JPH02303028A - 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 - Google Patents
洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置Info
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- JPH02303028A JPH02303028A JP12515089A JP12515089A JPH02303028A JP H02303028 A JPH02303028 A JP H02303028A JP 12515089 A JP12515089 A JP 12515089A JP 12515089 A JP12515089 A JP 12515089A JP H02303028 A JPH02303028 A JP H02303028A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 28
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
被洗浄物を安全に、且つ、高性能に洗浄・乾燥する方法
とその装置に関し、 安全、高性能で、且つ、処理が低コストになることを目
的とし、 洗浄乾燥方法は、ヘリウムガス空間において純水ベーパ
ーゾーンを形成し、被洗浄物を該純水ベーパーゾーンに
配置して洗浄し、次いで、該純水ベーパーゾーンを解消
させて被洗浄物を乾燥させるようにしたことを特徴とす
る。
とその装置に関し、 安全、高性能で、且つ、処理が低コストになることを目
的とし、 洗浄乾燥方法は、ヘリウムガス空間において純水ベーパ
ーゾーンを形成し、被洗浄物を該純水ベーパーゾーンに
配置して洗浄し、次いで、該純水ベーパーゾーンを解消
させて被洗浄物を乾燥させるようにしたことを特徴とす
る。
洗浄乾燥装置としては、チャンバ下方より純水沸騰ゾー
ン、第１純水ベーパーゾーン、第１冷却ゾーン、第２純
水ベーパーゾーン、第２冷却ゾーンからなる４つの空間
ゾーンを形成するヘリウムガスチャンバを設け、 被洗浄物を第２純水ベーパーゾーンに配置して、前記冷
却ゾーンの有無によって第２純水ベーパーゾーンを形成
・解消させて、前記被洗浄物を洗浄・乾燥するように構
成する。
ン、第１純水ベーパーゾーン、第１冷却ゾーン、第２純
水ベーパーゾーン、第２冷却ゾーンからなる４つの空間
ゾーンを形成するヘリウムガスチャンバを設け、 被洗浄物を第２純水ベーパーゾーンに配置して、前記冷
却ゾーンの有無によって第２純水ベーパーゾーンを形成
・解消させて、前記被洗浄物を洗浄・乾燥するように構
成する。
本発明は半導体装置や電子機器その他の各種の分野にお
いて被洗浄物を安全に、且つ、高性能に洗浄・乾燥する
方法とその装置に関する。
いて被洗浄物を安全に、且つ、高性能に洗浄・乾燥する
方法とその装置に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕例えば、
半導体製造のウェハープロセス分野において、ウェハー
の洗浄に高度な洗浄技術が要求されており、且つ、洗浄
後の乾燥は更に重要とされている。
半導体製造のウェハープロセス分野において、ウェハー
の洗浄に高度な洗浄技術が要求されており、且つ、洗浄
後の乾燥は更に重要とされている。
従って、従来よりウェハーの洗浄および洗浄後の乾燥に
はフレオンペーパー、イソプロピルアルコールペーパー
などの有機溶剤ペーパー（ｖａｐｏｕｒ；蒸気）が使用
されており、これらは脱脂能力が高く、しかも、素早く
乾燥できる利点があるために最適であるが、有機溶剤は
一般に可燃性で、大気を汚染する薬品であり、更に、発
癌性があるとされているもの（イソプロピルアルコール
）もある、特に、フレオンは宇宙のオゾン層を破壊する
としてＩ界の話題になっている薬品で、フレオンなどの
有機溶剤は今後は不使用ないしは使用制限される可能性
が極めて高いものである。
はフレオンペーパー、イソプロピルアルコールペーパー
などの有機溶剤ペーパー（ｖａｐｏｕｒ；蒸気）が使用
されており、これらは脱脂能力が高く、しかも、素早く
乾燥できる利点があるために最適であるが、有機溶剤は
一般に可燃性で、大気を汚染する薬品であり、更に、発
癌性があるとされているもの（イソプロピルアルコール
）もある、特に、フレオンは宇宙のオゾン層を破壊する
としてＩ界の話題になっている薬品で、フレオンなどの
有機溶剤は今後は不使用ないしは使用制限される可能性
が極めて高いものである。
また、他の洗浄後の乾燥方式にドライガスの吹きつけ法
があるが、この方法は速乾性に乏しく、且つ、空気を汚
すガスが多く用いられることが多い。
があるが、この方法は速乾性に乏しく、且つ、空気を汚
すガスが多く用いられることが多い。
従って、現在、有機溶剤ペーパーに代わる安全な代替薬
品の開発が急がれているが、代替薬品が開発されてもコ
ストアップになる可能性が十分にある。
品の開発が急がれているが、代替薬品が開発されてもコ
ストアップになる可能性が十分にある。
本発明はこのような問題点を解消させて、安全。
高性能で、且つ、処理が低コストになることを目的とし
た洗浄乾燥方法とその装置を提案するものである。
た洗浄乾燥方法とその装置を提案するものである。
その課題は、第１図に示す原理図のように、密閉したヘ
リウムガス空間１において純水ベーパーゾーン２を形成
し、被洗浄物Ｗを該純水ベーパーゾーンに配置して洗浄
し、次いで、該純水ベーパーゾーンを解消させて被洗浄
物を乾燥させるようにした洗浄乾燥方法によって解決さ
れる。なお、第１図中の記号３は加熱ヒータ部、４は純
水沸騰ゾーン、５は冷却ゾーンである。
リウムガス空間１において純水ベーパーゾーン２を形成
し、被洗浄物Ｗを該純水ベーパーゾーンに配置して洗浄
し、次いで、該純水ベーパーゾーンを解消させて被洗浄
物を乾燥させるようにした洗浄乾燥方法によって解決さ
れる。なお、第１図中の記号３は加熱ヒータ部、４は純
水沸騰ゾーン、５は冷却ゾーンである。
その洗浄乾燥方法を適用する洗浄乾燥装置として、チャ
ンバ下方より第１純水ベーパーゾーン。
ンバ下方より第１純水ベーパーゾーン。
第１冷却ゾーン、第２純水ベーパーゾーン、第２冷却ゾ
ーンからなる４つの空間ゾーンを形成するヘリウムガス
チャンバを設け、被洗浄物を第２純水ベーパーゾーンに
配置して、前記冷却ゾーンの有無によって第２純水ベー
パーゾーンを形成・解消させて、前記被洗浄物を洗浄・
乾燥するように構成する。
ーンからなる４つの空間ゾーンを形成するヘリウムガス
チャンバを設け、被洗浄物を第２純水ベーパーゾーンに
配置して、前記冷却ゾーンの有無によって第２純水ベー
パーゾーンを形成・解消させて、前記被洗浄物を洗浄・
乾燥するように構成する。
即ち、本発明にかかる洗浄乾燥方法は、ヘリウム（ｌｉ
ｅ）ガス中において純水ベーパーゾーンヲ形成し、その
純水ベーパーゾーン中に被洗浄物Ｗを載置する。そうす
ると、被洗浄物は常温であるから被洗浄物の表面で純水
蒸気が冷却されて純水溶液になり、その純水溶液によっ
て被洗浄物が洗浄される。次いで、その洗浄中に被洗浄
物が純水蒸気によって加熱されてしまうと、もはや被洗
浄物は純水溶液で洗浄できなくなる。従って、次に、純
水ベーパーゾーンを解消させて、加熱されて高温状態の
被洗浄物の表面から水分を蒸発させて早急に乾燥させる
。
ｅ）ガス中において純水ベーパーゾーンヲ形成し、その
純水ベーパーゾーン中に被洗浄物Ｗを載置する。そうす
ると、被洗浄物は常温であるから被洗浄物の表面で純水
蒸気が冷却されて純水溶液になり、その純水溶液によっ
て被洗浄物が洗浄される。次いで、その洗浄中に被洗浄
物が純水蒸気によって加熱されてしまうと、もはや被洗
浄物は純水溶液で洗浄できなくなる。従って、次に、純
水ベーパーゾーンを解消させて、加熱されて高温状態の
被洗浄物の表面から水分を蒸発させて早急に乾燥させる
。
洗浄・乾燥は上記のようにして処理されるが、ヘリウム
ガス中でおこなう理由はヘリウム（ｌｌｅ）が水蒸気よ
りも軽いために、容易にヘリウム中で純水ベーパーゾー
ンが形成できるためで、空気中ではベーパーゾーンが形
成できないからである。
ガス中でおこなう理由はヘリウム（ｌｌｅ）が水蒸気よ
りも軽いために、容易にヘリウム中で純水ベーパーゾー
ンが形成できるためで、空気中ではベーパーゾーンが形
成できないからである。
従来より、有機溶剤ペーパーが利用されるのは、有機溶
剤の分子の極性が大きく、且つ、有機溶剤ペーパーの密
度が空気密度より大きいためにベーパーゾーンが容易に
形成できるからである。一方、純水は分子の極性が有機
溶剤より大きいが、蒸気密度が空気より小さいためにベ
ーパーゾーンが形成できずに蒸発してしまって、洗浄・
乾燥に利用できなかった。それを純水ペーパーより軽く
、安全なヘリウムガス中で純水ベーパーゾーンを形成し
て洗浄・乾燥をおこなうものである。
剤の分子の極性が大きく、且つ、有機溶剤ペーパーの密
度が空気密度より大きいためにベーパーゾーンが容易に
形成できるからである。一方、純水は分子の極性が有機
溶剤より大きいが、蒸気密度が空気より小さいためにベ
ーパーゾーンが形成できずに蒸発してしまって、洗浄・
乾燥に利用できなかった。それを純水ペーパーより軽く
、安全なヘリウムガス中で純水ベーパーゾーンを形成し
て洗浄・乾燥をおこなうものである。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかる洗浄乾燥装置の概要図を示して
おり、記号１０はヘリウムガスチャンバで、チャンバ下
方より加熱ヒータ部１３．純水沸瞼ゾーン１４．第１純
水ベーパーゾーン１１．第１冷却ゾーン１６．第２純水
ベーパーゾーン１２．第２冷却ゾーンＩ５を内蔵してお
り、Ｗは被洗浄物である。また、このヘリウムガスチャ
ンバ１０における第２純水ベーパーゾーン１２の両側に
それぞれゲートバルブＧ、。
おり、記号１０はヘリウムガスチャンバで、チャンバ下
方より加熱ヒータ部１３．純水沸瞼ゾーン１４．第１純
水ベーパーゾーン１１．第１冷却ゾーン１６．第２純水
ベーパーゾーン１２．第２冷却ゾーンＩ５を内蔵してお
り、Ｗは被洗浄物である。また、このヘリウムガスチャ
ンバ１０における第２純水ベーパーゾーン１２の両側に
それぞれゲートバルブＧ、。
Ｇ２を介在させてロード室１７とアンロード室１８とが
付設しである。このロード室１７．アンロード室１８゜
第２純水ベーパーゾーン１２にはステージ１９が配置さ
れ、その上に被洗浄物Ｗを載置して被洗浄物を移動する
ように構成されている。ロード室１７．７ンロード室１
８のステージ１９は上下に動作し、下降して被洗浄物Ｗ
を搬入・搬出できるようにしである。また、第１冷却ゾ
ーン１６．第２冷却ゾーン１５にはそれぞれ冷却配管Ｔ
、、 ＴＩが周回している。
付設しである。このロード室１７．アンロード室１８゜
第２純水ベーパーゾーン１２にはステージ１９が配置さ
れ、その上に被洗浄物Ｗを載置して被洗浄物を移動する
ように構成されている。ロード室１７．７ンロード室１
８のステージ１９は上下に動作し、下降して被洗浄物Ｗ
を搬入・搬出できるようにしである。また、第１冷却ゾ
ーン１６．第２冷却ゾーン１５にはそれぞれ冷却配管Ｔ
、、 ＴＩが周回している。
次に、付帯設備を説明すると、２０はポンプ２１゜ろ過
器２２．純水補給弁２３からなる純水補給系。
器２２．純水補給弁２３からなる純水補給系。
３０はポンプ３１．開閉弁３２からなる真空排気系。
４０はファン４１．脱水器４２． ＩＩＥＰＡフィルタ
４３からなるヘリウムガス循環系。
４３からなるヘリウムガス循環系。
５０は圧力調整弁５１．５２．ヘリウムガスボンベ５３
゜ガスプール容器５４からなるヘリウムガス圧調節系で
ある。
゜ガスプール容器５４からなるヘリウムガス圧調節系で
ある。
かくして、純水沸騰ゾーン１４には純水補給系２０から
消耗する純水を補給し、且つ、ヘリウムガス循環系４０
によってヘリウムガスを浄化し、更に、ヘリウムガス圧
調節系５０によってヘリウムガス圧を調整して、洗浄乾
燥の処理をおこなうが、また、真空排気系３０は洗浄乾
燥装置の初めに−、ヘリウムガスチャンバ１０内の空気
を排気させる役目をする系である。
消耗する純水を補給し、且つ、ヘリウムガス循環系４０
によってヘリウムガスを浄化し、更に、ヘリウムガス圧
調節系５０によってヘリウムガス圧を調整して、洗浄乾
燥の処理をおこなうが、また、真空排気系３０は洗浄乾
燥装置の初めに−、ヘリウムガスチャンバ１０内の空気
を排気させる役目をする系である。
次に、第２図に示す洗浄乾燥装置による処理方法の概要
を第３図（ａ）、 （ｂ）に示す処理工程図を参照しな
がら説明すると、 まず、処理の初期にはヘリウムガスチャンバＩＯ内を真
空排気系３０によって排気して１／１０気圧程度に減圧
した後、ヘリウムガス圧ｉＡ節系５０からヘリウムガス
を注入してガス圧を一定圧に維持させる。
を第３図（ａ）、 （ｂ）に示す処理工程図を参照しな
がら説明すると、 まず、処理の初期にはヘリウムガスチャンバＩＯ内を真
空排気系３０によって排気して１／１０気圧程度に減圧
した後、ヘリウムガス圧ｉＡ節系５０からヘリウムガス
を注入してガス圧を一定圧に維持させる。
次いで、第１冷却ゾーン１６．第２冷却ゾーン１５に周
回させである冷却配管Ｔ＋’、Ｔｇに冷水を流し、且つ
、加熱ヒータ部１３によって純水沸騰ゾーン１４を加熱
して純水を沸騰させて、第１純水ベーパーゾーン１１に
純水ペーパーを形成する。この時、第１冷却ゾーン１６
は冷却配管Ｔ１によって冷却されているから純水ペーパ
ーが冷却ゾーン１６より上方には上昇しない（第３図（
ａ）参照）。
回させである冷却配管Ｔ＋’、Ｔｇに冷水を流し、且つ
、加熱ヒータ部１３によって純水沸騰ゾーン１４を加熱
して純水を沸騰させて、第１純水ベーパーゾーン１１に
純水ペーパーを形成する。この時、第１冷却ゾーン１６
は冷却配管Ｔ１によって冷却されているから純水ペーパ
ーが冷却ゾーン１６より上方には上昇しない（第３図（
ａ）参照）。
次いで、被洗浄物Ｗ（例えば、複数のウェハーを保持し
たキャリア）をロード室１７のステージ１９に載置して
上昇させ、ゲートバルブＧ１を開いて第２純水ベーパー
ゾーン１２のステージ１９上にｉｌｌして、ゲートバル
ブＧ、を閉じる。なお、ロード室１７およびアンロード
室１８にはヘリウムガスが充満させてあり、ゲートバル
ブＧ、、 Ｇｇを開閉しても支障はない。
たキャリア）をロード室１７のステージ１９に載置して
上昇させ、ゲートバルブＧ１を開いて第２純水ベーパー
ゾーン１２のステージ１９上にｉｌｌして、ゲートバル
ブＧ、を閉じる。なお、ロード室１７およびアンロード
室１８にはヘリウムガスが充満させてあり、ゲートバル
ブＧ、、 Ｇｇを開閉しても支障はない。
次いで、第１冷却ゾーン１６の冷却配管Ｔ１に流してい
る冷水を止める。そうすると、純水ペーパーが第１冷却
ゾーン１６を越えて第２純水ベーパーゾーン１２まで一
１昇して、第２純水ベーパーゾーンに載置した被洗浄物
Ｗを洗浄する（第３図（ｂ）参照）。
る冷水を止める。そうすると、純水ペーパーが第１冷却
ゾーン１６を越えて第２純水ベーパーゾーン１２まで一
１昇して、第２純水ベーパーゾーンに載置した被洗浄物
Ｗを洗浄する（第３図（ｂ）参照）。
次いで、洗浄を終了した後、再び第１冷却ヅーン１６の
冷却配管Ｔ、に冷水を流すと、純水ヘーパーが純水ベー
パーゾーン１１まで下降し、第２純水ベーパーゾーンに
ｉｉ置した被洗浄物Ｗは高温度に加熱されているからヘ
リウムガス中で乾燥がおこなわれる（第３図（ａ）参照
）。
冷却配管Ｔ、に冷水を流すと、純水ヘーパーが純水ベー
パーゾーン１１まで下降し、第２純水ベーパーゾーンに
ｉｉ置した被洗浄物Ｗは高温度に加熱されているからヘ
リウムガス中で乾燥がおこなわれる（第３図（ａ）参照
）。
次いで、アンロード室１８のゲートバルブＧ！を開いて
第２純水ベーパーゾーン１２のステージ１９上の被洗浄
物Ｗをアンロード室１８のステージ１９上に移し、次に
、ゲートバルブＧｔを閉じ、被洗浄物Ｗをｍｓ！置した
ステージ１９を下降させる。
第２純水ベーパーゾーン１２のステージ１９上の被洗浄
物Ｗをアンロード室１８のステージ１９上に移し、次に
、ゲートバルブＧｔを閉じ、被洗浄物Ｗをｍｓ！置した
ステージ１９を下降させる。
なお、これらの処理工程中は、第２冷却ゾーン１５の冷
却配管Ｔ、には絶えず冷水を流しておき、また、純水ペ
ーパーの上昇・下降に伴ってチャンバ内のヘリウムガス
圧を一定に保つためにヘリウムガス圧調節系５０を連動
させて、ヘリウムガスをガスプール容器５４に入れたり
、出したりして調節する方法を採る。
却配管Ｔ、には絶えず冷水を流しておき、また、純水ペ
ーパーの上昇・下降に伴ってチャンバ内のヘリウムガス
圧を一定に保つためにヘリウムガス圧調節系５０を連動
させて、ヘリウムガスをガスプール容器５４に入れたり
、出したりして調節する方法を採る。
上記が処理方法の概要説明である。要するに、第１冷却
ゾーン１６の有無によって第２純水ベーパーゾーン１２
を形成したり、解消したりして洗浄と乾燥とを繰り返え
しおこなう処理方式である。
ゾーン１６の有無によって第２純水ベーパーゾーン１２
を形成したり、解消したりして洗浄と乾燥とを繰り返え
しおこなう処理方式である。
以上のような洗浄乾燥処理方法をおこなえば、有害な有
機溶剤を使用することなく、高性能な洗浄・乾燥ができ
て、且つ、ヘリウムガスと純水の消費のみで低コストの
処理をおこなうことができる。
機溶剤を使用することなく、高性能な洗浄・乾燥ができ
て、且つ、ヘリウムガスと純水の消費のみで低コストの
処理をおこなうことができる。
上記の説明から明らかなように、本発明にかかる洗浄乾
燥装置によれば安全なヘリウムガス中で純水ヘーバーゾ
ーンを形成して洗浄・乾燥をおこなうことができ、高性
能で、低コストな洗浄乾燥処理ができて、且つ、環境汚
染が防止される大きな効果のあるものである。
燥装置によれば安全なヘリウムガス中で純水ヘーバーゾ
ーンを形成して洗浄・乾燥をおこなうことができ、高性
能で、低コストな洗浄乾燥処理ができて、且つ、環境汚
染が防止される大きな効果のあるものである。
第１図は原理図、
第２図は本発明にかかる洗浄乾燥装置の概要図、第３図
は処理工程図である。 図において、 ｌはヘリウムガス空間、２は純水ベーパーゾーン、３は
加熱ヒータ部、 ４は純水沸腑ゾーン、５は冷却ゾ
ーン、 Ｗは被洗浄物、１０はヘリウムガスチャン
バ、 ｌｌは第１純水ベーパーゾーン、 １２は第２純水ベーパーゾーン、 １３は加熱ヒータ部、 １４は純水沸謄ゾーン、１５
は第２冷却ゾーン、 １６は第１冷却ゾーン、１７はロ
ード室、 １８はアンロード室、１９はステー
ジ、 ２０は純水補給系、 ３０は真空排気系、４０はヘ
リウムガス循環系、 ５０はヘリウムガス圧調節系、 Ｇｚ Ｇｚはゲートバルブ、Ｔ、、 Ｔｚは冷却配管を
示している。 上へり・うムカ゛スセ間 、メ ツ ／！、 理 １］ 第１２
は処理工程図である。 図において、 ｌはヘリウムガス空間、２は純水ベーパーゾーン、３は
加熱ヒータ部、 ４は純水沸腑ゾーン、５は冷却ゾ
ーン、 Ｗは被洗浄物、１０はヘリウムガスチャン
バ、 ｌｌは第１純水ベーパーゾーン、 １２は第２純水ベーパーゾーン、 １３は加熱ヒータ部、 １４は純水沸謄ゾーン、１５
は第２冷却ゾーン、 １６は第１冷却ゾーン、１７はロ
ード室、 １８はアンロード室、１９はステー
ジ、 ２０は純水補給系、 ３０は真空排気系、４０はヘ
リウムガス循環系、 ５０はヘリウムガス圧調節系、 Ｇｚ Ｇｚはゲートバルブ、Ｔ、、 Ｔｚは冷却配管を
示している。 上へり・うムカ゛スセ間 、メ ツ ／！、 理 １］ 第１２
Claims (2)
- （１）ヘリウムガス空間において純水ベーパーゾーンを
形成し、被洗浄物を該純水ベーパーゾーンに配置して洗
浄し、次いで、該純水ベーパーゾーンを解消させて被洗
浄物を乾燥させるようにしたことを特徴とする洗浄乾燥
方法。 - （２）チャンバ下方より第１純水ベーパーゾーン、第１
冷却ゾーン、第２純水ベーパーゾーン、第２冷却ゾーン
からなる４つの空間ゾーンを形成するヘリウムガスチャ
ンバを設け、 被洗浄物を第２純水ベーパーゾーンに配置して、前記冷
却ゾーンの有無によつて第２純水ベーパーゾーンを形成
・解消させて、前記被洗浄物を洗浄・乾燥するように構
成したことを特徴とする洗浄乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515089A JPH02303028A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515089A JPH02303028A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303028A true JPH02303028A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14903109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12515089A Pending JPH02303028A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 洗浄乾燥方法および洗浄乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104821345A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-05 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种抗电势诱导衰减太阳能电池的制备方法 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12515089A patent/JPH02303028A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104821345A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-05 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种抗电势诱导衰减太阳能电池的制备方法 |
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