JPH02304812A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH02304812A JPH02304812A JP12383689A JP12383689A JPH02304812A JP H02304812 A JPH02304812 A JP H02304812A JP 12383689 A JP12383689 A JP 12383689A JP 12383689 A JP12383689 A JP 12383689A JP H02304812 A JPH02304812 A JP H02304812A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜およびその製造方法に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗の膜を作製する
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方散化物半導体は優れた透光性と膜強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されている。
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方散化物半導体は優れた透光性と膜強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されている。
しかしながら、液晶表示体の高品質化が近年急速に進ん
でいることに伴って表示体を大型化、大容量化した場合
、現状の透明導電膜では抵抗が高く表示にむらが出て表
示品質が低下してしまうという課題が生じている。そこ
で本発明の目的とするところは液晶表示体の高品質化を
実現させる、耐久性の優れた低抵抗な透明導電膜を提供
することにある。
でいることに伴って表示体を大型化、大容量化した場合
、現状の透明導電膜では抵抗が高く表示にむらが出て表
示品質が低下してしまうという課題が生じている。そこ
で本発明の目的とするところは液晶表示体の高品質化を
実現させる、耐久性の優れた低抵抗な透明導電膜を提供
することにある。
本発明の透明導電膜は、基板上に金属層が１５０Å以下
の厚さで形成され、その金属層上に透明導電性酸化物層
が形成された積層構造を持つことを特徴としている。ま
た、本発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に透明導
電性酸化物層を形成する際、その下地膜として１５０Ａ
以下の厚さの金属層を設けることを特徴としている。
の厚さで形成され、その金属層上に透明導電性酸化物層
が形成された積層構造を持つことを特徴としている。ま
た、本発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に透明導
電性酸化物層を形成する際、その下地膜として１５０Ａ
以下の厚さの金属層を設けることを特徴としている。
金属層を設けることによって透明導電性酸化物層は金属
層の結晶構造の影響を受け、結晶性良く粒子が成長する
ので、結晶性が良く抵抗の低い膜が得られる。しかし、
膜厚が１５０人を超えると透光率が低くなり実用的でな
い。従って上述の範囲が望ましい。
層の結晶構造の影響を受け、結晶性良く粒子が成長する
ので、結晶性が良く抵抗の低い膜が得られる。しかし、
膜厚が１５０人を超えると透光率が低くなり実用的でな
い。従って上述の範囲が望ましい。
真空チャンバー内を５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの圧力まで排
気した後、アルゴンガスをチャンバー内の圧力が２Ｘ１
０−”Ｔｏｒｒになるように導入し、３００℃に加熱し
たガラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタ法で金属層
を形成、その後、酸素が４Ｘ１０”Ｔｏｒｒ、アルゴン
と酸素の和が５×１０−ｓになるようにガスを導入して
、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＩＴＯ膜を作製した。
気した後、アルゴンガスをチャンバー内の圧力が２Ｘ１
０−”Ｔｏｒｒになるように導入し、３００℃に加熱し
たガラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタ法で金属層
を形成、その後、酸素が４Ｘ１０”Ｔｏｒｒ、アルゴン
と酸素の和が５×１０−ｓになるようにガスを導入して
、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＩＴＯ膜を作製した。
サンプルの構成は第１表のとうりである。また、比較例
として、金属層のないものと金属層の厚さが上述の範囲
外になるように作製したものについても第１表に示し、
各サンプルおよび比較例の比抵抗値と透過率を測定した
結果を第２表に示す。なお、抵抗値は４探針法で測定し
た値、透光率は分光光度計で測定した波長５５０ｎｍに
おける値である。
として、金属層のないものと金属層の厚さが上述の範囲
外になるように作製したものについても第１表に示し、
各サンプルおよび比較例の比抵抗値と透過率を測定した
結果を第２表に示す。なお、抵抗値は４探針法で測定し
た値、透光率は分光光度計で測定した波長５５０ｎｍに
おける値である。
第１表
第２表
第２表かられかるとおり、本発明の透明導電膜は抵抗が
低く、透光率も７３％以上と実用的である。これに対し
、金属層のないものは抵抗値が高く、金属層が厚いもの
は透光率が悪い。
低く、透光率も７３％以上と実用的である。これに対し
、金属層のないものは抵抗値が高く、金属層が厚いもの
は透光率が悪い。
以上述べたように、本発明の透明導電膜は基板上に金属
層が１５０八以下の厚さで形成され、その金属層上に透
明導電性酸化物層が形成された積層構造であるので、従
来より抵抗の低いものとなっている。この膜は、ディス
プレイデバイスの大型化・大容量化など高品質化に大き
な効果を有するものである。なお本発明の透明導電膜は
真空蒸着法、ＲＦスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法など様々な手法により成膜可能でありその応用分
野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子などの透明
電極や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選択透過膜な
ど広い分野で応用可能である。
層が１５０八以下の厚さで形成され、その金属層上に透
明導電性酸化物層が形成された積層構造であるので、従
来より抵抗の低いものとなっている。この膜は、ディス
プレイデバイスの大型化・大容量化など高品質化に大き
な効果を有するものである。なお本発明の透明導電膜は
真空蒸着法、ＲＦスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法など様々な手法により成膜可能でありその応用分
野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子などの透明
電極や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選択透過膜な
ど広い分野で応用可能である。
また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に透明
導電性酸化物層を形成する際、その下地膜として１５０
Å以下の厚さの金属層を設けたので抵抗の低い透明導電
膜を得ることができる。
導電性酸化物層を形成する際、その下地膜として１５０
Å以下の厚さの金属層を設けたので抵抗の低い透明導電
膜を得ることができる。
なお、金属層は透明導電性酸化物の結晶構造に寄与する
ものであり、透明導電性酸化物へドーピングされた不純
物に関係なく上述の効果が得られる。
ものであり、透明導電性酸化物へドーピングされた不純
物に関係なく上述の効果が得られる。
以 上
Claims (8)
- （１）基板上に金属層が１５０Å以下の厚さで形成され
、その金属層上に透明導電性酸化物層が形成された積層
構造を持つことを特徴とする透明導電膜。 - （２）透明導電性酸化物層が酸化インジウム系透明導電
層であることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜。 - （３）酸化インジウム系透明導電層がＳｎがドーピング
された酸化インジウム（ＩＴＯ）層であることを特徴と
する請求項２記載の透明導電膜。 - （４）金属層がＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｖ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎの内の少なくとも１つを含
む単金属層あるいは合金層であることを特徴とする請求
項２または請求項３記載の透明導電膜。 - （５）基板上に透明導電性酸化物層を形成する際、その
下地膜として１５０Å以下の厚さの金属層を設けること
を特徴とする透明導電膜の製造方法。 - （６）透明導電性酸化物層が酸化インジウム系透明導電
層であることを特徴とする請求項５記載の透明導電膜の
製造方法。 - （７）酸化インジウム系透明導電層がＩＴＯ層であるこ
とを特徴とする請求項６記載の透明導電膜の製造方法。 - （８）金属層がＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｖ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎの内の少なくとも１つを含
む単金属層あるいは合金層であることを特徴とする請求
項６または請求項７記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12383689A JPH02304812A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12383689A JPH02304812A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304812A true JPH02304812A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14870583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12383689A Pending JPH02304812A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015194587A1 (ja) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | ジオマテック株式会社 | 積層体、その製造方法及び電子機器 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12383689A patent/JPH02304812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015194587A1 (ja) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | ジオマテック株式会社 | 積層体、その製造方法及び電子機器 |
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