JPH02302997A - 誤書込みを防止したprom - Google Patents

誤書込みを防止したprom

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Publication number
JPH02302997A
JPH02302997A JP1125040A JP12504089A JPH02302997A JP H02302997 A JPH02302997 A JP H02302997A JP 1125040 A JP1125040 A JP 1125040A JP 12504089 A JP12504089 A JP 12504089A JP H02302997 A JPH02302997 A JP H02302997A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory cell
write
data
cell array
check circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1125040A
Other languages
English (en)
Inventor
Taketoshi Hamahara
濱原 武俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02302997A publication Critical patent/JPH02302997A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体メモリーに関し、特に消去が可能で電気
的占込みが可能なメモリトランジスタをメモリセルとす
るP R,0ヘnに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の消去よ−1よひ電気的書込みが可能なR
,OMは、誤」込み防![二相のデータを本体内に有し
ていない構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の消去および電気的書込みが可能なROM
は、未書込みであるか占込み済であるかを示すデータを
本体内に有していない為、ラベル等を本体に貼付けて区
別しなけれはならず、書込み済のものに過って書込みを
行なった場合には内容が破壊されてしまうという欠点か
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のP ROMは、本体内に剖込み状態を表示する
ためのメモリーセルと、書込み状態チェック回路と、書
込み制御ラインとを有している。
〔実施例〕
第1図は、本発明の一実施例のフロック図である。
メモリーセルアレイ1は消去可能 電気的書込可能の公
知のメモリ1〜ランジスタをメモリセルとするセルアレ
イであり、これにセルアレイ1を4゛I4成するメモリ
1ヘランジスクと同様の消去お31:ひ電気的書込可能
なメモリ1〜ランジスタからなる書込み状態メモリーセ
ル2が付加されている。このセル2に書込み状態チェッ
ク回路4が接続され、さらに書込み制御ライン5か書込
み状態チェック回路4に接続されている。書込み状態チ
ェック回路4およびメモリーセルアレイ1にはデータバ
ス3が接続される。
メモリーセルアレイ1が未書込みの時は、書込み状態メ
モリセル2は消去状態(たとえばデータ“○゛°を記憶
)にある。メモリーセルアレイ1内にデータハス3から
のデータを書き込む時は、外部から書込み指示信号を与
えるが、その時に書き込み制御ライン5に書き込み指示
信号を供給するようにし、書込み状態チェック回路4は
これを受けて書き込み状態メモリーセル2にデータ“′
1“″を書き込む。メモリーセルアレイ1がデータ書き
込みすみであるか朱書込であるかを判定するためには、
書込み制御ライン5に読み出し信号を与える。書込み状
態チェック回路4はこれを受けて書込み状態メモリーセ
ル2の内容をデータバス3に出力する。その読み出しデ
ータか“1″′であればメモリーセルアレイ1は書込み
ずみてあり、“O″であれば朱書込みである。データパ
]″′の読み出しがあったときはメモリー書込み器(図
示せず)の動作を禁止するように制御ずれはよい。
メモリセルアレイコ−を消去する時は、書込み状態メモ
リーセル2の内容も同時に消去する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、書込み状態メモリ
ーセル2を読出すことにより、メモリセルアレイ]にデ
ータか書込み済であるか未書込みであるかの判定が可能
となるなめ、誤書込みをシj止てきる効果かある。
図面の簡単な説明 第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
1・・・メモリーセルアレイ、2 ・書込み状態メモリ
ーセル、3・データバス、4 ・書込み状態ヂエック回
路、5 ・書込み制御ライン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 消去および電気的書込みが可能なメモリセルからなるメ
    モリアレイと、書込み状態を表示するためのメモリーセ
    ルと、書込み状態チェック回路と、書込み制御ラインと
    を有することを特徴とする誤書込みを防止したPROM
JP1125040A 1989-05-17 1989-05-17 誤書込みを防止したprom Pending JPH02302997A (ja)

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JP1125040A JPH02302997A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 誤書込みを防止したprom

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JP1125040A JPH02302997A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 誤書込みを防止したprom

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JPH02302997A true JPH02302997A (ja) 1990-12-14

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ID=14900354

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JP1125040A Pending JPH02302997A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 誤書込みを防止したprom

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JP (1) JPH02302997A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08329688A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5638316A (en) * 1994-11-08 1997-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5638316A (en) * 1994-11-08 1997-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory apparatus
JPH08329688A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置

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