード素材 Pending JPH0238543A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1026161C2 (nl) * 2004-05-11 2005-11-14 Moons & Van Hoof B V Pomp voor een dispenser voor gas-vloeistofmengsels.
CN100392850C (zh) * 2006-05-29 2008-06-04 朱冬生 一种引线框架以及具有所述引线框架的半导体器件

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1026161C2 (nl) * 2004-05-11 2005-11-14 Moons & Van Hoof B V Pomp voor een dispenser voor gas-vloeistofmengsels.
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