JPH0230455Y2 - - Google Patents
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- JPH0230455Y2 JPH0230455Y2 JP6753782U JP6753782U JPH0230455Y2 JP H0230455 Y2 JPH0230455 Y2 JP H0230455Y2 JP 6753782 U JP6753782 U JP 6753782U JP 6753782 U JP6753782 U JP 6753782U JP H0230455 Y2 JPH0230455 Y2 JP H0230455Y2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は燐等の高蒸気圧で可燃性または有害な
物質を取り扱う真空蒸着において、蒸着室を油・
フリーの状態に保ちながら、これらの物質の安全
な取り扱いを可能にする排気装置に関するもので
ある。
物質を取り扱う真空蒸着において、蒸着室を油・
フリーの状態に保ちながら、これらの物質の安全
な取り扱いを可能にする排気装置に関するもので
ある。
従来、燐等の高蒸気圧の物質を含む超高真空蒸
着装置としては、排気速度が大きく、比較的高圧
(〜10-4Torr)においても動作するとの理由によ
り油拡散ポンプを排気装置として有する超高真空
蒸着装置が用いられてきた。ところが、この超高
真空蒸着装置においては、油拡散ポンプからの油
の逆流があり、油・フリーの清浄な状態での蒸着
は困難であつた。
着装置としては、排気速度が大きく、比較的高圧
(〜10-4Torr)においても動作するとの理由によ
り油拡散ポンプを排気装置として有する超高真空
蒸着装置が用いられてきた。ところが、この超高
真空蒸着装置においては、油拡散ポンプからの油
の逆流があり、油・フリーの清浄な状態での蒸着
は困難であつた。
他方、油・フリーの状態で、且つ比較的高圧状
態でも動作可能な超高真空蒸着装置としては、荒
引き用ソープシヨン・ポンプ、イオン・ポンプ、
チタン・サブリメーシヨン・ポンプ、液体窒素ク
ライオ・パネルの他に、液体ヘリウム・クライ
オ・ポンプを排気装置として有する超高真空蒸着
装置が有効であることが、Journal of Applied
Physics52、2852(1981)において、H.Asshi、Y.
Kawamura、M.Ikeda及びH.Okamotoにより示
されている。しかし、上記装置においては、液体
ヘリウム・クライオ・ポンプにソープシヨン・ポ
ンプを真空バルブを介して直列に接続した排気装
置であるために、蒸着室を油・フリーの状態に保
つことは可能であるが、クライオ・ポンプまたは
ソープシヨン・ポンプのオーバー・ホールの際
に、これらの内壁に付着している燐等の高蒸気圧
物質が大気に触れ、それらを含む蒸気が発生する
等の困難が有り、これらの物質の安全な取り扱い
上問題があつた。
態でも動作可能な超高真空蒸着装置としては、荒
引き用ソープシヨン・ポンプ、イオン・ポンプ、
チタン・サブリメーシヨン・ポンプ、液体窒素ク
ライオ・パネルの他に、液体ヘリウム・クライ
オ・ポンプを排気装置として有する超高真空蒸着
装置が有効であることが、Journal of Applied
Physics52、2852(1981)において、H.Asshi、Y.
Kawamura、M.Ikeda及びH.Okamotoにより示
されている。しかし、上記装置においては、液体
ヘリウム・クライオ・ポンプにソープシヨン・ポ
ンプを真空バルブを介して直列に接続した排気装
置であるために、蒸着室を油・フリーの状態に保
つことは可能であるが、クライオ・ポンプまたは
ソープシヨン・ポンプのオーバー・ホールの際
に、これらの内壁に付着している燐等の高蒸気圧
物質が大気に触れ、それらを含む蒸気が発生する
等の困難が有り、これらの物質の安全な取り扱い
上問題があつた。
本考案はこれらの欠点を解決するために、加熱
ヒータを有するクライオ・ポンプ、ソープシヨ
ン・ポンプ、フオア・ライン・トラツプとロータ
リー・ポンプで排気装置を構成し、各加熱ヒータ
で加熱して高蒸気圧の物質を次々と転送し、最終
的にはロータリー・ポンプの油の中に取り込むこ
とにより、蒸着室を油・フリーの状態に保ちつつ
安全に取り扱うことを可能にしたもので、以下図
面について詳細に説明する。
ヒータを有するクライオ・ポンプ、ソープシヨ
ン・ポンプ、フオア・ライン・トラツプとロータ
リー・ポンプで排気装置を構成し、各加熱ヒータ
で加熱して高蒸気圧の物質を次々と転送し、最終
的にはロータリー・ポンプの油の中に取り込むこ
とにより、蒸着室を油・フリーの状態に保ちつつ
安全に取り扱うことを可能にしたもので、以下図
面について詳細に説明する。
図面は本考案を実施した超高真空蒸着装置の構
成図であり、1は蒸着室、2は荒引き用ソープシ
ヨン・ポンプ、3はイオンン・ポンプ、4は液体
窒素クライオ・パネル、5はチタン・サブリメー
シヨン・ポンプであり、チタン・サブリメーシヨ
ン・ポンプ5は液体窒素クライオ・パネル4の中
に内蔵されている。ここで、蒸着室1、ソープシ
ヨン・ポンプ2、イオン・ポンプ3、液体窒素ク
ライオ・パネル4の外壁には加熱ヒータが取り付
けられている。
成図であり、1は蒸着室、2は荒引き用ソープシ
ヨン・ポンプ、3はイオンン・ポンプ、4は液体
窒素クライオ・パネル、5はチタン・サブリメー
シヨン・ポンプであり、チタン・サブリメーシヨ
ン・ポンプ5は液体窒素クライオ・パネル4の中
に内蔵されている。ここで、蒸着室1、ソープシ
ヨン・ポンプ2、イオン・ポンプ3、液体窒素ク
ライオ・パネル4の外壁には加熱ヒータが取り付
けられている。
また、6は加熱ヒータを有する液体ヘリウム・
クライオ・ポンプ、7は加熱ヒータを有するソー
プシヨン・ポンプ、8は加熱ヒータを有するフオ
ア・ライン・トラツプ、9はロータリー・ポン
プ、10〜16は真空バルブである。液体ヘリウ
ム・クライオ・ポンプ6は真空バルブ12を介し
て蒸着室1と接続され、また、液体ヘリウム・ク
ライオ・ポンプ6には分岐した連通管17を真空
バルブ13を介して接続し、連通管17の他端に
はそれぞれ真空バルブ14,15を介してソープ
シヨン・ポンプ7とフオア・ライン・トラツプ8
を接続して、液体ヘリウム・クライオ・ポンプ6
とソープシヨン・ポンプ7とフオア・ライン・ト
ラツプ8を真空バルブ13,14,15を介して
相互に接続している。さらに、フオア・ライン・
トラツプ8には真空バルブ16を介してロータリ
ー・ポンプ9を接続して本考案の排気装置を構成
している。
クライオ・ポンプ、7は加熱ヒータを有するソー
プシヨン・ポンプ、8は加熱ヒータを有するフオ
ア・ライン・トラツプ、9はロータリー・ポン
プ、10〜16は真空バルブである。液体ヘリウ
ム・クライオ・ポンプ6は真空バルブ12を介し
て蒸着室1と接続され、また、液体ヘリウム・ク
ライオ・ポンプ6には分岐した連通管17を真空
バルブ13を介して接続し、連通管17の他端に
はそれぞれ真空バルブ14,15を介してソープ
シヨン・ポンプ7とフオア・ライン・トラツプ8
を接続して、液体ヘリウム・クライオ・ポンプ6
とソープシヨン・ポンプ7とフオア・ライン・ト
ラツプ8を真空バルブ13,14,15を介して
相互に接続している。さらに、フオア・ライン・
トラツプ8には真空バルブ16を介してロータリ
ー・ポンプ9を接続して本考案の排気装置を構成
している。
次に本装置の作用を説明する。真空蒸着終了
後、真空バルブ12を開き、蒸着室1、イオン・
ポンプ3および液体窒素クライオ・パネル4の外
壁に取り付けられている加熱ヒータにより加熱す
ることにより、その内壁に付着している燐等の物
質をクライオ・ポンプ6に転送する。次に真空バ
ルブ12を閉めて、クライオ・ポンプ6を停止さ
せ、加熱ヒータによりクライオポンプ6を加熱し
て、真空バルブ13,15,16を開いて、短時
間(粘性流状態の間)フオア・ライン・トラツプ
8とロータリー・ポンプ9により排気し、続いて
真空バルブ15を閉め、真空バルブ14を開いて
ソープシヨン・ポンプ7に排気することにより、
クライオ・ポンプ6に取り込まれた当該物質をソ
ープシヨン・ポンプ7、フオア・ライン・トラツ
プ8、ロータリー・ポンプ9に転送する。次に、
真空バルブ13を閉めた状態で加熱ヒータにより
ソープシヨン・ポンプ7を加熱し、短時間フオ
ア・ライン・トラツプ8とロータリー・ポンプ9
により排気し、続いて真空バルブ16を閉めて、
フオア・ライン・トラツプ8だけで排気すること
により、ソープシヨン・ポンプ7の内部に取り込
まれた当該物質をフオア・ライン・トラツプ8と
ロータリー・ポンプ9に転送する。最後に、フオ
ア・ライン・トラツプ8に取り込まれた当該物質
は、真空バルブ15を閉めた状態で加熱ヒータに
よりフオア・ライン・トラツプ8を加熱して、ロ
ータリー・ポンプ9により排気することによりロ
ータリー・ポンプ9の油の中に取り込まれる。
後、真空バルブ12を開き、蒸着室1、イオン・
ポンプ3および液体窒素クライオ・パネル4の外
壁に取り付けられている加熱ヒータにより加熱す
ることにより、その内壁に付着している燐等の物
質をクライオ・ポンプ6に転送する。次に真空バ
ルブ12を閉めて、クライオ・ポンプ6を停止さ
せ、加熱ヒータによりクライオポンプ6を加熱し
て、真空バルブ13,15,16を開いて、短時
間(粘性流状態の間)フオア・ライン・トラツプ
8とロータリー・ポンプ9により排気し、続いて
真空バルブ15を閉め、真空バルブ14を開いて
ソープシヨン・ポンプ7に排気することにより、
クライオ・ポンプ6に取り込まれた当該物質をソ
ープシヨン・ポンプ7、フオア・ライン・トラツ
プ8、ロータリー・ポンプ9に転送する。次に、
真空バルブ13を閉めた状態で加熱ヒータにより
ソープシヨン・ポンプ7を加熱し、短時間フオ
ア・ライン・トラツプ8とロータリー・ポンプ9
により排気し、続いて真空バルブ16を閉めて、
フオア・ライン・トラツプ8だけで排気すること
により、ソープシヨン・ポンプ7の内部に取り込
まれた当該物質をフオア・ライン・トラツプ8と
ロータリー・ポンプ9に転送する。最後に、フオ
ア・ライン・トラツプ8に取り込まれた当該物質
は、真空バルブ15を閉めた状態で加熱ヒータに
よりフオア・ライン・トラツプ8を加熱して、ロ
ータリー・ポンプ9により排気することによりロ
ータリー・ポンプ9の油の中に取り込まれる。
このようにして、蒸着室1への油の逆流のない
状態(油・フリーの状態)で、最終的には当該物
質はロータリー・ポンプ9の油の中に取り込ま
れ、また油の中に取り込まれた当該物質は大気と
接触することがないので、適当な期間毎に油の交
換を行う際にも問題が生ずることなく当該物質を
処理することができる。
状態(油・フリーの状態)で、最終的には当該物
質はロータリー・ポンプ9の油の中に取り込ま
れ、また油の中に取り込まれた当該物質は大気と
接触することがないので、適当な期間毎に油の交
換を行う際にも問題が生ずることなく当該物質を
処理することができる。
次に、本考案の超高真空蒸着装置を用いた半導
体結晶の分子線エピタキシヤル成長の実験例を示
す。これは、インジウム(In)とリン(P)を分
子線源として成長したインジウム・リン(In P)
結晶成長の例で、本装置を用いて成長したInP結
晶はn形であり、室温でのキヤリア濃度は約2×
1016cm-3、電子移動度は約3000cm2/V.secであり、
またフオトルミネセンス強度は同じキヤリア濃度
をもつ液相成長法で成長したInP結晶のものと同
じであり、電気的・光学的に高品質のものが得ら
れた。
体結晶の分子線エピタキシヤル成長の実験例を示
す。これは、インジウム(In)とリン(P)を分
子線源として成長したインジウム・リン(In P)
結晶成長の例で、本装置を用いて成長したInP結
晶はn形であり、室温でのキヤリア濃度は約2×
1016cm-3、電子移動度は約3000cm2/V.secであり、
またフオトルミネセンス強度は同じキヤリア濃度
をもつ液相成長法で成長したInP結晶のものと同
じであり、電気的・光学的に高品質のものが得ら
れた。
クライオ・ポンプ6内の燐をソープシヨン7、
フオア・ライン・トラツプ8、ロータリー・ポン
プ9に転送する作業はおおむね1ケ月に1度(約
20回の使用に対して1度)行なえば充分であつ
た。また、クライオ・ポンプ6の内部には白燐の
付着はなく、オーバー・ホールの際にも蒸気の発
生は起らなかつた。ソープシヨン・ポンプ7、フ
オア・ライン・トラツプ8の内部にも白燐の付着
はなく、これら内部のモレキユラ・シーブの交換
の際にも蒸気の発生はなかつた。さらに、ロータ
リー・ポンプ9の油の交換の際にも蒸気の発生は
なく、安全に燐の処理を行うことができた。
フオア・ライン・トラツプ8、ロータリー・ポン
プ9に転送する作業はおおむね1ケ月に1度(約
20回の使用に対して1度)行なえば充分であつ
た。また、クライオ・ポンプ6の内部には白燐の
付着はなく、オーバー・ホールの際にも蒸気の発
生は起らなかつた。ソープシヨン・ポンプ7、フ
オア・ライン・トラツプ8の内部にも白燐の付着
はなく、これら内部のモレキユラ・シーブの交換
の際にも蒸気の発生はなかつた。さらに、ロータ
リー・ポンプ9の油の交換の際にも蒸気の発生は
なく、安全に燐の処理を行うことができた。
以上説明したように本考案によれば、蒸気室を
油・フリーに保つた状態で、高蒸気圧物質を最終
的にはロータリー・ポンプの油の中に取り込んで
しまうことができるので、高品質の結晶を得るこ
とができ、且つ各排気装置のオーバー・ホールの
際にも有害蒸気の発生が起らず、安全にこれらの
物質を処理することができる。
油・フリーに保つた状態で、高蒸気圧物質を最終
的にはロータリー・ポンプの油の中に取り込んで
しまうことができるので、高品質の結晶を得るこ
とができ、且つ各排気装置のオーバー・ホールの
際にも有害蒸気の発生が起らず、安全にこれらの
物質を処理することができる。
図面は本考案の排気装置を有する超高真空蒸着
装置の構成図である。 1……蒸着室、2……荒引き用ソープシヨン・
ポンプ、3……イオン・ポンプ、4……液体窒素
クライオ・パネル、5……チタン・サブリメーシ
ヨン・ポンプ、6……加熱ヒータを有する液体ヘ
リウム・クライオ・ポンプ、7……加熱ヒータを
有するソープシヨン・ポンプ、8……加熱ヒータ
を有するフオア・ライン・トラツプ、9……ロー
タリー・ポンプ、10〜16……真空バルブ。
装置の構成図である。 1……蒸着室、2……荒引き用ソープシヨン・
ポンプ、3……イオン・ポンプ、4……液体窒素
クライオ・パネル、5……チタン・サブリメーシ
ヨン・ポンプ、6……加熱ヒータを有する液体ヘ
リウム・クライオ・ポンプ、7……加熱ヒータを
有するソープシヨン・ポンプ、8……加熱ヒータ
を有するフオア・ライン・トラツプ、9……ロー
タリー・ポンプ、10〜16……真空バルブ。
Claims (1)
- 蒸着室に真空バルブを介して加熱ヒータを有す
るクライオ・ポンプを接続すると共に、該クライ
オ・ポンプと加熱ヒータを有するソープシヨン・
ポンプと加熱ヒータを有するフオア・ライン・ト
ラツプとを真空バルブを介して相互に接続し、該
フオア・ライン・トラツプには真空バルブを介し
てロータリー・ポンプを接続したことを特徴とす
る超高真空蒸着装置の排気装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6753782U JPS58172462U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 超高真空蒸着装置の排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6753782U JPS58172462U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 超高真空蒸着装置の排気装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58172462U JPS58172462U (ja) | 1983-11-17 |
JPH0230455Y2 true JPH0230455Y2 (ja) | 1990-08-16 |
Family
ID=30077365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6753782U Granted JPS58172462U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | 超高真空蒸着装置の排気装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58172462U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07519B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1995-01-11 | 日新電機株式会社 | 分子線エピタキシ−装置 |
-
1982
- 1982-05-11 JP JP6753782U patent/JPS58172462U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58172462U (ja) | 1983-11-17 |
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