JPS61107720A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents

分子線エピタキシ装置

Info

Publication number
JPS61107720A
JPS61107720A JP59227734A JP22773484A JPS61107720A JP S61107720 A JPS61107720 A JP S61107720A JP 59227734 A JP59227734 A JP 59227734A JP 22773484 A JP22773484 A JP 22773484A JP S61107720 A JPS61107720 A JP S61107720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
introduction chamber
introduction
substrate
molecular beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59227734A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Kanbara
秀明 蒲原
Kazumasa Fujioka
藤岡　和正
Toshiaki Kobari
利明 小針
Kunihiro Takahashi
邦弘 高橋
Shinjiro Ueda
上田　新次郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59227734A priority Critical patent/JPS61107720A/ja
Priority to US06/792,195 priority patent/US4664062A/en
Publication of JPS61107720A publication Critical patent/JPS61107720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は分子線エピタキシ装置に係わり、特に生産性を
向上させるに好適な分子線エピタキシ装置に関する。
〔発明の背景〕
従来１分子線エピタキシ装置には「分子線エピタキシ技
術」　（工業調査会発行）に記載するものがある。第１
図により説明すれば、導入室１は真空開閉手段２を介し
搬送室３に分離不可能（基板導入を目的としては分離で
きない）に取付けられ。
搬送室３には基板（図示せず）の清浄化処理をする準備
室４と基板に薄膜を成長させる成長室５とが設けられて
いる。トランスファマニピュレータ６．７及び８は導入
室１、準備室４及び成長室５へ基板を移送するため設け
られ、更にトランスファマニピュレータ９が搬出室１０
から成長後の基板を取出すために設けられている。
しかし上記構成のものは、基板の清浄化処理が全て準備
室４で行なわれ、この間導入室１は利用されていないこ
と、又導入室１は基板導入後に真空引きが開始されるこ
と等の理由によって装置各部分の利用効率が悪く、この
ため生産性が低いものであった。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来の装置の有する欠点を除去し、導入室
の効率的な利用をはかることにより生産性の高い分子線
エピタキシ装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明の分子線エピタキシ装置は、導入室を準備室及び
分析室から分離可能にすると共に導入室に真空排気ボー
トを設ける構造とし、分離した状態で基板を収納し、予
め真空排気をした導入室を　　　　　、：装置に交互に
装着することによって装置の真空排気に要する時間を短
縮し生産性の向上をは“かるものである。
又、本発明の別の分子線エピタキシ装置は、導入室の他
に中間導入室を介在させ、上記発明の有す、る効果に加
え、搬送室の真空排気に要する時間も短縮し、更に生産
性の向上をはかるものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を第２図〜第４図によって説明する
。
第２図（ａ）、（ｂ）は導入室を分離可能な構造とし、
基板清浄化処理のために導入室に真空排気手段とベーキ
ング手段とを設けたものの実施例で、（ａ）は側面図、
（ｂ）は（ａ）のイーイ′線に沿う一部切欠断面図であ
る。導入室１はフランジ１１．１２を介し搬送室３から
容易に分離可能な手段で装着されている。本実施例では
その手段としてフランジを用いたが、分離可能な手段で
あれば他の手段でもよい、真空開閉バルブ１３゜１４は
導入室１の分離時、導入室１の真空を保持するものであ
る。導入フランジ１５は基板Ｐの導入時開閉するもので
、基板Ｐを収納するカセット１６が設けられている。排
気ポート１７を設けて真空ポンプ（図示せず）に接続可
能にすると共に。
冷却媒体を流すことによってクライオパネルが形成され
るシュラウド１８とノズル１９．２０が設けられ、シュ
ラウド１８内にはベーキングのためにヒータ２１が設け
られている。
なお、装着時には、バルブ１４からフランジ１２側の配
管及び、バルブ１３とバルブ２間の配管中は大気圧とな
るので、それら配管途中に排気ポート（図示せず）を設
け、導入室装着機真空ポンプにより排気を行うものであ
る。
上記導入室１は、第３図に示す如き装着治具によって装
着又は分離がされる。具体的には、ボルト２２を締付け
、固体枠２３をフランジ１１゜１２に固定する構造で、
したがって導入室１はフランジ１１．１２から容易に分
離できる。
次に本実施例による分子線エピタキシ装置の操作法を述
べると、準備室４で基板の完全な清浄化処理をしている
間（薄膜成長可能な処理）、真空開閉バルブ２，１３．
１４を閉じ、フランジ１１゜１２において導入室１を分
離する０分離後、別途予め清浄化処理ずみの基板を収納
する導入室を装着し、次の移送に備えておく。装着後、
上述した通りバルブ１４からフランジ１２側の配管及び
バルブ１３とバルブ２間の真空排気を行い、所定時間経
過後、バルブ１３．１４を開き、上記配管中も導入室と
共に排気する。一方、分離した導入室１は、別に設けた
専用装置を用い、基板に清浄処理を施す、具体的には、
基板Ｐを導入し、真空ポンプによる真空引きを行なうと
共にヒータ２１でベーキング処理をする。所定時間経過
後、ベーキングを停止し、シュラウド１８に冷却媒体（
例えば液体窒素）を流し、クライオパネルの排気作用に
より更に高真空化（搬送室３に近い真空度）をはかつて
清浄化処理が終了する。かかる処理をした導入室１は必
要数（複数個）だけ準備しておくことにより、装置が効
率的に稼動し、生産性の向上がはかれる。
以上説明したように本実施例によれば、導入室を分離可
能にすると共に導入室に真空排気ポートを設ける構造と
し、基板を収納し、予め真空排気をした導入室を交互に
装着することにより真空排気に要する時間が短縮でき、
生産性の向上がはかれるという効果が得られる。
第４図は、導入室と搬送室との間に中間導入室を介在さ
せ、生産性が１層向上する分子線エピタキシ装置の実施
例である。導入室２４はフランジ２５を介し中間導入室
２６に分離可能に装着されている。真空開閉バルブ２７
．２８は導入室２４が分離している間、導入室２４及び
中間導入室２６を真空に保持するために設けられている
。カセット２９には基板Ｐが収納されている。排気ポー
ト３０を設けて真空ポンプ（図示せず）に接続可能にす
ると共に冷却媒体が流せるようシュラウド３１とノズル
３２．３３が設けられ、ベーキングのためのヒータ３４
が設けられている。導入室２４の両端にはフランジの熱
変形防止のため冷却媒体を流すシュラウド３５．３６が
設けられ、又、基板Ｐを移送するトランスファマニピュ
レータ３７が設けられている。又、前記中間導入室２６
にも真空開閉手段３８と共に基板Ｐを移送するトランス
ファマニピュレータ３９が設けられている。
また、装着時に大気圧となっている。バルブ２７とバル
ブ２８の配管はその途中に設けた排気ポート（図示せず
）から所定時間排気を行い、その後バルブ２７、バルブ
２８を開く。
上記導入室２４を中間導入室２６から分離し、別途設け
た専用装置を行い、基板Ｐの清浄化処理をすることは前
記実施例と同一であるが、中間導入室を介在させたこと
により、前記実施例に比較し搬送室の真空引きに要する
時間が短縮できる。
すなわち、真空開閉バルブ３８を開いても、中間導入室
２６の真空度が前記実施例の導入室１より高く（高真空
）、搬送室３の真空度の低下も小さく、このため搬送室
３の真空を復元するに要する時間が短縮される。
以上説明したように本実施例によれば、中間導入室を介
在させたことにより、前記実施例で得られる効果に加え
、搬送室の真空排気に要する時間の短縮もはかれるとい
う効果が得られ生産性の一層の向上がはかれる６ なお、前記実施例ではいずれ°も準備室、成長室及び導
入室を搬送室で連絡する構造のものであるが、搬送室で
連絡せず、準備室と導入室、導入室と成長室とを直接連
絡する分子線エピタキシ装置においても導入室を分離可
能にすると共に、真空排気して交互に装着すれば同様の
効果が得られる６〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、導入室を準備室及
び分析室から分離可能にすると共に導入室に真空排気ポ
ートを設ける構造とし、分離した状態で基板を収納し、
予め真空排気をした導入室を装置に交互に装着すること
によって分子線エピタキシ装置の真空排気に要する時間
を短縮でき、したがって生産性の向上がはかれるという
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の分子線エピタキシ装置の外観図、第２図
は本発明分子線エピタキシ装置の導入室部の拡大図で（
ａ）は外観図、（ｂ）は（ａ）のイ−イ′線に沿う一部
切欠断面図、第３図は本発明における導入室装着時の説
明図、第４図は本発明分子線エピタキシ装置の他の実施
例の外観図である。 １．２４・・・導入室、２，１３，１４，２７，３８・
・・真空開閉バルブ、３・・・搬送室、４・・・準備室
、５・・・成長室、６，７，８，９，３７．３９・・・
トランスファマニピュレータ、１１．１２・・・フラン
ジ、１７．３０・・・排気ポート、１８．３１・・・シ
ュラウド、２１，３４・・・ヒータ、２３・・・固定枠
、２６・・・業　　１　　図 ｆ、Ｚ　　図 第４図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板の清浄化処理をする準備室とエピタキシ成長に
    より薄膜を成長させる成長室と基板を導入する導入室と
    からなる分子線エピタキシ装置において、導入室を準備
    室及び成長室から分離する手段を設けると共に前記導入
    室に真空排気ポートを設けたことを特徴とする分子線エ
    ピタキシ装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、導入室
    に基板の清浄化処理をする手段を設けたことを特徴とす
    る分子線エピタキシ装置。 ３、特許請求の範囲第２項記載の装置において、準備室
    、成長室及び導入室間を基板を搬送する搬送室によつて
    連絡することを特徴とする分子線エピタキシ装置。 ４、特許請求の範囲第２項記載の装置において、導入室
    に設ける清浄化処理手段として真空排気手段及びベーキ
    ング手段を設けたことを特徴とする分子線エピタキシ装
    置。 ５、特許請求の範囲第４項記載の装置において、真空排
    気手段として冷却媒体を流すシユラウド及びベーキング
    手段としてヒータを設けることを特徴とする分子線エピ
    タキシ装置。 ６、基板の清浄化処理をする準備室とエピタキシ成長に
    より薄膜を成長させる成長室と基板を導入する導入室と
    からなる分子線エピタキシ装置において、準備室に設け
    た真空開閉手段と導入室に設けた真空開閉手段との間に
    中間導入室を介在させ、中間導入室に真空開閉手段を設
    け、当該真空開閉手段と導入室に設けた前記真空開閉手
    段との間に導入室を中間導入室から分離する手段を設け
    ると共に前記導入室に基板の清浄化処理をする手段を設
    けたことを特徴とする分子線エピタキシ装置。 ７、特許請求の範囲第６項記載の分子線エピタキシ装置
    において、準備室、成長室及び導入室間を基板を搬送す
    る搬送室によつて連結することを特徴とする分子線エピ
    タキシ装置。 ８、特許請求の範囲第７項記載の装置において、導入室
    に設ける清浄化処理手段として真空排気手段及びベーキ
    ング手段を設けたことを特徴とする分子線エピタキシ装
    置。
JP59227734A 1984-10-31 1984-10-31 分子線エピタキシ装置 Pending JPS61107720A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59227734A JPS61107720A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 分子線エピタキシ装置
US06/792,195 US4664062A (en) 1984-10-31 1985-10-28 Apparatus for manufacturing semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59227734A JPS61107720A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 分子線エピタキシ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61107720A true JPS61107720A (ja) 1986-05-26

Family

ID=16865522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59227734A Pending JPS61107720A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 分子線エピタキシ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4664062A (ja)
JP (1) JPS61107720A (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308431A (en) * 1986-04-18 1994-05-03 General Signal Corporation System providing multiple processing of substrates
US5102495A (en) * 1986-04-18 1992-04-07 General Signal Corporation Method providing multiple-processing of substrates
US6103055A (en) * 1986-04-18 2000-08-15 Applied Materials, Inc. System for processing substrates
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
EP0246453A3 (en) * 1986-04-18 1989-09-06 General Signal Corporation Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US5327624A (en) * 1986-07-16 1994-07-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for forming a thin film on a semiconductor device using an apparatus having a load lock
US4786616A (en) * 1987-06-12 1988-11-22 American Telephone And Telegraph Company Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers
EP0335267B1 (en) * 1988-03-30 1994-06-29 Rohm Co., Ltd. Molecular beam epitaxy apparatus
ES2163388T3 (es) * 1988-05-24 2002-02-01 Unaxis Balzers Ag Instalacion de vacio.
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
US5151303A (en) * 1990-08-07 1992-09-29 Iit Research Institute Method and apparatus for using evacuated, detachable web containers with high vacuum treating means
US5286296A (en) * 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
US5248371A (en) * 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
US5773088A (en) * 1995-12-05 1998-06-30 Materials Research Group, Inc. Treatment system including vacuum isolated sources and method
JP3555717B2 (ja) * 1996-05-09 2004-08-18 シャープ株式会社 半導体製造方法
US6312525B1 (en) 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US20050272254A1 (en) * 1997-11-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
WO1999027579A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6558509B2 (en) * 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
US20060013750A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Martin Perry L Solvent-activated reactor
US20070134821A1 (en) * 2004-11-22 2007-06-14 Randhir Thakur Cluster tool for advanced front-end processing
US20070196011A1 (en) * 2004-11-22 2007-08-23 Cox Damon K Integrated vacuum metrology for cluster tool

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3404661A (en) * 1965-08-26 1968-10-08 Sperry Rand Corp Evaporation system
US4201152A (en) * 1978-02-27 1980-05-06 Varian Associates, Inc. Transfer and temperature monitoring apparatus
FR2498813A1 (fr) * 1981-01-27 1982-07-30 Instruments Sa Installation de traitement de materiaux pour la production de semi-conducteurs

Also Published As

Publication number Publication date
US4664062A (en) 1987-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61107720A (ja) 分子線エピタキシ装置
US6588121B2 (en) Vacuum processing apparatus
US6899507B2 (en) Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
JPH05218176A (ja) 熱処理方法及び被処理体の移載方法
JPH07321047A (ja) 真空処理装置
JP4764574B2 (ja) 処理装置の運転方法
JP3188956B2 (ja) 成膜処理装置
JPH0517879Y2 (ja)
JP2970889B2 (ja) 真空容器の排気口構造
JPS59231816A (ja) ドライエツチング装置
JPH0982594A (ja) 半導体製造装置における室内減圧方法
JP3070567B2 (ja) 縦型減圧気相成長装置とこれを用いた気相成長方法
JP3395180B2 (ja) 基板処理装置
JPH0831743A (ja) Ｃｖｄ装置の汚染防止方法及びその装置
JP2001185598A (ja) 基板処理装置
JPS631035A (ja) 減圧処理方法及び装置
JP2628264B2 (ja) 熱処理装置
JPS6329743Y2 (ja)
JP3200668B2 (ja) クライオポンプ及び微細加工装置における排気方式
JP3463785B2 (ja) 封止装置および処理装置
JPH11116380A (ja) 分子線エピタキシ装置
JPH0624999Y2 (ja) 成膜装置
JPS62237720A (ja) 分子線結晶成長装置
JPS6262512A (ja) 分子線エピタキシ−装置
JP2654241B2 (ja) 半導体装置の製造装置