JPH0235767A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0235767A JPH0235767A JP18597988A JP18597988A JPH0235767A JP H0235767 A JPH0235767 A JP H0235767A JP 18597988 A JP18597988 A JP 18597988A JP 18597988 A JP18597988 A JP 18597988A JP H0235767 A JPH0235767 A JP H0235767A
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- polycrystalline silicon
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- doped polycrystalline
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、特にその抵抗素子構造に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来の半導体装置内の抵抗素子は、半導体基板上のエピ
タキシャル層に不純物拡散層を形成し、その両側にコン
タクト窓を開け、金属配線を形成することにより、その
不純物拡散層を抵抗素子として利用していた。
タキシャル層に不純物拡散層を形成し、その両側にコン
タクト窓を開け、金属配線を形成することにより、その
不純物拡散層を抵抗素子として利用していた。
第２図は、従来の半導体装置内における、抵抗素子部の
断面を示すものである。第２図において、１はＰ型シリ
コン等から成る半導体基板、２はエピタキシャル層、３
は例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜、４は例えばＰ型不
純物拡散層から成る抵抗素子、５は例えばＰ型の素子分
離層、６は不純物拡散層４の両端に開けた絶縁膜３のコ
ンタクト窓、８，９は従来の抵抗素子の電極及び配線と
なるアルミ等の金属層である。
断面を示すものである。第２図において、１はＰ型シリ
コン等から成る半導体基板、２はエピタキシャル層、３
は例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜、４は例えばＰ型不
純物拡散層から成る抵抗素子、５は例えばＰ型の素子分
離層、６は不純物拡散層４の両端に開けた絶縁膜３のコ
ンタクト窓、８，９は従来の抵抗素子の電極及び配線と
なるアルミ等の金属層である。
金属配線８と９の両端に電位差が発生すると、コンタク
ト窓６を介して不純物拡散層４の両端に電位差が発生し
、電流が流れる。この時不純物拡散層４は抵抗素子の役
目をはたす。
ト窓６を介して不純物拡散層４の両端に電位差が発生し
、電流が流れる。この時不純物拡散層４は抵抗素子の役
目をはたす。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の半導体装置内の抵抗素子構造では
、抵抗素子と素子分離層やトランジスタ等の素子との間
に、寄生素子が形成され、リーク電流が流れたり、耐圧
が低下する等の問題があるため、抵抗素子と素子分離層
との間隔、抵抗素子とトランジスタ等の素子との間隔を
太き（取る必要があり、半導体装置の面積が大きくなる
という欠点を有していた。
、抵抗素子と素子分離層やトランジスタ等の素子との間
に、寄生素子が形成され、リーク電流が流れたり、耐圧
が低下する等の問題があるため、抵抗素子と素子分離層
との間隔、抵抗素子とトランジスタ等の素子との間隔を
太き（取る必要があり、半導体装置の面積が大きくなる
という欠点を有していた。
本発明は、上記問題を解決するもので、寄生素子ができ
ないために、各抵抗素子間の間隔が縮小可能で、しかも
抵抗素子を積層することで、半導体装置の面積を大幅に
縮小した半導体装置を提供す−る。
ないために、各抵抗素子間の間隔が縮小可能で、しかも
抵抗素子を積層することで、半導体装置の面積を大幅に
縮小した半導体装置を提供す−る。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半
導体基板上のエピタキシャル層上にある絶縁膜上に、不
純物をドープした多結晶シリコンを成長させ、これを任
意の抵抗値となるよう成形加工し、これを抵抗素子とし
て利用した半導体装置である。
導体基板上のエピタキシャル層上にある絶縁膜上に、不
純物をドープした多結晶シリコンを成長させ、これを任
意の抵抗値となるよう成形加工し、これを抵抗素子とし
て利用した半導体装置である。
作用
上記の構成によって、不純物をドープした多結晶シリコ
ンにより形成された抵抗素子は、その周囲及び下部が絶
縁膜で覆われており、素子分離層やトランジスタ等の素
子とは、完全に絶縁膜で分離されているため、寄生素子
ができない。つまり不純物をドープした多結晶シリコン
により形成された抵抗素子は、リーク電流が流れること
がな（、耐圧も高（できるため、各素子間の間隔が縮小
可能で、しかも抵抗素子を積層したので、半導体装置の
面積を大幅に縮小することができる。
ンにより形成された抵抗素子は、その周囲及び下部が絶
縁膜で覆われており、素子分離層やトランジスタ等の素
子とは、完全に絶縁膜で分離されているため、寄生素子
ができない。つまり不純物をドープした多結晶シリコン
により形成された抵抗素子は、リーク電流が流れること
がな（、耐圧も高（できるため、各素子間の間隔が縮小
可能で、しかも抵抗素子を積層したので、半導体装置の
面積を大幅に縮小することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、半導体装置の断面図である。１はＰ型シリコ
ン等から成る半導体基板、２はエピタキシャル層、３は
シリコン酸化膜等の絶縁膜、４はトランジスタ等の素子
に利用される不純物拡散層、５は例えばＰ型の素子分離
層、６はコンタクト窓、７は不純物をドープした多結晶
シリコンから成る本発明の抵抗素子、８，９は前記抵抗
素子の電極及び配線となるアルミニウム等の金属層であ
る。
ン等から成る半導体基板、２はエピタキシャル層、３は
シリコン酸化膜等の絶縁膜、４はトランジスタ等の素子
に利用される不純物拡散層、５は例えばＰ型の素子分離
層、６はコンタクト窓、７は不純物をドープした多結晶
シリコンから成る本発明の抵抗素子、８，９は前記抵抗
素子の電極及び配線となるアルミニウム等の金属層であ
る。
この図中、抵抗素子７が本発明による不純物をドープし
た多結晶シリコンから成る抵抗素子で金属配線８と９の
両端に電位差が発生すると、抵抗素子７の両端に電位差
が発生し電流が流れる。この時不純物をドープした多結
晶シリコンは抵抗の役目をはたす。この抵抗素子の抵抗
値は不純物をドープした多結晶シリコンの幅、長さ、厚
さ、及び不純物のドープ量によって計算できる。
た多結晶シリコンから成る抵抗素子で金属配線８と９の
両端に電位差が発生すると、抵抗素子７の両端に電位差
が発生し電流が流れる。この時不純物をドープした多結
晶シリコンは抵抗の役目をはたす。この抵抗素子の抵抗
値は不純物をドープした多結晶シリコンの幅、長さ、厚
さ、及び不純物のドープ量によって計算できる。
また、この抵抗素子はトランジスタ等の素子に利用され
る不純物拡散層４とは、シリコン酸化膜等の絶縁膜３に
より完全に分離されているため寄生素子ができない。
る不純物拡散層４とは、シリコン酸化膜等の絶縁膜３に
より完全に分離されているため寄生素子ができない。
発明の効果
以上のように、本発明により形成される不純物をドープ
した多結晶シリコンにより形成された抵抗素子は、寄生
素子ができないため、リーク電流がなく、耐圧も高くで
きるため、各素子間の間隔が縮小可能で、しかも抵抗素
子を積層できるため、半導体装置の面積を大幅に縮小す
ることができる。
した多結晶シリコンにより形成された抵抗素子は、寄生
素子ができないため、リーク電流がなく、耐圧も高くで
きるため、各素子間の間隔が縮小可能で、しかも抵抗素
子を積層できるため、半導体装置の面積を大幅に縮小す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置内の抵抗素子部の断面図で
ある。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・エピタキシ
ャル層、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・不純物
拡散層、５・・・・・・素子分離層、６・・・・・・コ
ンタクト窓、７・・・・・・不純物をドープした多結晶
シリコン、８，９・・・・・・金属層。
、第２図は従来の半導体装置内の抵抗素子部の断面図で
ある。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・エピタキシ
ャル層、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・不純物
拡散層、５・・・・・・素子分離層、６・・・・・・コ
ンタクト窓、７・・・・・・不純物をドープした多結晶
シリコン、８，９・・・・・・金属層。
Claims (1)
- エピタキシャル層上の絶縁体上に、不純物をドープした
多結晶シリコン抵抗素子をそなえた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18597988A JPH0235767A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18597988A JPH0235767A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235767A true JPH0235767A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16180230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18597988A Pending JPH0235767A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940712A (en) * | 1995-10-06 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistor and integrated circuitry having a resistor construction |
| US6130137A (en) * | 1997-10-20 | 2000-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistor and integrated circuitry having a resistor construction |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP18597988A patent/JPH0235767A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940712A (en) * | 1995-10-06 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistor and integrated circuitry having a resistor construction |
| US6130137A (en) * | 1997-10-20 | 2000-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistor and integrated circuitry having a resistor construction |
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