JPH0235419B2 - - Google Patents

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JPH0235419B2
JPH0235419B2 JP59123398A JP12339884A JPH0235419B2 JP H0235419 B2 JPH0235419 B2 JP H0235419B2 JP 59123398 A JP59123398 A JP 59123398A JP 12339884 A JP12339884 A JP 12339884A JP H0235419 B2 JPH0235419 B2 JP H0235419B2
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JP
Japan
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sample
diffraction pattern
electron beam
magnetic field
electron
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JP59123398A
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English (en)
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JPS614144A (ja
Inventor
Kojin Kondo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
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Priority to US06/743,015 priority patent/US4623783A/en
Priority to GB8515310A priority patent/GB2162682B/en
Publication of JPS614144A publication Critical patent/JPS614144A/ja
Publication of JPH0235419B2 publication Critical patent/JPH0235419B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/295Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/2955Electron or ion diffraction tubes using scanning ray

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、試料の微小領域の回折パターンを得
ることのできる電子顕微鏡による回折パターン表
示方法に関する。
[従来技術] 収束電子回折法の一方法として、大角度収束電
子回折法がある。この方法によつて得られる回折
パターンは、試料に対する電子ビームの入射角を
変えたときの試料で散乱されずに透過した電子ビ
ームの強度変化を示すものであり、この回折パタ
ーンを解析することによつて、結晶の対称性およ
び点群、空間群の決定を有効に行うことができ
る。第2図は、このような回折パターンを表示す
るための電子顕微鏡の一例を示しており、図中1
は収束レンズの絞り板、2,3は2段の偏向コイ
ル、4は対物レンズ内に配置された試料であり、
5は対物レンズの前方磁場、6は対物レンズの後
方磁場である。該絞り板1の開口を通過した電子
ビームは、偏向コイル2,3によつて偏向され、
光軸に平行にされて対物レンズの前方磁場5に入
射する。該電子ビームは該前方磁場5によつて略
平行なビームとされ、更に、偏向作用を受けて試
料4の特定領域に照射される。この状態で該偏向
コイル2,3によつて該前方磁場への電子ビーム
の入射位置を走査すれば、それに伴つて該試料4
に照射される電子ビームは、試料への入射位置が
固定された状態で、入射角度のみが走査される。
該後方磁場6の後段には、視野制限絞り板7、投
影レンズ磁場8、投影レンズアライメントコイル
9、蛍光板10が配置されている。
このような構成において、該試料4に照射され
た電子ビームの内、該試料を透過した、および試
料によつて回折された電子ビームは対物レンズの
後方磁場6によつて結像され、その結果、該磁場
6の後段の視野制限絞り板7上に、試料6の像が
結像される。該絞り板7によつて試料像の一部が
選択的に光軸に沿つて取り出され、該絞り板7を
通過した電子ビームに基づき、蛍光板10上に投
影レンズ磁場8によつて回折パターンが投影され
る。この投影された回折パターンは、該試料4へ
の電子ビームの角度走査によつて移動しており、
まず、この回折パターンが電子ビームの角度走査
によつても移動しないように投影レンズアライメ
ントコイル9が調整される。尚、このアライメン
トコイル9には偏向コイル2,3に供給されてい
る走査信号と同期した信号が供給されており、こ
のアライメントコイル9に供給される信号の強
度、X走査信号とY走査信号との強度比等を調整
することによつて、該回折パターンの移動は停止
される。該パターンの移動が停止された後、蛍光
板10上の回折パターンの内、例えば、試料4を
透過した電子ビームのみを該蛍光板10の開口1
1から取り出し、検出器12によつて検出する。
該検出した信号を偏向コイル2,3に供給される
走査信号に同期した陰極線管に輝度変調信号とし
て供給すれば、該陰極線管上に大角度収束電子回
折パターンが表示されることになる。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した方法によつて得られる回折パターン
は、視野制限絞り板7によつて制限された試料領
域に基づくものであり、該絞り板7上に結像され
る試料像の倍率は数十倍であるため、この制限さ
れた試料領域は比較的広い範囲となり、例えば、
数μmの直径の微小開口を有した絞り板7を使用
したとしても、得られる回折パターンは直径0.5μ
m以上の比較的広い試料領域に基づくものとな
る。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、
極めて微小な試料領域に基づく大角度収束電子回
折パターンを表示することのできる方法を提供す
ることを目的としている。
[問題点を解決するための方法] 本発明に基づく電子顕微鏡による回折パターン
表示方法は、つぎの(A)〜(G)の各段階より成る。
(A) 試料に照射される電子ビームの照射点を固定
した状態で該電子ビームを角度走査すること、 (B) 対物レンズの後方焦点面に形成される回折パ
ターンを補助レンズによつて所定平面上に結像
すること、 (C) 該所定平面に結像された回折パターンを拡大
投影すること、 (D) 該試料上での電子ビームの角度走査に伴う該
回折パターンの移動を止めること、 (E) 該所定面上に結像された回折パターンの一部
を選択的に取り出すこと、 (F) 該選択的に取り出され、拡大投影された回折
パターンの一部を構成する電子ビームを検出す
ること、 (G) 該検出信号を該試料上での電子ビームの角度
走査に対応して表示すること。
[実施例] 以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて詳
述する。
第1図は、本発明に基づく方法を実施するため
の電子顕微鏡を示しており、図中第2図と同一構
成要素は、同一番号を付してその詳細な説明は省
略する。本発明に基づく方法を実施するため、こ
の第1図に示した電子顕微鏡においては、対物レ
ンズ磁場6と視野制限絞り板7との間に、補助レ
ンズ磁場20とイメージシフト用偏向コイル2
1,22が配置されている。該偏向コイル21,
22には、走査信号発生回路24からの走査信号
が、調整回路25を介して供給される。該走査信
号発生回路24からの走査信号は、調整回路26
を介して対物レンズ前段の偏向コイル2,3にも
供給されており、その結果、偏向コイル2,3と
イメージシフト用偏向コイル21,22には同期
した走査信号が供給されることになる。該走査信
号発生回路24からの走査信号は、更に、検出器
12からの検出信号が増幅器27を介して供給さ
れている陰極線管28の走査信号としても用いら
れている。
上述した構成において、第2図を用いて説明し
た従来方法同様に、収束レンズ絞り板1を透過し
た電子ビームは、偏向コイル2,3によつて対物
レンズの前方磁場5に光軸に対して平行に照射さ
れ、その結果、該電子ビームは該前方磁場4によ
つて平行電子ビームとされ、試料4の光軸上の所
望部分に照射される。該2段の偏向コイル2,3
には走査信号発生回路24から走査信号が供給さ
れており、該走査信号により、該前方磁場5への
電子ビームの入射点が走査される。この時、該電
子ビームは磁場5への入射点が相異しても、常に
光軸に平行な状態で該磁場5に入射することか
ら、該試料4に入射する電子ビームの入射領域は
一定で入射角度のみが走査されることになる。該
試料を透過、回折した電子ビームは、対物レンズ
の後方磁場6によつて結像され、該後方磁場6の
後方焦点面Fには、回折パターンが形成される。
該磁場6によつて収束された電子ビームは、更
に、補助レンズ磁場20によつて収束されるが、
該補助レンズ磁場20の強度は、絞り板7が配置
される平面に、該後方磁場の後方焦点面Fに形成
された回折パターンが結像されるように選ばれて
いる。該絞り板7が配置される平面に形成された
回折パターンは、投影レンズ磁場8によつて通常
の試料像として蛍光板10上に拡大投影される。
ここで、最初の段階では、該絞り板7は電子ビー
ムの光路路上から除かれており、該絞り板7が配
置される平面に形成される回折パターンは全てて
蛍光板10上に投影される。この段階で、該蛍光
板10上に投影された回折パターンは、電子ビー
ムの試料4に対する角度走査に伴つて移動してお
り、このパターンの移動が該角度走査によつても
生じないように、該電子ビームは、イメージシフ
ト用偏向コイル21,22によつて偏向される。
そして更に、該偏向コイル21,22による電子
ビームの偏向により、試料4の透過ビームが光軸
に沿つて平行に該平面に入射するようにされる。
該偏向コイル21,22に供給される偏向電流
は、走査信号発生回路24からの走査信号に基づ
かれており、該走査信号の強度、X、Y両方向の
走査信号の間の強度比等が調整回路25によつて
調整されている。この時、第1図に示した構成で
は、2つの偏向コイル21,22の間に補助レン
ズ磁場が形成されているために、該磁場20によ
る像の回転作用が問題となり、該調整回路25
は、電子ビームの角度走査に基づく像の移動と該
像の回転作用を同時に打消すような偏向信号を該
偏向コイル21,22に供給する必要がある。
尚、該補助レンズ磁場20を該2段の偏向コイル
の前方、あるいは、後方に配置すれば、像の回転
作用は問題とならず、偏向コイル21,22に供
給する偏向電流の調整は、パターンの移動の補正
と透過ビームの位置調整だけで良い。
この偏向コイル21,22による、電子ビーム
の調整が終了した後、該絞り板7が光路を横切つ
て配置され、該絞り板7の開口によつて、該試料
を透過したビームのみが選択的に該絞り板7を通
過させられ、投影レンズ磁場8によつて蛍光板1
0上に拡大投影される。該拡大投影された透過ビ
ームの像の一部は、該蛍光板10に設けられた開
口11を通過し、更に、可動絞り板29によつて
制限され、検出器12によつて検出される。該検
出された信号は、増幅器27によつて増幅された
後、試料への電子ビームの角度走査と同期した陰
極線管24に輝度変調信号として供給される。そ
の結果、該陰極線管画面上には、試料4の微小な
領域からの大角度収束電子回折パターンが表示さ
れることになる。
尚、上述した実施例において、投影レンズアラ
イメントコイル9により、対物レンズの球面収差
による像の動きを補正することは有効である。そ
の場合、対物レンズの球面収差による像の蛍光板
上の移動量Aは、該収差をCs、電子ビームの入
射角をα、試料の蛍光板上での倍率をMとする
と、 A=Cs・α3・M となるため、該電子ビームの入射角と倍率に応じ
た補正量を該アライメントコイル9に与えれば良
い。
又、上述した電子顕微鏡の構成は単なる例示で
あり、本発明に基づく方法を実施する電子顕微鏡
としては、幾多の変形が可能である。例えば、試
料に照射される電子ビームを角度走査する構成
は、2段の偏向コイルと対物レンズ磁場との組合
せに限られず、単に2段の偏向コイルだけであつ
ても良い。
[効果] 上述した説明から明らかなように、本発明にお
いては、視野制限絞り板上に試料の回折パターン
を結像し、該結像された像の一部を拡大投影し、
その一部を検出して試料の角度走査に同期した陰
極線管上に表示するようにしているため、拡大倍
率を数万倍に設定すれば、直径が0.02μm以下の
試料領域からの回折パターンをも表示することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に基づく回折パターン表示方
法を実施するための電子顕微鏡の一例を示す図、
第2図は、従来の回折パターン表示方法を実施す
るための電子顕微鏡を示す図である。 1……収束レンズ絞り板、2,3……偏向コイ
ル、4……試料、5……対物レンズ前方磁場、6
……対物レンズ後方磁場、7……視野制限絞り
板、8……投影レンズ磁場、9……投影レンズア
ライメントコイル、10……蛍光板、12……検
出器、20……補助レンズ磁場、21,22……
イメージシフト用偏向コイル、24……走査信号
発生回路、25,26……調整回路、27……増
幅器、28……陰極線管、29……可動絞り板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 つぎの各段階より成る電子顕微鏡による回折
    パターン表示方法; (A) 試料に照射される電子ビームの照射点を固定
    した状態で該電子ビームを角度走査すること、 (B) 対物レンズの後方焦点面に形成される回折パ
    ターンを補助レンズによつて所定平面上に結像
    すること、 (C) 該所定平面に結像された回折パターンを拡大
    投影すること、 (D) 該試料上での電子ビームの角度走査に伴う該
    回折パターンの移動を止めること、 (E) 該所定面上に結像された回折パターンの一部
    を選択的に取り出すこと、 (F) 該選択的に取り出され、拡大投影された回折
    パターンの一部を構成する電子ビームを検出す
    ること、 (G) 該検出信号を該試料上での電子ビームの角度
    走査に対応して表示すること。
JP59123398A 1984-06-15 1984-06-15 電子顕微鏡による回折パタ−ン表示方法 Granted JPS614144A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59123398A JPS614144A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 電子顕微鏡による回折パタ−ン表示方法
US06/743,015 US4623783A (en) 1984-06-15 1985-06-10 Method of displaying diffraction pattern by electron microscope
GB8515310A GB2162682B (en) 1984-06-15 1985-06-17 Method of displaying diffraction patterns of electron microscope and an electron microscope therefor.

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JP59123398A JPS614144A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 電子顕微鏡による回折パタ−ン表示方法

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JPS614144A JPS614144A (ja) 1986-01-10
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GB2162682B (en) 1989-05-17
GB2162682A (en) 1986-02-05
US4623783A (en) 1986-11-18
JPS614144A (ja) 1986-01-10
GB8515310D0 (en) 1985-07-17

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