JPH02307807A - 酸化物超電導膜の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導膜の製造方法

Info

Publication number
JPH02307807A
JPH02307807A JP1126847A JP12684789A JPH02307807A JP H02307807 A JPH02307807 A JP H02307807A JP 1126847 A JP1126847 A JP 1126847A JP 12684789 A JP12684789 A JP 12684789A JP H02307807 A JPH02307807 A JP H02307807A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
laser beam
oxide superconducting
oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1126847A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2853161B2 (ja
Inventor
Shigeru Okuda
奥田　繁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=14945335&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH02307807(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP1126847A priority Critical patent/JP2853161B2/ja
Priority to CA002016028A priority patent/CA2016028C/en
Priority to DE90108847T priority patent/DE69004148T2/de
Priority to EP90108847A priority patent/EP0398164B1/en
Publication of JPH02307807A publication Critical patent/JPH02307807A/ja
Priority to US07/819,588 priority patent/US5206212A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2853161B2 publication Critical patent/JP2853161B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5853—Oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、酸化物超電導膜の製造方法に関するもので
、特に、レーザアブレーションないしはレーザ蒸着技術
を用いる酸化物超電導膜の製造方法に関するものである
。
［従来の技術］ 近年のレーザ装置の発展に伴い、レーザビームをターゲ
ットに照射して、ターゲット材料を蒸発またはスパッタ
し、基板上に成膜させる、レーザ蒸着成膜技術が提案さ
れている。たとえば、用澄博通編「最先端レーザ加工技
術Ｊ　　（ＣＭＣ出版）参照。
このようなレーザ蒸着成膜技術の特徴として、（１）　
一般に成膜速度が大きいこと。
（２）　組成の制御が容易であること。
が挙げられる。
特に、０．５〜ＩＪ／ｃｍ２以上の高いエネルギ密度を
有するエキシマパルスレーザビームを使用したレーザア
ブレーションは、光化学反応による低温化が図れる技術
であり、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系、Ｂ　ｉ−８ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系等の酸化物超電導薄膜の形成手段として脚光
を浴びている。
たとえば、Ｃ，Ｃ，Ｃｈａｎｇ他、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈ
ｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　５３．５１７　（１９８８）参照
。
口発明が解決しようとする課題］ レーザアブレーションによる成膜の速度は、用いるレー
ザビームの周波数に比例することがわかっている。しか
しながら、レーザビームの周波数をｌｌ純に高くすると
、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系やＢ１−５　ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系等の酸化物超電導膜を形成しようとする場合、その
ような超電導膜に含まれべき酸素の導入が、高すぎる成
膜速度のゆえに、行なわれにくくなる。酸化物超電導体
の場合、酸素が不足すると、臨界温度Ｔｃが低くなるの
で、単に成膜速度を向上させる目的のために、レーザビ
ームの周波数を高くすることは、単純にはできないとい
う問題がある。
より具体的に説明すると、レーザアブレーションによれ
ば、たとえばＡｒＦガスレーザを用いて、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０膜を成膜すると、１個のパルスあたり、約１〜２
人の厚みの成膜が行なえるので、たとえば、５　Ｈｚの
レーザビームを用いて成膜を行なうと、１時間あたり、
１８０００Ａ〜３６０００Ａの厚みの成膜が行なえるこ
とになる。
しかしながら、たとえば１０Ｈｚのレーザビームで成膜
を行なうと、計算上は、単位時間あたり、２倍の成膜量
を得ることができることになるが、成膜速度が速すぎる
ため、形成された酸化物超電導膜に対して酸素の導入を
十分に行なうことができないという問題がある。
そこで、この発明の目的は、高い成膜速度の下であって
も、十分な酸素の導入を図ることができる、酸化物超電
導膜の製造方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る酸化物超電導膜の製造方法は、上述の技
術的課題を解決するため、 ａ、　　レーザビームを酸化物超電導材料からなるター
ゲットに照射し、ターゲットより飛散した原子および／
または分子を酸素含有雰囲気下で基板の第１の部分上に
堆積させる第１の蒸着ステップと、 ｂ、　前記基板を移動させ、前記ターゲットより飛散し
た原子および／または分子を酸素含有雰囲気下で基板の
第１の部分とは異なる第２の部、　骨上に堆積させる第
２の蒸着ステップと、を備えるとともに、 Ｃ０前記第１の蒸着ステップと前記第２の蒸着ステップ
とを繰返す、 ことを特徴とするものである。
第１図を参照して、より具体的に説明すると、ターゲッ
ト１にレーザビーム２を照射すると、ターゲット１に対
向して配置された基板３の第１の部分４上に成膜が施さ
れる。このような成膜は、酸素含有雰囲気下で実施され
る。また、基板３は、矢印５．６．　７．８で示す方向
に移動可能である。
したがって、基板３がいずれかの方向に移動されたとき
、基板３の前述した第１の部分４とは異なる第２の部分
上で次の成膜が行なわれる。このとき、酸素含有雰囲気
下に置かれている基板３の既に成膜された第１の部分４
では、酸素アニールが行なわれ、形成された酸化物超電
導膜への十分な酸素の導入を行なうことができる。以下
、所望の厚みの酸化物超電導膜が得られるまで、上述の
蒸着と酸素アニールとが交互に繰返される。
この発明において、好ましくは、レーザビームの周波数
が１０Ｈｚ以上に選ばれる。
［発明の作用および効果］ 従来、レーザアブレーションにより、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系やＢ　ｉ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導
膜の成膜を行なう場合、用いるレーザビームの周波数を
１０Ｈｚ未満に落としていたが、一般に、レーザビーム
の周波数は、６０Ｈｚ〜１００Ｈｚにまで上げることが
でき、レーザ装置の能力を十分に引出し、単位時間あた
りの成膜量を多くするためには、レーザビームの周波数
を高くすることが望ましい。
この発明によれば、基板を移動させることにより、たと
えば５０人の成膜を行なった後、別の部分で成膜し、先
に成膜した部分を酸素アニールすることにより十分な酸
素の導入が可能になる。したがって、たとえば１０Ｈｚ
以上の周波数のレーザビームを使用することができ、レ
ーザ装置の能力を十分に引出すことができる。
このように、この発明によれば、高い周波数のレーザビ
ームを利用して、超電導特性を損なうことなく、酸化物
超電導膜の成膜を高速で行なうことができる。したがっ
て、磁気シールドや超電導線材のように、超電導膜を大
量に成膜する必要のある分野に利用すると、特に効果的
である。
［実施例］ 以下に、この発明に係る実施例を説明するに先立ち、次
のような比較例を紹介しておく。
比較例 Ｙ　ＩＢ　ａ　２　Ｃｕ　ｓ　Ｏｃ９のターゲットを使
用して、ＡｒＦガスレーザによるレーザ蒸着を、酸素圧
力２００ｍＴｏｒｒの雰囲気下で行なった。Ｍｇｏ基板
を用い、ターゲット・基板間距離を４０ｍｍとし、基板
温度を７００℃とした。また、レーザビームのエネルギ
密度を、Ｉ　Ｊ　／　ｐ　ｕ　ｌ　ｓ　ｅとし、その周
波数をＩＨｚ〜５０Ｈｚの範囲で変化させ、この範囲内
でのい（っかの周波数について、それぞれ１時間の成膜
を行ない、得られた成膜重量と臨界温度Ｔｃを求め、そ
れらの結果を第２図および第３図に示した。
第２図かられかるように、成膜重量は、周波数の増加と
ともに大きくなるが、第３図に示すように、周波数が１
０Ｈｚ以上では、得られた超電導膜の臨界温度Ｔｃが７
７に未満となり、液体窒素中では超電導を示さなくなる
。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例 上述の比較例と同様のターゲット材料、レーザ、酸素含
有雰囲気、基板材料、基板温度、ターゲット・基板間距
離を適用した。なお、基板としては、第４図に示すよう
に、６０ｍｍＸ４０ｍｍの大きさのものを使用し、１秒
ごとに、■−■−■−■→■−■−■・・・というよう
に、成膜域を移動させた。レーザビームのエネルギ密度
は、比較例と同様、ＩＪ／ｐｕｌｓｅとしたが、周波数
を４０Ｈ２とした。
１時間の成膜後、成膜重量を測定すると、５２ｍｇであ
り、また、臨界温度Ｔｃを測定すると、９０にであった
。
このように、実施例と比較例とを比較すればわかるよう
に、比較例では、レーザビーム周波数が４０Ｈｚの場合
、成膜重量は実施例とほとんど同じであるが、臨界温度
Ｔｃは、４．２に以下であり、液体窒素中では超電導を
示さなかった。これに対し、実施例では、成る部分の成
膜中に他の部分に十分に酸素が導入される時間を与える
ことができるため、高い臨界温度Ｔｃを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の酸化物超電導膜の製造方法の原理
を示す図解的斜視図である。 第２図は、レーザビームの周波数と成膜重量との関係を
示す図である。 第３図は、レーザビーム周波数と臨界温度Ｔｃとの関係
を示す図である。 第４図は、この発明の実施例において基板を移動させる
ことによって達成される成膜域の移動態様の一例を示す
基板の図解的平面図である。 図において、１はターゲット、２はレーザビーム、３は
基板、４は第１の部分、５〜８は基板の移動方向を示す
矢印である。 特許出願人　住友電気工業株式会社 周シＬ＄１　（）ｌｚ） Ｉｌ！牧（Ｈｚ）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）レーザビームを酸化物超電導材料からなるターゲ
    ットに照射し、ターゲットより飛散した原子および／ま
    たは分子を酸素含有雰囲気下で基板の第１の部分上に堆
    積させる第１の蒸着ステップと、 前記基板を移動させ、前記ターゲットより飛散した原子
    および／または分子を酸素含有雰囲気下で基板の第１の
    部分とは異なる第２の部分上に堆積させる第２の蒸着ス
    テップと、 を備えるとともに、 前記第１の蒸着ステップと前記第２の蒸着ステップとを
    繰返す、 ことを特徴とする、酸化物超電導膜の製造方法。
  2. （２）前記レーザビームの周波数が、１０Ｈｚ以上であ
    ることを特徴とする、請求項１記載の酸化物超電導膜の
    製造方法。
JP1126847A 1989-05-19 1989-05-19 酸化物超電導膜の製造方法 Expired - Fee Related JP2853161B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1126847A JP2853161B2 (ja) 1989-05-19 1989-05-19 酸化物超電導膜の製造方法
CA002016028A CA2016028C (en) 1989-05-19 1990-05-03 Method of fabricating oxide superconducting film
DE90108847T DE69004148T2 (de) 1989-05-19 1990-05-10 Verfahren zur Herstellung einer oxydsupraleitenden Schicht.
EP90108847A EP0398164B1 (en) 1989-05-19 1990-05-10 Method of fabricating oxide superconducting film
US07/819,588 US5206212A (en) 1989-05-19 1992-01-09 Fabrication of superconducting oxide films by laser ablation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1126847A JP2853161B2 (ja) 1989-05-19 1989-05-19 酸化物超電導膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02307807A true JPH02307807A (ja) 1990-12-21
JP2853161B2 JP2853161B2 (ja) 1999-02-03

Family

ID=14945335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1126847A Expired - Fee Related JP2853161B2 (ja) 1989-05-19 1989-05-19 酸化物超電導膜の製造方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0398164B1 (ja)
JP (1) JP2853161B2 (ja)
CA (1) CA2016028C (ja)
DE (1) DE69004148T2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2045267C (en) * 1990-06-21 1998-12-08 Hideo Itozaki Process and apparatus for preparing superconducting thin films
WO2001055472A2 (en) * 2000-01-28 2001-08-02 Oxxel Oxide Electronics Technology, Inc. Method and apparatus for in-situ deposition of epitaxial thin film of high-temperature superconductors and other complex oxides under high-pressure
JP4626134B2 (ja) * 2003-09-17 2011-02-02 住友電気工業株式会社 超電導体およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4420385A (en) * 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
GB8417040D0 (en) * 1984-07-04 1984-08-08 Salford University Of Modifying properties of material
JPS6412427A (en) * 1987-07-06 1989-01-17 Showa Electric Wire & Cable Co Manufacture of ceramic-based superconducting wire
JPS6472418A (en) * 1987-09-11 1989-03-17 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of oxide superconducting thin film
JPS6472427A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Toshiba Corp Manufacture and device of superconducting thin film

Also Published As

Publication number Publication date
CA2016028A1 (en) 1990-11-19
EP0398164B1 (en) 1993-10-27
DE69004148D1 (de) 1993-12-02
EP0398164A2 (en) 1990-11-22
EP0398164A3 (en) 1991-03-27
DE69004148T2 (de) 1994-04-28
CA2016028C (en) 1999-07-20
JP2853161B2 (ja) 1999-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02307807A (ja) 酸化物超電導膜の製造方法
EP0308869A2 (en) Process of producing single crystalline LnA2Cu3O7-x thin films having three-layered perovskite structure
JPS5727079A (en) Manufacture of josephson element of oxide superconductor
JP2650910B2 (ja) 酸化物超伝導体薄膜の形成方法
JPS63241824A (ja) 超電導体の製造方法
US5206212A (en) Fabrication of superconducting oxide films by laser ablation
JPH0297421A (ja) 高温超伝導薄膜の製造方法
JP3187043B2 (ja) 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法
JPH02173258A (ja) 薄膜の作製方法および作製装置
JPH01259582A (ja) 酸化物系超電導薄膜の製造方法
JPS6450501A (en) Manufacture of thin film thermistor
JPH03197303A (ja) 酸化物超電導薄膜の作製方法
JPH02120229A (ja) 酸化物超伝導薄膜の製造方法
JPH03174305A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPH01183176A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JP2817299B2 (ja) 複合酸化物超電導薄膜の作製方法
JPH02270966A (ja) 酸化物超電導体薄膜の製造方法
JPH01169981A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JPH02133304A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPS63310519A (ja) 酸化物超電導材料からなる薄膜の製造方法
Dodd et al. Metastable Structures Formed in Plasma Source Ion Processing
JPH02120232A (ja) 酸化物超伝導薄膜の製造方法
JPH0761897A (ja) レーザアブレーション法による酸化物超電導膜の成膜方法
JPH02124705A (ja) 酸化物超電導成形体の製造方法
JPH02267103A (ja) 超伝導薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071120

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees