JPH0571903B2 - - Google Patents

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JPH0571903B2
JPH0571903B2 JP56169559A JP16955981A JPH0571903B2 JP H0571903 B2 JPH0571903 B2 JP H0571903B2 JP 56169559 A JP56169559 A JP 56169559A JP 16955981 A JP16955981 A JP 16955981A JP H0571903 B2 JPH0571903 B2 JP H0571903B2
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JP
Japan
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electron beam
sample
electron
diffraction
angle
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP56169559A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5871444A (ja
Inventor
Seiichi Nakagawa
Setsuo Norioka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP56169559A priority Critical patent/JPS5871444A/ja
Publication of JPS5871444A publication Critical patent/JPS5871444A/ja
Publication of JPH0571903B2 publication Critical patent/JPH0571903B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20058Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子線回折パターンを表示する装置
の改良に関する。
結晶性試料による電子線回折に基づく回折パタ
ーンには種々のものがあるが、その解析には回折
条件から基まる回折パターンにおける回折角度が
知る必要がある。また、この回折角度の値に基づ
いて、回折パターン上のある長さが、何度の回折
角度に相当するかを計算により求めた後、写真撮
影された回折パターン上で解析を行なつていた。
そのため、即座に解析を行なうことは出来ず、前
述した回折条件を求めるために、電子線の走査条
件等をその都度記録しておく必要があつた。本発
明は回折パターンを蛍光板や写真乾板に直接表示
したり記録する代わりにブラウン管(CRT)等
の画面内に間接的に回折パターンを表示する装置
において、回折角度の記録および回折パターン上
での角度の把握を容易にすることを目的とし、結
晶性試料と、集束レンズ及び電子線偏向器を備え
る電子光学系と、前記電子光学系を制御して試料
走査像表示モードと電子線回折像表示モード間で
モード切換えするモード切換手段と、電子線の照
射によつて前記結晶性試料より得られる信号に基
づいて像表示するための画像表示手段を備えた電
子線回折装置において、前記モード切換手段によ
り電子線回折像表示モードが選択された場合に、
前記偏向器に供給される偏向信号の増幅率を表す
信号に基づいて電子線回折像が表示されている画
面中に角度スケール及び該角度スケールによつて
表される電子線の入射角度値を文字表示するため
の手段を備える電子線回折装置を特徴としてい
る。
以下、図面に基づいて本発明を詳述する。
第1図は、本発明を走査電子顕微鏡に適用した
一実施例装置の構成を示す略図である。図中、1
は真空に保たれた鏡筒を示しており、その内部に
電子銃2と試料ステージ3の間に第1コンデンサ
ーレンズ4(図示せず)、第2コンデンサーレン
ズ5、第1段偏向コイル6x,6y、第2段偏向
コイル7x,7y、対物レンズ(最終段コンデン
サーレンズ)8、反射電子線検出器9、試料10
等が収納されている。電子銃2から発生する電子
線11の加速電圧は高圧電源12を調整すること
によつて可変され、試料10の高さ位置は試料ス
テージ3を調整することによつて可変されるが、
このような変化に対して電子線の集束状態を保持
するためにレンズ電源13,14の出力を調整す
る。前記偏向コイル6x,6yはスイツチ15を
“オフ”したときにはコイル7x,7yと直列に
接続され、“オン”にしたときにはコイル6x,
6yにのみ走査電源16からの水平鋸歯状波信号
と垂直鋸波状波信号が可変アンプ17を経て供給
される。走査電源16の出力信号はブラウン管
(CRT)18の偏向コイル19x,19yにも供
給されており、その輝度変調グリツドの一部には
前記電子線検出器9が出力がアンプ20を経て供
給されているので、その画面には電子線の回折現
象によるチヤンネリング・パターン又は走査像が
表示されている。該表示の切換えさはモード切換
手段21の出力によつて制御される中央制御装置
22によつて行われる。中央制御装置22には前
記可変アンプの増幅度を変化させる倍率切換手段
23の倍率信号や、前記高圧電源12の出力に対
応する加速電圧信号や、前記試料ステージ3によ
る試料位置の高さを表わす高さ信号も入力されて
おり、これらの信号に基づいて第2コンデンサー
レンズの電源13もスイツチ15を制御すると共
に、文字信号発生手段24やマーク信号発生手段
25に信号を与えてブラウン管18の画面に後述
するようなマークや数字を表示させる。
第2図はモード切換手段21を走査像モードに
操作した場合の電子線11の経路を示すもので、
簡略化のためコンデンサーレンズ4,5、対物レ
ンズ8や偏向コイル6x,6y,7x,7yのレ
ンズ主面又は偏向主面は棒線又は破線で示してあ
る。図中、第2コンデンサーレンズ5によつては
P1の位置に結像した電子線のクロスオーバー像
は対物レンズ8によつて試料3上に結像される。
このとき第1段目の偏向コイル6x,6yによつ
て紙面の左側に電子線が偏向されると第2段目の
偏向コイル7x,7yによつて対物レンズ8の中
心を通過するように振り戻されるので、2段の偏
向コイルの夫々にx,y方向の鋸歯状波電流を供
給すると試料面上の一定領域が電子線によつて走
査されることになる。又、該走査と同期した鋸歯
状波電流がCRT18の偏向コイル19x,19
yに供給され、試料から発生する反射電子線が検
出器9により検出され、CRT18の輝度変調信
号として供給されているのでCRT18の画面に
は試料表面に関する走査像が表示される。
第3図はモード切換手段21をチヤンネリング
モードに操作した場合の電子線11の経路を示す
もので、中央制御装置22によつてレンズ電源1
3の出力電流が減少し、第2コンデンサーレンズ
5によるクロスオーバー像の結像位置P2が対物
レンズ8の前方焦点面上に下がる。その結果、試
料面には直径の小さい平行な電子線が照射され
る。一方、中央制御回路22によつてスイツチ1
5が“オン”状態に切り換えられるため、第2段
目の偏向コイル7x,7yには鋸歯状波電流が供
給されなくなり、第1段目の偏向コイルによつて
偏向された電子線は対物レンズ8の中心に振り戻
されることなく対物レンズ磁場の軸外へ入射して
レンズ磁場による屈折作用を受け試料3上に入射
角θで照射する。第1段目の偏向コイルに供給さ
れる電流が変化すると電子線の入射角θ及び若し
くは方位角が変化するが対物レンズ8の励磁強
度が第1段の偏向面を物面として試料面位置が像
面となるように設定されているので、電子線の試
料照射位置は常に一定に保たれる。このようにし
て、試料上の特定な微小領域に関して電子線によ
る角度走査が行われ、CRT画面内の(走査)位
置は夫々電子線の試料入射角度θと方位角度に
対応することになる。試料3が結晶構造を有して
いる場合、特定方向から電子線が入射すると反射
電子強度が強まつたり弱められたりするので反射
電子線強度を輝度変調信号とするCRT18の画
面には所謂擬菊地パターン(チヤンネリング・パ
ターン)が表示される。第4図aはこのようチヤ
ンネリング・パターンが表示されるCRT画面の
様子を示すもので、電子線回折パターンを表示す
る際に第2段目の偏向コイルに供給される鋸歯状
波電流の増幅率を決定する信号(倍率設定信号)
と、そのときの試料の高さ(作動距離)を表わす
信号に基づいて、中央制御装置22によつて前記
試料への電子線の入射角度θに対応した数値と回
折パターンに対応した角度スケール値が演算され
る。そして、該演算結果に基づいて電子線回折パ
ターンが表示されているCRT画面の右寄下方に
バー・マークと角度を示す数字“10”が回折パタ
ーンに重畳して表示されている。これはCRT画
面内の中心(角度θ=0°)からバー・マークの長
さ離れた位置が角度θ=10°であることを意味し
ており、チヤンネリングパターンをCRT画面上
で観察しながら試料の解析を行う場合、容易にパ
ターン内の角度を知ることが出来るので極めて便
利である。又、CRT画面を写真撮影した後にど
のように拡大して写真を焼付してもチヤンネリン
グ・パターンの内部に角度マークが表示されてい
るので、記録との照合や換算計算を間違える虞れ
も生じない。第4図bは第4図aの状態から倍率
切換23を操作して角度走査用の偏向コイル6
x,6yへ加える鋸歯状波電流の波高値を1/2倍
にした状態を示し、CRT画像内のチヤンネリン
グパターンの長さが2倍に拡大される。この変化
は中央制御装置22によつてモニターされており
マーク信号発生手段によるCRT画像内のマーク
長さが2倍になるように変化させるので、CRT
画面内の角度表示を常に正しく保たれる。又、こ
のようにバー・マークの長さが入射角の一定値
(10°)を表示するように変化されれば、文字
“10”を表示することは不要となる。これとは逆
に、CRT画面内に表示されるバー・マークの長
さを一定に保つたまま、その長さに対応する入射
角θを表わす数字を第4図cに示すように“10”
から“20”のように変化させても本発明の目的を
達成することが可能である。
第5図aは前述した走査像モードにおける
CRT画面の一例を示すもので、右寄り下方のバ
ー・マークと数字は夫々CRT画面の基準長さと
その試料上に換算した長さ例えば100μ(ミクロ
ン)の“100”を表わしており、このときの像倍
率が1000倍であつたとすると、2000倍に切換えた
状態が第5図bである。このb図においては
100μを表わす数字100は変わらずにバー・マーク
の長さが2倍に変化する。このように像倍率の変
化に拘らず常に試料上の一定長さ100μを表わす
ようにすれば数字“100”を表示する必要がなく
なる。又、これとは逆に第5図cに示す如くバ
ー・マークの長さを一定に保つたままバー・マー
クが表わす試料上における長さの変化を“100”
から“200”(ミクロン)のように表示しても同じ
効果が得られる。
ところで、試料を照射する電子線の加速電圧や
試料の高さ位置を変化させると電子レンズの焦点
距離や偏向コイルによる偏向角が変化し、又第2
図や第3図に示す光学系も変化するので、このよ
うな変化によるCRT画面内のバー・マーク表示
や数字表示のズレを補正するための演算が中央制
御装置22において行われる。
以上に詳説した如く、本発明によれば電子線回
折に基づく回折パターンが表示されるCRT画面
中に、角度スケール及び該角度スケールによつて
表される電子線の入射角度値を表す文字が表示さ
れるため、回折パターンの解析や記録を極めて容
易に行うことが可能となる。又、第1図の実施例
装置の如く、所謂ミクロンマーカー機能を持つ走
査電子顕微鏡を用いれば、CRT画面にマークを
表示するための手段を共用することができるの
で、僅かな附加手段を設けるだけで本発明を実施
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例装置を示す略図、
第2図及び第3図は夫々第1図の装置における電
子光学系を示す略図、第4図及び第5図は第1図
の装置の動作を説明するための略図である。 2:電子銃、3:試料ステージ、4:第1コン
デンサーレンズ、5:第2コンデンサーレンズ、
6x,6y:第1段偏向コイル、7x,7y:第
2段偏向コイル、8:対物レンズ、9:反射電子
線検出器、10:試料、11:電子線、12:高
圧電源、13,14:レンズ電源、15:スイツ
チ、16:走査電源、17:可変アンプ、21:
走査モード切換手段、22:中央制御装置、2
3:倍率切換手段、24:文字信号発生手段、2
5:マーク信号発生手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 結晶性試料と、集束レンズ及び電子線偏向器
    を備える電子光学系と、前記電子光学系を制御し
    て試料走査像表示モードと電子線回折像表示モー
    ド間でモード切換えするモード切換手段と、電子
    線の照射によつて前記結晶性試料より得られる信
    号に基づいて像表示するための画像表示手段を備
    えた電子線回折装置において、前記モード切換手
    段により電子線回折像表示モードが選択された場
    合に、前記偏向器に供給される偏向信号の増幅率
    を表す信号に基づいて電子線回折像が表示されて
    いる画面中に角度スケール及び該角度スケールに
    よつて表される電子線の入射角度値を文字表示す
    るための手段を備える電子線回折装置。
JP56169559A 1981-10-23 1981-10-23 電子線回折装置 Granted JPS5871444A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56169559A JPS5871444A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 電子線回折装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP56169559A JPS5871444A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 電子線回折装置

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Publication Number Publication Date
JPS5871444A JPS5871444A (ja) 1983-04-28
JPH0571903B2 true JPH0571903B2 (ja) 1993-10-08

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ID=15888702

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JP56169559A Granted JPS5871444A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 電子線回折装置

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143749A (ja) * 1983-12-29 1985-07-30 Kawasaki Steel Corp 電子線回折像自動測定装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55166854A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Hitachi Ltd Scanning electron microscope and magnification display unit in its simulator

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4925106B1 (ja) * 1971-03-13 1974-06-27

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55166854A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Hitachi Ltd Scanning electron microscope and magnification display unit in its simulator

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JPS5871444A (ja) 1983-04-28

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