JPH02333A - 半導体ウエハ測定方法 - Google Patents

半導体ウエハ測定方法

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Publication number
JPH02333A
JPH02333A JP1071185A JP7118589A JPH02333A JP H02333 A JPH02333 A JP H02333A JP 1071185 A JP1071185 A JP 1071185A JP 7118589 A JP7118589 A JP 7118589A JP H02333 A JPH02333 A JP H02333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafers
take
measurement
storage box
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1071185A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Utsunomiya
宇都宮 鉄也
Haruhiko Yoshioka
晴彦 吉岡
Wataru Mochizuki
渉 望月
Yasuto Yamamoto
山本 保人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP1071185A priority Critical patent/JPH02333A/ja
Publication of JPH02333A publication Critical patent/JPH02333A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体ウェハ測定方法に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハ測定装置例えばウエハプローバはウェハキ
ャリア内に収納されたウェハを一枚づつ取り出し、測定
後ウェハカセットにウェハを収納するシステムになって
いる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながらウェハの集積度が高くなったため。
電極パッド間隔や電極パッド面積が狭くなり、ブロービ
ング工程時のオーバドライブ量によって電極パッドから
プローブ針先が離脱して測定している場合がある。この
ような測定においては、−枚のウェハ中の不良チップの
発生率が異常に多く発生する。
本発明は上記点に対処してなされたもので、測定済みウ
ェハ中、再度測定を必要とするウェハを選択的に取出す
ことができるようにした半導体ウェハ測定装置を提供す
るものである。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は測定済みウェハが収納された収納箱から上記測
定結果に基づき再度測定を所望するウェハを選択的に取
り出し、再度測定するようにした半導体ウェハ測定装置
を特徴としている。
(作 用) この発明は収納箱に収容された各ウェハの測定結果に基
づいて再度測定する必要性のあるウエハを抜き取りテス
トできる機能を備えさせたことにより、不適正な測定条
件による不良の発生を防止し、歩留りを向上させ、特に
高集積ICのテストに極めて有効である。
(実施例) 次に本発明方法の実施例を説明する。
半導体ウェハを測定装置により測定した後収納箱に収納
する。この収納箱の任意の位置にあるウェハ例えば、収
納箱の中間にある測定不良の比較的多いウェハを再度測
定しようとするときは、不良のウェハのみを選択して取
出し測定する。
このウェハを選択的に取出す手段を次に説明する。
スタート・スイッチaの操作時に記憶手段gは、選択手
段すを介してウェハ位置検出器eからの情報をもとに、
アドレスを指定手段fで収納箱内にあるウェハ位置を定
める。
取出し制御手段C(ウェハを収納箱から取出す手段。)
と収納制御手段d(取出しアームに載っているウェハを
収納箱に収納する手段、)は、前記記憶手段gと取出し
ウェハ位置と収納ウェハ位置によりアドレスmnが決め
られ、そこから読み出された位置決め情報を保持すると
共に位置決め情報により各駆動装置(ウェハ取出し収納
装置りのパルスモータ−1及びエレベータ−の上昇時の
パルスモータ−、)に必要な情報を決定する。
ウェハ取出し収納装置りのパルスモータ−とエレベータ
−駆動装置iは取出し制御装置手段C1又は収納制御手
段dからの情報に基づき位置決めを行い、ウェハの取出
し、収納を行う。
検出手段jは毎回ウェハがどこに置かれているかの情報
により選択手段すに供給され、それによリウエハを取り
出すのか、ウェハを収納箱に収納するのか選択する。こ
の発明を実施する具体例を図に基づいて説明する。
第3図、第4図は収納箱に入っているウェハ位置を検出
する手段を説明する。
発光素子7から発射する光ビーム19は、ハーフミラ6
を通過し、反射鏡3で反射したビーム19がもとの光軸
を通ってハーフミラ6に戻り、受光素子8に入射される
ようにエレベータ−に取り付けておき、本体1に対して
平行にエレベータ−が上下稼動するようにしておく、下
から上にエレベータ−をスキャンすることで、収納箱内
のウェハ4でビーム19に強弱がつき、受光素子8の微
電流の変化が生じることによりウェハの位置を読み、R
AMに記憶させる。
第5図において、まず個々の部品の関係を示す。
エレベータ−2に発光素子7と受光素子8とハーフミラ
6が取り付けられ、そのエレベータ−2が本体1に対し
て平行に上下運動をするように作られており、発光素子
7からのビーム19が本体1側に取り付けられである。
エレベータ−2は、パルスモータ−11によりボールス
クリューを介して上昇又は降下する。
ウェハと取出アームの駆動に関しては、パルスモータ−
13の回転によりベルト14,15を介して、取出アー
ム9をB点から収納箱5のウェハの中心まで移動するこ
とができるように設定されている。
第6図は、ウェハを取出すためにウェハとウェハの中間
に取出アーム9が挿入する。
次に操作例を説明する。
指定されたウェハを取出す時は、すでに収納箱内のウェ
ハ位置状態を前記のウェハ位置検出器にて検出し、RA
Mに記憶されているのでCPUのデータを電流に変換し
、前記電流でパルスモータ−11を回転し、ボールスク
リュー12を介してエレベータ−2をウェハを取出す位
置まで上昇させる。この時は、収納箱のウェハと取出し
アームの上面の関係はウェハより少しさがった位置に取
出しアームの上面があり、挿入してもウェハと干渉する
ことなく、取出しアームの中心とウェハの中心が合うま
で挿入する。挿入が終了後、CPUの指令により取出し
アームの上面がウェハを取出す時に脱落を防止するため
に、バキュームで吸着するように穴が設けられている。
バキュームでウェハを吸着し、ウェハで取出しアームの
上面の穴をふさぐため穴の圧力が低くなり、吸着したこ
とをバキュームセンサーが感知してバキュームスイッチ
が働き、CPUに情報が伝達され、CPUはウェハ取出
しアームの移動を指令することによりパルスモータ−1
3を逆に回転して、取出しアーム9をB点位置まで運ぶ
、取出しアームが基準の高さの位置まで位置するように
エレベータ−2が移動する。その後取出しアーム9のバ
キュームを解除する。B点に位置している固定ピンがバ
キュームで上昇して、ウェハは固定ピンで持ち上げられ
基準の位置にセットすることになる。この時は固定ピン
の上面にバキュームが働いており、ウェハを吸着してい
る。
指定された場所にウェハを収納する時は、固定ピンが取
出しアーム9より下に下がることにより、取出しアーム
9にバキュームが働きウェハを吸着するためバキューム
スイッチが働きCPUに伝達され、CPUはパルスモー
タ−11の電流を制御し、指定された場所まで取出しア
ーム9を自動的に移動させる。この時は、前記のウェハ
を取出す時のウェハと取出しアームの高さの相対関係の
位置とはまったく違った位置であり、すなわち収納箱の
ポケットの中間にウェハが挿入できる高さまで取出しア
ーム9を移動させる。この位置の算出はフローチャート
12と13により行う。
第2図はマイクロコンピュータに関する説明。
Aは1ボードの中にCPU、 ROM、 RAM入出力
ポート等を含む、いわゆるワンボードマイクロコンピュ
ータでCPIJに8085. ROM、 RAM入出力
ポートを合わせて64にバイトで構成される。このマイ
クロコンピュータの中のROMには第7図、第8図、お
よび第9図のフローチャートが示すプログラムが記憶さ
れている。  RAMには下図で示すようにウェハの位
置が記憶される。
【図面の簡単な説明】
第7図、第8図及び第9図は第1図のマイクロコンピュ
ータのROMに記憶させるプログラムを示すフローチャ
ートである。 ・ステップω〜に)検出手段 ・ステップ■■0■(14)  選択手段・ステップ■
■(12) (13) (14)収納制御手段・ステッ
プ(24)〜(28)記憶手段・ステップ(26)  
   アドレス手段・ステップ(10)〜(16)取出
し制御手段第1図は、この発明方法の実施例を説明する
ための半導体ウェハ測定装置におけるウェハ取出し装置
の構成図、第2図は第1図のマイクロコンピュータの構
成を示す機構図。第3図及び第4図は、第1図のウェハ
の位置検出の説明図、第5図及び第6図は、第1図のウ
ェハを取出す機構の斜視図である。 1・・・本体 3・・・反射鏡 5・・・収納箱 7・・・発光素子 2・・・エレベータ− 4・・・ウェハ 6・・・ハーフミラ− 8・・・受光素子 9・・・取出しアーム 10・・・ガイドシャフト11
・・・パルスモータ−(エレベータ−上下駆動用)12
・・・ボールスクリュー 13・・・パルスモータ−(取出しアーム駆動用)14
・・・プーリー   15・・・ベルト16・・・ガイ
ドシャフト 特許出願人 東京エレクトロン株式会社Aマ 、X 第 図 ;T り 図 狛 図 第 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハの収納された収納箱からウェハを一枚づつ取り出
    し測定して、測定後収納箱に収納する半導体ウェハの測
    定方法において、測定後のウェハが収納された収納箱か
    ら再測定が必要なウェハを取り出し再測定することを特
    徴とする半導体ウェハ測定方法。
JP1071185A 1989-03-23 1989-03-23 半導体ウエハ測定方法 Pending JPH02333A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1071185A JPH02333A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 半導体ウエハ測定方法

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JP1071185A JPH02333A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 半導体ウエハ測定方法

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JP5080683A Division JPS59175740A (ja) 1983-03-25 1983-03-25 ウエハ検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02333A true JPH02333A (ja) 1990-01-05

Family

ID=13453345

Family Applications (1)

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JP1071185A Pending JPH02333A (ja) 1989-03-23 1989-03-23 半導体ウエハ測定方法

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JP (1) JPH02333A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195423A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Nec Corp 半導体測定方法
CN100379664C (zh) * 2004-03-15 2008-04-09 兄弟工业株式会社 片材供应装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195423A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Nec Corp 半導体測定方法
JP3119567B2 (ja) * 1995-01-13 2000-12-25 日本電気株式会社 半導体測定方法
CN100379664C (zh) * 2004-03-15 2008-04-09 兄弟工业株式会社 片材供应装置

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