JPH02302997A - 誤書込みを防止したprom - Google Patents
誤書込みを防止したpromInfo
- Publication number
- JPH02302997A JPH02302997A JP1125040A JP12504089A JPH02302997A JP H02302997 A JPH02302997 A JP H02302997A JP 1125040 A JP1125040 A JP 1125040A JP 12504089 A JP12504089 A JP 12504089A JP H02302997 A JPH02302997 A JP H02302997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- write
- data
- cell array
- check circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体メモリーに関し、特に消去が可能で電気
的占込みが可能なメモリトランジスタをメモリセルとす
るP R,0ヘnに関する。
的占込みが可能なメモリトランジスタをメモリセルとす
るP R,0ヘnに関する。
従来、この種の消去よ−1よひ電気的書込みが可能なR
,OMは、誤」込み防![二相のデータを本体内に有し
ていない構造となっていた。
,OMは、誤」込み防![二相のデータを本体内に有し
ていない構造となっていた。
上述した従来の消去および電気的書込みが可能なROM
は、未書込みであるか占込み済であるかを示すデータを
本体内に有していない為、ラベル等を本体に貼付けて区
別しなけれはならず、書込み済のものに過って書込みを
行なった場合には内容が破壊されてしまうという欠点か
ある。
は、未書込みであるか占込み済であるかを示すデータを
本体内に有していない為、ラベル等を本体に貼付けて区
別しなけれはならず、書込み済のものに過って書込みを
行なった場合には内容が破壊されてしまうという欠点か
ある。
本発明のP ROMは、本体内に剖込み状態を表示する
ためのメモリーセルと、書込み状態チェック回路と、書
込み制御ラインとを有している。
ためのメモリーセルと、書込み状態チェック回路と、書
込み制御ラインとを有している。
第1図は、本発明の一実施例のフロック図である。
メモリーセルアレイ1は消去可能 電気的書込可能の公
知のメモリ1〜ランジスタをメモリセルとするセルアレ
イであり、これにセルアレイ1を4゛I4成するメモリ
1ヘランジスクと同様の消去お31:ひ電気的書込可能
なメモリ1〜ランジスタからなる書込み状態メモリーセ
ル2が付加されている。このセル2に書込み状態チェッ
ク回路4が接続され、さらに書込み制御ライン5か書込
み状態チェック回路4に接続されている。書込み状態チ
ェック回路4およびメモリーセルアレイ1にはデータバ
ス3が接続される。
知のメモリ1〜ランジスタをメモリセルとするセルアレ
イであり、これにセルアレイ1を4゛I4成するメモリ
1ヘランジスクと同様の消去お31:ひ電気的書込可能
なメモリ1〜ランジスタからなる書込み状態メモリーセ
ル2が付加されている。このセル2に書込み状態チェッ
ク回路4が接続され、さらに書込み制御ライン5か書込
み状態チェック回路4に接続されている。書込み状態チ
ェック回路4およびメモリーセルアレイ1にはデータバ
ス3が接続される。
メモリーセルアレイ1が未書込みの時は、書込み状態メ
モリセル2は消去状態(たとえばデータ“○゛°を記憶
)にある。メモリーセルアレイ1内にデータハス3から
のデータを書き込む時は、外部から書込み指示信号を与
えるが、その時に書き込み制御ライン5に書き込み指示
信号を供給するようにし、書込み状態チェック回路4は
これを受けて書き込み状態メモリーセル2にデータ“′
1“″を書き込む。メモリーセルアレイ1がデータ書き
込みすみであるか朱書込であるかを判定するためには、
書込み制御ライン5に読み出し信号を与える。書込み状
態チェック回路4はこれを受けて書込み状態メモリーセ
ル2の内容をデータバス3に出力する。その読み出しデ
ータか“1″′であればメモリーセルアレイ1は書込み
ずみてあり、“O″であれば朱書込みである。データパ
]″′の読み出しがあったときはメモリー書込み器(図
示せず)の動作を禁止するように制御ずれはよい。
モリセル2は消去状態(たとえばデータ“○゛°を記憶
)にある。メモリーセルアレイ1内にデータハス3から
のデータを書き込む時は、外部から書込み指示信号を与
えるが、その時に書き込み制御ライン5に書き込み指示
信号を供給するようにし、書込み状態チェック回路4は
これを受けて書き込み状態メモリーセル2にデータ“′
1“″を書き込む。メモリーセルアレイ1がデータ書き
込みすみであるか朱書込であるかを判定するためには、
書込み制御ライン5に読み出し信号を与える。書込み状
態チェック回路4はこれを受けて書込み状態メモリーセ
ル2の内容をデータバス3に出力する。その読み出しデ
ータか“1″′であればメモリーセルアレイ1は書込み
ずみてあり、“O″であれば朱書込みである。データパ
]″′の読み出しがあったときはメモリー書込み器(図
示せず)の動作を禁止するように制御ずれはよい。
メモリセルアレイコ−を消去する時は、書込み状態メモ
リーセル2の内容も同時に消去する。
リーセル2の内容も同時に消去する。
以上説明したように本発明によれば、書込み状態メモリ
ーセル2を読出すことにより、メモリセルアレイ]にデ
ータか書込み済であるか未書込みであるかの判定が可能
となるなめ、誤書込みをシj止てきる効果かある。
ーセル2を読出すことにより、メモリセルアレイ]にデ
ータか書込み済であるか未書込みであるかの判定が可能
となるなめ、誤書込みをシj止てきる効果かある。
図面の簡単な説明
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
1・・・メモリーセルアレイ、2 ・書込み状態メモリ
ーセル、3・データバス、4 ・書込み状態ヂエック回
路、5 ・書込み制御ライン。
ーセル、3・データバス、4 ・書込み状態ヂエック回
路、5 ・書込み制御ライン。
Claims (1)
- 消去および電気的書込みが可能なメモリセルからなるメ
モリアレイと、書込み状態を表示するためのメモリーセ
ルと、書込み状態チェック回路と、書込み制御ラインと
を有することを特徴とする誤書込みを防止したPROM
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1125040A JPH02302997A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 誤書込みを防止したprom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1125040A JPH02302997A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 誤書込みを防止したprom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302997A true JPH02302997A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14900354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1125040A Pending JPH02302997A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 誤書込みを防止したprom |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02302997A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08329688A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5638316A (en) * | 1994-11-08 | 1997-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memory apparatus |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1125040A patent/JPH02302997A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5638316A (en) * | 1994-11-08 | 1997-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Memory apparatus |
JPH08329688A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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