JPH0232034A - フッソ化合物 - Google Patents

フッソ化合物

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JPH0232034A
JPH0232034A JP18086888A JP18086888A JPH0232034A JP H0232034 A JPH0232034 A JP H0232034A JP 18086888 A JP18086888 A JP 18086888A JP 18086888 A JP18086888 A JP 18086888A JP H0232034 A JPH0232034 A JP H0232034A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は電気光学的表示材料として用いられる新規な液
晶化合物に関する。
[発明の概要] 本発明は一般式 %式% (上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、ルは1〜10の整数を示し、シクロヘキサン環はトラ
ンス配置である。)で表わされる新規なフッソ化合物で
あり1.電圧−光透退学特性のしきい値電圧が低い特徴
を有する。
したがって、本発明の化合物と他の液晶化合物又は非液
晶化合物を混合した液晶組成物を用いることにより駆動
電圧の低い液晶表示装置を提供することができる。
[従来の、技術] 液晶にはスメクチック相、ネマチック相、コレステリッ
ク相等があり、それぞれの液晶相の持つ電気光学効果を
利用して様々な表示方式の液晶表示装置が実用化されて
いる。その中で最も広く応用されているネマチック相を
用いた表示方式にはねじれネマチック型(TN型)、動
的散乱型、ゲスト−ホスト型等があり、TN型が最も普
及している。
液晶表示装置は小型で薄くでき、駆動電圧が低く、消費
電力が小さ°く、また受光素子であるため長時間使用し
ても目が疲れない等の長所を持つことから、従来よりウ
ォッチ、電卓、オーディオ機器、各種計測器、自動車の
ダツシュボード等の表示に広く応用されている。また近
年、パソコンやワープロのデイスプレィさらにはポケッ
トテレビなどの画素数が非常に多い表示にも応用されつ
つありORTに代わる表示装置として注目を集めている
。今後も液晶表示装置の応用分野はますます広がって行
くことが予想されるが、それに伴ない液晶材料に要求さ
れる特性も変化してゆくのは当然であるが、無着色で熱
、光、電気的、化学的に安定であり、実用温度範囲が広
く、駆動電圧が低いことはあらゆる要求に対して不可欠
な特性である。
[発明が解決しようとする課題] これらのなかで無色で安定な液晶化合物は数多く知られ
ているが、実用温度範囲が広く、駆動電圧が低いことを
単一成分で満足させる液晶化合物は知られていない。そ
こで複数の液晶化合物又は非液晶化合物を混合した組成
物を用い必要な特性を得ている。そこでネマチック液晶
組成物の構成を調べてみると室温付近にネマチック相を
持つ誘電異方性が負又は小さな正の液晶化合物と誘電異
方性が正で大きな値を持つ液晶化合物とN−’L点が2
00℃以上あるような誘電異方性が正又は負の液晶化合
物の組合せで作られている。しかし、従来の誘電異方性
が負又は正で小さな値を持つ化合物は正のものでもその
値が非常に小さいため駆動電圧を下げるのに誘電異方性
が正で大きな値を持つ化合物をたくさん加えなければな
らなかったが、これらの化合物は液晶性が悪いため実用
温度範囲が狭まくなる欠点を有している。
そこで本発明の目的は他の′a敗のネマチック液晶化合
物又は非液晶化合物と混合することにより実用温度範囲
が広くて駆動電圧が低い液晶組成物を得ることができる
新規なフッソ化合物を提供することである。
[課題を解決するための手段] 本発明は一般式 %式%(1) (上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、ルは1〜10の整数を示し、シクロヘキサン環はトラ
ンス配置である。)で表わされる7ツソ化合物である。
本発明によれば、式(1)のフッソ化合物は、例えば次
の製造方法により得られる。
工程1 化合物(2)のヒドロキシル基をヘキサフルオ
ロプロペンのジェタノールアミン錯体(HIPP −E
t2 NH)i’7 、 ’/化して化合物(3)を得
る。
工程2 化合物(3)と化合物(4)をエタノール中で
水酸化カリウムを用いて反応させ本発明の7ツソ化合物
(1)を得る。
上記の製造方法において化合物(3)は毒性が強いため
、化合物(3)を経由しない製造方法としては次の方法
がある。
R−0−@−OH(4)    X÷oat−)noH
(2)R−o−0−OfOHz+rLoH(5)(上式
中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基、ルは
1〜10の整数、XはOL又はBrを示し、シクロヘキ
サン環はトランス配置である(上式中、Rは炭素原子数
が1〜10の直鎖アルキル基、ルは1〜10の整数、X
はOL又はBrを示し、シクロヘキサン環はトランス配
置である工程1 化合物(4)と化合物(2)をエトキ
シエタノール中よう化カリウムを触媒とし、水酸化カリ
ウムを用いて反応させ化合物(5)を得る。
工程2 化合物(5)を塩化メチレン中でHIFP −
Et2N)iと反応させて本発明のフッソ化合物(1)
を得る。
[実施例] 次に実施例と応用例により本発明をさらに詳しく説明す
る。
(実施例1) 4−()ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−3
“−フルオロプロポキシベンゼン(式(1)においてR
= 03H7、n= 5のもの)の製造方法工程1 5
−クロロ−1−プロパツール(X=C4)100Fとジ
エチルエーテル530洲を氷水冷却し、攪拌しなからH
E’P−Et2NH試薬(石川試薬)270Fを50分
間かけて滴下した。
次に攪拌下に5時間還流した。反応液を氷水冷却攪拌下
に20%炭ばカリウム水溶液を発泡しなくなるまで加え
た。油層を分離し10%炭酸カリウム水溶液と水で洗浄
した。ジエチルエーテル溶液を無水硫酸す) IJウム
で一晩乾燥した。硫酸ナトリウムを濾過後、F液をガラ
スチップをつめた20mのカラムを用いて蒸留(b、p
76〜78℃)してろ−クロロ−1−フルオロプロパン
55fを得た。
工i2 4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)フェノール124Pと3−、’フロー1−フルオロ
プロパン551と水酸化カリウム55?とエタノール5
70dを攪拌しながら5時間還流した。反応物を冷却し
、生成した塩化カリウムを戸別後、′IP液中のエタノ
ールを蒸留した。残渣をクロロホルムに溶解し水、10
%水−化す) IJウム水溶液、水の順に洗Mした。
クロロホルムヲ蒸留し、残渣をアセトンとメタノールの
混合溶媒から再結晶し4−(トランス4/−プロピルシ
クロヘキシル)−5“−フルオロプロポキシベンゼン1
281を得た。この化合物の相転移温度は次のとうりで
あった。
03 H7QO÷0H2−)3IF 3a5℃ 0        エ (ここで、Cは結晶、Nはネマチック相である(実施例
2) 4−() ランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−
4“−フルオロブトキシベンゼン(式(1)においてn
=04Hg、?L=4のもの)の製造方法。
工程1 4−()ランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ルフェノール2 +、 8 gPと4−クロロ−1−フ
゛タノール10.9rとよう化カリウム1.71七水酸
化カリウム5.61と水5dとエトキシエタノール50
(−Jを攪拌しながら20時間還流した。反応物を冷却
し、クロロホルムで抽出して水で洗浄した。クロロホル
ムを蒸留してから残渣をエタノールから再結晶して4−
(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル)−4“−
ヒドロキシブトキシベンゼン262を得た。
工i2 4−()ランス−4′−プロピルシクロヘキシ
ル)−4“−ヒドロキシブトキシベンゼン262を塩化
メチレン、90dに溶解し、氷水冷却攪拌下にHyP−
ZtzNH29f/を滴下した。
この溶液を24時間放置した。反応液を10%炭酸カリ
ウム水溶液と水で洗浄した。無水炭酸カリウムで塩化メ
チレン溶液を乾燥してから、塩化メチレンを蒸留した。
残渣をアセトンとメタノールの混合溶媒から再結晶して
4−(トランス−4′−プロピルシクロヘキシル>  
a //=フルオロブトキシベンゼン22S’を得た。
この化合物の相転移温度は以下の通りであった。
03H74HトO+OH2+4F 31.8°C Oエ (実施例3〜6) 実施例2と同様の製造方法により下記の化合物を製造し
た。これらの化合物の相転移温度は以下の通りであった
4−()ランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−3“
−フルオロプロポキシベンゼン04H94−o−0+O
H2+31P 34℃ 0  =−→ 工 4−()ランス−4′−ブチルシクロヘキシル)−4“
−フルオロフトキシベンゼン 04H9−0−@−0+OH2+4F 3五9℃ a、  −一一一一一一 エ 4.4℃ 4−(トラ>x−47−ヘンチルシクロヘキシル)−3
”−フルオロプロポキシベンゼン05 Hl−1−9−
@−0÷OHs++j?4五2℃ 4− Q ) 5ンスー4′−へキシルシクロヘキシル
)−3“−フルオロプロポキシベンゼン0selz−@
−@−0−(OH2+3757.8℃ 0        エ 次に本発明の化合物と4−(トランス−4−アルキルシ
クロヘキシル)アルコキシベンゼンの相転移温度を比較
したものを第1表に示す。この表より、アルコキシ基の
先端の水素を1個フッソで置換することによりネマチッ
ク相の熱安定性がわずかに減少し、Rが4以下では融点
が下がり、Rが5以上では融点が上っていることがわか
る。
第 表 応用例 本発明のフッソ化合物を含む組成物Aと比較のタメに4
−()ランス−4′−アルキルシクロヘキシル)アルコ
キシベンゼンを含む組成物Bを作りた。これらの組成物
の組成比を第2および第3表に示した。
第  2  表 第 表 電圧値)を測定した。またDSOによりN−1点、低温
槽においてO−N点(又はS−N点)を測定した。これ
らの測定結果を第4表に示す。この表より組成物Aは組
成物Bよりしきい値電圧が大巾にさがり、N−1点は多
少下がっているが、C−N (S−N )点は改善され
ていることがわかる第  4  表 組成物AおよびBをセル厚さZ9μmのTN型セルに封
入し20℃で電圧−輝度特性を測定し、しきい値電圧v
th (光透過率が10%のときの[発明の効果] 本発明の7ツソ化合物を従来の液晶化合物と混合した組
成物は実用温度範囲が広く、駆動電圧が低いことが確認
された。したがって、本発明のフッソ化合物はネマチッ
ク液晶組成物の成分として有用である。
以上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
    、nは1〜10の整数を示し、シクロヘキサン環はトラ
    ンス配置である。) で表わされるフッソ化合物。
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