JPH0237542A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH0237542A JPH0237542A JP63189203A JP18920388A JPH0237542A JP H0237542 A JPH0237542 A JP H0237542A JP 63189203 A JP63189203 A JP 63189203A JP 18920388 A JP18920388 A JP 18920388A JP H0237542 A JPH0237542 A JP H0237542A
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- Japan
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- film
- soln
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- dye
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光記録材料として有機色素薄膜を利用する光
ディスクの薄膜の構成に関するものである。
ディスクの薄膜の構成に関するものである。
［従来の技術］
磁気メモリーよりも大容量の情報を記録再生できる光メ
モリーは次世代メモリーとして近年積極的に開発商品化
が進めている。光記録再生の方法としでは、磁性薄膜の
カー効果を利用する光磁気方法や光ビームに対する反射
率の変化を利用する方式がある。後者の光反射率変化を
利用する方式では光記録材料として有機色素薄膜を使っ
た手法が有望ですでに商品化されているものもある。酸
化し易い金属磁性薄膜を使う光磁気ディスクと異なり長
期的に安定であると同時にその製造方法も光磁気ディス
クが真空中でのスパッタリング法に対して大気中でのス
ピンコード法で製造可能である等の長所を有する。また
、一部の有機色素薄膜は特定波長のレーザ光に対して光
化学ホールバーニング現象を示す事が確認されており飛
躍的な記録密度の向上が期待できる。
モリーは次世代メモリーとして近年積極的に開発商品化
が進めている。光記録再生の方法としでは、磁性薄膜の
カー効果を利用する光磁気方法や光ビームに対する反射
率の変化を利用する方式がある。後者の光反射率変化を
利用する方式では光記録材料として有機色素薄膜を使っ
た手法が有望ですでに商品化されているものもある。酸
化し易い金属磁性薄膜を使う光磁気ディスクと異なり長
期的に安定であると同時にその製造方法も光磁気ディス
クが真空中でのスパッタリング法に対して大気中でのス
ピンコード法で製造可能である等の長所を有する。また
、一部の有機色素薄膜は特定波長のレーザ光に対して光
化学ホールバーニング現象を示す事が確認されており飛
躍的な記録密度の向上が期待できる。
以上述べたように数々の長所を有する光ディスク用有機
色素薄膜としては、金属フタロシアニン顔料（Ｍ−Ｐｃ
）が有望視され一部実用化されている。
色素薄膜としては、金属フタロシアニン顔料（Ｍ−Ｐｃ
）が有望視され一部実用化されている。
Ｍ−Ｐｃは種々の結晶形によりＱ帯の極大波長が異なる
が、６００〜７００ｎｍ付近にきわめて大きい呼吸をも
つためレーザ光を吸収でき耐久性にも優れている。とこ
ろが現在一般的に利用されている半導体レーザの波長が
８００ｎｍ程度である事、溶解性に乏しく皮膜化が難し
いことなどからまだ実用化の域には至ってない。また多
くのＭ−Ｐｃのうち、ＶＯ−Ｐｃ、Ｔｉ−Ｐｃ、Ｐｃ環
周辺を変えたヘキサフルオロ置換Ｍ−Ｐｃは、８００ｎ
ｍ付近にピークを持つため半導体レーザにより情報の記
録再生を行なう事ができる。最近では短波長半導体レー
ザの開発も盛んに行なわれており、光記録に最適なＭ−
Ｐｃを選択する事が可能になってきている。
が、６００〜７００ｎｍ付近にきわめて大きい呼吸をも
つためレーザ光を吸収でき耐久性にも優れている。とこ
ろが現在一般的に利用されている半導体レーザの波長が
８００ｎｍ程度である事、溶解性に乏しく皮膜化が難し
いことなどからまだ実用化の域には至ってない。また多
くのＭ−Ｐｃのうち、ＶＯ−Ｐｃ、Ｔｉ−Ｐｃ、Ｐｃ環
周辺を変えたヘキサフルオロ置換Ｍ−Ｐｃは、８００ｎ
ｍ付近にピークを持つため半導体レーザにより情報の記
録再生を行なう事ができる。最近では短波長半導体レー
ザの開発も盛んに行なわれており、光記録に最適なＭ−
Ｐｃを選択する事が可能になってきている。
有機色素薄膜を光ディスク基板上に形成する方法として
は真空蒸着法と樹脂ワニスに分散させて塗布する方法が
従来から行なわれている。後者の樹脂ワニス中に分散さ
せて塗布する方法は量産性に優れているが、先に述べた
ように多くの種類のＭ−Ｐｃは溶解性に乏しく一部の限
られた材料に限り塗布法が適用できるに過ぎず、生産性
の悪い蒸着法に頼らざるを得ない材料も多かった。
は真空蒸着法と樹脂ワニスに分散させて塗布する方法が
従来から行なわれている。後者の樹脂ワニス中に分散さ
せて塗布する方法は量産性に優れているが、先に述べた
ように多くの種類のＭ−Ｐｃは溶解性に乏しく一部の限
られた材料に限り塗布法が適用できるに過ぎず、生産性
の悪い蒸着法に頼らざるを得ない材料も多かった。
［発明が解決しようとする課ｌＪ］
本発萌はかかる従来法の問題であった光ディスク基板上
への有機色素薄膜形成を容易に実現できるようにし、低
価格で高性能な光ディスクを提供する事を目的としてい
る。
への有機色素薄膜形成を容易に実現できるようにし、低
価格で高性能な光ディスクを提供する事を目的としてい
る。
本発明では、溶解性の低い有機色素顔料をある種の界面
活性剤によって形成されるミセルによって溶液中に溶解
し、表面に透明導′ｌｆ薄膜を形成した光ディスク基板
を前記溶液中に浸漬した後透明導電薄膜と溶液の間に電
荷をかけてミセル中に溶出している有機色素顔料を光デ
ィスク基板表面の透明導電薄膜上に付着堆積させて７Ｊ
膜化する電解ミセル法により前記問題点を解決している
。
活性剤によって形成されるミセルによって溶液中に溶解
し、表面に透明導′ｌｆ薄膜を形成した光ディスク基板
を前記溶液中に浸漬した後透明導電薄膜と溶液の間に電
荷をかけてミセル中に溶出している有機色素顔料を光デ
ィスク基板表面の透明導電薄膜上に付着堆積させて７Ｊ
膜化する電解ミセル法により前記問題点を解決している
。
［実 施 例］
第１図は本発明の実施例を示す断面図であり、その膜構
成を説明するものである。光ディスク基板１は透明ポリ
カーボネート樹脂で作られており厚みは１．２ｍｍであ
る。その表面には、酸化インジウムスズの透明導電膜２
を厚みにして１００〜４０００人で形成してありその上
に金属フタロシアニンの光記録層３を１０００人程度形
成した後、紫外線硬化ｔｉｔ脂による保護膜４を２〜３
μｍの厚さにコーティングしたものである。第２図は本
実施例の光ディスクの製造フローチャートでありこれに
従って製造方法概略を述べる。
成を説明するものである。光ディスク基板１は透明ポリ
カーボネート樹脂で作られており厚みは１．２ｍｍであ
る。その表面には、酸化インジウムスズの透明導電膜２
を厚みにして１００〜４０００人で形成してありその上
に金属フタロシアニンの光記録層３を１０００人程度形
成した後、紫外線硬化ｔｉｔ脂による保護膜４を２〜３
μｍの厚さにコーティングしたものである。第２図は本
実施例の光ディスクの製造フローチャートでありこれに
従って製造方法概略を述べる。
光ディスク基板表面に透明導ｉｉｔ薄膜を真空スパック
リング法あるいは真空蒸着法によって形成する。膜材料
は酸化インジウムスズで、膜厚についてはレーザ光の透
過率や干渉の点から１００〜４０００人程度に設定し形
成る６次にこの基板を金属フタロシアニンを溶解した溶
液中に浸漬し、透明導電膜に電界を与えて膜上に有機色
素顔料を形成する。溶解しずらい金属フタロシアニンを
溶解する方法としてメタロセン基を含む界面活性剤水溶
液を使用している。こうして透明導電薄膜上に有機色素
薄膜を形成させた後保護膜として紫外線硬化型のアクリ
ル系樹脂をコーティングして光ディスクができ上がる。
リング法あるいは真空蒸着法によって形成する。膜材料
は酸化インジウムスズで、膜厚についてはレーザ光の透
過率や干渉の点から１００〜４０００人程度に設定し形
成る６次にこの基板を金属フタロシアニンを溶解した溶
液中に浸漬し、透明導電膜に電界を与えて膜上に有機色
素顔料を形成する。溶解しずらい金属フタロシアニンを
溶解する方法としてメタロセン基を含む界面活性剤水溶
液を使用している。こうして透明導電薄膜上に有機色素
薄膜を形成させた後保護膜として紫外線硬化型のアクリ
ル系樹脂をコーティングして光ディスクができ上がる。
こうして作られた光ディスクは片面ディスクであるが、
２板を貼り合わせる事によって両面ディスクも容易に製
作できる。
２板を貼り合わせる事によって両面ディスクも容易に製
作できる。
［発明の効果１
本発明のように光ディスク基板表面に透明導電薄膜を形
成する事によって電解ミセル法を利用する事が可能とな
りン容解性の低い有機色素系光記録材料を薄膜形成する
事ができるようになった。
成する事によって電解ミセル法を利用する事が可能とな
りン容解性の低い有機色素系光記録材料を薄膜形成する
事ができるようになった。
第１図は本発明の実施例を示す断面図であり第２図は本
発明実施例の光ディスク製造フローチャー１・である。 光ディスク基板 透明導電薄膜 光記録膜 保護膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
発明実施例の光ディスク製造フローチャー１・である。 光ディスク基板 透明導電薄膜 光記録膜 保護膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 光記録材料として有機色素薄膜を使う光ディスクにおい
て、光ディスク基板面に透明導電薄膜を形成したのち該
透明導電薄膜上に有機色素薄膜を形成する事を特徴とす
る光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189203A JPH0237542A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189203A JPH0237542A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237542A true JPH0237542A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16237254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63189203A Pending JPH0237542A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237542A (ja) |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63189203A patent/JPH0237542A/ja active Pending
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