JPH0231175A

JPH0231175A - 発光によるデバイスおよびその材料の評価装置

Info

Publication number: JPH0231175A
Application number: JP63180938A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Mizushima; 宜彦水島; Eiji Inuzuka; 犬塚　英治
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1988-07-20
Filing date: 1988-07-20
Publication date: 1990-02-01
Anticipated expiration: 2014-11-29
Also published as: JP2983022B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」本発明は半導体素子からの微弱な発光を検出してＬＳ１
．）−ランジスタ等の半導体素子の信頼性を定量的に評
価するための発光によるデバイスおよびその材料の評価
装置に関するものである。

「従来の技術」一般に、半導体素子類は、その内部に３ｖ程度以上の電
位差を有するので、キャリア（電子または正孔）はその
電界方向に加速され、ついに内部における再結合によっ
て光子を放出し得る程度に至らしめることができる。こ
れはホットエレクトンと呼ばれ、微弱ながら発光が認め
られた例が次の文献１〜４に報告されている。

１、　　Ｎ、　ＫＨｕＲＡＮＡ　”ＰＵＬＳＥＤ　ＭＩ
ＣＲＯ３ＣＯＰＹ　ＦＯＲＤＥＢＵＧＧＩＮＧ　ＬＡＴ
ＣＨ−ＵＰ　ＯＮ　ＣＭＯ３ＰＲＯＤＵＣＴＳ”ＩＥＥ
Ｅ２２ＮＤ　ＡＮＮＵＡＬ　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　
ＯＮ　ＲＥＬＩＡＢＩＬＩＴＹＰ）ＩＹｓＩｃｓ　１９
８４　ＰＰ１２２−７゜２、　　Ｙ、　５）ＩＩＢＵＹ
Ａ　ＥＴ　ＡＬ、　”ＬＩＧＨＴ　ＥＭＩＳＳＩＯＮ　
ＡＮＤＤＥＴＥＲＩＯＲＡＴＩＯＮ　ＩＮ　ＥＰＯＸＹ
　ＲＥＳＩＮ　ＳυＢＪＥＣＴＥＤ　Ｔ。

ＰＯＷＥＲＦＲＥＱＵＥＮＣＹ　ＥＬＥＣＴＲＩＣＦＩ
ＥＬＤＥ”　ＰＲＯＣ，ｌＮ５Ｔ。

ＥＬＥＣＴＲ，ＥＮＧ、　（ＧＢ）　ＶＯＬ、１２５．
　ＮＯ，４，ＰＰ３５２−４ＡＰＲＩＬ　１９８７゜３、　　Ｊ、Ｐ、　ＣＨＯＩＳＳＥＲ”ＤＥＴＥＣＴＩ
ＮＧ　ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＭＡＧＥＳすＩＴ
ＨＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＡＲＲＡＹＳ　ＦＯＲＭ
ＵＬＴＩ−ＣＩ（ＡＮＮＮＥＬ　ＰＨ０ＴＯＮ　Ｃ０Ｌ
ＩＮＴＩＮＧ”　ＯＰＴ、　ＥＮＧ、　　（ＵＳＡ）Ｖ
ＯＬ、１６．　ＮＯ，３ＰＰ２６２−６　ＭＡＹ−ＪＵ
ＮＥ　１９７７゜４、　　Ｐ、　　ＺＵＣＣＨＩＮＯ［
ＥＴ　ＡＬ、”ＬＩＧＨＴ　ＥＭＩＳＳＩＯＮ　ＦＲＯ
ＭＣＣＤＳ　（ＩＭＡＧＥＲ３）”　ＡＰＰＬ、　ＯＰ
Ｔ、　（ＵＳＡ）　ＶＯＬ、１９．　ＮＯ。

１４　ＰＰ２２７６　１５　ＪＵＬＹ　　１９８０゜た
だし、これらの発光は極めて微弱で、充分に利用された
例は少ない。微弱な光を検出する公知特許例として、例
えば米国特許＆４，６８０，６３５がある。これは第２
図に示すように、被測定物としての発光体（１）から発
した可視光から赤外光までの微弱な光を、光学顕微鏡（
２）を用いてイメージインテンシファイヤ（３）に結像
させ、この像をｃｃＤやＣよりからなるテレビカメラ（
４）でテレビ信号に変換し、そのデータを蓄積装置（５
）にメモリし１画像処理コンピュータ（６）で画像信号
の感度を上げたり雑音を低減したりする画像処理をして
表示袋Ｗ（７）に表示するものである。特に、この米国
特許では微弱な光を適格に検出するため、第１、第２の
レンズからなる光学手段を具備している点を特徴とする
特このような方法で得られた画像処理信号から、例えばＬ
ＳＩの中の劣化し易いトランジスタを素早く評価したり
、ＬＳＩのホットエレクトロン耐性を調べるための適切
なテスト条件を選定したりする場合等に利用される。

「発明が解決しようとする課題」しかるに、従来の技術では、微弱な発光を効率よく受光
するために、光学手段に２つのレンズを用いているが未
だ光学効率が充分でなく、またデータをアナログ処理し
ているなど信号対雑音の効率が充分でなく、そのため発
光現象を解析して利用する点においてまだ欠け、単に特
定の現象を観察するに止まっていた。

本発明は、以上のような発光現象とその観察分析方法を
詳細に調査して得られたものである。

まず、上記発光現象は、従来文献で報告確認されたもの
以外にも多くの例があること、また、単に発光の有無を
調べるだけでなくその発光強度を定量的に調べることに
よって新しい知見が得られること、また発光を時間的に
解析することによって多くの情報を得ることができるこ
と、また他のパラメータ、変数などを同時に測定し比較
することによって新しい情報を得て、有効な検査手段と
なし得ることを見出した。これらの新しい知見は、本発
明者の有する超微弱光観察技術が基礎となっている。

本発明は上述の点に鑑みなされたもので、特に半導体素
子および／またはその材料の信頼性を定量的に評価でき
る装置を得ることを目的とするものである。

「課題を解決するための手段」本発明は被測定デバイスの微弱発光を光学手段により集
光し、この集光した光に基づき撮像手段により微弱光２
次元パターンを撮像し、このパターン情報を画像処理装
置により処理して蓄積装置に蓄積し、前記画像処理装置
の演算結果を表示装置で２次元的に表示するようにした
ものにおいて、前記撮像手段は集められた光を光子とし
てとらえ光子計数により微弱光２次元パターンを撮像す
るものからなり、この撮像手段をＡ／Ｄ変換装置を介し
て前記画像処理装置に結合し、この画像処理装置に、演
算結果を定量化して外部入力データと比較演算し制御信
号を出力する比較演算手段と。

前記基準データを入力する入力部とを結合してなるもの
である。

もちろんデバイスとして完成しているものは。

通電することによって測定をおこなうことができるが、
プロセス途中のデバイス、また材料などそのままで通電
できないものは、適当に端子を設置して電圧を印加すれ
ばよい。また、通電によってデバイスなどを動作状態に
おく代わりに、光照射によって動作発光エネルギを刺激
し得るものは。

これをもって代えてもよい、また、半導体でなくとも、
エレクトロニクスに使用される絶縁物ないしプリント基
板などの電圧のかかる部分においても同様に発光位置を
調べることもできるものであるから本発明の適用対象は
半導体、絶縁物などにわたり「デバイスおよび／または
その材料」ということにする。また光学手段としては顕
微鏡を例示したが、これに限るものではなく、大型の機
器では縮小するものであっても良いので、集光手段には
適当なものを利用することができる。

「作用」被測定デバイスとして例えば■−■族化合物半導体素子
をセットする。この素子からは微弱光が発光し、これが
光学顕微鏡などを介して撮像手段により光子１つ１つを
２次元的に計数して２次元パターンを得る。この２次元
パターンをＡ／Ｄ変換装置でデジタル信号に変換して画
像処理装置で解析処理し、蓄積装置に蓄積する。また、
表示装置に演算結果を２次元的に表示する。ここで、比
較演算手段では、演算処理装置のデータを定量化し、こ
の定量化したデータと、入力部から入力された基準デー
タなどの外部データとを比較する。

例えば、通常の光照射下の光学像を取り込んでおき、こ
れと微弱発光像と重ねて表示することによって、発光点
の所在、位置関係を明示することができる。また、ある
べきパターンのアドレスを記憶しておいて、計算機中で
発光点のアドレスをこれと比較して座標を計算しその信
号を発せしめることができる。このような画像間演算操
作はデジタル演算の特徴で、工業上の有利な応用となる
。

このように、コントロールデータや分析結果、例えば被
測定デバイスである半導体素子の分析、工程分析、不良
分析、寿命推定、ばらつき分析、タイミング許容度分析
、不純物検出などの評価のためのデータを出力すること
ができる。

「実施例」以下、本発明の一実施例を第１図に基づき説明する。

（１ｏ）は被測定デバイスで、この被測定デバイス（１
０）は例えば半導体素子のような強い内部電界によって
多数キャリアが光子に変換されて微弱光を発するもので
ある。もちろん、このような発光現象以外によって発光
するものであってもよい。この被測定デバイス（１０）
は検査位置に移動可能な検査台（１１）上に載せられる
。前記被測定デバイス（ｌＯ）に臨ませて微弱光を集め
る光学手段としての光学顕微鏡（１２）が設けられる。

この光学顕微鏡（１２）の結像面には、光信号を電気信
号に変換して出力する撮像手段（１３）が設けられてい
る。この撮像手段（１３）は光を最小単位である光子と
してとらえ、光子１つ１つを２次元的に検出し、光子の
分布から映像を作り出すいわゆる光子計数イメージイン
テンシファイヤが用いられる。この撮像手段（１３）の
出力側には電気信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換装置（
１４）を介して画像信号を演算する画像処理装置（１５
）が結合されている。この画像処理装置（１５）にはデ
ータ信号を蓄積する蓄積装置（１６）、演算結果を再構
成して出力する表示装置（１７）が結合され、この表示
装置（１７）には再構成した画像を撮影や外部へ出力す
るためのＩＶカメラやハードコピー装置からなる出力装
置（１８）が結合されている。また、前記画像処理装置
（１５）には演算結果を定量化し、基準データなどの外
部データと比較演算して制御信号を出力する比較演算手
段（１９）が結合されている。この比較演算手段（１９
）には基準データなどの外部データ信号を入力する入力
部（２０）が結合されている。

なお、前記光学手段としての光学顕微ｆｉ（１２）には
必要に応じて被測定デバイス（１０）からの発光を分光
する分光装置（２１）が設けられる。また、被測定デバ
イス（１０）に臨ませて、特定波長の光を別に照射する
ための照射手段（２２）と、この照射手段（２２）から
照射して得られる発光を分析するために特定波長の光ビ
ームを走査する走査手段（２３）がそれぞれ必要に応じ
て設けられる。さらに、前記画像処理装置Ｉ（１５）に
は別に得られた電気信号によりゲートやサンプリングを
測定信号に演算するための時間的情報演算装置（２４）
が必要に応じて結合される。なお、第１図の点線にて示
すように、被測定デバイス（１０）に臨ませて、通常の
光学像をとり込むための照明光学手段（２５）を設け、
反射、透過、赤外透過像などの光学像をとり込んで、微
弱光の発光パターンと重ねて表示装置（１７）で発光位
置を明示することもできる。

半導体デバイスからは種々の原因によって発光がおこる
。いわゆるホットキャリヤエミッションは強い内部電界
によって多数キャリヤが光子に変換されるプロセスを含
むもので、そのことは知られている。

しかし発光現象はこれに限るものではない。本発明者は
種々の検討によっていわゆるホットキャリヤでなくとも
、ホット状態に至らない少数キャリヤなども充分検出で
きる程度の発光を示すことを見出し半導体デバイスの解
析評価に有刃な手段を発明した。その具体的な実施例は
前述したが、以下は先ず被測定デバイスとして■−■族
化合物半導体の場合について本発明によるデバイス評価
の実施例を詳細に説明する。

■−■族の化合物半導体による発光ダイオード。

レーザダイオード等の発光素子の発光効率はダイオード
製造中に導入される再結合中心によって定まるが、これ
を適確に知る方法はこれまでに存在しなかった。ところ
が１発光素子にマイクロアンペア程度の微弱電流を与え
てこれによる微弱発光を計測することにより、その発光
効率は通常動作領域におけるものに比し、回折も劣るも
のであること、すなわち、この微弱電流領域における発
光を測定すれば非発光中心の定量化が可能であることが
見出された。また、この微弱電流領域における発光の２
次元分布を知ればその欠陥の空間分布を知ることができ
る。これらの定量化は例えば標準値を設定しておけば効
率の空間マツプとして表示することができ、また発光ダ
イオードの劣化に関して選択スクリーニングの基準値を
出力させることもできることは明らかである。このよう
な発光パターンの定量化はレーザダイオードのスクリー
ニングのように過剰電流を与えることによって部分的破
壊試験にまで進むことなく、逆に極めて微弱な電流によ
って行うことができることを意味している。

これらの目的を実現するために被測定デバイスとして例
えば■−Ｖ族化合物半導体素子とすると、その微弱発光
を光学顕微［（１２）で集光し、光子計数イメージイン
テンシファイヤからなる撮像手段（１３）上に結像する
。結像された各絵素出力がＡ／Ｄ変換装置（１４）でデ
ィジタル信号に変換され、画像処理装置（１５）によっ
て演算、比較、平均化、重心比、減算、相関等の処理が
なされる。もちろん、この画像処理装置（１５）は種々
の基本的演算、すなわち回転、拡大、差分、平均化、蓄
積、相、関、掛算等の機能を有し、位置座標、プロファ
イル等の定量データも出力し得る。これらの画像処理デ
ータは蓄積装置（１６）に−時記憶され、また、表示装
置（１７）では演算結果を再構成して２次元パターンを
表示し、さらに出力装置（１８）で再構成画像を撮像し
たり、ハードコピーとして出力したりする。

前記画像処理装置（１５）のデータは、入力部（２０）
からの基準データなどの外部データとともに比較演算手
段（１９）に送られてこれを比較演算し、定量化された
コントロール信号や分析結果が出力する。

被測定デバイス（１０）として、前述の■−■族に限ら
れるものではなく、以下のような種々の素子について利
用できるとともに、本発明装置の種々の応用が可能であ
る。

（１）ｎ−ＶＩ族、ＩＶ−ＶＩ族化合物半導体多結晶薄
膜における電界効果半導体素子においても、前述と同様
に微弱な電流を加えたときの発光効果とその２次元分布
を測定することによって、素子の非発光中心の分布を定
量的に知ることで、生産工程の制御に有効なデータを得
ることができる。

（２）強電界がなく、ホットキャリアが発生しない場合
であって、特に少数キャリアを含む素子、例えば３極バ
イポーラトランジスタ素子では、少数キャリアが逆導通
フェイズにおいて蓄積し、それが部分的に発光再結合を
するので、微弱な発光がみられる。°これはバイポーラ
トランジスタではコレクタ効率に関係するので１発光量
を解析することによってトランジスタの効率の分析、工
程の監視に役立たせることができる。この目的のために
は、発光パターンの２次元分布と、その各部分の発光量
、その継続時間を、予め与えたデータと比較して演算出
力せしめる時間的情報演算装置（２４）が結合される。

（３）シリコン半導体素子の他、ｍ−ｖ族化合物半導体
素子を用いたトランジスタまたは集積回路は、発光効率
が特にすぐれており、また発光波長が光子計数に適した
検出装置を容易に得られるので、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ集積回
路の検査に特に有効である。

（４）内部に強電界を有する素子としてなだれ増倍ダイ
オードないしトランジスタがある。この素子は強電界に
よってキャリアが加速され、なだれ増倍を起すが、内部
に欠陥があるときなだれ増倍が阻害され、なだれ増倍光
ダイオードの歩留りを害していた。

しかるに、なだれ増倍キャリアはそのうちの極くわずか
の部分が光に転換されるものであって、その微弱な発光
パターン分布から上述のような一様性を阻害する不純物
とか欠陥を検出することができる。この目的のためには
、２次元分布の出力画像のほか、一定輝度を閾値として
、予め与えられたアルゴリズムに基づいて特定された位
置およびその出力、効率などを表示できるような手段を
加えることができる。このようなカテゴリーには、一般
に半導体素子のうち特に強電界を含むようなものが含ま
れる０例えばトンネルダイオードではトンネル電流の一
部が強電界によって光子に転換するものであるので、こ
れから逆にその強電界の分布と程度を推定表示させるこ
とができる。また。

一般の電界効果トランジスタも特別の場合にはこれに含
まれる。微細加工技術の進歩に伴ってこのような内部強
電界が益々大きくなってきており、それとともに強電界
は一般の素子にとって普遍的なものとなりつつある。こ
れらの場合に、通常のホットエレクトロンの発光がある
ことはよく知られているが、これら多数キャリアの発光
ばかりでなく、部分的に少数キャリアも存在するように
なり、したがって発光量を増すことが本発明者の実験に
よって判明した。これら少数キャリアは電界効果トラン
ジスタの場合、暗電流を増し動作を劣化させるが、微弱
発光を分析し、従来知られたホットキャリアによる部分
と分離した出力を得ることによって、新しい有益な情報
を得ることができる。このための分離には種々の方法が
あり、発光スペクトルによる方法、動作バイアスのちが
いによる方法、特定波長の弱い光を別途照射して得られ
る信号と相関をとる方法などがあげられる。また、別の
強電界を内部に有するものの例としては液晶表示装置、
ＥＬ発光装置などのデイスプレィデバイスおよびその材
料がある。これらの場合電界により好ましからざる発光
が起ることは、材料の欠陥ないし過大電界の存在を示す
ものであって。

これらの検出は重要である。発光デイスプレィにおける
好ましからざる発光は波長が異なる場合が多いので、波
長フィルタで選別することができる。

また、好ましからざる高電界の例としてはデバイス中の
配線間のリーク電流点また高圧機器の配線の前駆放電点
の検出などがある。これらも本発明で説明した手法によ
って検出することができる。

（５）集積回路におけるロジックタイミング解析および
それらの故障解析などをするためにも本発明の装置は有
効である。すなわち、集積回路または任意の素子を制御
するように与えられたタイミングを本発明の装置に取込
む手段をもち、かつ前述の画像信号をこれにより制御し
、必要なタイミング位相に同期した信号のみ取出して表
示するようにすれば、雑音を切捨て、Ｓ／Ｎ比を改善す
るのみならず、任意の位相における動作部分（素子）を
確認し、または不動作部分（素子）を検出するととがで
きる。逆に、タイミング位相の許容範囲を調査し、タイ
ミングチャートを調査することもできる。これらの目的
には、回路のゲート機能またはソフト上での相関機能を
有することが必要で、そのため時間的情報演算装置ｆ（
２４）が設けられる０発光信号は時系列的に得られ、時
間ドメイン上で演算処理される過程を含むことが特徴で
ある。

（６）半導体素子中における欠陥、不純物、物理的化学
的不純物を検出するために、それぞれの素子からの発光
スペクトル分布の差を利用することができる。この目的
のために、素子（１０）からの発光スペクトル分布を検
出し、またそれらの差を演算するための分光装置（２１
）が設けられる。この分光装ｆｉｌ（２１）は前述の物
理化学的中心の分布検出の他。

電気的バイアスによる差の２次元パターン上での分布を
検出することもでき、例えば設計値から特にずれた部分
（素子）の検出をすることもできる。

（７）前項（６）と同様の趣旨から微弱蛍光を励起する
ための別途照射光を加えるために照射手段（２２）が設
けられる。この照射手段（２２）は目的とする蛍光と分
離できるため、特定の波長域に限られた照射光であるこ
とが望ましい、測定撮像出力から前記照射光の信号を演
算して消去すること、検出蛍光スペクトルを同定し、特
別の異常信号を出力することなどの信号処理については
既に述べたものと共通である。

（８）前記（７）を実行するため、走査手段（２３）を
設けて特定波長の光ビームを走査し、それから発する蛍
光を時系列的に得ることにより画像化し得る。

「発明の効果」本発明は上述のように構成したので、被測定デバイスで
ある材料素子からの発光を単に検出するにとどまらず、
その２次元分布を定量化し、各種外部情報と比較し論理
演算を実行することによって、さらに新しい情報を得る
ことができる。そして、素子の分析、工程分析、不良分
析、寿命推定。

ばらつき分析、タイミング許容度分析、不純物検出など
の評価のために法尻な新しい用途を開拓することができ
、その産業上の効果は極めて顕著なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による発光によるデバイスおよびその材
料の評価装置の一実施例を示すブロック図、第２図は従
来装置のブロック図である。（１０）・・・被測定デバイス、（１１）・・・検査台
、（１２）・・・光学手段、　（１３）・・・撮像手段
、（１４）・・・Ａ／Ｄ変換装置、（１５）・・・画像
処理装置、（１６）・・・蓄積装置、（１７）・・・表
示装置、（１８）・・・出力装置、（１９）・・・比較
演算手段、（２０）・・・入力部、（２１）・・・分光
装置、（２２）・・・照射手段、（２３）・・・走査手
段、（２４）・・・時間的情報演算装置、（２５）・・
・照明光学手段。出願人　　浜松ホトニクス株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）通電せる被測定デバイスおよび／またはその材料
の微弱発光を光学手段により集光し、この集光した光に
基づき撮像手段により微弱光２次元パターンを撮像し、
このパターン情報を画像処理装置により処理して蓄積装
置に蓄積し、前記画像処理装置の演算結果を表示装置で
２次元的に表示するようにしたものにおいて、前記撮像
手段は集められた光を光子としてとらえ光子計数により
微弱光２次元パターンを撮像するものからなり、この撮
像手段をＡ／Ｄ変換装置を介して前記面像処理装置に結
合し、この画像処理装置に、演算結果を定量化して外部
入力データと比較演算し制御信号を出力する比較演算手
段と、別途通常の光学像を取り込み、これと前記微弱発
光像とを重ねて表示する手段とにより問題点を特に表示
せしめることを特徴とする発光によるデバイスおよびそ
の材料の評価装置。
（２）被測定デバイスおよび／またはその材料は発光す
るIII−Ｖ族化合物半導体素子および／またはその材料
からなる請求項（１）記載の発光によるデバイスおよび
その材料の評価装置。
（３）被測定デバイスおよび／またはその材料は発光す
るIV−VI族またはIV−VI族化合物半導体素子および／ま
たはその材料からなる請求項（１）記載の発光によるデ
バイスおよびその材料の評価装置。
（４）被測定デバイスは３極バイポーラトランジスタか
らなる請求項（１）記載の発光によるデバイスおよびそ
の材料の評価装置。
（５）被測定デバイスはサイリスタからなる請求項（１
）記載の発光によるデバイスおよびその材料の評価装置
。
（６）被測定デバイスはステップリカバリーダイオード
などの特にキャリア注入蓄積を検査すべきダイオードか
らなる請求項（１）記載の発光によるデバイスおよびそ
の材料の評価装置。
（７）被測定デバイスおよび／またはその材料は内部に
強電界を有する素子および／またはその材料からなる請
求項（１）記載の発光によるデバイスおよびその材料の
評価装置。
（８）被測定デバイスは集積回路であって、内部に発光
するIII−Ｖ族化合物半導体素子、発光するIV−VI族化
合物半導体素子、発光するII−VI族化合物半導体素子、
３極バイポーラトランジスタ、サイリスタ、キャリア注
入蓄積を検査すべきダイオードまたは内部に強電界を有
する素子を１以上含むものからなる請求項（１）記載の
発光によるデバイスおよびその材料の評価装置。
（９）被測定物に通電して動作発光状態におくかわりに
、光照射によってこれをおこなうような手段を有するも
のからなる請求項（１）記載の発光によるデバイスおよ
びその材料の評価装置。
（１０）画像処理装置に、素子を駆動するロジックタイ
ムチャートとの相関をとるように同期タイミング情報を
取込む時間的情報演算装置を結合し、それにより面像信
号が制御されるようになされたことを特徴とする請求項
（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、（
７）、（８）または（９）記載の発光によるデバイスお
よびその材料の評価装置。
（１１）光学手段に、発光スペクトルを解析し、特定不
純物や欠陥を指示できるような出力の得られる分光装置
を結合してなる請求項（１）記載の発光によるデバイス
およびその材料の評価装置。
（１２）光学手段に、被測定デバイスおよび／またはそ
の材料に特定波長の光を別途照射して得られる蛍光を分
析するための照射手段を結合してなる請求項（１）記載
の発光によるデバイスおよびその材料の評価装置。
（１３）照射手段に、特定波長の光ビームを走査する走
査手段を結合してなる請求項（１２）記載の発光による
デバイスおよびその材料の評価装置。