JPS6370536A - 結晶評価装置 - Google Patents
結晶評価装置Info
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- JPS6370536A JPS6370536A JP21650186A JP21650186A JPS6370536A JP S6370536 A JPS6370536 A JP S6370536A JP 21650186 A JP21650186 A JP 21650186A JP 21650186 A JP21650186 A JP 21650186A JP S6370536 A JPS6370536 A JP S6370536A
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- layer
- epitaxial
- beams
- luminescence
- crystal
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な構成を有する光導波構造を有するエピ
タキシャル結晶層の非破壊的評価を可能ならしめる結晶
評価装置に関する。
タキシャル結晶層の非破壊的評価を可能ならしめる結晶
評価装置に関する。
最近、光通信・光情報処理分野の急速な進展に伴い、■
−■族化合物半導体を利用した光デバイスに使用する結
晶ならびにかかる結晶に対する評価手段に対して関心が
高まっている。半導体レーザをはじめ多くの光デバイス
に使用される結晶の多くは、基板結晶上にエピタキシャ
ル的に成長して得られたもので、さらに其の大部分はダ
ブルヘテロ構造をなし、光導波特性を有している。
−■族化合物半導体を利用した光デバイスに使用する結
晶ならびにかかる結晶に対する評価手段に対して関心が
高まっている。半導体レーザをはじめ多くの光デバイス
に使用される結晶の多くは、基板結晶上にエピタキシャ
ル的に成長して得られたもので、さらに其の大部分はダ
ブルヘテロ構造をなし、光導波特性を有している。
かかる結晶に対する評価手段としては、工゛ツチピット
法、光ルミネセンス法、カソードルミネセンス法などが
知られていて、それぞれ特徴を有しているが、この中で
光ルミネセンス法は非破壊的であり、２次元情報が得ら
れるため空間的非均一性の評価に適合しているなどの理
由で広く採用されている。
法、光ルミネセンス法、カソードルミネセンス法などが
知られていて、それぞれ特徴を有しているが、この中で
光ルミネセンス法は非破壊的であり、２次元情報が得ら
れるため空間的非均一性の評価に適合しているなどの理
由で広く採用されている。
従来行われている光ルミネセ〉′スによる評価方法は、
吸収端より短波長の光を結晶上面から照射し、たとえば
照射するレーザ光束を２次元的に移動せしめてルミネセ
ンス光の時間的変化を測定することによって、２次元的
情報を得ることが普通であった。しかしこの方法におい
ては、光束の２次元的運動を可能ならしめるための機構
が必要であり、若干複雑となることが避けられない。こ
れに対して結晶全面に励起光の照射を行う方法ではルミ
ネセンス光の強度が低いなめ充分な測定が行い得ない、
かかる事情は特に半導体レーザ製作用に使用されるコア
層の薄いダブルヘテロ（ＤＨ）構造をもつ結晶層におい
ては励起光のうち有効に吸収される部分が少ないため票
著であった。
吸収端より短波長の光を結晶上面から照射し、たとえば
照射するレーザ光束を２次元的に移動せしめてルミネセ
ンス光の時間的変化を測定することによって、２次元的
情報を得ることが普通であった。しかしこの方法におい
ては、光束の２次元的運動を可能ならしめるための機構
が必要であり、若干複雑となることが避けられない。こ
れに対して結晶全面に励起光の照射を行う方法ではルミ
ネセンス光の強度が低いなめ充分な測定が行い得ない、
かかる事情は特に半導体レーザ製作用に使用されるコア
層の薄いダブルヘテロ（ＤＨ）構造をもつ結晶層におい
ては励起光のうち有効に吸収される部分が少ないため票
著であった。
本発明は、かかる状況にかんがみ、特に薄いＤＨ槽構造
もつエピタキシャル結晶層の均一性の評価を行うのに適
合した結晶評価装置を与えることを目的とする。
もつエピタキシャル結晶層の均一性の評価を行うのに適
合した結晶評価装置を与えることを目的とする。
本発明の結晶評価装置は光導波特性を有するダブルヘテ
ロ構造のエピタキシャル結晶層を、光ルミネセンスの空
間的分布を測定し非破壊的に評価する結晶評価装置にお
いて、前記エピタキシャル結晶層のコア層に対して高い
吸収係数を有する導波光を有効に結合せしめ、該導波光
を前記エピタキシャル層の全面に届かしめる如き機構と
、該エピタキシャル結晶層の側面からのルミネセンス光
の２次元的な分布を有効に検知し得る光検出手段とを有
して構成される。
ロ構造のエピタキシャル結晶層を、光ルミネセンスの空
間的分布を測定し非破壊的に評価する結晶評価装置にお
いて、前記エピタキシャル結晶層のコア層に対して高い
吸収係数を有する導波光を有効に結合せしめ、該導波光
を前記エピタキシャル層の全面に届かしめる如き機構と
、該エピタキシャル結晶層の側面からのルミネセンス光
の２次元的な分布を有効に検知し得る光検出手段とを有
して構成される。
周知のようにＤＨ槽構造有するエピタキシャル結晶層は
、光導電特性を有する。従来コア層の吸収端より短波長
の光は、急速に減衰するものと考えられていたが、しか
し今般の研究の結果、コア層が薄い場合には導波光の受
ける減衰は単純な模型から推定されるより少なく：ＤＨ
ｔｌＩ造中を伝達し得ることが判明した。（文献：三田
ニアブライド・フィジックス・レターズ誌４８巻４号２
８４頁より・・・昭和６１年１月２７日刊行）かかる効
果は、たとえば半導体レーザ製作に使用する０、１μｍ
程度の薄いコア層を有するエピタキシャル結晶層におい
て顕著に現われる。従って平面光導波路を構成するかか
るＤＨ槽構造もつ結晶層に励起光を入射せしめると、数
Ｃの距離にわたってほぼ一様なルミネセンス光の発生を
期待することができ、たとえば結晶の非均一性の評価を
行うことが可能となる。
、光導電特性を有する。従来コア層の吸収端より短波長
の光は、急速に減衰するものと考えられていたが、しか
し今般の研究の結果、コア層が薄い場合には導波光の受
ける減衰は単純な模型から推定されるより少なく：ＤＨ
ｔｌＩ造中を伝達し得ることが判明した。（文献：三田
ニアブライド・フィジックス・レターズ誌４８巻４号２
８４頁より・・・昭和６１年１月２７日刊行）かかる効
果は、たとえば半導体レーザ製作に使用する０、１μｍ
程度の薄いコア層を有するエピタキシャル結晶層におい
て顕著に現われる。従って平面光導波路を構成するかか
るＤＨ槽構造もつ結晶層に励起光を入射せしめると、数
Ｃの距離にわたってほぼ一様なルミネセンス光の発生を
期待することができ、たとえば結晶の非均一性の評価を
行うことが可能となる。
次に本発明の一実施例について図面を参照にして説明す
る。第１図は本発明の一実施例を説明するための概念的
説明図である。
る。第１図は本発明の一実施例を説明するための概念的
説明図である。
第１図に示すように、ＩｎＧａＡｓＰ混晶よりなるコア
層１を上下にはさむＩｎＰよりなるクラッド層２を有す
るＤＨ槽構造有するエピタキシャル結晶層３の側方より
単一モード光ファイバ４を介して、１．０６μｍに発振
波長をもつＮｄ：ＹＡＧレーザ光く図示せず）を光導波
路的に結合せしめる。上述のように、コア層の厚さが０
．３μｍより薄い時には励起光は吸収を受けつつも、１
ｃ１＋＋以上の距離を進行する。側面より出射するルミ
ネセンス光５を励起光を有効ち５！！断せしめ得るフィ
ルタ６を介して赤外域に感度を有するビジコン７で発光
の空間的分布を検出することにより、結晶の非均一性の
評価が可能となる。このようにして得られた情報は１次
元的なものであるが、入射光を導く光ファイバをコア層
に沿って１次元的に移動せしめ得る装置（図示せず）を
追加することによって２次元的情報を得ることが可能と
なる。
層１を上下にはさむＩｎＰよりなるクラッド層２を有す
るＤＨ槽構造有するエピタキシャル結晶層３の側方より
単一モード光ファイバ４を介して、１．０６μｍに発振
波長をもつＮｄ：ＹＡＧレーザ光く図示せず）を光導波
路的に結合せしめる。上述のように、コア層の厚さが０
．３μｍより薄い時には励起光は吸収を受けつつも、１
ｃ１＋＋以上の距離を進行する。側面より出射するルミ
ネセンス光５を励起光を有効ち５！！断せしめ得るフィ
ルタ６を介して赤外域に感度を有するビジコン７で発光
の空間的分布を検出することにより、結晶の非均一性の
評価が可能となる。このようにして得られた情報は１次
元的なものであるが、入射光を導く光ファイバをコア層
に沿って１次元的に移動せしめ得る装置（図示せず）を
追加することによって２次元的情報を得ることが可能と
なる。
本実施例においては、通常１ｊ乃至１．５μｍに吸収端
を有するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の結晶層について説
明を行ったが、同様な評価法はＧａ＾ＩＡｓ／ＧａＡｓ
結晶層についても適用可能である。ただしこの場合は励
起光としてより短波長に発振波長をもつたとえばＡｒイ
オンレーザを使用する必要がある。
を有するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の結晶層について説
明を行ったが、同様な評価法はＧａ＾ＩＡｓ／ＧａＡｓ
結晶層についても適用可能である。ただしこの場合は励
起光としてより短波長に発振波長をもつたとえばＡｒイ
オンレーザを使用する必要がある。
かかる結晶評価装置によって、工業的に重要なりＨ構造
を有するエピタキシャル結晶層の特性。
を有するエピタキシャル結晶層の特性。
特に非均一性の評価を非破壊的しかも迅速・有効に行う
ことが可能になる。
ことが可能になる。
第１図は本発明にかかわる結晶評価装置の概念的な説明
図である。 １・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰコア層、２・・・・・・
ＩｎＰクラッド層、３・・・・・・エピタキシャル結晶
層、４・・・・・・光ファイバ、５・・・・・・ルミネ
センス光、６・・・・・・フィルタ、７・・・・・・赤
外ビジコン。 茅１ ロ
図である。 １・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰコア層、２・・・・・・
ＩｎＰクラッド層、３・・・・・・エピタキシャル結晶
層、４・・・・・・光ファイバ、５・・・・・・ルミネ
センス光、６・・・・・・フィルタ、７・・・・・・赤
外ビジコン。 茅１ ロ
Claims (1)
- 光導波特性を有するダブルヘテロ構造のエピタキシャ
ル結晶層を、光ルミネセンスの空間的分布を測定し非破
壊的に評価する結晶評価装置において、前記エピタキシ
ャル結晶層のコア層に対して高い吸収係数を有する導波
光を有効に結合せしめ、該導波光を前記エピタキシャル
層の全面に届かしめる如き機構と、該エピタキシャル結
晶層の側面からのルミネセンス光の２次元的な分布を有
効に検知し得る光検出手段とを有することを特徴とする
結晶評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21650186A JPS6370536A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 結晶評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21650186A JPS6370536A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 結晶評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370536A true JPS6370536A (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16689415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21650186A Pending JPS6370536A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 結晶評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231175A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光によるデバイスおよびその材料の評価装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
| JPS6139596A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPS61160046A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-19 | Nec Corp | 結晶評価装置 |
| JPS61181945A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Nec Corp | 結晶評価装置 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP21650186A patent/JPS6370536A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
| JPS6139596A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPS61160046A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-19 | Nec Corp | 結晶評価装置 |
| JPS61181945A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Nec Corp | 結晶評価装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231175A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光によるデバイスおよびその材料の評価装置 |
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