JPH0237276Y2 - - Google Patents
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- JPH0237276Y2 JPH0237276Y2 JP9875985U JP9875985U JPH0237276Y2 JP H0237276 Y2 JPH0237276 Y2 JP H0237276Y2 JP 9875985 U JP9875985 U JP 9875985U JP 9875985 U JP9875985 U JP 9875985U JP H0237276 Y2 JPH0237276 Y2 JP H0237276Y2
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- JP
- Japan
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- transistor
- voltage
- current
- impedance element
- main transistor
- Prior art date
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- Expired
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はトランジスタ・コンバータ特に入力電
圧変動範囲の広いリンギングチヨーク型のトラン
ジスタ・コンバータに関するものである。従来の
この種のトランジスタ・コンバータを第１図に例
示する。第１図において、Q1は主トランジスタ、
T1は変換用トランス、n1，n2n3は夫々T1の一次
巻線、二次巻線、帰還巻線、Eiは直流入力電源、
Eoは直流出力、C1C2，C3，C4はコンデンサ、
R1，R2は抵抗、D1，D2，D3は整流ダイオード、
DZ1は定電圧ダイオード、Q2はトランジスタであ
る。直流入力電源Eiが印加され、主トランジスタ
Q1がオンの場合、主トランスT1の帰還巻線n3に
誘起される電圧によりD1，R2を通してQ1のベー
ス電流が流れ、且つ一次巻線n1を流れる電流は
Q1の増幅率で決まるコレクタ電流Icまで増加す
る。このとき二次巻線n2側は製流ダイオードD3
が阻止状態であり、直流出力Eoに接続する負荷
に電流を流さず、エネルギーをT1に蓄積する。
次いでQ1の電流がオフするとT1に蓄積されたエ
ネルギーによつて負荷側に電流が流れる。又、帰
還巻線n3の電圧とコンデンサC2の電圧及び定電圧
ダイオードDZ1に加えることにより、トランジス
タQ2を流れる電流を制御して直流出力Eoの定電
圧化を図つている。第１図のトランジスタ・コン
バータにおいて入力電圧変動範囲が広い場合、例
えばAC90V〜AC276Vにおいて第３図イに示す
ごとくAC276Vにおける主トランジスタQ1のコレ
クタ電流Ic及びベース電流IBは夫々点線で図示
するごとく、AC90Vの実線で示すIc及びIBに比
して急増し、主トランジスタQ1及び変換用トラ
ンスT1の電流容量を例えば通常定格の５倍程度
にするなどの欠点がある。なお、第３図ロ及びハ
はAC276V及びAC90VにおけるQ1のコレクター
ベース間電圧VCEの波形図を示している。本考
案は前記の従来のトランジスタコンバータの欠点
を解消し、入力変動電圧の広い範囲で良好な電圧
制御をなし得るものであり、又、小型で経済的な
トランジスタ・コンバータを堤供するものであ
る。本考案を図面により説明する。第２図は本考
案の実施例をしめす回路図である。第１図と同一
符号は同一部分をしめすものである。本考案は帰
還巻線n3と主トランジスタQ1のベース間に低抗
R2と直列にインピーダンス素子Zn（実施例では低
抗の例を示す。）を設けると共に該インピーダン
ス素子Znと並列に半導体スイツチ素子Q3（トラン
ジスタ）を設け、該インピーダンス素子Znを帰
還巻線n3の電圧検出出力によりオン、オフ制御
（切換）するようにしたものである。なお、R4，
R5，R6は抵抗、DZ2は定電圧ダイオード、Q4は
トランジスタで以上で帰還巻線n3の電圧検出回路
を形成している。このように構成すれば入力電圧
Eiが低い場合（100V系）は帰還巻線n3の電圧も
低くこの場合定電圧ダイオードDZ2の電圧以下に
設定されているため、トランジスタQ4はオフ状
態又半導体スイツチQ3はオン状態となり、該主
トランジスタQ1のベース回路におけるインピー
ダンス素子Znを短絡する。このため該主トラン
ジスタQ1のベース電流は入力電圧の上昇に応じ
て増加する。一方、入力電圧が高い場合（200V
系）は帰還巻線n3の出力検出電圧により定電圧ダ
イオードDZ2がオンとなり、これによりトランジ
スタQ4がオンとなる結果、半導体スイツチ素子
Q3はオフとなる。従つて該主トランジスタQ1の
ベース回路にインピーダンス素子Znが投入され
るため該主トランジスタQ1のベース電流は制限
される。即ち第４図イのごとく入力電圧AC276V
及びAC90Vにおける主トランジスタQ1のベース
電流はほぼ一定電流となり、コレクタ電流Icの最
大値がほぼ一定となる。なお、第４図ロ及びハは
第３図ロ及びハと同様、入力電圧AC276V及び
AC90Vにおけるコレクタ・ベース間電圧VCEを
示している。なお、インピーダンス素子Znとし
て第５図に示す如くコンデンサを用いても同様な
効果を得ることができる。又R1は起動用抵抗で
ある。前述のごとく本考案は入力電圧変動の広い
範囲にわたつて主トランジスタ及び変換用トラン
スに流れる電流を制限し、それらの電流容量を小
ならしめ、小型で経済的なトランジスタ・コンバ
ータを得るものであり、実用上の効果大なるもの
である。
圧変動範囲の広いリンギングチヨーク型のトラン
ジスタ・コンバータに関するものである。従来の
この種のトランジスタ・コンバータを第１図に例
示する。第１図において、Q1は主トランジスタ、
T1は変換用トランス、n1，n2n3は夫々T1の一次
巻線、二次巻線、帰還巻線、Eiは直流入力電源、
Eoは直流出力、C1C2，C3，C4はコンデンサ、
R1，R2は抵抗、D1，D2，D3は整流ダイオード、
DZ1は定電圧ダイオード、Q2はトランジスタであ
る。直流入力電源Eiが印加され、主トランジスタ
Q1がオンの場合、主トランスT1の帰還巻線n3に
誘起される電圧によりD1，R2を通してQ1のベー
ス電流が流れ、且つ一次巻線n1を流れる電流は
Q1の増幅率で決まるコレクタ電流Icまで増加す
る。このとき二次巻線n2側は製流ダイオードD3
が阻止状態であり、直流出力Eoに接続する負荷
に電流を流さず、エネルギーをT1に蓄積する。
次いでQ1の電流がオフするとT1に蓄積されたエ
ネルギーによつて負荷側に電流が流れる。又、帰
還巻線n3の電圧とコンデンサC2の電圧及び定電圧
ダイオードDZ1に加えることにより、トランジス
タQ2を流れる電流を制御して直流出力Eoの定電
圧化を図つている。第１図のトランジスタ・コン
バータにおいて入力電圧変動範囲が広い場合、例
えばAC90V〜AC276Vにおいて第３図イに示す
ごとくAC276Vにおける主トランジスタQ1のコレ
クタ電流Ic及びベース電流IBは夫々点線で図示
するごとく、AC90Vの実線で示すIc及びIBに比
して急増し、主トランジスタQ1及び変換用トラ
ンスT1の電流容量を例えば通常定格の５倍程度
にするなどの欠点がある。なお、第３図ロ及びハ
はAC276V及びAC90VにおけるQ1のコレクター
ベース間電圧VCEの波形図を示している。本考
案は前記の従来のトランジスタコンバータの欠点
を解消し、入力変動電圧の広い範囲で良好な電圧
制御をなし得るものであり、又、小型で経済的な
トランジスタ・コンバータを堤供するものであ
る。本考案を図面により説明する。第２図は本考
案の実施例をしめす回路図である。第１図と同一
符号は同一部分をしめすものである。本考案は帰
還巻線n3と主トランジスタQ1のベース間に低抗
R2と直列にインピーダンス素子Zn（実施例では低
抗の例を示す。）を設けると共に該インピーダン
ス素子Znと並列に半導体スイツチ素子Q3（トラン
ジスタ）を設け、該インピーダンス素子Znを帰
還巻線n3の電圧検出出力によりオン、オフ制御
（切換）するようにしたものである。なお、R4，
R5，R6は抵抗、DZ2は定電圧ダイオード、Q4は
トランジスタで以上で帰還巻線n3の電圧検出回路
を形成している。このように構成すれば入力電圧
Eiが低い場合（100V系）は帰還巻線n3の電圧も
低くこの場合定電圧ダイオードDZ2の電圧以下に
設定されているため、トランジスタQ4はオフ状
態又半導体スイツチQ3はオン状態となり、該主
トランジスタQ1のベース回路におけるインピー
ダンス素子Znを短絡する。このため該主トラン
ジスタQ1のベース電流は入力電圧の上昇に応じ
て増加する。一方、入力電圧が高い場合（200V
系）は帰還巻線n3の出力検出電圧により定電圧ダ
イオードDZ2がオンとなり、これによりトランジ
スタQ4がオンとなる結果、半導体スイツチ素子
Q3はオフとなる。従つて該主トランジスタQ1の
ベース回路にインピーダンス素子Znが投入され
るため該主トランジスタQ1のベース電流は制限
される。即ち第４図イのごとく入力電圧AC276V
及びAC90Vにおける主トランジスタQ1のベース
電流はほぼ一定電流となり、コレクタ電流Icの最
大値がほぼ一定となる。なお、第４図ロ及びハは
第３図ロ及びハと同様、入力電圧AC276V及び
AC90Vにおけるコレクタ・ベース間電圧VCEを
示している。なお、インピーダンス素子Znとし
て第５図に示す如くコンデンサを用いても同様な
効果を得ることができる。又R1は起動用抵抗で
ある。前述のごとく本考案は入力電圧変動の広い
範囲にわたつて主トランジスタ及び変換用トラン
スに流れる電流を制限し、それらの電流容量を小
ならしめ、小型で経済的なトランジスタ・コンバ
ータを得るものであり、実用上の効果大なるもの
である。
第１図は従来回路、第２図は本考案の実施例を
しめす回路図、第３図は従来回路による主トラン
ジスタの電流、電圧波形図、第４図は本考案の実
施例による主トランジスタの電流、電圧波形図、
第５図は他の実施例図であり、Q1は主トランジ
スタ、T1は変換用トランス、n1は一次巻線、n2
は二次巻線、n3は帰還巻線、Eiは直流入力電源、
Eoは直流出力、C1，C2，C3，C4はコンデンサ、
R1，R2，R3，O4，R5，R6は抵抗、D1，D2，D3
はダイオード、DZ1，DZ2は定電圧ダイオード、
Q3は半導体スイツチ素子、Znはインピーダンス
素子である。
しめす回路図、第３図は従来回路による主トラン
ジスタの電流、電圧波形図、第４図は本考案の実
施例による主トランジスタの電流、電圧波形図、
第５図は他の実施例図であり、Q1は主トランジ
スタ、T1は変換用トランス、n1は一次巻線、n2
は二次巻線、n3は帰還巻線、Eiは直流入力電源、
Eoは直流出力、C1，C2，C3，C4はコンデンサ、
R1，R2，R3，O4，R5，R6は抵抗、D1，D2，D3
はダイオード、DZ1，DZ2は定電圧ダイオード、
Q3は半導体スイツチ素子、Znはインピーダンス
素子である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 主トランジスタと変換用トランスを接続して
なるトランジスタコンバータにおいて、該変換
用トランスに設けた帰還巻線と該主トランジス
タのベースとの間に抵抗とインピーダンス素子
の直列回路を設けると共に該インピーダンス素
子と並列に半導体スイツチ素子を設け該半導体
スイツチ素子を該帰還巻線の電圧検出出力によ
りオン、オフ制御するように構成したことを特
徴とするトランジスタコンバータ。 (2) インピーダンス素子が抵抗であることを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載のト
ランジスタコンバータ。 (3) インピーダンス素子がコンデンサであること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記
載のトランジスタコンバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9875985U JPH0237276Y2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9875985U JPH0237276Y2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627783U JPS627783U (ja) | 1987-01-17 |
| JPH0237276Y2 true JPH0237276Y2 (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=30967014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9875985U Expired JPH0237276Y2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237276Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP9875985U patent/JPH0237276Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627783U (ja) | 1987-01-17 |
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