JPH0266839A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム装置

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JPH0266839A
JPH0266839A JP21912588A JP21912588A JPH0266839A JP H0266839 A JPH0266839 A JP H0266839A JP 21912588 A JP21912588 A JP 21912588A JP 21912588 A JP21912588 A JP 21912588A JP H0266839 A JPH0266839 A JP H0266839A
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JP
Japan
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signal
emitter
voltage
charged particle
extraction
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JP21912588A
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Hachiro Shimayama
島山 八郎
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Jeol Ltd
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野) 本発明は、単一のカラムでイオンビームと電子ビームと
を切換えて使用する荷電粒子ビーム装置に関する。
(従来技術) 第3図は従来の電子ビーム装置を示してa3す、図中1
は電子発生エミッタである。エミッタ1には加速電圧発
生回路2から負の高電圧が、1−一タルエミッション検
出用抵抗器3を介して印加される。4はエミッタ1から
電子を引出すだめの引出し電極であり、引出し電極4に
は正極性の引出し電圧発生回路5から引出し電圧が印加
される。弓出し電極4によって引出された電子は、接地
電位の加速電極6によって加速される。加速された電子
ビームは、集束レンズ7と対物レンズ8によって試料等
のターゲット9上に細く集束される。タゲッ1〜9上の
電子ビームの照射位置は、偏向電極10へ印加される偏
向電圧に応じて変えられる。
電子ビームの一部は、集束レンズ7の前段に設(づられ
たリング状の検出電極11に入射する。検出電極11の
出力信号は、反転増幅器12を介してスイッチ73のC
端子に供給される。
エミッタ1からの1−一タルエミッション電流は、検出
用抵抗器3によって検出され、反転増幅器14によって
増幅された後、V/F変換器15に供給されて周波数信
号に変換される。変換された信号は光ダイオード等の光
送信器16に供給される。
この光送信器16から発生した光は光受信器17にJ二
って検出され、検出信号はF/V変換器18を介してス
イッチ13のC端子に供給される。スイッチ13のd 
Pg子からの信号は基準電圧発生回路1つから基準電圧
が印加されている誤差増幅器20に供給される。誤差増
幅器20の出力信号は、V/F変換器21を介して光送
信器22に供給される。光送信器22から発生した光は
、光受信器23によって検出される。この検出信号はF
 / V変換器24によって電圧信号に変換された後、
弓出し電圧発生回路5に供給され、該回路5の出力電圧
を制御する。
このように構成された電子ビーム装置においては、ター
ゲット9七で電子ビームを走査し、ターゲラ1−9への
電子ビームの照射に基づいて発生した2次電子等を検出
すれば、ターゲット9の像を得ることができ、又、偏向
電極10に描画信号を供給すれば、ターゲット9上で電
子ビームによる任意のパターンの描画を行うことかでき
る。この際、スイッチ13をC端子に接続すれば、誤差
増幅器20にはビーム電流に比例した信号が供給され、
誤差増幅器20により、基準電圧信号発生回路19から
の基準信号との差を増幅した信号が得られる。この信号
は引出し電圧発生回路5に供給され、引出し電極4に供
給される電圧が制御されるので、結果として、一定のビ
ーム電流の電子ビームがターゲット9に照射されること
になる。
又、スイッチ13を切換え、端子Cからの信号を誤差増
幅器20に供給すれば、電子ビームのトータルエミッシ
ョンの値が一定となるように、弓出電極4に印加される
電圧が制御される。
第4図は従来のイオンビーム装置を示しており、図中3
1はイオン発生エミッタである。エミッタ1には加速電
圧発生回路32から正の高電圧が、トータルエミッショ
ン検出用抵抗器33を介して印加される。、34はエミ
ッタ1からイオンを引出すための引出しI[であり、引
出し電極34には負極性の引出し電圧発生回路35から
引出し電圧が印加される。引出し電極34によって引出
されたイオンは、接地電位の加速電極36によって加速
される。加速されたイオンビームは、集束レンズ37と
対物レンズ38によって試料等のターゲット39上に細
く集束される。ターゲット39トのイオンビームの照射
位置は、偏向電極40へ印一 加される偏向電圧に応じて変えられる。イオンビームの
一部は、集束レンズ37の前段に設けられたリング状の
検出電極41に入射する。検出電極41の出力信号は、
増幅器42を介してスイッチ43のC端子に供給される
エミッタ1からのトータルエミッション電流は、V/F
変換器44に供給されて周波数信号に変換される。変換
された信号は光ダイオード等の光送信器45に供給され
る。この送信器45から発生した光は光受信器46によ
って検出され、検出信号はF / V変換器47を介し
てスイッチ43のC端子に供給される。スイッチ43の
C端子からの信号は基準電圧発生回路48から基準電圧
が印加されている誤差増幅器49に供給される。誤差増
幅器49の出力信号は、V/F変換器50を介して光送
信器51に供給される。光送信器51から発生した光は
、光受信器52によって検出される。
この検出信りはF/V変換器53によって電圧信号に変
換された後、引出し電圧発生回路35に供給され、該回
路35の出力電圧を制御するつなお、54はイオンビー
ムのクロスオーバー点に配置されk E X Bフィル
ターであり、このEXBフィルター54によって必要な
イオン種のイオンビームのみをターゲラ1−39に照射
づる。
このにうに構成されたイオンビーム装置にa5いては、
ターゲラ1〜39上でイオンビームを走査し、ターゲッ
ト9へのイオンビームの照射に基づいて発生した2次電
子や2次イオン等を検出づ−れば、ターゲット39の像
を得ることができ、又、偏向電極40に描画信号を供給
りれば、ターゲラh 39Fでイオンビームによる任意
のパターンの描画を行うことができる。この際、スイッ
チ43をa端子に接続づ−れば、誤差増幅器49にはビ
ーム電流に比例した信号が供給され、誤差増幅器49に
より、基準電圧発生回路48からの基準信号との差を増
幅した信号が得られる。この信号は引出し電圧発生回路
35に供給され、引出し電極34に供給される電圧が制
御されるので、結果として、定のビーム電流のイオンビ
ームがターゲット9に照射されることになる。
又、スイッチ43を切換え、端子Cからの信号を誤差増
幅器49に供給すれば、イオンビームのトータルエミッ
シヨンの値が一定となるように、引出電極34に印加さ
れる引出し電圧が制御される。
(発明が解決しようと覆−る課題) 最近、電子ビーム装置でターゲラ1−の表面の像を得、
この像に基づいて任意の部分をイオンビームで加工づ−
ることや、イオンビームで加工した部分の像を電子ビー
l\で観察づ−ることが行われている。この場合、単一
のカラムでイオンビームによる加工や電子ビームににる
像の観察が行うことができれば非常に便利となる。単一
のカラムとする場合、エミッタを電子ビーム用とイオン
ビーム用とに交換することは必要であるが、第3図と第
4図の説明から明らかなように、エミッタを交換しても
、エミッタに加速電圧を印加する加速電圧発生回路の極
付は、電子とイオンとては逆となり、加速電圧発生回路
として、正負別々の高電圧発生回路を用怠し、エミッタ
の交換に応じて電源を切換える必要がある。この加速電
圧発生回路のみならず、引出し電圧発生回路も正負別々
のものを用意しなければならず、装置が著しく高価とな
る。
更に、第3図の電子ビーム装置におけるビーム電流検出
電極11から得られる(M号と、第4図のイオンビーム
装置にお(Jるビーム電流検出電極41から得られる信
号とは、極性が逆となるので、電子ビーム装置では反転
増幅器を用いる必要がある。
このことは、1−一タルエミッションを検出する場合も
同様である。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、簡単な構成で、単一のカラムによって電子ビーム
とイオンビームの両者を発生づ−ることができる荷電粒
子ビーム袋間を実現することにある。
(課題を解決するための手段〉 請求項1の本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、荷電
粒子ビームエミッタと、エミッタから荷電粒子ビームを
引出すだめの引出し電極と、引出された荷電粒子ビーム
を加速する1cめの加速電極と、エミッタに加速電圧を
印加する加速電圧発生回路と、引出し電極に引出し電圧
を印加する引出し電圧発生回路とを備えた荷電粒子ビー
ム装置において、エミッタをイオンビーム発生用と電子
ビーム弁生用とに交換可能とし、加速電圧発生回路と引
出し電圧発生回路を極性切換え信号に応じて負極性か正
極性かのいずれかの電圧を選択的に発生し得る電源とし
、更に、加速された荷電粒子ビームを検出する検出器が
設【プられており、この検出器の出力信号は、絶対値増
幅器によって増幅され、増幅された信号はビーム電流設
定器からの信号と廿1較され、この比較信号に基づいて
引出し電圧が制御されることを特徴としている。
請求項2の本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、請求
項1の発明に加えて、エミッタからの1〜タルエミツシ
ヨン電流が検出されており、この検出信号は絶対値増幅
器にJ:って増幅され、増幅された信号はビーム電流設
定器からの信号と比較され、この比較信号に基づいて引
出し電圧が制御されることを特徴としている。
(作用) 請求項1の発明では、加速電圧電源と引出し電圧電源を
極性切換え信号に応じて負極性か正極性かのいずれかの
電圧を選択的に発生するように構成し、電子エミッタと
イオンエミッタの交換に対応する。又、荷電粒子ビーム
を検出する検出器からの信号を増幅するために絶対値増
幅器を用い、検出信号の極性が正でも負でも同一の増幅
器の使用を特徴とする 請求項2の発明では、1〜−タルエミッション電流に対
応した信号を絶対値増幅器にJ:って増幅し、検出信号
の極性が正でも負でも同一の増幅器の使用を可能とする
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第1図は本発明に基づく電子ビームとイオンビームの
複合装置を示している。図中61は電子エミッタ62と
イオンエミッタ63とが設けられたターレットであり、
このターレット61は、電子・イオン切換え指示装置6
4からの切換え信号に基づいて回転し、電子エミッタ6
2かイオンエミッタ63のいずれかを光軸Oトに配置す
る。光軸O十に配置されたエミッタ62あるいは63に
は加速電圧発生回路65から高電圧が、1〜タルエミツ
シヨン検出用抵抗器66を介して印加されるが、この力
0速電圧発生回路65は、出力常圧極性が切換えられる
電源が使用されており、この極性は、切換え指示装置6
4からの切換え信号に基づいて切換えられる。67は電
子エミッタ62から電子を、イオンエミッタ63からイ
オンを夫々引出づための引出し電極であり、この引出し
電極67には、引出し電圧発生回路を構成する正極性の
引出し電圧電源68か負極性の引出し電圧電源6つのい
ずれかから、スイッチ70を介して引出し電圧が印加さ
れる。このスイッチ70も切換え指示装置からの信号に
基づいて切換えられる。
引出し電極67によって引出された電子あるいはイオン
は、接地電位の加速電極71によって加速される。加速
された電子ビームあるいはイオンビームは、集束レンズ
72と対物レンズ73によって試料等のターゲット74
上に細く集束される。
ターゲット74トの電子ビームあるいはイオンビームの
照制位置は、偏向電極75へ印加される偏向電圧に応じ
て変えられる。76はEXBフィルターであり、イオン
ビームが使用されるとき、このEXBフィルター76に
よって所望のイオン種が得られる。電子ビームあるいは
イオンビームの部は、集束レンズ72の前段に設けられ
たリング状の検出電極77に入射する。検出電極77の
出力信号は、絶対値増幅器78を介してスイッチ79の
a端子に供給されると共に、ビーム電流表示器80にも
供給されており、この表示器80にはビーム電流値が表
示される。
エミッタ1からの1−一タルエミッション電流は、検出
用抵抗器66によって検出され、絶対値増幅器81によ
って増幅された後、V/F変換器82に供給されて周波
数信号に変換される。変換された信号は光ダイオード等
の光送信器83に供給される。この光送信器83から発
生した光は先受(i器84によって検出され、検出信号
はF/V変換器85を介してスイッチ79のC@子に供
給されると共に、エミッション電流表示器86にも供給
されることから、この表示器86には、エミッション電
流値が表示される。
スイッチ79のd端子からの信号はビーム電流を設定す
る基準電圧発生回路87から基準電圧が印加されている
誤差増幅器88に供給される。誤差増幅器88の出力信
号は、V/F変換器89を介して先送f=器90に供給
される。光送信器90から発生した光は、光受信器91
によって検出される。この検出信号はF/V変換器92
によって電圧信号に変換された後、スイッチ93を介し
て正極性の引出し電圧電源68か負極性の引出し電圧電
源69のいずれかに供給され、電源68か69の出力電
圧を制御する。スイッチ93は、切換え指示装置64か
らの切換え信号に応じて切換えられる。
このように構成された電子ビーム・イオンビームの複合
装置において、まず、イオンビームによつてターゲット
−74の表面の加工を行う場合、電子ビーム・イオンビ
ーム切換え指示装w64からイオンビームを選択する信
号が発せられる。この切換え信号により、ターレッ1−
61が回転し、イオンエミッタ63が光軸Oトに配置さ
れる。又、加速電圧発生回路65の出力電圧の極性は、
正とされる。更に、スイッチ70は、負極性の引出し電
圧電源69からの電圧が引出し電極67に印加されるよ
うに切換えられ、スイッチ93は、制御信号が負極性の
引出し電圧電源6つに供給されるように切換えられる。
この結果、ターゲット74にはイオンビームが照射され
ることになり、ターゲット表面の所望の加工が実行され
る。このとぎ、イオンビームの電流量の制御は、第4図
の従来装置の説明で行ったと同様に実施される。
イオンビームによる加工が終了した後に加工部分の像を
得るために電子ビームをターゲット74に照射する場合
、指示装置64から切換え信号がターレット61.加速
電圧電源65.スイッチ70.93に供給される。その
結果、光軸O十には、電子エミッタ62が配置され、こ
のエミッタ62には、加速電圧発生回路65から負極性
の高電圧が印加される。又、引出し電極67には、電源
68から正極性の電圧が印加されて、電子ビームがター
ゲラ1−74に照射される状態とされ、更に、V/F変
換器92からの制御信号がこの電源68に供給される。
従って、ターゲット74には一定のビーム電流の電子ビ
ームが照射され、偏向N極75に走査信号を印加すれば
、ターゲット74上で電子ビームは走査され、図示して
いないが、2次電子検出器によって検出し、検出信号を
電子ビームの走査と同期した陰極線管に供給すれば、タ
ゲッ1〜74の2次電子像を得ることができる。
なお、この実施例では、検出電極77の出力信号を絶対
値増幅器78で増幅し、又、エミッション電流を増幅す
るために、絶対値増幅器81を使用しているので、検出
信号の極性が正負逆となる電子ビームとイオンビームの
場合であっても、同の安定化回路構成とすることができ
る。
第2図は本発明の仙の実施例を示しており、第1図の実
施例と同一部分は同一番号を付しである。
この実施例と第1図の実施例と相異する点は、正極性と
負極性の電圧を切換えて発生ずることができる引出し電
圧発生回路95を用いたことと、タゲット74に切換え
指示装置からの切換え信号に応じて正極性か負極性のい
ずれかの電圧を発生する電源96から電圧を印加して、
ビームを減速してターゲット74に照射するようにした
ことである。この実施例では、引出し電圧電源も共通化
したので、更に装置を安価に構成することかできる。
(発明の効果) 以ト詳細に説明したように、請求項1の発明では、エミ
ッタに印加する加速電圧発生回路を正極性と負極性の両
者を切換えて発生できる電源としたので、装置を簡単に
安価に構成することができ、又、ビームの一部を検出す
る検出器からの検出信号を絶対値増幅器によって増幅す
るようにしたので、電子ビームの場合もイオンビームの
場合も同の安定化回路を用いることができる。
請求項2の発明では、トータルエミッション電流の検出
信号を絶対値増幅器によって増幅するようにしたので、
電子ビームを発生させる場合もイオンビームを発生さぜ
る場合も同一の安定化回路を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本発明の一実施例である電子ビ
ームとイオンビームの複合装置を示す図、第3図は従来
の電子ビーム装置を示す図、第4図は従来のイオンビー
ム装置を示す図である。 61・・・ターレッ1−  62・・・電子エミッタ6
3・・・イオンエミッタ 64・・・切換え指示装置6
5・・・加速電圧発生回路 66・・・トータルエミッシヨン検出用抵抗器67・・
・引出し電極 68.69・・・引出し電圧発生回路を構成する電源7
0.79.93・・・スイッチ 71・・・加速電極    72・・・集束レンズ73
・・・対物レンズ   74・・・ターゲット75・・
・偏向電極    76・・・EXBフィルタ77・・
・検出電極 78.81・・・絶対値増幅器 8o・・・ビーム電流表示器 82.89・・・V/F変検器 83.90・・・光送信器 84.91・・・光受信器 85.92・・・F/V変換器 86・・・エミッション電流表示器 87・・・基準電圧発生回路 88・・・誤差増幅器 95・・・引出し電圧発生回路 96・・・電源

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)荷電粒子ビームエミッタと、エミッタから荷電粒
    子ビームを引出すための引出し電極と、引出された荷電
    粒子ビームを加速するための加速電極と、エミッタに加
    速電圧を印加する加速電圧発生回路と、引出し電極に引
    出し電圧を印加する引出し電圧発生回路とを備えた荷電
    粒子ビーム装置において、エミッタをイオンビーム発生
    用と電子ビーム発生用とに交換可能とし、加速電圧発生
    回路と引出し電圧発生回路を極性切換え信号に応じて負
    極性か正極性かのいずれかの電圧を選択的に発生し得る
    電源とし、更に、加速された荷電粒子ビームを検出する
    検出器が設けられており、この検出器の出力信号は、絶
    対値増幅器によつて増幅され、増幅された信号はビーム
    電流設定器からの信号と比較され、この比較信号に基づ
    いて引出し電圧が制御されることを特徴とする荷電粒子
    ビーム装置。
  2. (2)エミッタからのトータルエミッシヨン電流が検出
    されており、この検出信号は絶対値増幅器によつて増幅
    され、増幅された信号はビーム電流設定器からの信号と
    比較され、この比較信号に基づいて引出し電圧が制御さ
    れる請求項1記載の荷電粒子ビーム装置。
JP21912588A 1988-08-31 1988-08-31 荷電粒子ビーム装置 Pending JPH0266839A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744904B1 (ko) * 2006-09-30 2007-08-01 김두필 가구도어구조
JP2016177870A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 株式会社アルバック イオンビーム装置、イオン注入装置、イオンビーム放出方法
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