JPH02306640A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02306640A JPH02306640A JP1128356A JP12835689A JPH02306640A JP H02306640 A JPH02306640 A JP H02306640A JP 1128356 A JP1128356 A JP 1128356A JP 12835689 A JP12835689 A JP 12835689A JP H02306640 A JPH02306640 A JP H02306640A
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ダイオード、パワートランジスタ。
サイリスクなどの半導体素子を備えた半導体装置に関す
る。
る。
複数の半導体素子および他の回路素子からなる半導体装
置をモジュール化したものは、例えばパワートランジス
タモジュールとして従来より種々製品化されている。そ
のような装置の構造は、熱良導性の金属基板と主として
絶縁材料からなる側壁とで構成される容器内の金属基板
上に、所要の回路配線のために箔状導体をパターン化し
て貼り付けてなるセラミックなどの絶縁基板を固着し、
その導体パターン上の所定の位置に半導体素子。
置をモジュール化したものは、例えばパワートランジス
タモジュールとして従来より種々製品化されている。そ
のような装置の構造は、熱良導性の金属基板と主として
絶縁材料からなる側壁とで構成される容器内の金属基板
上に、所要の回路配線のために箔状導体をパターン化し
て貼り付けてなるセラミックなどの絶縁基板を固着し、
その導体パターン上の所定の位置に半導体素子。
その他の回路素子、外部導出用端子を固着し、所要の電
気的接続を行い、ゲル状シリコーン樹脂を注入し、さら
にその上にエポキシ樹脂を注入して硬化させ、開口部を
絶縁材料からなる蓋体で閉じ、蓋体を貫通して外部導出
端子の一端が導出されている構成のものが一般的である
。
気的接続を行い、ゲル状シリコーン樹脂を注入し、さら
にその上にエポキシ樹脂を注入して硬化させ、開口部を
絶縁材料からなる蓋体で閉じ、蓋体を貫通して外部導出
端子の一端が導出されている構成のものが一般的である
。
ところがそのような従来の半導体装置にふいては、絶縁
基板としてセラミックなどを使用しているため、その上
に設けられる回路構成のために必要な導体パターンのフ
ァイン化が難しいという問題がある。近年、このファイ
ン化の問題を解決する材料としてアルミニウムを金属ベ
ースとしてその表面にエポキシ樹脂などの絶縁層を積層
し、さらにその上に銅箔、あるいは銅箔とアルミニウム
箔とを重ねた導体薄膜とすることによりファイン化され
た導体パターンへの加工を可能とする絶縁放熱基板が使
われている。
基板としてセラミックなどを使用しているため、その上
に設けられる回路構成のために必要な導体パターンのフ
ァイン化が難しいという問題がある。近年、このファイ
ン化の問題を解決する材料としてアルミニウムを金属ベ
ースとしてその表面にエポキシ樹脂などの絶縁層を積層
し、さらにその上に銅箔、あるいは銅箔とアルミニウム
箔とを重ねた導体薄膜とすることによりファイン化され
た導体パターンへの加工を可能とする絶縁放熱基板が使
われている。
しかし、このような薄膜の導体パターンをもつ放熱基板
はその銅箔の厚さが制約されるために、比較的電流の小
さな装置への使用に限られるという問題があった。
はその銅箔の厚さが制約されるために、比較的電流の小
さな装置への使用に限られるという問題があった。
また、大きな電流を流すためには、銅箔あるいはアルミ
ニウム箔の厚さを増すのではなく幅を広くしても良いが
、その分、面積が増し、それを用いた装置が大きくなり
コストが高くなるという問題があった。
ニウム箔の厚さを増すのではなく幅を広くしても良いが
、その分、面積が増し、それを用いた装置が大きくなり
コストが高くなるという問題があった。
この発明が解決しようとする課題は、上述の絶縁放熱基
板を用いて回路配線のための導体パターンのファイン化
を可能にしつつ、なおかつその上に設けられるこの導体
パターンを形成する銅箔あるいはアルミニウム箔の幅を
広くすることなく電流容量を大きくできる構成の小形で
安価な半導体装置を提供することである。
板を用いて回路配線のための導体パターンのファイン化
を可能にしつつ、なおかつその上に設けられるこの導体
パターンを形成する銅箔あるいはアルミニウム箔の幅を
広くすることなく電流容量を大きくできる構成の小形で
安価な半導体装置を提供することである。
上記の課題は、この発明によれば、金属ベース上に絶縁
膜を介して積層される導体薄膜が所要の回路配線パター
ンに加工されてなる絶縁放熱基板に半導体素体を搭載し
てなる半導体装置において、回路配線パターンが主電流
用の両主電極端子が導出される主電流回路配線パターン
部と制御電極が導出される制、御回路配線パターン部と
を備え、この主電流回路配線パターン部上にはいずれか
の主電極端子とこれにつながる半導体素体搭載部とを有
する金属フレームが固着され、一方の主電極端子につな
がる前記搭載部上の半導体素体が他方の主電極端子につ
ながる金属フレームと制御回路配線パターン部とにそれ
ぞれ導線結合されてなる半導体装置とすることによって
解決される。
膜を介して積層される導体薄膜が所要の回路配線パター
ンに加工されてなる絶縁放熱基板に半導体素体を搭載し
てなる半導体装置において、回路配線パターンが主電流
用の両主電極端子が導出される主電流回路配線パターン
部と制御電極が導出される制、御回路配線パターン部と
を備え、この主電流回路配線パターン部上にはいずれか
の主電極端子とこれにつながる半導体素体搭載部とを有
する金属フレームが固着され、一方の主電極端子につな
がる前記搭載部上の半導体素体が他方の主電極端子につ
ながる金属フレームと制御回路配線パターン部とにそれ
ぞれ導線結合されてなる半導体装置とすることによって
解決される。
この発明は上記のような構成とし、その半導体装置の必
要電流容量により金属フレームの厚さを設定し、絶縁放
熱基板上の導体パターンそのパターンに合わせた形状の
半導体素体搭載部を有する金属フレームを接合すれば、
半導体装置に入ってくる電流は金属箔ではなく主として
金属フレームを通って外部へ導出することができること
が要点である。まだこの絶縁放熱基板上の導体パターン
は金属フレームがこの基板に有効な放熱性と機械的強度
を有するという観点で接合（はんだ付け）されるだけで
よいので、導体パターンを形成する銅箔あるいはアルミ
ニウム箔の幅を必要以上に広くすることなく、小形で安
価な半導体装置を得ることが可能となる。
要電流容量により金属フレームの厚さを設定し、絶縁放
熱基板上の導体パターンそのパターンに合わせた形状の
半導体素体搭載部を有する金属フレームを接合すれば、
半導体装置に入ってくる電流は金属箔ではなく主として
金属フレームを通って外部へ導出することができること
が要点である。まだこの絶縁放熱基板上の導体パターン
は金属フレームがこの基板に有効な放熱性と機械的強度
を有するという観点で接合（はんだ付け）されるだけで
よいので、導体パターンを形成する銅箔あるいはアルミ
ニウム箔の幅を必要以上に広くすることなく、小形で安
価な半導体装置を得ることが可能となる。
第１図は、この発明に係わる半導体装置の一実施例の中
間組立品を示すもので、第１図（ａ）は平面図、第１図
（ハ）は側面図である。第１図において、１は銅板にエ
ポキシ樹脂をコーティングした絶縁放熱基板であり、そ
の上に主電流回路の導体パターンを介して金属フレーム
２がはんだ付けされている。金属フレーム２の導体パタ
ーンにはんだ付けされる部分は導体パターンとほぼ同形
状に加工されている。金属フレーム２は半導体素体搭載
部２ａ、主電極端子２ｂとが一体となっている。３は制
御回路用の導体パターンである。
間組立品を示すもので、第１図（ａ）は平面図、第１図
（ハ）は側面図である。第１図において、１は銅板にエ
ポキシ樹脂をコーティングした絶縁放熱基板であり、そ
の上に主電流回路の導体パターンを介して金属フレーム
２がはんだ付けされている。金属フレーム２の導体パタ
ーンにはんだ付けされる部分は導体パターンとほぼ同形
状に加工されている。金属フレーム２は半導体素体搭載
部２ａ、主電極端子２ｂとが一体となっている。３は制
御回路用の導体パターンである。
この金属フレーム２の半導体素体搭載部２ａに第２図の
部分平面図に示すように、半導体素体４を直接またはモ
リブデン板５などを介してはんだ付けし、アルミニウム
ワイヤ６で所要の電気的接続を行う。その後、金属フレ
ーム２を折り曲げ部２Ｃで折り曲げて主電極端子２ｂを
立て、さらに点線部で折り曲げて主電極端子２ｂの端部
が絶縁放熱基板ｌと平行になるように成形する。側壁と
蓋体とが一体となったプラスチック成型品を、その開口
部に主電極端子が導出されるようにして、絶縁放熱基板
に接着剤で固着し、開口部をエポキシ樹脂で封止し、第
１図に示した金属フレームの主電極端子を連結している
「Ａ１部を除去して半導体装置とする。
部分平面図に示すように、半導体素体４を直接またはモ
リブデン板５などを介してはんだ付けし、アルミニウム
ワイヤ６で所要の電気的接続を行う。その後、金属フレ
ーム２を折り曲げ部２Ｃで折り曲げて主電極端子２ｂを
立て、さらに点線部で折り曲げて主電極端子２ｂの端部
が絶縁放熱基板ｌと平行になるように成形する。側壁と
蓋体とが一体となったプラスチック成型品を、その開口
部に主電極端子が導出されるようにして、絶縁放熱基板
に接着剤で固着し、開口部をエポキシ樹脂で封止し、第
１図に示した金属フレームの主電極端子を連結している
「Ａ１部を除去して半導体装置とする。
第３図は、このようにして作製された半導体装置の外観
を示すもので、第３図（ａ）は平面図、第３図ら）は側
面図である。第３図において、１は絶縁放熱基板、７は
プラスチック成型品、２ｂは主電極端子、８は開口部を
封止するエポキシ樹脂である。
を示すもので、第３図（ａ）は平面図、第３図ら）は側
面図である。第３図において、１は絶縁放熱基板、７は
プラスチック成型品、２ｂは主電極端子、８は開口部を
封止するエポキシ樹脂である。
このような金属フレームを用いることにより、半導体装
置の電流は金属フレームを通って外部へ導出されること
になる。従って、半導体装置の電流容量に応じて金属フ
レームの厚さを決めればよく、電流容量の大きい半導体
装置に絶縁放熱基板を好適に用いることが可能となる。
置の電流は金属フレームを通って外部へ導出されること
になる。従って、半導体装置の電流容量に応じて金属フ
レームの厚さを決めればよく、電流容量の大きい半導体
装置に絶縁放熱基板を好適に用いることが可能となる。
しかも、導体パターンは金属フレームを絶縁放熱基板に
固着させる機能を有するだけでよく、半導体装置の電流
容量に応じてその幅を広くする必要はなく、半導体装置
の小形化が可能となる。
固着させる機能を有するだけでよく、半導体装置の電流
容量に応じてその幅を広くする必要はなく、半導体装置
の小形化が可能となる。
この発明によれば、半導体装置の電流は金属フレームを
通って外部へ導出される。従って、導体パターンは金属
フレームを絶縁放熱基板に固着させる機能を有するだけ
でよくなるので、電流容量の大きい半導体装置にも絶縁
放熱基板を適用できるようになり、しかも、導体パター
ンを形成する銅箔あるいはアルミニウム箔の幅を広くす
る必要はないので、小形で安価な半導体装置を得ること
が可能となる。
通って外部へ導出される。従って、導体パターンは金属
フレームを絶縁放熱基板に固着させる機能を有するだけ
でよくなるので、電流容量の大きい半導体装置にも絶縁
放熱基板を適用できるようになり、しかも、導体パター
ンを形成する銅箔あるいはアルミニウム箔の幅を広くす
る必要はないので、小形で安価な半導体装置を得ること
が可能となる。
また、半導体素体搭載部、主電極端子を一体化したので
、組立工数の削減という効果も得られる。
、組立工数の削減という効果も得られる。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例の中間組立品
を示すもので第１図（ａ）は平面図、第１図ら）は側面
図、第２図は金属フレームの半導体素体搭載部に半導体
素体を搭載し電気的に接続した状態を示す部分平面図、
第３図は第１図に示した中間組立品を用いて作製した半
導体装置の外観を示すもので第３図（ａ）は平面図、第
３図ら）は側面図。 ｌ 絶縁放熱基板、２ 金属フレーム、２ａ半導体素体
搭載部、２ｂ 主電極端子、 ２Ｃ折り曲げ部、３
制御回路配線パターン。 （ｂ） 第１図 第２図 第３図
を示すもので第１図（ａ）は平面図、第１図ら）は側面
図、第２図は金属フレームの半導体素体搭載部に半導体
素体を搭載し電気的に接続した状態を示す部分平面図、
第３図は第１図に示した中間組立品を用いて作製した半
導体装置の外観を示すもので第３図（ａ）は平面図、第
３図ら）は側面図。 ｌ 絶縁放熱基板、２ 金属フレーム、２ａ半導体素体
搭載部、２ｂ 主電極端子、 ２Ｃ折り曲げ部、３
制御回路配線パターン。 （ｂ） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １）金属ベース上に絶縁膜を介して積層される導体薄膜
が所要の回路配線パターンに加工されてなる絶縁放熱基
板に半導体素体を搭載してなる半導体装置において、回
路配線パターンが主電流用の両主電極端子が導出される
主電流回路配線パターン部と制御電極が導出される制御
回路配線パターン部とを備え、この主電流回路配線パタ
ーン部上にはいずれかの主電極端子とこれにつながる半
導体素体搭載部とを有する金属フレームが固着され、一
方の主電極端子につながる前記搭載部上の半導体素体が
他方の主電極端子につながる金属フレームと制御回路配
線パターン部とにそれぞれ導線結合されてなることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12835689A JPH0817188B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12835689A JPH0817188B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306640A true JPH02306640A (ja) | 1990-12-20 |
| JPH0817188B2 JPH0817188B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=14982797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12835689A Expired - Fee Related JPH0817188B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817188B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256489B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-08-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor apparatus |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12835689A patent/JPH0817188B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256489B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-08-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817188B2 (ja) | 1996-02-21 |
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